CN105577139A - 一种rc振荡器 - Google Patents

Abstract

本发明公开的RC振荡器，通过控制电路控制斜坡电压产生电路周期性的输出斜坡电压信号至比较器的正相输入端或反相输入端；控制电路还控制第一开关及第二开关的导通与关断，使得斜坡电压产生电路输出斜坡电压信号至比较器的正相输入端时，参考电压产生电路输出参考电压信号至比较器的反相输入端，斜坡电压产生电路输出斜坡电压信号至比较器的反相输入端时，参考电压产生电路输出参考电压信号至比较器的正相输入端；当比较器由于工艺偏差导致比较器差分输入端产生失配现象时，通过上述比较器输入端接收信号的周期性互换，对其输入端的输入失配电压造成的影响进行了抵消，消除了工艺偏差为所述RC振荡器带来的影响。

Description

一种RC振荡器

技术领域

本发明涉及集成电路设计技术领域，尤其涉及一种RC振荡器。

背景技术

振荡器是许多电子系统的重要组成部分。从微处理器的时钟产生到蜂窝电话中的载波合成，振荡器无处不在。而且，在不同的应用中，其要求的结构和性能参数差别很大。振荡器一般分为RC(Resistancecapacitance，阻容)振荡器、LC(inductancecapacitance，感容)振荡器、石英晶体振荡器等。其中，RC振荡器由于结构相对简单、面积小、成本低，外围元件少等特点，在市场上被普遍使用。

但是现有技术中的传统RC振荡器，由于其内部的比较器存在工艺偏差因素，容易在所述比较器差分输入端产生失配现象，相当于其正相输入端增加一个输入失配电压，进而使得其输出频率受到工艺偏差的影响。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种RC振荡器，以解决现有技术易受到工艺偏差影响的问题。

为了实现上述目的，现提出的方案如下：

一种RC振荡器，包括：

与电源相连的电流镜，用于输出恒定的电流；

与所述电流镜两输出端相连的斜坡电压产生电路，用于生成并输出斜坡电压信号；

与所述电源相连的参考电压产生电路，用于生成并输出参考电压信号；

输入端与斜坡电压产生电路相连的比较器，所述比较器通过第一开关和第二开关与所述参考电压产生电路输出端相连，用于接收并比较所述产生斜坡电压信号与参考电压信号，生成并输出所述产生斜坡电压信号与参考电压信号的比较结果；

输入端与所述比较器输出端相连的控制电路，所述控制电路的输出端分别与所述斜坡电压产生电路、第一开关及第二开关的控制端相连，所述控制电路用于接收所述比较结果，生成并输出控制信号，控制所述斜坡电压产生电路周期性的输出所述斜坡电压信号至所述比较器的正相输入端或反相输入端；所述控制电路还用于控制所述第一开关及第二开关的导通与关断，使所述斜坡电压产生电路输出所述斜坡电压信号至所述比较器的正相输入端时，所述参考电压产生电路输出所述参考电压信号至所述比较器的反相输入端，所述斜坡电压产生电路输出所述斜坡电压信号至所述比较器的反相输入端时，所述参考电压产生电路输出所述参考电压信号至所述比较器的正相输入端。

优选的，所述电流镜包括：

正极分别与所述电源相连的第一电流源与第二电流源；所述第一电流源的负极为所述电流镜的第一输出端，所述第二电流源的负极为所述电流镜的第二输出端。

优选的，所述参考电压产生电路包括：

正极与所述电源相连的第三电流源；

漏极与所述第三电流源负极相连的第一NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管的栅极与漏极相连，所述第一NMOS晶体管的源极接地；

栅极与所述第一NMOS晶体管的漏极相连的第二NMOS晶体管；所述第二NMOS晶体管的源极接地，所述第二NMOS晶体管的漏极为所述参考电压产生电路的输出端。

优选的，所述控制电路包括：

输入端与所述比较器输出端相连的非门，所述非门的输入端为所述控制电路的第一输出端，所述非门的输出端为所述控制电路的第二输出端。

优选的，所述控制电路包括：

输入端与所述比较器输出端相连的第一非门；

输入端与所述第一非门输出端相连的第二非门，所述第二非门的输出端为所述控制电路的第一输出端，所述第二非门的输入端为所述控制电路的第二输出端。

优选的，所述第一开关的控制端与所述控制电路的第一输出端相连，所述第二开关的控制端与所述控制电路的第二输出端相连。

优选的，所述斜坡电压产生电路包括：

第一输出通道，所述第一输出通道分别与所述电流镜的第一输出端、所述控制电路输出端及所述比较器的正相输入端相连，用于接收所述控制信号，将所述斜坡电压信号输出至所述比较器的正相输入端；

第二输出通道，所述第二输出通道分别与所述电流镜的第二输出端、所述控制电路输出端及所述比较器的反相输入端相连，用于接收所述控制信号，将所述斜坡电压信号输出至所述比较器的反相输入端；

其中，所述第一输出通道与第二输出通道周期性的轮流输出所述斜坡电压信号，且所述第一输出通道与第二输出通道输出所述斜坡电压信号的时间相等。

优选的，所述第一输出通道包括：

第三开关，所述第三开关的一端分别与所述电流镜的第一输出端、所述第一开关及所述比较器的正相输入端相连；所述第三开关的控制端与所述控制电路的第二输出端相连；

一端与所述第三开关另一端相连的第一电容；所述第一电容的另一端接地；

并联于所述第一电容两端的第四开关；所述第四开关的控制端与所述控制电路的第一输出端相连。

优选的，所述第二输出通道包括：

第五开关，所述第五开关的一端分别与所述电流镜的第二输出端、所述第二开关及所述比较器的反相输入端相连；所述第五开关的控制端与所述控制电路的第一输出端相连；

一端与所述第五开关另一端相连的第二电容；所述第二电容的另一端接地；

并联于所述第二电容两端的第六开关；所述第六开关的控制端与所述控制电路的第二输出端相连。

优选的，所述比较器包括：

栅极互相连接的第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管的源极接地；所述第一NMOS晶体管的漏极和栅极相连；

漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接的第一PMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管的栅极为所述比较器的反相输入端；

漏极与所述第二NMOS晶体管的漏极连接的第二PMOS晶体管；所述第二PMOS晶体管的栅极为所述比较器的正相输入端；

漏极与所述第一PMOS晶体管的源极及第二PMOS晶体管的源极相连的第三PMOS晶体管；所述第三PMOS晶体管的源极与所述电源相连；

栅极与所述第二NMOS晶体管漏极连接的第三NMOS晶体管；所述第三NMOS晶体管的源极接地；

栅极与所述第三PMOS晶体管的栅极相连的第四PMOS晶体管；所述第三PMOS晶体管与第四PMOS晶体管的栅极连接点为所述比较器的偏置电压设置端；所述第四PMOS晶体管的源极与所述电源相连；所述第四PMOS晶体管的漏极与所述第三NMOS晶体管的漏极相连，连接点作为所述比较器的输出端。

从上述的技术方案可以看出，本发明公开的RC振荡器，通过所述控制电路控制所述斜坡电压产生电路周期性的输出所述斜坡电压信号至所述比较器的正相输入端或反相输入端；所述控制电路还控制所述第一开关及第二开关的导通与关断，使得所述斜坡电压产生电路输出所述斜坡电压信号至所述比较器的正相输入端时，所述参考电压产生电路输出所述参考电压信号至所述比较器的反相输入端，所述斜坡电压产生电路输出所述斜坡电压信号至所述比较器的反相输入端时，所述参考电压产生电路输出所述参考电压信号至所述比较器的正相输入端；当所述比较器由于工艺偏差导致所述比较器差分输入端产生失配现象时，通过上述比较器输入端接收信号的周期性互换，对其输入端的输入失配电压造成的影响进行了抵消，消除了工艺偏差为所述RC振荡器带来的影响。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例公开的RC振荡器结构示意图；

图2为本发明另一实施例公开的RC振荡器结构示意图；

图3为本发明另一实施例公开的RC振荡器结构示意图；

图4为本发明另一实施例公开的控制电路结构示意图；

图5为本发明另一实施例公开的控制电路结构示意图；

图6为本发明另一实施例公开的RC振荡器结构示意图；

图7为本发明另一实施例公开的RC振荡器结构示意图；

图8为本发明另一实施例公开的RC振荡器结构示意图；

图9为本发明另一实施例公开的信号波形图；

图10为本发明另一实施例公开的比较器结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种RC振荡器，以解决现有技术易受到工艺偏差影响的问题。

具体的，如图1所示，包括：

与电源相连的电流镜101；

与电流镜101两输出端相连的斜坡电压产生电路102；

与所述电源相连的参考电压产生电路103；

输入端与斜坡电压产生电路102相连的比较器U1，比较器U1通过第一开关S1和第二开关S2与参考电压产生电路103输出端相连；

输入端与比较器U1输出端相连的控制电路104，控制电路104的输出端分别与斜坡电压产生电路102、第一开关S1及第二开关S2的控制端相连。

具体的工作原理为：

电流镜101输出恒定的电流至斜坡电压产生电路102，斜坡电压产生电路102根据恒定的电流生成并输出斜坡电压信号；参考电压产生电路103生成并输出参考电压信号Vr；比较器U1接收并比较所述产生斜坡电压信号与参考电压信号Vr，生成并输出所述产生斜坡电压信号与参考电压信号Vr的比较结果；控制电路104接收所述比较结果，并根据所述比较结果生成且输出控制信号，控制斜坡电压产生电路102周期性的输出所述斜坡电压信号至比较器U1的正相输入端VP或反相输入端VN；控制电路104还控制第一开关S1及第二开关S2的导通与关断，使斜坡电压产生电路102输出所述斜坡电压信号至比较器U1的正相输入端VP时，参考电压产生电路103输出参考电压信号Vr至比较器U1的反相输入端VN，斜坡电压产生电路102输出所述斜坡电压信号至比较器U1的反相输入端VN时，参考电压产生电路103输出参考电压信号Vr至比较器U1的正相输入端VP。

本实施例公开的RC振荡器，当比较器U1由于工艺偏差导致比较器U1差分输入端产生失配现象时，通过上述比较器U1输入端接收信号的周期性互换，对其输入端的输入失配电压造成的影响进行了抵消，消除了工艺偏差为所述RC振荡器带来的影响。

本发明另一实施例还提供了另外一种RC振荡器，如图2所示，包括：

与电源相连的电流镜101；

与电流镜101两输出端相连的斜坡电压产生电路102；

与所述电源相连的参考电压产生电路103；

输入端与斜坡电压产生电路102相连的比较器U1，比较器U1通过第一开关S1和第二开关S2与参考电压产生电路103输出端相连；

输入端与比较器U1输出端相连的控制电路104，控制电路104的输出端分别与斜坡电压产生电路102、第一开关S1及第二开关S2的控制端相连；

其中，电流镜101包括：

正极分别与所述电源相连的第一电流源I1与第二电流源I2；第一电流源I1的负极为电流镜101的第一输出端，第二电流源I2的负极为电流镜101的第二输出端。

电流镜101中第一电流源I1与第二电流源I2输出的恒定电流均为I₀，不受温度影响。

优选的，如图3所示，参考电压产生电路103包括：

正极与所述电源相连的第三电流源I3；

漏极与第三电流源I3负极相连的第一NMOS晶体管M1；第一NMOS晶体管M1的栅极与漏极相连，第一NMOS晶体管M1的源极接地；

栅极与第一NMOS晶体管M1的漏极相连的第二NMOS晶体管M2；第二NMOS晶体管M2的源极接地，第二NMOS晶体管M2的漏极为参考电压产生电路103的输出端。

具体的工作原理为：

假设电流I₀很小，使第二NMOS晶体管M2处于线性区，其电流方程为：

$I_0=K^{\′}\frac{W_{M2}}{L_{M2}}[(V_{\mathrm{GS}}-V_T)\·V_{\mathrm{DS}}-\frac{{V_{\mathrm{DS}}}^2}{2}];$

其中，常数K'＝μ_nC_OX，μ_n为电子的迁移率，C_OX为单位面积的栅氧化层的电容。

第一NMOS晶体管M1为二极管连接，根据饱和区的NMOS管的电流表达式，第一NMOS晶体管M1的电流大小为：

$I_0=\frac{1}{2}{K}^{\′}\frac{W_{M1}}{L_{M1}}{(V_{\mathrm{GS}}-V_T)}^2;$

设V_DS＝V_r得：

I₀ ²+2(1-K)β₁V_r ²·I₀+β₁ ²V_r ⁴＝0；

其中两个镜像管的比例设计第一NMOS晶体管M1与第二NMOS晶体管M2的宽长比使K＝2，并忽略4次项则：

$V_r=\frac{\sqrt{I_0}}{\sqrt{{\mathrm{\β}}_1}};$

其中 ${\mathrm{\β}}_1=K^{\′}\frac{W}{L}=\mathrm{\μ}{C}_{\mathrm{OX}}\frac{W}{L}.$

NMOS管的迁移率的温度表达式为参考电压信号Vr求温度的偏导数得：

$\frac{\∂V_r}{\∂T}=\frac{3}{4}\frac{{T_0}^{-3/4}}{\sqrt{{\mathrm{\μ}}_0{C}_{\mathrm{OX}}\frac{W}{L}}}{T}^{-1/4}\→0;$

即参考电压信号Vr的温度系数趋近于0。

现有技术中由于温度变化影响，容易导致其中间数据的变化，进而影响其最终的输出频率；而本实施例公开的RC振荡器，电流镜101中第一电流源I1与第二电流源I2输出的恒定电流均为I₀，不受温度影响。参考电压产生电路103中由第三电流源I3、第一NMOS晶体管N1及第二NMOS晶体管N2生成并输出一个不随温度变化的参考电压信号Vr；保证了所述RC振荡器中间数据的恒定，进而保证了其最终的输出频率不受温度影响。

本实施例内其余的特征及具体的工作原理与上述实施例相同，此处不再赘述。

本发明另一实施例还提供了另外一种RC振荡器，如图2所示，包括：

与电源相连的电流镜101；

与电流镜101两输出端相连的斜坡电压产生电路102；

与所述电源相连的参考电压产生电路103；

输入端与斜坡电压产生电路102相连的比较器U1，比较器U1通过第一开关S1和第二开关S2与参考电压产生电路103输出端相连；

输入端与比较器U1输出端相连的控制电路104，控制电路104的输出端分别与斜坡电压产生电路102、第一开关S1及第二开关S2的控制端相连；

其中，控制电路104如图4所示，包括：

输入端与比较器U1输出端相连的非门F0，非门F0的输入端为控制电路104的第一输出端SC1，非门F0的输出端为控制电路102的第二输出端SC2。

由非门F0形成的控制电路104，通过两个输出端分别输出两个相反的控制信号，实现对所述RC振荡器内其他元器件的控制；

需要说明的是，控制电路104的实现形式并不限定为上述实施例，还可以采用其他形式，比如，如图5所示，控制电路104包括：

输入端与比较器U1输出端相连的第一非门F1；

输入端与第一非门F1输出端相连的第二非门F2，第二非门F2的输出端为控制电路104的第一输出端SC1，第二非门F2的输入端为控制电路104的第二输出端SC2。

对于控制电路104的实现形式并不做限定，可以根据具体的实际应用而定。

本实施例内其余的特征及具体的工作原理与上述实施例相同，此处不再赘述。

优选的，本发明另一实施例还提供了另外一种RC振荡器，如图6所示，第一开关S1的控制端与控制电路104的第一输出端SC1相连，第二开关S2的控制端与控制电路104的第二输出端SC2相连。

由于控制电路104的第一输出端SC1与第二输出端SC2分别输出两个相反的控制信号，第一开关S1的控制端与第二开关S2的控制端接收的控制信号将相反，意味着当第一开关S1导通时，第二开关S2关断，当第二开关S2导通时，第一开关S1关断；也即表明，通过控制电路104两个输出端输出的控制信号，可以确定比较器U1通过正相输入端VP还是反相输入端VN接收参考电压信号Vr。

本实施例内其余的特征及具体的工作原理与上述实施例相同，此处不再赘述。

优选的，本发明另一实施例还提供了另外一种RC振荡器，如图7所示，斜坡电压产生电路102包括：

第一输出通道1021，第一输出通道1021分别与电流镜101的第一输出端、控制电路104输出端及比较器U1的正相输入端VP相连；

第二输出通道1022，第二输出通道1022分别与电流镜101的第二输出端、控制电路104输出端及比较器U1的反相输入端VN相连；

本实施例公开的所述RC振荡器，第一输出通道1021接收所述控制信号，将所述斜坡电压信号输出至比较器U1的正相输入端VP；第二输出通道1022接收所述控制信号，将所述斜坡电压信号输出至比较器U1的反相输入端VN。其中，第一输出通道1021与第二输出通道1022周期性的轮流输出所述斜坡电压信号，且第一输出通道1021与第二输出通道1022输出所述斜坡电压信号的时间相等。

具体的，如图8所示，第一输出通道1021包括：

第三开关S3，第三开关S3的一端分别与电流镜101的第一输出端、第一开关S1及比较器U1的正相输入端VP相连；第三开关S3的控制端与控制电路104的第二输出端相连；

一端与第三开关S3另一端相连的第一电容C1；第一电容C1的另一端接地；

并联于第一电容C1两端的第四开关S4；第四开关S4的控制端与控制电路104的第一输出端相连。

第二输出通道1022包括：

第五开关S5，第五开关S5的一端分别与电流镜101的第二输出端、第二开关S2及比较器U1的反相输入端VN相连；第五开关S5的控制端与控制电路104的第一输出端相连；

一端与第五开关S5另一端相连的第二电容C2；第二电容C2的另一端接地；

并联于第二电容C2两端的第六开关S6；第六开关S6的控制端与控制电路104的第二输出端相连。

具体的工作原理为：

当控制电路104的第一输出端SC1输出的控制信号控制第一开关S1、第四开关S4与第五开关S5关断时，控制电路104的第二输出端SC2输出的另一控制信号控制第二开关S2、第三开关S3与第六开关S6导通；此时电流镜101内的第一电流源I1通过第三开关S3为第一电容C1充电，第一电容C1上的电压即为所述斜坡电压信号，输出至比较器U1的正相输入端VP，参考电压信号V_r通过第二开关S2输出至比较器U1的反相输入端VN；随着第一电容C1充电时间t₁的延长，所述斜坡电压信号慢慢升高，直至比较器U1的正相输入端VP与反相输入端VN接收的信号相同时，比较器U1输出与上一时刻相反的比较结果，通过控制电路104生成与上一时刻相反的控制信号；

此时，控制电路104的第一输出端SC1输出的控制信号将会控制第一开关S1、第四开关S4与第五开关S5导通，控制电路104的第二输出端SC2输出的另一控制信号也将控制第二开关S2、第三开关S3与第六开关S6关断；此时电流镜101内的第二电流源I2通过第五开关S5为第二电容C2充电，第二电容C2上的电压即为所述斜坡电压信号，输出至比较器U1的反相输入端VN，第一电容C1通过第四开关S4放电，参考电压信号V_r通过第一开关S1输出至比较器U1的正相输入端VP；随着第二电容C2充电时间t₂的延长，所述斜坡电压信号慢慢升高，直至比较器U1的正相输入端VP与反相输入端VN接收的信号相同时，比较器U1又将输出与上一时刻相反的比较结果，通过控制电路104生成与上一时刻相反的控制信号；

上述两个过程共同成为所述RC振荡器的一个周期，其具体的信号波形如图9所示，需要说明的是，当比较器U1由于工艺偏差导致比较器U1差分输入端产生失配现象时，造成其正相输入端VP增加一个输入失配电压V_OS，在所述RC振荡器的前半周期内，当所述斜坡电压信号上升至V_r-V_OS时，比较器U1的正相输入端VP与反相输入端VN接收的信号均为V_r，此时所述RC振荡器的前半周期时长t₁＝V_r*C/I₀+V_OS*C/I₀+t_delay，其中t_delay为比较器U1的固有延时；在所述RC振荡器的后半周期内，当所述斜坡电压信号上升至V_r+V_OS时，比较器U1的正相输入端VP与反相输入端VN接收的信号均为V_r+V_OS，此时所述RC振荡器的后半周期时长t₂＝V_r*C/I₀-V_OS*C/I₀+t_delay；则所述RC振荡器的周期时长t＝2V_r*C/I₀+2t_delay，通过上述比较器U1输入端接收信号的周期性互换，对其输入端的输入失配电压造成的影响进行了抵消，消除了工艺偏差为所述RC振荡器带来的影响。

本实施例内其余的特征及具体的工作原理与上述实施例相同，此处不再赘述。

优选的，本发明另一实施例还提供了另外一种RC振荡器，如图10所示，比较器U1包括：

栅极互相连接的第一NMOS晶体管N1与第二NMOS晶体管N2；第一NMOS晶体管N1与第二NMOS晶体管N2的源极接地；第一NMOS晶体管N1的漏极和栅极相连；

漏极与第一NMOS晶体管N1的漏极连接的第一PMOS晶体管P1；第一PMOS晶体管P1的栅极为比较器U1的反相输入端；

漏极与第二NMOS晶体管N2的漏极连接的第二PMOS晶体管P2；第二PMOS晶体管P2的栅极为比较器U1的正相输入端；

漏极与第一PMOS晶体管P1的源极及第二PMOS晶体管P2的源极相连的第三PMOS晶体管P3；第三PMOS晶体管P3的源极与所述电源相连；

栅极与第二NMOS晶体管N2漏极连接的第三NMOS晶体管N3；第三NMOS晶体管N3的源极接地；

栅极与第三PMOS晶体管P3的栅极相连的第四PMOS晶体管P4；第三PMOS晶体管P3与第四PMOS晶体管P4的栅极连接点为比较器U1的偏置电压设置端；第四PMOS晶体管P4的源极与所述电源相连；第四PMOS晶体管P4的漏极与第三NMOS晶体管N3的漏极相连，连接点作为比较器U1的输出端。

本实施例公开的RC振荡器，提供了比较器U1的一种实现形式，在具体的实际应用中，比较器U1并不限定为上述两极开环比较器的实现形式，可以根据具体的实际情况而定，选定最适合的方案。

本实施例内其余的特征及具体的工作原理与上述实施例相同，此处不再赘述。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种RC振荡器，其特征在于，包括：

与电源相连的电流镜，用于输出恒定的电流；

与所述电流镜两输出端相连的斜坡电压产生电路，用于生成并输出斜坡电压信号；

与所述电源相连的参考电压产生电路，用于生成并输出参考电压信号；

输入端与斜坡电压产生电路相连的比较器，所述比较器通过第一开关和第二开关与所述参考电压产生电路输出端相连，用于接收并比较所述产生斜坡电压信号与参考电压信号，生成并输出所述产生斜坡电压信号与参考电压信号的比较结果；

输入端与所述比较器输出端相连的控制电路，所述控制电路的输出端分别与所述斜坡电压产生电路、第一开关及第二开关的控制端相连，所述控制电路用于接收所述比较结果，生成并输出控制信号，控制所述斜坡电压产生电路周期性的输出所述斜坡电压信号至所述比较器的正相输入端或反相输入端；所述控制电路还用于控制所述第一开关及第二开关的导通与关断，使所述斜坡电压产生电路输出所述斜坡电压信号至所述比较器的正相输入端时，所述参考电压产生电路输出所述参考电压信号至所述比较器的反相输入端，所述斜坡电压产生电路输出所述斜坡电压信号至所述比较器的反相输入端时，所述参考电压产生电路输出所述参考电压信号至所述比较器的正相输入端。

2.根据权利要求1所述的RC振荡器，其特征在于，所述电流镜包括：

正极分别与所述电源相连的第一电流源与第二电流源；所述第一电流源的负极为所述电流镜的第一输出端，所述第二电流源的负极为所述电流镜的第二输出端。

3.根据权利要求1所述的RC振荡器，其特征在于，所述参考电压产生电路包括：

正极与所述电源相连的第三电流源；

漏极与所述第三电流源负极相连的第一NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管的栅极与漏极相连，所述第一NMOS晶体管的源极接地；

栅极与所述第一NMOS晶体管的漏极相连的第二NMOS晶体管；所述第二NMOS晶体管的源极接地，所述第二NMOS晶体管的漏极为所述参考电压产生电路的输出端。

4.根据权利要求2所述的RC振荡器，其特征在于，所述控制电路包括：

输入端与所述比较器输出端相连的非门，所述非门的输入端为所述控制电路的第一输出端，所述非门的输出端为所述控制电路的第二输出端。

5.根据权利要求2所述的RC振荡器，其特征在于，所述控制电路包括：

输入端与所述比较器输出端相连的第一非门；

输入端与所述第一非门输出端相连的第二非门，所述第二非门的输出端为所述控制电路的第一输出端，所述第二非门的输入端为所述控制电路的第二输出端。

6.根据权利要求4或5所述的RC振荡器，其特征在于，所述第一开关的控制端与所述控制电路的第一输出端相连，所述第二开关的控制端与所述控制电路的第二输出端相连。

7.根据权利要求1所述的RC振荡器，其特征在于，所述斜坡电压产生电路包括：

第一输出通道，所述第一输出通道分别与所述电流镜的第一输出端、所述控制电路输出端及所述比较器的正相输入端相连，用于接收所述控制信号，将所述斜坡电压信号输出至所述比较器的正相输入端；

第二输出通道，所述第二输出通道分别与所述电流镜的第二输出端、所述控制电路输出端及所述比较器的反相输入端相连，用于接收所述控制信号，将所述斜坡电压信号输出至所述比较器的反相输入端；

其中，所述第一输出通道与第二输出通道周期性的轮流输出所述斜坡电压信号，且所述第一输出通道与第二输出通道输出所述斜坡电压信号的时间相等。

8.根据权利要求7所述的RC振荡器，其特征在于，所述第一输出通道包括：

第三开关，所述第三开关的一端分别与所述电流镜的第一输出端、所述第一开关及所述比较器的正相输入端相连；所述第三开关的控制端与所述控制电路的第二输出端相连；

一端与所述第三开关另一端相连的第一电容；所述第一电容的另一端接地；

并联于所述第一电容两端的第四开关；所述第四开关的控制端与所述控制电路的第一输出端相连。

9.根据权利要求7所述的RC振荡器，其特征在于，所述第二输出通道包括：

第五开关，所述第五开关的一端分别与所述电流镜的第二输出端、所述第二开关及所述比较器的反相输入端相连；所述第五开关的控制端与所述控制电路的第一输出端相连；

一端与所述第五开关另一端相连的第二电容；所述第二电容的另一端接地；

并联于所述第二电容两端的第六开关；所述第六开关的控制端与所述控制电路的第二输出端相连。

10.根据权利要求1所述的RC振荡器，其特征在于，所述比较器包括：

栅极互相连接的第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管的源极接地；所述第一NMOS晶体管的漏极和栅极相连；

漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接的第一PMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管的栅极为所述比较器的反相输入端；

漏极与所述第二NMOS晶体管的漏极连接的第二PMOS晶体管；所述第二PMOS晶体管的栅极为所述比较器的正相输入端；

漏极与所述第一PMOS晶体管的源极及第二PMOS晶体管的源极相连的第三PMOS晶体管；所述第三PMOS晶体管的源极与所述电源相连；

栅极与所述第二NMOS晶体管漏极连接的第三NMOS晶体管；所述第三NMOS晶体管的源极接地；

栅极与所述第三PMOS晶体管的栅极相连的第四PMOS晶体管；所述第三PMOS晶体管与第四PMOS晶体管的栅极连接点为所述比较器的偏置电压设置端；所述第四PMOS晶体管的源极与所述电源相连；所述第四PMOS晶体管的漏极与所述第三NMOS晶体管的漏极相连，连接点作为所述比较器的输出端。