CN105586571A - 基于电子束蒸发的双钨坩埚结构 - Google Patents

基于电子束蒸发的双钨坩埚结构 Download PDF

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Abstract

本发明公开了基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，其包括：第一钨坩埚和第二钨坩埚，第一钨坩埚包括中空圆柱形的第一本体，第一本体的底部由电子束加热，第一本体的顶部设有第一边缘，第一边缘的外径大于第一本体的外径，第一边缘的顶部设有第一斜面；第二钨坩埚包括中空圆柱形的第二本体，第二本体顶部设有中空的圆台体，圆台体底部直径小于其顶部直径，圆台体的顶部设有中空圆柱形的第二边缘，圆台体的外表面为第二斜面，第二斜面与所述第一斜面互相配合，第一斜面支撑所述第二斜面进而支撑所述第二钨坩埚。利用陶瓷片衰减上钨坩埚底部中心热量，银滴不会落入底部导致蒸发能，陶瓷片即使开裂也不会影响陶瓷产生较大位移，不会影响阻热效果。

Description

基于电子束蒸发的双钨坩埚结构
技术领域
本发明涉及高温超导体材料领域，具体涉及一种基于电子束蒸发的双钨坩埚结构。
背景技术
现在常用的超导真空镀银设备中，在镀银过程中，容易产生较大的银颗粒，产生这种现象的主要原因是因为设备采用电子束加热蒸发源蒸发，底部温度太高，按照镀银工艺试验易产生颗粒临界温度为1500°，底部温度大于1500°，为了解决上述问题，现在采用耐高温陶瓷片的阻热方式，在耐高温陶瓷片没有开裂之前，起到一定的效果，但是因为陶瓷片在高温和低温转换过程中易于开裂，开裂后银滴落入陶瓷片底部，因为底部温度过高，会造成银滴大颗粒溅射，甚至会将陶瓷片顶出，从而影响连续镀银效果。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，本发明的双钨坩埚结构在中间置入陶瓷片，利用陶瓷片衰减上钨坩埚底部中心热量，因此，银滴不会落入底部导致蒸发能，陶瓷片即使开裂也不会影响陶瓷产生较大位移，不会影响阻热效果。
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：
一种基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，其包括：
第一钨坩埚，所述第一钨坩埚包括中空圆柱形的第一本体，所述第一本体的底部由电子束加热，所述第一本体的顶部设有第一边缘，所述第一边缘的外径大于所述第一本体的外径，所述第一边缘的顶部设有第一斜面；
第二钨坩埚，所述第二钨坩埚包括中空圆柱形的第二本体，所述第二本体顶部设有中空的圆台体，所述圆台体底部直径小于其顶部直径，所述圆台体的顶部设有中空圆柱形的第二边缘，所述圆台体的外表面为第二斜面，所述第二斜面与所述第一斜面互相配合，所述第一斜面支撑所述第二斜面进而支撑所述第二钨坩埚；
所述第二钨坩埚置于所述第一钨坩埚的顶部，所述第二本体伸入至所述第一本体中空部，且所述第二本体的外壁贴紧所述第一本体中空的内壁，电子束加热所述第一本体的底部，热量由所述第一本体传给给所述第二本体，使所述第二钨坩埚获得热量蒸发银丝，银滴落入到所述第二本体的底部。
在本发明的一个较佳实施例中，进一步包括，还包括陶瓷片，所述陶瓷片设置在所述第一本体的底部，所述陶瓷片置于所述第一本体和第二本体之间，所述陶瓷片用于阻挡所述第一本体辐射的局部热量。
在本发明的一个较佳实施例中，进一步包括，所述陶瓷片的顶部与所述第二本体的底部之间有间隙。
在本发明的一个较佳实施例中，进一步包括，所述第一本体与所述第一边缘一体成型。
在本发明的一个较佳实施例中，进一步包括，所述第二本体、圆台体和第二边缘一体成型。
本发明的有益效果是:
本发明的基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，该结构设置了第一钨坩埚和第二钨坩埚，第二钨坩埚设置在第一钨坩埚的上面，使两个钨坩埚构成上下两层的双钨坩埚结构，在蒸发时，银滴会滴在上部的第二钨坩埚中蒸发，不会直接滴落到底部的第一钨坩埚中，即使陶瓷开裂也不会影响阻热效果，这样便于银丝在第二钨坩埚中蒸发。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术中的技术方案，下面将对实施例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的结构示意图；
图2是本发明的剖面图；
10-第一钨坩埚，20-第二钨坩埚，30-陶瓷片，40-银丝，101-第一本体，102-第一边缘，201-第二本体，202-圆台体，203-第二边缘。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例
本实施例中公开了一种双钨坩埚结构，该结构主要包括了第一钨坩埚10和第二钨坩埚20，第一钨坩埚10直接受电子束加热，上述第二钨坩埚20设置在上述第一钨坩埚10的顶部，上述第二钨坩埚20作为上钨坩埚，上述第二钨坩埚中用于放置银丝40加热，通过上述第一钨坩埚10传递和散发热量给上述第二钨坩埚20，在蒸发时，银滴会滴在上部的第二钨坩埚20中蒸发，不会直接滴落到底部的第一钨坩埚10中，即使陶瓷开裂也不会影响阻热效果，这样便于银丝在第二钨坩埚20中蒸发。
具体的，如图1-2中所示，上述第一钨坩埚10包括中空圆柱形的第一本体101，上述第一本体101的底部由电子束加热，上述第一本体101的顶部设有第一边缘102，上述第一本体101与上述第一边缘102一体成型，上述第一边缘102的外径大于上述第一本体101的外径，上述第一边缘101的顶部设有第一斜面。
上述第二钨坩埚20包括中空圆柱形的第二本体201，上述第二本体201顶部设有中空的圆台体202，上述圆台体202实际是一个倒置的圆台结构，即上述圆台体202底部直径小于其顶部直径，上述圆台体202的顶部设有中空圆柱形的第二边缘203，上述第二本体201、圆台体202和第二边缘203三者一体成型，上述圆台体202的外表面为第二斜面，上述第二斜面与上述第一斜面互相配合，上述第一斜面支撑上述第二斜面进而支撑上述第二钨坩埚20。
本实施例中的双钨坩埚结构为：将上述第二钨坩埚20置于上述第一钨坩埚10的顶部，上述第二本体201伸入至上述第一本体101的中空部，且上述第二本体201的外壁贴紧上述第一本体101中空的内壁，通过上述第一斜面支撑上述第二斜面，使上述第一钨坩埚10支撑第二钨坩埚20，并且上述第一边缘102和第二边缘203的外壁对齐。然后，电子束加热上述第一本体101的底部，热量由上述第一本体101传给给上述第二本体201，使上述第二钨坩埚20获得热量蒸发银丝，银滴落入到上述第二本体201的底部。
为了防止第二钨坩埚20的底部局部温度过高，还设置了耐高温的陶瓷片30，上述陶瓷片30设置在上述第一本体101的底部，上述陶瓷片30置于上述第一本体101和第二本体102之间，上述陶瓷片30用于阻挡上述第一本体101辐射的局部热量，防止其顶部的第二钨坩埚20的底部，即第二本体201的底部局部温度过高，并且，上述陶瓷片30的顶部与上述第二本体201的底部之间有间隙。
本实施例中的基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，该结构设置了第一钨坩埚和第二钨坩埚，第二钨坩埚设置在第一钨坩埚的上面，使两个钨坩埚构成上下两层的双钨坩埚结构，在蒸发时，银滴会滴在上部的第二钨坩埚中蒸发，不会直接滴落到底部的第一钨坩埚中，即使陶瓷开裂也不会影响阻热效果，这样便于银丝在第二钨坩埚中蒸发。
本发明的双钨坩埚结构在中间置入陶瓷片，利用陶瓷片衰减上钨坩埚底部中心热量，因此，银滴不会落入底部导致蒸发能，陶瓷片即使开裂也不会影响陶瓷产生较大位移，不会影响阻热效果。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (5)

1.一种基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，其特征在于，其包括：
第一钨坩埚，所述第一钨坩埚包括中空圆柱形的第一本体，所述第一本体的底部由电子束加热，所述第一本体的顶部设有第一边缘，所述第一边缘的外径大于所述第一本体的外径，所述第一边缘的顶部设有第一斜面；
第二钨坩埚，所述第二钨坩埚包括中空圆柱形的第二本体，所述第二本体顶部设有中空的圆台体，所述圆台体底部直径小于其顶部直径，所述圆台体的顶部设有中空圆柱形的第二边缘，所述圆台体的外表面为第二斜面，所述第二斜面与所述第一斜面互相配合，所述第一斜面支撑所述第二斜面进而支撑所述第二钨坩埚；
所述第二钨坩埚置于所述第一钨坩埚的顶部，所述第二本体伸入至所述第一本体中空部，且所述第二本体的外壁贴紧所述第一本体中空的内壁，电子束加热所述第一本体的底部，热量由所述第一本体传给给所述第二本体，使所述第二钨坩埚获得热量蒸发银丝，银滴落入到所述第二本体的底部。
2.根据权利要求1所述的基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，其特征在于，还包括陶瓷片，所述陶瓷片设置在所述第一本体的底部，所述陶瓷片置于所述第一本体和第二本体之间，所述陶瓷片用于阻挡所述第一本体辐射的局部热量。
3.根据权利要求2所述的基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，其特征在于，所述陶瓷片的顶部与所述第二本体的底部之间有间隙。
4.根据权利要求1所述的基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，其特征在于，所述第一本体与所述第一边缘一体成型。
5.根据权利要求1所述的基于电子束蒸发的双钨坩埚结构，其特征在于，所述第二本体、圆台体和第二边缘一体成型。
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