CN105568222A - 真空镀膜件及其制造方法 - Google Patents

真空镀膜件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105568222A
CN105568222A CN201610116521.2A CN201610116521A CN105568222A CN 105568222 A CN105568222 A CN 105568222A CN 201610116521 A CN201610116521 A CN 201610116521A CN 105568222 A CN105568222 A CN 105568222A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vacuum
layer
matrix
target
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610116521.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105568222B (zh
Inventor
黄玉春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fan Hu
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201610116521.2A priority Critical patent/CN105568222B/zh
Publication of CN105568222A publication Critical patent/CN105568222A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105568222B publication Critical patent/CN105568222B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种真空镀膜件，包括基体及形成于基体上的金属导电层，所述导电层为溅射在基体（11）上的铜层（14）银层（16）结合层，基体（11）与铜层（14）之间依次溅射打底层（12）和过度保护层（13），银层（16）与铜层（14）之间溅射过渡保护层（15）。本发明还提供一种上述真空镀膜件的制造方法。该真空镀膜件导电性能高，导电层与基体结合力好，镀层性能稳定。

Description

真空镀膜件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种真空镀膜件及其制造方法，尤其涉及一种导电性能优良膜层稳定的真空镀膜件及其制造方法。背景技术随着科技不断进步，通信产品日益增加，网络数据通信量越来越大，终端通讯产品及前端网络传输产品对电磁干扰的要求也越来越高。为了解决通信产品电磁干扰问题，一般都会在产品外壳上增加导电层，以获得电磁屏蔽的效果。目前真空镀膜工艺导电层导电性能及膜层附着力都无法满足要求，特别是铝及铝合金基体的机壳，更是难以解决，现有行业都采用水电镀铜层加镀银层，受水电镀工艺电流密度均衡及电流稳定性的影响，膜层质量也是无法达到理想效果。然而水电镀工艺对环境的影响也越来越受到重视，导致水电镀工艺被取缔已是众望所归。发明内容本发明提供一种导电性能优异、膜层稳定的真空镀膜件。另外，本发明还提供一种上述真空镀膜件的制造方法。一种真空镀膜件，包括基体及形成于基体上的金属导电层，所述导电层为溅射在基体上的铜层银层结合层，基体与铜层之间依次溅射打底层和过度保护层，银层与铜层之间溅射过渡保护层。一种真空镀膜件的制造方法，使用以下步骤完成。⑴准备洁净基体。⑵用钛铝合金靶材，在基体上用真空镀膜的方法溅射一层打底层。⑶用镍铜合金靶材，在上述步骤⑵基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层。⑷用铜靶材，在上述步骤⑶基础上用真空镀膜方法溅射一层加厚导电铜层。⑸用镍铜合金靶材，在上述步骤⑷基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层。⑹用银靶材，在上述步骤⑸基础上用真空镀膜方法溅射一层导电银层。如上所述的真空镀膜件的制造方法，在导电层镀膜过程中打底层加强镀层与基体的结合力，过渡保护层为较软的材质，其机械性能优异，防腐蚀性能好，对基体及打底层起到保护作用同时作为后期加厚铜层与打底层之间以及铜层与银层间起到过渡作用，可以消除多层镀膜间的内应力，增加整个膜层的附着力，提高整个膜层的耐腐蚀性能和稳定性。附图说明图1是本发明在实施例的真空镀膜件的结构示意图。主要元件符号说明。11基体。12打底层。13过渡保护层。14铜层。15过渡保护层。16银层。17真空镀膜件。具体实施方式以下结合附图对本发明所涉及的真空镀膜件的优选实施例做详细阐述。请参阅图1，本发明真空镀膜件17可为手机外壳或滤波器外壳，该真空镀膜件17包括基体11、打底层12、过渡保护层13、铜层14、过渡保护层15、银层16，以上各真空镀膜层采用真空溅射镀膜的方法依次溅射在基体11表面形成复合膜层的导电膜，导电膜层导电性能可根据铜层14和银层16的膜层厚度来控制。上述真空镀膜件17的制造方法主要包括以下步骤。第一步：提供基体11，该基体11可以为金属材料、玻璃、陶瓷或塑料等非金属材料，对该基体11进行除油、除蜡、酸洗、钝化、漂洗、超声波清洗、烘干等工序进行清洗。第二步：将清洗好的基体11放置真空镀膜机中的转架上抽真空处理至真空镀为0.007Pa，并加热镀膜室至70~180℃。第三步：使用钛含量为30~70%的钛铝合金靶材溅射打底层12，在真空室中加入氩气至真空度为0.2~0.8Pa，给基体11施加-400~-500V的脉冲偏压，占空比为20~40%，并开启转架公转，转速为2~5转/分钟，开启钛铝合金电弧溅射靶，电弧靶电流设置为50~70A，对基体11镀膜钛铝层2~4分钟；完成后在1分钟内逐渐调整基体11上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,电弧靶电流70~100A，继续镀膜3~5分钟，完成打底层12镀膜，打底层12膜层厚度为0.2~1um,同时关闭电弧靶。第四步：使用镍含量为15~45%的镍铜合金靶材磁控溅射过渡保护层13，调整氩气流量至真空度为0.2~0.5Pa，调整基体11上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,并保持转架公转，转速为2~5转/分钟，开启镍铜合金磁控溅射靶，磁控靶电流设置为10~20A，对基体11镀膜镍铜层2~6分钟；完成过渡保护层13镀膜，膜层厚度为0.2~1um,同时关闭磁控靶。第五步：使用纯铜靶材磁控溅射铜层14，调整氩气流量至真空度为0.1~0.45Pa，调整基体11上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,并保持转架公转，转速为2~5转/分钟，开启纯铜磁控溅射靶，磁控靶电流设置为15~40A，对基体11镀膜纯铜层5~30分钟；完成铜层14镀膜，膜层厚度为1~10um,同时关闭磁控靶。第六步：使用镍含量为15~45%的镍铜合金靶材磁控溅射过渡保护层15，调整氩气流量至真空度为0.2~0.5Pa，调整基体11上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,并保持转架公转，转速为2~5转/分钟，开启镍铜合金磁控溅射靶，磁控靶电流设置为10~20A，对基体11镀膜镍铜层2~6分钟；完成过渡保护层15镀膜，膜层厚度为0.2~1um,同时关闭磁控靶。第七步：使用纯银靶材磁控溅射银层16，调整氩气流量至真空度为0.1~0.45Pa，调整基体11上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,并保持转架公转，转速为2~5转/分钟，开启纯银磁控溅射靶，磁控靶电流设置为5~10A，对基体11镀膜纯银层5~15分钟；完成银层16镀膜，膜层厚度为0.5~5um,同时关闭磁控靶。本发明实施例的真空镀膜，含直流磁控溅射、中频磁控溅射、弧源离子溅射等真空镀膜工艺。应指出，上述实施方式仅为本发明的较佳实施方式，在实施中可以在本发明所述的精神内做其它调整变化，这些依据本发明精神所做的变化都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种真空镀膜件，包括基体及形成于基体上的金属导电层，其特征在于：所述导电层为真空溅射在基体上的铜-银的结合层。
2.如权利要求1所述的真空镀膜件，其特征在于：所述导电层还包含形成于基体和铜层间的打底层。
3.如权利要求2所述的真空镀膜件，其特征在于：打底层为钛铝合金材料，靶材中钛含量为30~70%。
4.如权利要求1所述的真空镀膜件，其特征在于：所述导电层还包含过渡保护层。
5.如权利要求1所述的真空镀膜件，其特征在于：所述基体为金属材料、玻璃或陶瓷。
6.一种真空镀膜件的制造方法，其包括如下步骤：
⑴准备洁净基体；
⑵用钛铝合金靶材，在基体上用真空镀膜的方法溅射一层打底层；
⑶用镍铜合金靶材，在上述步骤⑵基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层；
⑷用铜靶材，在上述步骤⑶基础上用真空镀膜方法溅射一层加厚导电铜层；
⑸用镍铜合金靶材，在上述步骤⑷基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层；
⑹用银靶材，在上述步骤⑸基础上用真空镀膜方法溅射一层导电银层。
7.如权利要求11所述的真空镀膜件，其特征在于：打底层为钛铝层，形成该打底层的工
艺参数为：在真空室中加入氩气至真空度为0.2~0.8Pa，给基体施加-400~-500V的脉冲偏压，占空比为20~40%，并开启转架公转，转速为2~5转/分钟，开启钛铝合金电弧溅射靶，电弧靶电流设置为50~70A，对基体镀膜钛铝层2~4分钟；完成后在1分钟内逐渐调整基体上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,电弧靶电流70~100A，继续镀膜3~5分钟，打底层厚度为0.2~1um,完成打底层镀膜。
8.如权利要求11所述的真空镀膜件，其特征在于：过渡保护层为抗氧化金属层，形成该过渡保护层的工艺参数为：调整氩气流量至真空度为0.2~0.5Pa，调整基体上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,转架公转，转速为2~5转/分钟，开启抗氧化金属磁控溅射靶，磁控靶电流设置为10~20A，对基体镀膜抗氧化金属层2~6分钟；过度保护层厚度为0.2~1um,完成过渡保护层镀膜。
9.如权利要求11所述的真空镀膜件，其特征在于：铜层为纯铜层，形成该过渡保护层的工艺参数为：调整氩气流量至真空度为0.1~0.45Pa，调整基体上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,转架公转，转速为2~5转/分钟，开启纯铜磁控溅射靶，磁控靶电流设置为15~40A，对基体镀膜纯铜层5~30分钟；铜层厚度为1~15um，完成铜层镀膜。
10.如权利要求11所述的真空镀膜件，其特征在于：银层为纯银层，形成该过渡保护层的工艺参数为：调整氩气流量至真空度为0.1~0.45Pa，调整基体上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,转架公转，转速为2~5转/分钟，开启纯银磁控溅射靶，磁控靶电流设置为5~10A，对基体镀膜纯银层5~15分钟；银层厚度为0.5~10um，完成银层镀膜。
CN201610116521.2A 2016-03-02 2016-03-02 真空镀膜件及其制造方法 Expired - Fee Related CN105568222B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610116521.2A CN105568222B (zh) 2016-03-02 2016-03-02 真空镀膜件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610116521.2A CN105568222B (zh) 2016-03-02 2016-03-02 真空镀膜件及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105568222A true CN105568222A (zh) 2016-05-11
CN105568222B CN105568222B (zh) 2018-07-27

Family

ID=55878833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610116521.2A Expired - Fee Related CN105568222B (zh) 2016-03-02 2016-03-02 真空镀膜件及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105568222B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107761059A (zh) * 2017-09-27 2018-03-06 南京工业大学 电工合金零部件表面银合金镀层及其制备方法、电工合金零部件
CN109741914A (zh) * 2019-01-22 2019-05-10 深圳市康磁电子有限公司 一种多弧打底金属化磁芯及其制备方法和贴片电感
CN109741915A (zh) * 2019-01-22 2019-05-10 深圳市康磁电子有限公司 一种金属化磁芯及其制备方法和贴片电感
CN111139431A (zh) * 2020-01-09 2020-05-12 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备的中框及其制作方法、电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1940126A (zh) * 2005-09-30 2007-04-04 佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司 塑料基材上镀覆高遮蔽防电磁干扰薄膜的溅镀方法
EP2133916A2 (en) * 2008-05-30 2009-12-16 Jum-Chae Yoon Semiconductor packages having electromagnetic interference-shielding function, manufacturing method thereof and jig
CN102469754A (zh) * 2010-11-11 2012-05-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 塑料表面电磁屏蔽处理方法及其制品
CN103140124A (zh) * 2011-12-03 2013-06-05 深圳富泰宏精密工业有限公司 电磁屏蔽方法及制品
CN104727139A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 江南大学 一种抗电磁辐射新型纺织面料及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1940126A (zh) * 2005-09-30 2007-04-04 佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司 塑料基材上镀覆高遮蔽防电磁干扰薄膜的溅镀方法
EP2133916A2 (en) * 2008-05-30 2009-12-16 Jum-Chae Yoon Semiconductor packages having electromagnetic interference-shielding function, manufacturing method thereof and jig
CN102469754A (zh) * 2010-11-11 2012-05-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 塑料表面电磁屏蔽处理方法及其制品
CN103140124A (zh) * 2011-12-03 2013-06-05 深圳富泰宏精密工业有限公司 电磁屏蔽方法及制品
CN104727139A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 江南大学 一种抗电磁辐射新型纺织面料及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107761059A (zh) * 2017-09-27 2018-03-06 南京工业大学 电工合金零部件表面银合金镀层及其制备方法、电工合金零部件
CN107761059B (zh) * 2017-09-27 2020-01-31 南京工业大学 电工合金零部件表面银合金镀层及其制备方法、电工合金零部件
CN109741914A (zh) * 2019-01-22 2019-05-10 深圳市康磁电子有限公司 一种多弧打底金属化磁芯及其制备方法和贴片电感
CN109741915A (zh) * 2019-01-22 2019-05-10 深圳市康磁电子有限公司 一种金属化磁芯及其制备方法和贴片电感
CN111139431A (zh) * 2020-01-09 2020-05-12 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备的中框及其制作方法、电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN105568222B (zh) 2018-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105568222A (zh) 真空镀膜件及其制造方法
CN102392246A (zh) 一种金属表面处理工艺
CN102453857A (zh) 非晶合金壳体及其制造方法
CN102294856A (zh) 一种装饰材料及其制备方法
CN103572207A (zh) 镀膜件及其制备方法
TW201323640A (zh) 電磁遮罩方法及製品
JP2022520091A (ja) ネオジム鉄ホウ素磁石の保磁力と耐摩耗性及び耐食性を改善する方法
CN103184410A (zh) 镀膜件及其制备方法
TW201300578A (zh) 殼體及其製備方法
CN108251800A (zh) 一种Cu-Al梯度薄膜材料及其制备方法
CN104058796B (zh) Ptc陶瓷复合电极及其制备方法
CN108468030A (zh) 一种铜触点表面镀银的磁控溅射方法
CN102747332A (zh) 镀膜件的制备方法及由该方法制得的镀膜件
CN103140067A (zh) 壳体及其制作方法
CN112662939B (zh) 一种表面沉积涂层的超薄永磁体
CN104512065A (zh) 一种磁控溅射制备时尚装饰材料的方法
CN102345089A (zh) 镀膜件及其制作方法
CN108866481A (zh) 一种纳米复合Al-Ti-V-Cu-N涂层及其制备方法和应用
CN108359953A (zh) 一种Cu-Ni梯度薄膜材料及其制备方法
CN102950838A (zh) 壳体及其制备方法
CN112359319A (zh) 一种双周期耐磨抗菌和高韧性复合薄膜的制备方法
CN102548308A (zh) 壳体及其制造方法
CN102534489A (zh) 镀膜件及其制造方法
CN109136864A (zh) 一种在磁钢表面真空涂覆铝锡复合涂层的方法
CN102469754A (zh) 塑料表面电磁屏蔽处理方法及其制品

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20191028

Address after: 518000 east of 5th floor, building a, Huidong Industrial Zone, Jiuwei, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: Shenzhen Hongru Hengxing Technology Co.,Ltd.

Address before: 518105, 11 Industrial Zone, Sha Pu Wai, Songgang Town, Shenzhen, Guangdong, Baoan District

Patentee before: Huang Yuchun

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201116

Address after: 431900 Jingmen city of Hubei province Zhongxiang City Ying Town in Yangchun Street No. 44

Patentee after: Fan Hu

Address before: 518000 east of 5th floor, building a, Huidong Industrial Zone, Jiuwei, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: Shenzhen Hongru Hengxing Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180727

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee