CN105590751B - 屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺及屏蔽型有机薄膜电容器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 122
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 122
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 4
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 claims description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical class [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 4
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 241000596151 Iris domestica Species 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
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Abstract
屏敝型有机薄膜电容器制作工艺，工序包括：用电容器绕制机绕制电容素子，在形成电容器本体后，在电容器本体外圈绕制1‑2层金属箔卷，封口制成电容素子；用喷金机向制成的电容素子的左右两端面喷涂金属，在电容素子的两端形成一定厚度的喷金层；通过喷金层焊接，在电容素子中引出内电极和外电极，装入塑料外壳或用绝缘胶带包裹；用环氧树脂灌封塑料外壳或绝缘胶带外层，得到有机薄膜电容器。本发明制作出的屏敝型有机薄膜电容器具有有效屏蔽电路辐射干扰的功能，在有高频干扰信号的线路中，可以起到旁路高频干扰信号的作用，并且结构紧凑体积小，可作为高频旁路电容器，满足整体小型化设备高可靠性的要求。本发明还提供一种屏敝型有机薄膜电容器。
Description
技术领域
本发明涉及一种屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，制作出的有机薄膜电容器具有屏蔽高频电磁干扰的功能，本发明还涉及一种屏蔽型有机薄膜电容器。
背景技术
有机薄膜电容器作为电容器中的一个重要组成部分，广泛应用于移动通讯、计算机、汽车电子等电子设备，同时也在航空、航天、卫星、通信等军用电子整机的线路中广泛使用。
随着电子技术及军用电子元器件的发展，电子设备工作频率的迅速提高，电磁干扰的频率也越来越高，干扰频率通常会达到数百MHz以上。由于电压或电流的频率越高，越容易产生辐射，正是这些频率很高的干扰信号导致了辐射干扰的问题日益严重。因此，对用来旁路干扰信号电容器的一个基本要求就是要能对这些高频干扰信号有较大的衰减。按照传统方式构造的高频旁路电容器寄生电感较大（导致串联谐振，增加了旁路阻抗），导致电容器在较高的频率下并不具有较低的阻抗，起不到旁路的作用，并且体积较大。在设备整体小型化、高可靠的要求下，传统方式构造的高频旁路电容器很难满足要求。使体积小的有机薄膜电容器，具有屏蔽电路辐射干扰的功能，可作为高频旁路电容器以取代传统方式构造的大体积高频旁路电容器，是本发明研究的方向。
发明内容
为了克服现有高频旁路电容器体积大、寄生电感大的难题，本发明提供了一种屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，制作出的有机薄膜电容器可作为旁路电容有效屏蔽电路辐射干扰，本发明还提供一种屏蔽型有机薄膜电容器。
为达到上述目的本发明采用的技术方案是：屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，制作工序包括：
（一）用电容器绕制机绕制电容素子，在形成电容器本体后，在电容器本体外圈绕制1-2层金属箔卷，封口制成电容素子；
（二）用喷金机向制成的电容素子的左右两端面喷涂金属，在电容素子的两端形成一定厚度的喷金层；
（三）通过喷金层焊接，在电容素子中引出内电极和外电极，装入塑料外壳或用绝缘胶带包裹；
（四）用环氧树脂灌封塑料外壳或绝缘胶带外层，得到有机薄膜电容器。
以上所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，在电容器本体外圈绕制1-2层金属箔卷制成电容素子，在电容素子的左右两端面喷涂金属，形成喷金层，喷金层与电容本体外圈的金属箔卷包围电容器本体，使电容器本体置于被屏蔽的空间中，使得通过本发明制作出的有机薄膜电容器具有有效屏蔽电路辐射干扰的功能，在有高频干扰信号的线路中，可以起到旁路高频干扰信号的作用，并且结构紧凑，体积小，可作为高频旁路电容器，满足整体小型化设备高可靠性的要求。
优选的，步骤（一）中制成的电容素子为金属化电容素子，其制作过程为：
（1）、通过高真空蒸镀的方法在有机薄膜单面形成一层金属层，制成金属化极板，并且制得两种不同留边方向和不同方阻的金属化极板；
（2）将两种不同留边方向和不同方阻的金属化极板，在电容器绕制机上叠层绕制，当卷绕厚度达到容量时，将内层金属化极板断开，形成电容器本体；
（3）选用与外层金属化极板等宽且适合厚度的金属箔叠置于外层金属化极板的外表面，并绕制1-2层，形成金属箔卷，封口后制成金属化电容素子。
优选的，步骤（一）中制成的电容素子为箔式电容素子，其制作过程为：
（1）选用适合厚度和宽度的有机薄膜作为介质，选用与有机薄膜等宽且适合厚度的金属箔作为金属箔极板；
（2）将金属箔极板和有机薄膜交替叠置四层，在电容器绕制机上叠层绕制，当卷绕厚度达到容量时，将内层金属箔极板断开，形成电容器本体；
（3）将外层金属箔极板继续绕制1-2层，形成金属箔卷，封口后制成箔式电容素子。
优选的，制作电容素子使用的金属箔为铝箔、铜箔或锡箔。
优选的，制作电容素子使用的有机薄膜为聚丙烯膜、聚酯膜或聚苯硫醚膜。
优选的，所述的喷金层的厚度为0.5mm-1.0mm，使电容本体达到最佳屏蔽效果。
优选的，喷金层为铝金属层、铜-锡合金金属层、锡-锌合金金属层、锌金属层或铅-锡合金金属层。
采用以上所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺制作的屏蔽型有机薄膜电容器，包括电容素子，其特征在于所述的电容素子包括电容器本体和电容器本体外圈的金属箔卷，电容器本体外圈的金属箔卷为1-2层，电容素子的左右两端面具有一定厚度的喷金层，所述屏蔽型有机薄膜电容器的内电极和外电极由喷金层焊接引出。
以上所述的屏蔽型有机薄膜电容器，电容素子包括电容器本体和电容器本体外圈的金属箔卷，电容器本体外圈的金属箔卷为1-2层，电容素子的左右两端面具有一定厚度的喷金层，喷金层与电容本体外圈的金属箔卷包围电容器本体，使电容器本体置于被屏蔽的空间中，使得发明的有机薄膜电容器具有有效屏蔽电路辐射干扰的功能，在有高频干扰信号的线路中，可以起到旁路高频干扰信号的作用，并且结构紧凑，体积小，可作为高频旁路电容器，满足整体小型化设备高可靠性的要求。
优选的，所述的电容素子为金属化电容素子，所述的金属化电容素子包括金属化电容本体和金属箔卷，所述的金属化电容本体由两层不同留边方向和不同方阻的金属化极板叠层绕制形成，所述的金属箔卷由内层金属化极板断开后，与外层金属化极板等宽的金属箔叠置于外层金属化极板外表面绕制1-2层形成。
优选的，所述的电容素子为箔式电容素子，所述的箔式电容素子包括箔式电容本体和金属箔卷，所述的箔式电容本体由金属箔极板和有机薄膜交替叠置四层绕制而成，所述的金属箔卷由内层金属箔极板断开后，外层金属箔极板继续绕制1-2层形成。
附图说明
图1为实施例一中的屏蔽型有机薄膜电容器结构示意图。
图2为实施例一中的电容素子左右两端面形成喷金层的结构示意图。
图3为实施例二中的屏蔽型有机薄膜电容器结构示意图。
图4为实施例二中的电容素子左右两端面形成喷金层的结构示意图。
其中：１、金属化电容本体，1’、箔式电容本体，2、金属箔卷，3、喷金层、4、外壳或外层，5、环氧树脂层，6、内电极，7、外电极，11、内层金属化极板，12、外层金属化极板，11’、金属箔极板，12’、有机薄膜。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例做详细说明。
实施例一：
如图1和图2所示，屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，制作工序包括：
（一）通过高真空蒸镀的方法在有机薄膜单面形成一层金属层，制成金属化极板，并且制得不同留边方向和不同方阻的内层金属化极板11和外层金属化极板12；将内层金属化极板11和外层金属化极板12，在电容器绕制机上叠层绕制，当卷绕厚度达到容量时，将内层金属化极板11断开，形成电容器本体；选用与外层金属化极板12等宽且适合厚度的金属箔叠置于外层金属化极板的外表面，并绕制1层，形成金属箔卷2，封口后制成金属化电容素子；
（二）用喷金机向制成的电容素子的左右两端面喷涂金属，在电容素子的两端形成一定厚度的喷金层3；
（三）通过喷金层焊接，在电容素子中引出内电极6和外电极7，装入塑料外壳4或用绝缘胶带包裹；
（四）用环氧树脂灌封塑料外壳或绝缘胶带外层形成环氧树脂层5，得到有机薄膜电容器。
制作电容素子使用的金属箔为铝箔、铜箔或锡箔。制作电容素子使用的有机薄膜为聚丙烯膜、聚酯膜或聚苯硫醚膜。所述的喷金层的厚度为0.5mm-1.0mm。喷金层为铝金属层、铜-锡合金金属层、锡-锌合金金属层、锌金属层或铅-锡合金金属层。
采用以上所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺制作的屏蔽型有机薄膜电容器，包括电容素子，所述的电容素子为金属化电容素子，所述的金属化电容素子包括金属化电容本体1和金属箔卷2，所述的金属化电容本体1由两层不同留边方向和不同方阻的金属化极板叠层绕制形成，所述的金属箔卷2由内层金属化极板11断开后，与外层金属化极板12等宽的金属箔叠置于外层金属化极板外表面绕制1层形成。电容素子的左右两端面具有一定厚度的喷金层3，所述屏蔽型有机薄膜电容器的内电极6和外电极7由喷金层3焊接引出。
实施例二：
如图3和图4所示，屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，制作工序包括：
（一）选用适合厚度和宽度的有机薄膜12’作为介质，选用与有机薄膜等宽且适合厚度的金属箔作为金属箔极板11’；将金属箔极板11’和有机薄膜12’交替叠置四层，在电容器绕制机上叠层绕制，当卷绕厚度达到容量时，将内层金属箔极板断开，形成电容器本体；将外层金属箔极板继续绕制1层，形成金属箔卷2，封口后制成箔式电容素子；
（二）用喷金机向制成的电容素子的左右两端面喷涂金属，在电容素子的两端形成一定厚度的喷金层3；
（三）通过喷金层3焊接，在电容素子中引出内电极6和外电极7，装入塑料外壳4或用绝缘胶带包裹；
（四）用环氧树脂灌封塑料外壳或绝缘胶带外层形成环氧树脂层5，得到有机薄膜电容器。
制作电容素子使用的金属箔为铝箔、铜箔或锡箔。制作电容素子使用的有机薄膜为聚丙烯膜、聚酯膜或聚苯硫醚膜。所述的喷金层的厚度为0.5mm-1.0mm。喷金层为铝金属层、铜-锡合金金属层、锡-锌合金金属层、锌金属层或铅-锡合金金属层。
采用以上所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺制作的屏蔽型有机薄膜电容器，包括电容素子，所述的电容素子为箔式电容素子，所述的箔式电容素子包括箔式电容本体1’和金属箔卷2，所述的箔式电容本体1’由金属箔极板11’和有机薄膜12’交替叠置四层绕制而成，所述的金属箔卷2由内层金属箔极板断开后，外层金属箔极板继续绕制1层形成。电容素子的左右两端面具有一定厚度的喷金层3，所述屏蔽型有机薄膜电容器的内电极6和外电极7由喷金层3焊接引出。
以上两个实施例中所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，在电容器本体外圈绕制1层金属箔卷，封口制成电容素子，在电容素子的左右两端面喷涂金属，形成喷金层，喷金层与电容本体外圈的金属箔卷包围电容器本体，使电容器本体置于被屏蔽的空间中，使得制作出的有机薄膜电容器具有有效屏蔽电路辐射干扰的功能，在有高频干扰信号的线路中，可以起到旁路高频干扰信号的作用，并且结构紧凑，体积小，可作为高频旁路电容器，满足整体小型化设备高可靠性的要求。
以上两个实施例中所述的屏蔽型有机薄膜电容器，电容素子包括电容器本体和电容器本体外圈的金属箔卷，电容器本体外圈的金属箔卷为1层，电容素子的左右两端面具有一定厚度的喷金层，喷金层与电容本体外圈的金属箔卷包围电容器本体，使电容器本体置于被屏蔽的空间中，使得有机薄膜电容器具有有效屏蔽电路辐射干扰的功能，在有高频干扰信号的线路中，可以起到旁路高频干扰信号的作用，并且结构紧凑，体积小，可作为高频旁路电容器，满足整体小型化设备高可靠性的要求。
以上结合附图对本发明的实施例的技术方案进行完整描述，需要说明的是所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
Claims (8)
1.屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，制作工序包括：
(一)用电容器绕制机绕制电容素子，在形成电容器本体后，在电容器本体外圈绕制1-2层金属箔卷，封口制成电容素子；
（二）用喷金机向制成的电容素子的左右两端面喷涂金属，在电容素子的两端形成一定厚度的喷金层；
（三）通过喷金层焊接，在电容素子中引出内电极和外电极，装入塑料外壳或用绝缘胶带包裹；
（四）用环氧树脂灌封塑料外壳或绝缘胶带外层，得到有机薄膜电容器；
其特征在于步骤（一）中制成的电容素子为金属化电容素子或箔式电容素子；
金属化电容素子的制作过程为：
（1）通过高真空蒸镀的方法在有机薄膜单面形成一层金属层，制成金属化极板，并且制得两种不同留边方向和不同方阻的金属化极板；
（2）将两种不同留边方向和不同方阻的金属化极板，在电容器绕制机上叠层绕制，当卷绕厚度达到容量时，将内层金属化极板断开，形成电容器本体；
（3）选用与外层金属化极板等宽且适合厚度的金属箔叠置于外层金属化极板的外表面，并绕制1-2层，形成金属箔卷，封口后制成金属化电容素子；
箔式电容素子的制作过程为：
（1）选用适合厚度和宽度的有机薄膜作为介质，选用与有机薄膜等宽且适合厚度的金属箔作为金属箔极板；
（2）将金属箔极板和有机薄膜交替叠置四层，在电容器绕制机上叠层绕制，当卷绕厚度达到容量时，将内层金属箔极板断开，形成电容器本体；
（3）将外层金属箔极板继续绕制1-2层，形成金属箔卷，封口后制成箔式电容素子。
2.根据权利要求1所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，其特征在于制作电容素子使用的金属箔为铝箔、铜箔或锡箔。
3.根据权利要求2所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，其特征在于制作电容素子使用的有机薄膜为聚丙烯膜、聚酯膜或聚苯硫醚膜。
4.根据权利要求3所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，其特征在于所述的喷金层的厚度为0.5mm-1.0mm。
5.根据权利要求4所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺，其特征在于喷金层为铝金属层、铜-锡合金金属层、锡-锌合金金属层、锌金属层或铅-锡合金金属层。
6.采用权利要求1至权利要求5任一项所述的屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺制作的屏蔽型有机薄膜电容器，包括电容素子，其特征在于所述的电容素子包括电容器本体和电容器本体外圈的金属箔卷，电容器本体外圈的金属箔卷为1-2层，电容素子的左右两端面具有一定厚度的喷金层，所述屏蔽型有机薄膜电容器的内电极和外电极由喷金层焊接引出。
7.根据权利要求6所述的屏蔽型有机薄膜电容器，其特征在于所述的电容素子为金属化电容素子，所述的金属化电容素子包括金属化电容本体和金属箔卷，所述的金属化电容本体由两层不同留边方向和不同方阻的金属化极板叠层绕制形成，所述的金属箔卷由内层金属化极板断开后，与外层金属化极板等宽的金属箔叠置于外层金属化极板外表面绕制1-2层形成。
8.根据权利要求6所述的屏蔽型有机薄膜电容器，其特征在于所述的电容素子为箔式电容素子，所述的箔式电容素子包括箔式电容本体和金属箔卷，所述的箔式电容本体由金属箔极板和有机薄膜交替叠置四层绕制而成，所述的金属箔卷由内层金属箔极板断开后，外层金属箔极板继续绕制1-2层形成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511002327.3A CN105590751B (zh) | 2015-12-29 | 2015-12-29 | 屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺及屏蔽型有机薄膜电容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511002327.3A CN105590751B (zh) | 2015-12-29 | 2015-12-29 | 屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺及屏蔽型有机薄膜电容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105590751A CN105590751A (zh) | 2016-05-18 |
| CN105590751B true CN105590751B (zh) | 2017-12-01 |
Family
ID=55930248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201511002327.3A Active CN105590751B (zh) | 2015-12-29 | 2015-12-29 | 屏蔽型有机薄膜电容器制作工艺及屏蔽型有机薄膜电容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105590751B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110246694B (zh) * | 2019-06-28 | 2024-03-15 | 常熟市国瑞科技股份有限公司 | 一种高温薄膜电容器及其制作方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101604577A (zh) * | 2009-04-30 | 2009-12-16 | 杨文荣 | 一种干式复合介质滤波电容器 |
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-
2015
- 2015-12-29 CN CN201511002327.3A patent/CN105590751B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105590751A (zh) | 2016-05-18 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |