CN105565322B - 一种由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法和装置，该方法包括以下步骤：(1)用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体进行喷淋，分别得到第一气体混合物、第一渣浆，其中，第一气体混合物包含三氯氢硅和四氯化硅；(2)将第一渣浆加热，分别得到第二气体混合物、第二渣浆；(3)将第二气体混合物与步骤(1)中的气/固混合体混合；重复步骤(1)至(3)，直到第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量。该方法可任意控制第二渣浆中固体物含量，满足后续处理工艺中待处理渣浆中的氯硅烷含量要求，降低能耗和消耗的碱液，第一气体混合物可通过冷凝得到回收的液态氯硅烷。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法和装置。
背景技术
多晶硅是光伏行业的基础材料，全球75～80％的多晶硅采用改良西门子法生产,该工艺在我国大规模化应用已有近10年历史，由于核心技术仍未突破，还原系统中每产一吨多晶硅大约要产生16吨左右的副产四氯化硅，产生的大量四氯化硅处理效率低下，造成后续分离提纯、再循环系统庞大、运行成本高。目前国内四氯化硅的处理工艺是：通过尾气回收单元将尾气组分各自分离后重新使用，分离出的四氯化硅采用热氢化和/或冷氢化两种工艺处理，结果都不令人满意。
多晶硅生产系统都涉及三氯氢硅生产过程，即直接氯化生产三氯氢硅(硅粉与氯化氢反应，即热氢化工艺)和氢氯化生产三氯氢硅(四氯化硅、氢气和硅粉反应，即冷氢化工艺)两种工艺，两种三氯氢硅生产工艺最终均会得到渣浆，渣浆中富含金属氯化物、大量的氯硅烷和固体物质，剩余渣浆由于含有大量的氯硅烷，需要用碱液中和它，不仅造成极大浪费，而且还会污染环境，并造成极大的浪费，这就涉及到富含金属氯化物的渣浆的处理工序。
现有技术中，三氯氢硅生产得到的渣浆常用的处理工艺都是先将渣浆进行高温蒸发，使渣浆中的液体氯硅烷气化，从而使得渣浆中的液体氯硅烷与固体物质分离开来，一方面得到了气化的氯硅烷，另一方面得到了浓渣浆，然后将气化的氯硅烷冷凝回收，用碱液中和浓渣浆，再高压过滤后得到滤渣和废滤液，滤渣和废滤液分别进入相应的废渣和废水处理系统。现有技术中的三氯氢硅生产得到的渣浆常用的处理工艺存在如下缺点：待处理的渣浆中的液体氯硅烷含量过高，使得该处理工艺主要集中在将渣浆进行高温蒸发过程，从而导致将渣浆进行高温蒸发过程中需要蒸发的液体氯硅烷的量过大，高温蒸发耗能巨大，且后续消耗大量碱液去中和渣浆中未被蒸发掉的氯硅烷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理方法和装置，可以任意控制得到的第二渣浆中的固体物含量，将第二渣浆作为现有技术中的渣浆常用处理工艺中的待处理渣浆，满足后续的现有技术中的渣浆常用处理工艺中对于待处理渣浆中的氯硅烷含量的要求，从而可以大大降低现有技术中的渣浆高温蒸发过程中的能耗，降低后续消耗的碱液，且第一气体混合物可以通过冷凝后得到回收的液态的氯硅烷。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是提供一种由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理方法，包括以下步骤：
(1)用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体进行喷淋，分别得到第一气体混合物、第一渣浆，其中，所述第一气体混合物包含三氯氢硅和四氯化硅；
(2)将所述第一渣浆加热，分别得到第二气体混合物、第二渣浆；
(3)将所述第二气体混合物与步骤(1)中的所述气/固混合体混合；
重复步骤(1)至(3)，直到所述第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量。
优选的是，所述预设的固体物的含量为10～15wt％。
优选的是，所述步骤(1)中用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体进行喷淋的温度为130～155℃，压力为1.5～2.5MPa。
优选的是，所述步骤(1)后还包括步骤(i)将所述第一气体混合物冷凝为液体后对所述气/固混合体进行喷淋。
优选的是，所述步骤(2)具体为将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换，分别得到所述第二气体混合物、所述第二渣浆。
优选的是，所述步骤(2)中将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换的温度为140～170℃，压力为1.55～2.6MPa。
本发明还提供一种由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理装置，硅、氢气、四氯化硅在反应器内反应生产三氯氢硅得到气/固混合体，所述处理装置包括：
急冷塔，用于用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体进行喷淋，在所述急冷塔的塔顶得到第一气体混合物，在所述急冷塔的塔釜得到第一渣浆，其中，所述第一气体混合物包含三氯氢硅和四氯化硅；
汽提塔，该汽提塔的塔顶的入口与所述急冷塔的塔釜的出口连接，所述第一渣浆由所述急冷塔的塔釜到达所述汽提塔，所述汽提塔用于将所述第一渣浆加热，在所述汽提塔的塔顶得到第二气体混合物，在所述汽提塔的塔釜得到第二渣浆；所述汽提塔的塔顶的出口与所述急冷塔的塔釜的入口连接，所述第二气体混合物由所述汽提塔的塔顶流入到所述急冷塔内与所述气/固混合体混合；
当所述汽提塔的塔釜得到的第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量时，将所述第二渣浆排出所述汽提塔。
优选的是，所述的由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理装置还包括冷凝器，该冷凝器与所述急冷塔连接，所述冷凝器用于将所述第一气体混合物冷凝为液体，该液体再流入到所述急冷塔对所述气/固混合体进行喷淋。
优选的是，所述预设的固体物的含量为10～15wt％。
优选的是，所述急冷塔内用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体进行喷淋的温度为130～155℃，压力为1.5～2.5MPa。
优选的是，所述汽提塔具体用于将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换，分别得到所述第二气体混合物、所述第二渣浆。
优选的是，所述汽提塔内将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换的温度为140～170℃，压力为1.55～2.6MPa。
本发明提供一种由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理方法和装置可以任意控制得到的第二渣浆中的固体物含量，将第二渣浆作为现有技术中的渣浆常用处理工艺中的待处理渣浆，满足后续的现有技术中的渣浆常用处理工艺中对于待处理渣浆中的氯硅烷含量的要求。本发明中的处理方法可以使得第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量很高，进而也就是第二渣浆中的液体氯硅烷的含量很低，从而可以大大降低现有技术中的渣浆高温蒸发过程中的能耗，降低后续消耗的碱液。本发明中第一气体混合物可以通过冷凝后得到回收的液态的氯硅烷，这些回收的液态氯硅烷进入精馏提纯单元分离提纯，这部分回收的液态氯硅烷从而也就无需通过后续的现有技术中的渣浆常用处理工艺来回收，大大减轻了后续处理工艺的负荷。
附图说明
图1是本发明实施例2中的由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理装置的结构示意图。
图中：1-反应器；2-急冷塔；21-急冷塔的塔釜的出口；22-急冷塔的塔釜的入口；3-汽提塔；31-汽提塔的塔顶的入口；32-汽提塔的塔顶的出口；4-冷凝器；5-硅预处理罐；6-精馏提纯单元；7-不凝气中间储罐；8-后续的渣浆处理单元。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1
本实施例提供由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理方法，包括以下步骤：
(1)用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体进行喷淋，分别得到第一气体混合物、第一渣浆，其中，所述第一气体混合物包含三氯氢硅和四氯化硅。
具体的，当硅、氢气、四氯化硅反应时还具有催化该反应的催化剂氯化亚铜，所以第一渣浆中还包含有金属氯化物，硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅的温度为450℃～550℃，压力为1.5～2.5MPa。第一渣浆中还包含有液体的氯硅烷以及未反应的硅。由于硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅时还会有二氯二氢硅的副产物的生成，所以第一气体混合物中还包含有二氯二氢硅以及未反应的氢气。
(2)将所述第一渣浆加热，分别得到第二气体混合物、第二渣浆；
(3)将所述第二气体混合物与步骤(1)中的所述气/固混合体混合；
重复步骤(1)至(3)，直到所述第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量。
本实施例提供一种由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理方法可以任意控制得到的第二渣浆中的固体物含量，将第二渣浆作为现有技术中的渣浆常用处理工艺中的待处理渣浆，满足后续的现有技术中的渣浆常用处理工艺中对于待处理渣浆中的氯硅烷含量的要求。本实施例中的处理方法可以使得第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量很高，进而也就是第二渣浆中的液体氯硅烷的含量很低，从而可以大大降低现有技术中的渣浆高温蒸发过程中的能耗，降低后续消耗的碱液。本实施例中第一气体混合物可以通过冷凝后得到回收的液态的氯硅烷，这些回收的液态氯硅烷进入精馏提纯单元分离提纯，这部分回收的液态氯硅烷从而也就无需通过后续的现有技术中的渣浆常用处理工艺来回收，大大减轻了后续处理工艺的负荷。
优选的是，所述预设的固体物的含量为10～15wt％。当预设的固体物的含量为10～15wt％时，第一渣浆为浓度很高的渣浆。
优选的是，所述步骤(1)中用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体进行喷淋的温度为130～155℃，压力为1.5～2.5MPa。
优选的是，所述步骤(1)后还包括步骤(i)将所述第一气体混合物冷凝为液体后对所述气/固混合体进行喷淋。该步骤可以大大节约能源。
优选的是，所述步骤(2)具体为将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换，分别得到所述第二气体混合物、所述第二渣浆。多晶硅生产过程中的尾气经过分离提纯能够得到热的氢气和/或二氯二氢硅，所以可以直接使用多晶硅生产过程中的尾气经过分离提纯得到的热的氢气和/或二氯二氢硅，从而使得热能充分利用。
优选的是，所述步骤(2)中将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换的温度为140～170℃，压力为1.55～2.6MPa。
实施例2
如图1所示，本实施例提供一种由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理装置，硅、氢气、四氯化硅在反应器1内反应生产三氯氢硅得到气/固混合体，所述处理装置包括：
急冷塔2，用于用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体进行喷淋，在所述急冷塔2的塔顶得到第一气体混合物，在所述急冷塔2的塔釜得到第一渣浆，其中，所述第一气体混合物包含三氯氢硅和四氯化硅；
汽提塔3，该汽提塔的塔顶的入口31与所述急冷塔的塔釜的出口21连接，所述第一渣浆由所述急冷塔2的塔釜到达所述汽提塔3，所述汽提塔3用于将所述第一渣浆加热，在所述汽提塔3的塔顶得到第二气体混合物，在所述汽提塔3的塔釜得到第二渣浆；所述汽提塔的塔顶的出口32与所述急冷塔的塔釜的入口22连接，所述第二气体混合物由所述汽提塔3的塔顶流入到所述急冷塔2内与所述气/固混合体混合；
当所述汽提塔3的塔釜得到的第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量时，将所述第二渣浆排出所述汽提塔3。
在汽提塔3内通过将第一渣浆加热，使得第一渣浆中的液体氯硅烷进一步气化且再回到急冷塔2内与气/固混合体混合，这些液体氯硅烷大部分在急冷塔2内通过第一气体混合物的形式得到了回收；在汽提塔3内通过将第一渣浆加热后，进一步得到的第二渣浆中的固体物含量远远高于第一渣浆中的固体物含量。
本实施例具体的，硅、氢气、四氯化硅在反应器1内反应时还具有催化该反应的催化剂氯化亚铜，反应器1具体为流化床反应器1，流化床反应器1中进行四氯化硅稀相脱氯加氢流化反应，流化床反应器1内的温度为450℃～550℃，压力为1.5～2.5MPa，催化剂氯化铜的添加量为硅总质量的0.3～0.5wt％，滞留时间0.6～0.9秒，氢气和四氯化硅的摩尔比为1.8～2，床层密度约为1.1g/cm3。反应器1出口的初级产品气组成：70～80wt％的四氯化硅，15～25wt％的三氯氢硅，1～3wt％的氢气，0.3～1.0wt％的二氯二氢硅，0.03～0.1wt％的氯化氢。
本实施例具体的，当使用上述由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理装置时，在所述急冷塔2的塔顶得到第一气体混合物的组成：70～80wt％的四氯化硅，15～25wt％的三氯氢硅，2～5wt％的氢气，0.2～0.8wt％的二氯二氢硅，0.03～0.1wt％的氯化氢；在汽提塔3的塔顶得到第二气体混合物的组成：85～95wt％的四氯化硅，5～12wt％的三氯氢硅，3～6wt％的氢气，0.1～0.2wt％的二氯二氢硅。
优选的是，所述的由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理装置还包括冷凝器4，该冷凝器4与所述急冷塔2连接，所述冷凝器4用于将所述第一气体混合物冷凝为液体，该液体再流入到所述急冷塔2对所述气/固混合体进行喷淋。同时，该冷凝器4还与后续的精馏提纯单元6连接，所述第一气体混合物冷凝为液体后大部分进入精馏提纯单元6进行精馏回收，少部分再流入到所述急冷塔2对所述气/固混合体进行喷淋。
优选的是，所述预设的固体物的含量为10～15wt％。当预设的固体物的含量为10～15wt％时，第一渣浆为浓度很高的渣浆。
优选的是，所述急冷塔2内用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体进行喷淋的温度为130～155℃，压力为1.5～2.5MPa。
优选的是，所述汽提塔3具体用于将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换，分别得到所述第二气体混合物、所述第二渣浆。多晶硅生产过程中的尾气经过分离提纯能够得到热的氢气和/或二氯二氢硅，所以可以直接使用多晶硅生产过程中的尾气经过分离提纯得到的热的氢气和/或二氯二氢硅，从而使得热能充分利用。
优选的是，所述汽提塔3内将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换的温度为140～170℃，压力为1.55～2.6MPa。
本实施例中具体的，硅储存在硅预处理罐5中，硅预处理罐5与反应器1连接，通过硅预处理罐5向反应器1提供硅，硅、氢气、四氯化硅在反应器1内反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体经急冷塔2和汽提塔3联合循环回收，首先，气/固混合体位于急冷塔2的塔釜，从急冷塔2上部喷淋下来的氯硅烷溶液与气/固混合体部分气化后向上流动的气体进行气/液换热，在所述急冷塔2的塔顶得到第一气体混合物，在所述急冷塔2的塔釜得到第一渣浆。急冷塔2与精馏提纯单元6连接，第一气体混合物由急冷塔2的塔顶排出，进行冷凝后得到回收的液态的氯硅烷，其中，大部分回收的液态氯硅烷进入精馏提纯单元6回收，通过精馏提纯单元6进行精馏分别得到三氯氢硅、四氯化硅，少部分回收的液态氯硅烷返回急冷塔2用于喷淋。该喷淋过程可理解为洗涤过程，因为气/固混合体中含金属氯化物和未反应的微细的硅粉、催化剂等粉尘，比较脏；另一方面，喷淋过程理解为使气/固混合体部分气化后向上流动的气体降温但仍处于气体状态，以便与气/固混合体中的固体物分离，并向塔顶运动。不凝气氢气和/或二氯二氢硅储存在不凝气中间储罐7中，不凝气中间储罐7与汽提塔3连接，由不凝气中间储罐7向汽提塔3提供不凝气氢气和/或二氯二氢硅，第一渣浆从急冷塔的塔釜的出口21到达所述汽提塔的塔顶的入口31，从汽提塔3下部进入的不凝气氢气和/或二氯二氢硅通过鼓泡的方式与第一渣浆接触进行热交换，分离第一渣浆中的氯硅烷，第一渣浆中的大部分液态氯硅烷气化，在所述汽提塔3的塔顶得到第二气体混合物，在所述汽提塔3的塔釜得到第二渣浆。其中，第二渣浆进入到后续的渣浆处理单元8。第二气体混合物由所述汽提塔3的塔顶流入到所述急冷塔2内与其内的气/固混合体混合，从急冷塔2上部喷淋下来的氯硅烷溶液与第二气体混合物、气/固混合体部分气化后向上流动的气体进行气/液换热，在所述急冷塔2的塔顶得到第一气体混合物，在所述急冷塔2的塔釜得到第一渣浆，如此不断循环，保证生产的连续进行，急冷塔2与后续的渣浆处理单元8连接，直到所述第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量，第二渣浆间歇式的泵入到后续的渣浆处理单元8，进一步回收其中的氯硅烷，除去的废渣外运。
后续的渣浆处理单元8主要指的是现有技术中三氯氢硅生产得到的渣浆常用的处理工艺。本实施例提供一种由硅、氢气和四氯化硅反应生产三氯氢硅得到的气/固混合体的处理装置可以任意控制得到的第二渣浆中的固体物含量，将第二渣浆作为现有技术中的渣浆常用处理工艺中的待处理渣浆，满足后续的现有技术中的渣浆常用处理工艺中对于待处理渣浆中的氯硅烷含量的要求。本实施例中的处理装置可以使得第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量很高，进而也就是第二渣浆中的液体氯硅烷的含量很低，从而可以大大降低现有技术中的渣浆高温蒸发过程中的能耗，降低后续消耗的碱液。本实施例中第一气体混合物可以通过冷凝后得到回收的液态的氯硅烷，这些回收的液态氯硅烷进入精馏提纯单元6分离提纯，这部分回收的液态氯硅烷从而也就无需通过后续的渣浆处理单元8来回收，大大减轻了后续处理工艺的负荷。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)反应器出口的初级产品气组成：70～80wt％的四氯化硅，15～25wt％的三氯氢硅，1～3wt％的氢气，0.3～1.0wt％的二氯二氢硅，0.03～0.1wt％的氯化氢，在急冷塔内用液体的氯硅烷对反应器内由硅、氢气、四氯化硅反应在反应器的顶部得到的气/固混合体进行喷淋，分别得到第一气体混合物、第一渣浆，其中，所述第一气体混合物包含三氯氢硅和四氯化硅，在所述急冷塔的塔顶得到第一气体混合物的组成：70～80wt％的四氯化硅，15～25wt％的三氯氢硅，2～5wt％的氢气，0.2～0.8wt％的二氯二氢硅，0.03～0.1wt％的氯化氢；
(2)在汽提塔内将所述第一渣浆加热，分别得到第二气体混合物、第二渣浆；
(3)在急冷塔内将所述第二气体混合物与步骤(1)中的所述气/固混合体混合；
重复步骤(1)至(3)，直到所述第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量，所述预设的固体物的含量为10～15wt％。
2.根据权利要求1所述的由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法，其特征在于，所述步骤(1)中用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应得到的气/固混合体进行喷淋的温度为130～155℃，压力为1.5～2.5MPa。
3.根据权利要求1所述的由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法，其特征在于，所述步骤(1)后还包括步骤(i)将所述第一气体混合物冷凝为液体后对所述气/固混合体进行喷淋。
4.根据权利要求1所述的由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法，其特征在于，所述步骤(2)具体为将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换，分别得到所述第二气体混合物、所述第二渣浆。
5.根据权利要求4所述的由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法，其特征在于，所述步骤(2)中将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换的温度为140～170℃，压力为1.55～2.6MPa。
6.一种由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理装置，硅、氢气、四氯化硅在反应器内反应生产三氯氢硅得到气/固混合体，其特征在于，所述处理装置包括：
急冷塔，用于用液体的氯硅烷对反应器内由硅、氢气、四氯化硅反应在反应器的顶部得到的气/固混合体进行喷淋，在所述急冷塔的塔顶得到第一气体混合物，在所述急冷塔的塔釜得到第一渣浆，其中，所述第一气体混合物包含三氯氢硅和四氯化硅，反应器出口的初级产品气组成：70～80wt％的四氯化硅，15～25wt％的三氯氢硅，1～3wt％的氢气，0.3～1.0wt％的二氯二氢硅，0.03～0.1wt％的氯化氢，在所述急冷塔的塔顶得到第一气体混合物的组成：70～80wt％的四氯化硅，15～25wt％的三氯氢硅，2～5wt％的氢气，0.2～0.8wt％的二氯二氢硅，0.03～0.1wt％的氯化氢；
汽提塔，该汽提塔的塔顶的入口与所述急冷塔的塔釜的出口连接，所述第一渣浆由所述急冷塔的塔釜到达所述汽提塔，所述汽提塔用于将所述第一渣浆加热，在所述汽提塔的塔顶得到第二气体混合物，在所述汽提塔的塔釜得到第二渣浆；所述汽提塔的塔顶的出口与所述急冷塔的塔釜的入口连接，所述第二气体混合物由所述汽提塔的塔顶流入到所述急冷塔内与所述气/固混合体混合；
当所述汽提塔的塔釜得到的第二渣浆中的固体物含量达到预设的固体物的含量时，将所述第二渣浆排出所述汽提塔，所述预设的固体物的含量为10～15wt％。
7.根据权利要求6所述的由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理装置，其特征在于，还包括冷凝器，该冷凝器与所述急冷塔连接，所述冷凝器用于将所述第一气体混合物冷凝为液体，该液体再流入到所述急冷塔对所述气/固混合体进行喷淋。
8.根据权利要求6所述的由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理装置，其特征在于，所述急冷塔内用液体的氯硅烷对由硅、氢气、四氯化硅反应得到的气/固混合体进行喷淋的温度为130～155℃，压力为1.5～2.5MPa。
9.根据权利要求6所述的由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理装置，其特征在于，所述汽提塔具体用于将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换，分别得到所述第二气体混合物、所述第二渣浆。
10.根据权利要求9所述的由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理装置，其特征在于，所述汽提塔内将所述第一渣浆与热的氢气和/或二氯二氢硅混合进行热交换的温度为140～170℃，压力为1.55～2.6MPa。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410534348.9A CN105565322B (zh) | 2014-10-11 | 2014-10-11 | 一种由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410534348.9A CN105565322B (zh) | 2014-10-11 | 2014-10-11 | 一种由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法和装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105565322A CN105565322A (zh) | 2016-05-11 |
| CN105565322B true CN105565322B (zh) | 2018-08-28 |
Family
ID=55876042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410534348.9A Active CN105565322B (zh) | 2014-10-11 | 2014-10-11 | 一种由硅、氢气和四氯化硅反应得到的气/固混合体的处理方法和装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105565322B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108946741B (zh) * | 2017-05-17 | 2020-05-12 | 新特能源股份有限公司 | 多晶硅冷氢化工艺中的含硅高沸物的回收工艺方法及冷氢化工艺 |
| CN113117442B (zh) * | 2020-01-10 | 2023-05-02 | 新疆新特晶体硅高科技有限公司 | 多晶硅生产中尾气处理方法及系统 |
| CN116119727A (zh) * | 2022-11-14 | 2023-05-16 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种分级纯化回收粉煤灰氯化产物关键技术 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008184378A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Osaka Titanium Technologies Co Ltd | 高純度トリクロロシランの製造方法 |
| CN102659116A (zh) * | 2012-04-28 | 2012-09-12 | 四川新光硅业科技有限责任公司 | 三氯氢硅合成气的除尘方法 |
| CN102794070A (zh) * | 2012-07-25 | 2012-11-28 | 新疆大全新能源有限公司 | 一种三氯氢硅合成气的处理方法 |
-
2014
- 2014-10-11 CN CN201410534348.9A patent/CN105565322B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008184378A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Osaka Titanium Technologies Co Ltd | 高純度トリクロロシランの製造方法 |
| CN102659116A (zh) * | 2012-04-28 | 2012-09-12 | 四川新光硅业科技有限责任公司 | 三氯氢硅合成气的除尘方法 |
| CN102794070A (zh) * | 2012-07-25 | 2012-11-28 | 新疆大全新能源有限公司 | 一种三氯氢硅合成气的处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105565322A (zh) | 2016-05-11 |
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|---|---|---|---|
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
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