CN105527733A - 电光相位调制器及调制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电光相位调制器(100)，旨在调制入射到所述调制器上的光波(1)的光学相位，并包括：包含入射面(111)和出射面(112)的电光基板(110)；具有比基板的折射率(ns)高的折射率(ng)的光波导(120)，所述光波导从位于入射面上的波导入射端(121)到位于出射面上的波导出射端(122)是连续直线，且适配于将部分耦合到波导中入射光波引导成在波导入射端和出射端之间沿着波导的光路传播的引导光波(3)；以及至少两个调制电极(131、132)，其平行于波导布置，以便，当调制电压(Vm(t))被施加于这些调制电极之间时，在引导光波中引入作为调制电压(Vm(t))的函数的调制相移。根据本发明，相位调制器还包括用于基板的电极化的装置(131、132)，所述电极化装置适配于在基板中产生能减少在波导附近(117)的它的光学折射率的永久电场。

Description

电光相位调制器及调制方法
技术领域
本发明基本涉及用于控制光信号的光学调制器领域。
其更特别地涉及旨在调制入射到调制器上的光波的光学相位的电-光相位调制器。
本发明还涉及用于这种电光相位调制器的调制方法。
背景技术
电光相位调制器是一种光电设备，其允许控制入射到调制器上并穿过该调制器的光波的光学相位，作为施加到其上的电信号的函数。
电光相位调制器的特定种类是现有技术所已知的，称作集成调制器或引导光学调制器，其包括：
-电光基板，包括入射面和出射面，
-光波导，其从位于基板的所述入射面上的波导入射端到位于基板的所述出射面上的波导出射端为连续直线，所述光波导具有高于基板的光学折射率的光学折射率，且适配于将部分地耦合到所述光波导内的所述入射光波引导成引导光波，该引导光波沿着位于所述波导入射端和所述波导出射端之间的所述光波导的光路传播，和
-平行于所述波导布置的至少两个调制电极，以便在将调制电压施加到所述调制电极之间时，在所述光波导中传播的所述引导光波上引入作为所述调制电压的函数的调制相移。
在本申请中，电光基板是单块的，其是由单个件制成的。换句话说，电光基板不是例如包括所述电光基板、一个或多个中间层、以及为所述结构提供机械强度的支撑的更复杂的光学结构的分离的部分。
以相同的方式，连续直线光波导是由波导的唯一直线段形成的，其仅在一个件中，将波导入射端与波导出射端相连。特别地，光波导在其路径上不包含任何弯曲部分，且不是连续的一片接一片，即由多个直线段形成。
具有调制电压的调制电极的极化允许通过基板中的电光效应来改变波导的光学折射率，作为调制电压的函数，引导光波在该波导中传播。
波导的光学折射率的改变随后在穿过波导的引导光波的光学相位上引入作为调制电压的符号的函数的调制相移、相位超前或延迟。
这导致了在调制器出口处，入射光波的光学相位的调制。
理论上，这种电光相位调制器仅仅对入射的光波的光学相位进行调制。因此，如果光探测器被置于调制器出口处的出射光波的迹线上，由这个光探测器测得的光功率(单位为瓦特)将是常数且与由于调制电极而被引入引导光波中的调制相移无关。
然而，事实上，测得的光功率不是常数，且在相位调制器的出口处检测到光功率的低的变化。
这种剩余振幅调制或“RAM”证明了，在某些情况下，是不可忽视的，以致相位调制器的性能被破坏。
发明内容
为了补救现有技术水平的上述缺陷，本发明提出了一种电光相位调制器，其允许在该调制器的出口处减少该剩余振幅调制。
为了该目的，本发明涉及前言中所定义的电光相位调制器，根据本发明，其还包括用于所述电光基板的电极化的装置，适配于在电光基板中产生能减少在波导附近的所述电光基板的光学折射率的永久(permanent)电场。
根据本发明的设备因此允许减少在光波导中被引导的光波和以非光学引导方式在电光基板中传播的光波之间的耦合。
确实，在波导入射端，在入射光波被注入光波导中的时候，入射光波的一部分不被耦合入波导中，而是在入射面处衍射，从而光波发射并随后在基板中以非引导方式传播，离开波导。
该非引导光波在垂直于波导的平面内具有横向空间外延，通过衍射，其增加到基板的出射面。
换句话说，与非引导光波相关的光束在波导之外具有在光束在基板中传播的过程中增加的角发散，该衍射光波的主传播方向由将波导入射端连接至波导出射端的直线段限定。
换句话说，该衍射光波与直线光波导平行传播，并且尤其是在调制电极下方行进。
没有特别的防范，看起来有一部分非引导光波可在波导出射端处与引导光波耦合，因此，这两种光波彼此干涉，从而产生上述的剩余振幅调制。
因此，通过在电光基板中由电极化装置产生永久电场，在这些装置附近形成一区域，在该区域中光学折射率低于静态时基板的光学折射率。
此处应当理解，由电极化装置产生的电场是永久的，在于一旦不再提供电极化装置，该电场就会消失。
在经受电场的区域中，在波导附近，不再有光波可被传播，从而基板中的非引导光波偏离并从波导中移出。
电光基板的光学折射率的降低会同时影响基板和波导，从而波导中的引导光波的引导不会被由电极化装置产生的永久电场过度干扰。
由于非引导光波的偏离，该非引导光波在波导出射端处不再与引导光波重叠，从而在调制器的出口处的引导光波和非引导光波之间的干涉显著减少。
那样，剩余振幅调制被强烈减少。
有利地，所述电极化装置包括所述至少两个调制电极，当除了所述调制电压以外的额外的极化电压被施加到所述调制电极之间时，该调制电极易于产生所述永久电场。
此外，根据本发明的电光相位调制器的其他优势和非限制性的特征如下：
-所述电极化装置包括与所述调制电极不同且平行于所述波导被布置于所述波导入射端或所述波导出射端和所述调制电极之间的至少两个额外的电极，所述至少两个额外的电极易于被极化电压极化以产生所述永久电场；
-所述至少两个额外的电极被布置于所述波导入射端和所述调制电极之间，所述电极化装置还包括与所述调制电极不同的且平行于所述波导被布置在所述波导处射端和所述调制电极之间至少两个另外的额外的电极，所述至少两个另外的额外的电极易于被另一个极化电压极化以在电光基板中产生另一个永久的电场，其适配于在减少波导附近的所述电光基板的光学折射率；
-所述电光相位调制器还包括用于将所述入射光波耦合到所述波导入射端的装置和/或用于将所述引导光波耦合到所述波导出射端的装置，所述耦合装置优选包括光纤段；
-所述电光基板是平面的几何形状，具有两个侧面，下表面和上表面，所述下和上表面在基板的所述入射面和所述出射面之间延伸，并且所述光波导在平行且靠近于所述上表面的平面中延伸；
-所述电光基板是由铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)、聚合物材料、半导体材料，例如硅(Si)、磷化铟(InP)、或砷化镓(GaAs)，制得的基板；
-所述波导和所述电光基板之间的光学折射率的差(以绝对值)被包含在从10-2至10-3范围内；
-由于电极化装置在所述电光基板中引起的光学折射率的差(以绝对值)被包含在从10-5至10-6范围内。
本发明还涉及根据本发明的电光相位调制器的调制方法。
根据本发明，所述调制方法包括将所述电极化装置极化的步骤，所述电极化装置适配于产生能在减少所述波导附近的所述电光基板的光学折射率的永久电场。
附图说明
以非限制性的例子的方式给出的后面的关于附图的说明，将允许对本发明的组成及其实现方式的很好的理解。
在附图中：
-图1示出了包括一对调制电极且在入口处和出口处被连接于光纤的根据本发明的电光相位调制器的第一实施例的顶视图；
-图2是图1的相位调制器沿截面A-A的横截面图；
-图3是图1的相位调制器的沿截面B-B的纵向截面图；
-图4示出了根据本发明的电光相位调制器的第二实施例的顶视图，其中该相位调制器包括三个调制电极；
-图5示出了根据本发明的电光相位调制器的第三实施例的顶视图，包括一对调制电极和布置于调制电极前方的一对额外的电极；
-图6示出了根据本发明的电光相位调制器的第四实施例的顶视图，包括一对调制电极和布置于调制电极前面和后面的两对额外的电极；
-图7是图5的根据本发明的相位调制器的第三实施例的变型的顶视图，其中额外的电极沿着波导的弯曲部分放置；
-图8是图6的根据本发明的相位调制器的第四实施例的变型的顶视图，其中两对额外的电极被置于波导的两个弯曲部分上。
具体实施方式
在图1至8中示出了电光相位调制器100的不同的实施例，以及它们的一些变型。
通常，这种调制器100旨在调制入射到调制器100上的光波1(此处以箭头表示，参见例如图1)的光学相位。
这种调制器100在光学方面发现了很多应用，尤其是在用于数据传输的光纤电通信中、在用于信息处理的干涉仪传感器中、或在激光腔的动态控制中。
调制器100首先包含电光基板110，示出了被静态或可变的电场减少的一阶双折射，也被称作普克尔斯(Pockels)效应。
这种电光基板110优选由化学式为LiNbO3的铌酸锂晶体形成，这种材料具有很强的Pockels效应。
此外，基板110对于包含在400纳米(nm)和1600nm之间的波长范围具有包含在2.13和2.25之间的光学折射率ns。
作为变型，相位调制器的电光基板可以是钽酸锂晶体(LiTaO3)。
作为另一个变型，这种电光基板可由聚合物材料或半导体材料，例如硅(Si)、磷化铟(InP)或砷化镓(GaAs)制成。
基板110一方面包括入射面111，以及基板另一方面110包括出射面112。此处，其具有平的几何形状，该几何形状具有两个侧面115、116、下表面114和上表面113(例如，参见图1和2)。
因此，下表面114和上表面113通过彼此平行在基板110的入射面111和出射面112之间延伸。
同样地，如图1和2所示，此处的入射面111和出射面112再次彼此平行，就像侧面115、116一样。
基板110因此具有平行六面体的形状。优选地，该平行六面体不是直的，且基板110使得入射面111和侧面中的一个(此处是侧面116，参见图1)形成了小于90°的，被包含于80°和89.9°之间，例如等于85°的角119。
这个角119的提高相位调制器100的性能的优点将在后面的描述中被理解。
如图2和3所示，基板110是单块的且由铌酸锂的单个晶体形成。
基板110优选具有从下表面114到上表面113的厚度，其严格地大于20微米。更优选地，基板110的厚度范围从30微米到1毫米。
此外，基板110具有从入射面111到出射面112的长度，其被包含于10和100毫米之间。
优选地，基板110具有在两个侧面115、116之间测得的宽度，其被包含于0.5和100毫米之间。
调制器的基板110此处是铌酸锂晶体，后者是双折射的(与由电场引起的双折射相对的固有的双折射)，且相对于该晶体的光轴使基板110具有精确的几何形状和取向是很重要的。
在图1至3、5和7、以及6和8分别示出的本发明的第一、第三和第四实施例中，基板110因此被沿着LiNbO3晶体的X轴切割，从而基板110的上表面113平行于晶体的X-Y平面(参见图1)。更精确地，晶体的Y轴在此处被取向为平行于电光基板110的侧面115、116。
按照惯例，对于铌酸锂，Z轴平行于晶格的C或a3轴。Z轴垂直于晶体的X轴，其自身平行于晶格的a1轴。Y轴同时垂直于Z轴和X轴。Y轴相对于晶格的a2轴转动30°，该a2轴自身相对于a1轴取向于120°处，并相对于a3轴取向于90°处。晶面的切割和取向通常涉及X、Y和Z轴。
在图4所示的本发明的第二实施例中，基板110被沿着LiNbO3晶体的Z轴切割，从而基板110的上表面113平行于晶体的X-Y平面。同样在该情况下，晶体的Y轴被取向为平行于电光基板110的侧面115、116。
在所有的实施例中，相位调制器100是一体型的，并包含单独的光波导120，其以连续的方式直线延伸(参见图1和图3-8)：
-从位于基板110的入射面111上的波导入射端121，
-到位于基板110的出射面112上的波导出射端122。
在所描述的平面结构中，波导120在靠近基板110的上表面113的平行平面中延伸。
特别地，在此处，例如如第一实施例的图2和3所示的，波导120与基板110的上表面113齐平，且具有3或4微米的半径的半圆形横截面(参见图2)。
优选地，光波导120具有包含于10和100毫米之间的长度。
这种波导120可通过本领域技术人员所公知的通过在晶体中钛扩散的热处理，或通过退火质子交换处理被形成在铌酸锂基板110中。
那样，可获得光波导120，其表现出高于基板的光学折射率ns的光学折射率ng。如果光波导的制造方法是钛的扩散，寻常和非寻常的两种折射率可观察到它们的值增加。通过钛的扩散制得的波导随后可支持(即引导)偏振的两种状态。如果光波导的制造方法是质子交换，在这种情况下，仅仅可以看到非寻常折射率的值增加，然而看见寻常折射率的值下降。通过质子交换制得的波导从而仅能支持偏振的一种状态。
为了确保光的引导，波导120的光学折射率ng必须高于基板110的光学折射率ns。
通常，波导120和所述电光基板110之间的光学折射率的差ng-ns越高，光的限制性就越高。
此处有利的是，波导120和所述电光基板110之间的光学折射率的差ng-ns被包含于从10-2到10-3的范围内。
为了调制入射光波1，光学相位调制器100还包括调制装置。
在图1至3、5和7、以及6和8分别示出的本发明的第一、第三和第四实施例中，其中基板110沿着X轴被切割，这些调制装置包括平行于波导120布置的两个调制电极131、132，此处位于波导120的任意侧。
在不同的实施例中，这些调制电极131、132被更精确地在波导120的直线部分123周围布置。
此外，如图1所示，两个调制电极131、132中每个都包含朝向波导120的内边缘131A、132A。它们由此在彼此之间限定了内电极间隙118，该内电极间隙118从第一调制电极131的内边缘131A向着第二调制电极132的内边缘132A延伸。
两个调制电极131、132通过距离E(参见图2)间隔开，该距离大于在基板110的上表面113处的波导120的宽度，从而调制电极131、132不与波导120重叠。由调制电极131、132的两个内边缘131A、132A限定的内电极距离E，因此相应于内电极间隙118的横向尺寸、或宽度。
例如，波导120在此处具有3微米的宽度，而内电极距离E等于10微米。
在图4所示的本发明的第二实施例中，其中基板110根据Z轴被切割，调制装置包括平行于所述波导120布置的三个调制电极131、132、133。
具有比波导120的宽度高的宽度的第一电极，或中心电极133位于波导120之上。
第二和第三电极，或横向对电极(counter-electrodes)131、132，部分地位于波导120任意侧上，每一个都相对于中心电极133间隔距离E’，该距离E’在横向对电极131、132的中心和中心电极133的中心之间被确定。
例如，波导120在此具有3微米的宽度，而中心电极133和对电极131、132之间的距离E’等于10微米。
通常，调制电极131、132、133是共面的并通过已知的光刻技术被形成于基板110的上表面133上。
调制电极131、132、133的尺寸(宽度、长度，和厚度)根据调制器的相位调制限制、基板110的性质和几何形状(尺寸和取向)、波导120的宽度和长度，以及需要实现的性能的函数被确定。
调制电极131、132、133旨在被调制电极极化，此处调制电压表示为Vm(t)，该调制电压是作为时间t的函数的变化的电压。
换句话说，该调制电压Vm(t)被施加于调制电极131、132、133之间。
为此，调制电极中的一个得到等于调制电压Vm(t)的电势(在第一、第三和第四实施例的情况下是电极132，例如参见图1、5和6；在第二实施例的情况下是电极133，参见图4)，而其他一个调制电极(电极131)或两个调制电极(131、132)接地。
提供电控制装置(图中未示出)，其允许将针对调制电压Vm(t)的预期的设定点(振幅、频率...)施加到所述的调制电极131、132、133。
为了理解本发明的优点，首先将简短地描述电光相位调制器100的操作。
相位调制器被设计成(参见图3)：
在入口处接收入射光波1，以将其耦合成引导光波3，
调制在波导120中直线传播的该引导光波3的光学相位，和
将该引导光波3耦合成在调制器100的出口处被递送的出射光波2，该出射光波2的光学相位具有类似于引导光波3的调制的调制。
为了将入射光波1、出射光波2分别在入口处和出口处耦合，调制器100包括用于在波导入射端121耦合入射光波1的装置和用于在波导出射端122耦合出射光波2的装置。
此处的这些耦合装置优选包括光纤段10、20(参见图3)，例如二氧化硅光纤，每个包含围绕圆柱形芯12、22的包层11、21，在该芯12、22中分别传输入射光波1(在芯12中)和出射光波2(在芯22中)，因此每个都具有旋转对称性。
通过示例的方式，图3中示出了在光纤的段10的芯12中传播的入射光波1的振幅1A和在光纤的段20的芯22中传播的出射光波2的振幅2A。这些振幅1A、2A对应于在具有圆柱对称性的光纤的段10、20中的传播模式。
为了进行耦合，光纤的段10、20分别带到靠近入射面111和出射面112处，从而光纤的每个段10、20的纤芯12、22分别相对波导入射端121和波导出射端122对准。
有利的是，可以按顺序在光纤的段10、20和基板110的入射面111和出射面112之间使用折射率匹配粘合剂，一方面，以将光纤的所述段10、20固定到基板110上，另一方面，以相对于波导120的入射端121和出射端122将光纤10、20的芯12、22之间的光学和机械对准固定。
在入口处，沿着光纤的段10的芯12向着基板110传播的入射光波1在波导入射端121处被部分耦合到光波导120中作为引导光波3(参见图3中的箭头)。
该引导光波3接着沿着光波导120的连续的直线光路从波导入射端121向着出射端122传播，并且具有如图3所示意性地示出的振幅3A。
由于引导光波3在入射面111和出射面112上的部分反射，在波导120中可能会产生干涉，从而引导光波3的振幅3A可能会表现比较高的剩余振幅调制。
然而，由于基板110的角119，这种干涉现象被大大减少，从而由于这些伪反射引起的剩余振幅调制变得可以忽略。
当电控制装置在调制电极131、132、133之间施加调制电压Vm(t)时，与该调制电压Vm(t)成比例的外部电场在调制电极131、132、133附近产生，更精确地说是在基板110和波导120的位于调制电极131、132、133下方的区域中产生。
通过Pockels效应，波导的光学折射率ng被该外部电场改变。众所周知，光学折射率的调制是与外部电场的振幅成比例的，比例系数取决于材料的性质以及调制电极131、132、133的几何形状。
此外，作为外部电场相对于基板110的光轴的取向的函数，在调制电极131、132、133附近的该变化可以是正的或负的，分别具有基板110和波导120的光学折射率ns、ng的增加或减少。
在波导120中的引导光波3的传播过程中，波导120的光学折射率ng的该变化，在光波导120中所传播的引导光波3的光学相位中引入了调制相移，该调制相移是外部电场的振幅的函数，并且因而是作为时间t的函数而变化的调制电压Vm(t)的振幅的函数。
作为调制电压Vm(t)的符号的函数，并且因而是外部电场相对于基板110的光轴的取向的函数，该调制相移可以是正的或者负的，分别与引导光波3的光学相位延迟或超前相关。
那样，由于调制电极131、132、133，引导光波3的光学相位可被调制。
现在回到光波导120中的入射光波1的耦合上。
在该耦合过程中，由于光纤的段10和基板110中的波导120之间的折射率空间分布的不同，一部分入射光波1在波导入射端121处衍射，从而波导120中的非引导光波4(参见图3)在基板110中从波导入射端121向着基板110的出射面112传播，具有传播主方向121P，该方向与垂直于基板110的上表面113并穿过直线波导120的中部的平面共面。
该非引导光波4，其振幅4A如图3所示，可在波导出射端122处与在波导120中被引导的光波3发生干涉，从而在调制器100的出口处的出射光波2中产生剩余振幅调制。
为了防止这些干涉并限制剩余振幅调制，根据本发明的调制器100包括用于电光基板110的电极化的装置，以在电光基板中产生永久的电场，该电场减少在波导120附近处的基板110的光学折射率ns。
通常，这些电极化装置包含电极和电控制装置，电控制装置在这些电极之间提供电压。
在图1至3所示的第一实施例中，以及在图4中所示的其变型中，电极化装置包含调制电极131、132、133以及相关的电控制装置(未示出)。
除了所述调制电压Vm(t)，当在下文中以Vs表示的额外的极化电压被施加于调制电极131、132、133之间，从而被施加的总电压等于Vm(t)+Vs(参见图1、3和4)时，在基板110位于波导附近、靠近并处于调制电极131、132、133下方的极化区域117中产生永久电场。
该极化区域117在实践中相应于基板110和波导的一区域，其中基板110和波导120的折射率ns、ng被调制。
优选地，该额外的极化电压Vs随着时间是恒定的，从而在极化区域117中产生的永久电场也是恒定的。
为了使非引导光波4偏离波导120，该额外的极化电压Vs被调整，从而基板中的永久电场通过Pockels效应使波导120附近的在极化区域117中的电光基板110的光学折射率ns减少。
非引导光波4随后沿着图3中以虚线示出的迹线121P前进，该轨迹从具有比基板110的其余部分低的折射率的极化区域117偏离。
那样，非引导光波4不再与引导光波3在波导出射端122处重叠，结果是它们两者之间不再干涉并不再在调制器100的出口处的出射光波2中引起剩余振幅调制。
事实上，在40毫米长、间隔10微米的调制电极131、132，两者之间施加5至10伏特的极化电压的情况下，剩余振幅调制被减少超过10分贝。
有利的是，由电极化装置产生的永久电场会使在电光基板110中减少的光学折射率的差被包含在从10-5至10-6范围内。
由于该电极化装置，调制器100可执行一调制方法，该方法包括这些电极化装置的极化的步骤。
在该极化步骤期间，此处，通过施加额外的极化电压Vs产生永久电场，以便减少在波导120附近的电光基板110的光学折射率ns。
该极化的步骤可以很有利地在存在于向调制电极131、132、133施加调制电压Vm(t)的调制步骤的同时进行。
事实上，总的电压Vm(t)+Vs被施加到所述调制电极131、132、133，以便在对波导120中被引导的光波3进行调制的同时使非引导光波4向着基板110的下表面114偏离。
优选地，额外的极化电压Vs的振幅被调整，以使被施加到调制电极131、132的总电压Vm(t)+Vs的符号，正或负，是恒定的。
例如，当调制电压Vm(t)是周期性的方脉冲调制，取交替的正和负值，例如+1V和-1V时，额外的极化电压Vs可以选择恒定值并等于-5V，从而施加的总电压Vm(t)+Vs始终是负的。
额外的极化电压Vs是恒定的，其与在波导120中被引导的光波3的额外的光学相位超前或延迟相关，因此作为时间的函数的提前或延迟是恒定的。从而，在调制电极131、132上施加该额外的极化电压Vs不会妨碍引导光波3的光学相位的调制。
在图5所示的电光相位调制器100的第二实施例中，用于电光相位调制器100的电极化的装置包括两个额外的电极141、142，与调制电极131、132、133不同且与调制电极131、132、133分隔开。
这些极化电极141、142与波导120平行布置，在此处位于波导入射端121和调制电极131、132之间。
由于额外的电控制装置，两个额外的电极141、142旨在通过施加在它们之间的极化电压Vs被极化，以产生永久电场，该电场能减少在波导120附近的基板110的光学折射率ng，此处是在基板的位于这些额外的极化电极141、142下方的区域内。
通过将这些额外的电极141、142放置在波导入射端121附近，能保证非引导光波4从它刚开始在基板110中传播就被偏离。
测试显示，在额外的电极141、142彼此间隔10微米且以等于5伏特的极化电压Vs极化的情况下，可能使剩余振幅调制减少至少10dB。
然而，作为变型，该额外的电极可被置于波导出射端和调制电极之间。
作为另一个变型，电极化装置可以包括与图4所示的调制电极131、132、133类似的方式设置的三个额外的电极，这三个额外的电极与调制电极分隔开。
为了限制施加到额外的电极141、142上的极化电压Vs，在如图6所示的本发明的第三实施例中，可以提供，电极化装置还包括两个另外的额外的电极151、152，两个另外的额外的电极151、152与调制电极131、132不同，且与波导120平行地布置于波导出射端122和调制电极131、132之间。
这两个另外的额外的电极151、152易于被另一个极化电压Vs’极化，以在电光基板110中，此处是在所述的两个另外的额外的电极151、152的下方，产生另一个永久电场，以减少在波导120附近的所述基板101中的光学折射率ns。
那样，在基板110中传播的非引导光波4被双重偏离，并从波导出射端122移除，从而剩余振幅调制被再次减少。
在具有两个另外的额外的电极151、152，与两个在先描述的额外的电极141、142相同，并通过施加每一个都等于2.5V的极化电压Vs和Vs’的情况下，剩余振幅调制被进一步减少。
在分别在图7和8中所示的第二和第三实施例的变型中，波导120分别包括一个弯曲部分124和两个弯曲部分124、125。
在这种情况下，在平行于上表面113的平面中，在位于基板110的入射面111处的波导入射端121和位于基板110的出射面112处的波导出射端122之间延伸的波导120因此不是直线。
在图7中所示的电光相位调制器100的第二实施例的变型中，波导在波导入射端121和出射端122之间具有第一弯曲波导部分124，结果是在波导120中被引导的光波3在波导入射端121和出射端122之间沿着后者的光路传输。
在这种情况下，调制器100的两个额外的电极141、142因而具有一也是弯曲的形状，以便在第一弯曲波导部分124处与波导120平行布置。
有利的是，第一弯曲波导部分124的外形和尺寸被选择以便相对于非引导光波4的传播方向侧向偏移(offset)内电极间隙118。
更精确地，第一弯曲波导部分124使得与波导120在入射面111上相切的方向121T的延伸从内电极间隙118偏离。
换句话说，为了避免在折射率调制区域117中捕获到非引导光波4，建议与在波导120的入口处的入射光波1相关且尤其包含切向方向121T的折射平面不截断(intercept)内电极间隙118。
与波导120在入射面121上相切的方向121T通常对应于入射光波1在波导120中的主折射方向，或者更精确地，此处是对应于该主方向在上表面113或下表面114上的投影。
换句话说，该相切的方向121T对应于在波导120中引导光波3在波导出射端121处传播的主方向。然而，在进入波导120中后，该引导光波3沿着波导120的光路前进，从而其到达在波导出射端122处的出射面112。
同样地，非引导光波4在基板110中从波导入射端121向上到基板110的出射面112自由传播，具有与在折射平面中的相切方向121T共面的传播的主方向121P(参见图3)。
因此，从图7，可以理解，由于第一弯曲波导部分124，非引导光波4不再穿过在基板110中从内电极间隙118延伸的折射率调制区域117，从而该非引导光波4不再在基板110中在调制电极131、132下方被引导。
非引导光波4然后在基板110中沿着如图3所示的迹线传播，甚至在将调制电压Vm(t)施加到调制电极131、132之间的过程中。
在其在基板110中传播的过程中，非引导光波4偏离并显示了振幅4A，其通过衍射，在传播进行时扩散，从而该非引导光波4与引导光波3在波导出射端122处仅部分重叠，结果是它们不会在彼此之间同样多地干涉并不会在调制器100的出口处的出射光波2中引起剩余振幅调制。
第一弯曲波导部分124随后在非引导光波4和内电极间隙118之间引入间隔，该间隔比非引导光波的空间延伸4A大，尤其是在内电极间隙118的出口处。
第一弯曲波导部分124在此处具有S-形(参见图5)，该S-形具有两个相对的弯曲部分，每个都具有曲率半径RC(参见图5)，其值比预定的最小值RC，min高，从而由该第一弯曲波导部分124引起的光损耗低于0.5dB。
曲率半径的最小值RC，min优选高于或等于20mm。
为了限制由弯曲部分引起的损耗，在第三实施例的变型中(参见图8)可以提供在波导入射端121和波导出射端122之间，此处是在直线波导部分123之后，具有至少一个第二弯曲波导部分125的光波导120。
那样，对于在非引导光波4和折射率调制区域117之间的空间偏移(offset)的固定值，使用具有较低曲率且在调制器100中引起低损耗的弯曲波导部分124、125是可能的。
当然，当电极化装置包括所述调制器的调制电极时(第一实施例的情况)，在电光相位调制器中使用一个或多个弯曲波导部分是可能的。与使用不具弯曲部分的波导时相比，这具有允许使用较低的额外的极化电压的优点。

Claims (9)

1.一种电光相位调制器(100)，旨在调制入射到所述调制器(100)上的光波(1)的光学相位，包括：
-电光基板(110)，其包含入射面(111)和出射面(112)，
-光波导(120)，其从位于所述基板(110)的所述入射面(111)上的波导入射端(121)到位于所述基板(110)的所述出射面(112)上的波导出射端(122)是连续直线，所述光波导(120)具有比所述基板(110)的光学折射率(ns)高的光学折射率(ng)，且被适配于将部分地耦合到所述光波导(120)中的所述入射光波(1)引导成沿着在所述波导入射端(121)和出射端(122)之间的所述光波导(120)的光路传播的引导光波(3)，以及
-至少两个调制电极(131、132)，其平行于所述波导(120)布置，以便，当调制电压(Vm(t))被施加于所述调制电极(131、132)之间时，在在所述光波导(120)中传播的所述引导光波(3)上引入调制相移，所述调制相移是所述调制电压(Vm(t))的函数，
其特征在于，所述调制器包括用于所述电光基板(110)的电极化的装置(131、132；141、142、151、152)，其适配于在所述电光基板(110)中产生能减少在所述波导(120)附近的所述电光基板(110)的光学折射率(ns)的永久电场。
2.根据权利要求1所述的电光相位调制器(100)，其中所述电极化装置包括所述至少两个调制电极(131、132)，当除了所述调制电压(Vm(t))之外的额外的极化电压(Vs)被施加于所述调制电极(131、132)之间时，所述至少两个调制电极(131、132)易于产生所述永久电场。
3.根据权利要求1所述的电光相位调制器(100)，其中所述电极化装置包括与所述调制电极(131、132)不同且平行于所述波导(120)被布置于所述波导入射端(121)或所述波导出射端(122)和所述调制电极(131、132)之间的至少两个额外的电极(141、142)，所述至少两个额外的电极(141、142)易于被极化电压(Vs)极化以产生所述永久电场。
4.根据权利要求3所述的电光相位调制器(100)，其中所述至少两个额外的电极(141、142)被布置于所述波导入射端(121)和所述调制电极(131、132)之间，所述电极化装置还包括与所述调制电极(131、132)不同且平行于所述波导(120)被布置于所述波导出射端(122)和所述调制电极(131、132)之间的至少两个另外的额外的电极(151、152)，所述至少两个另外的额外的电极(151、152)易于被另一个极化电压(Vs’)极化以在所述电光基板(110)中产生另一个永久电场，其适配于减小在所述波导(120)附近的所述电光基板(110)的光学折射率(ns)。
5.根据权利要求1所述的电光相位调制器(100)，还包括用于将所述入射光波(1)耦合到所述波导入射端(121)的装置(10)和/或用于将所述引导光波(3)耦合到所述波导出射端(122)的装置(20)，所述耦合装置优选包含光纤段。
6.根据权利要求1所述的电光相位调制器(100)，其中所述电光基板(110)是平面的几何形状，具有两个侧面(115、116)、下表面(114)和上表面(113)，所述下表面(114)和上表面(113)在所述基板(110)的所述入射面(111)和所述出射面(112)之间延伸，且所述光波导(120)在平行且靠近于所述上表面(113)的平面中延伸。
7.根据权利要求1所述的电光相位调制器(100)，其中所述电光基板(110)是由铌酸锂、钽酸锂、聚合物材料、半导体材料，例如硅、磷化铟、或砷化镓，制得的基板。
8.根据权利要求1所述的电光相位调制器(100)，其中：
-所述波导(120)和所述电光基板(110)之间的光学折射率的差被包含于从10-2至10-3的范围内，以及
-由于所述电极化装置在所述电光基板(110)中引起的光学折射率的差被包含在从10-5至10-6的范围内。
9.用于根据前述权利要求之一的电光相位调制器(100)的调制方法，所述调制方法包含将所述电极化装置(131、132；141、142)极化的步骤，所述电极化装置(131、132；141、142)适配于产生能减少在所述波导(120)附近的所述电光基板(110)的光学折射率(ns)的永久电场。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108020937A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 罗伯特·博世有限公司 光学移相器、光学相控装置、调节方法、LiDAR系统
CN108459210A (zh) * 2018-03-07 2018-08-28 西北核技术研究所 一种无电极结构的无源脉冲电场探测器
CN109313364A (zh) * 2016-06-06 2019-02-05 浜松光子学株式会社 光调制器、光观察装置以及光照射装置
CN110058429A (zh) * 2018-01-18 2019-07-26 原子能和替代能源委员会 光学器件
CN110068942A (zh) * 2018-01-22 2019-07-30 霍尼韦尔国际公司 用于低能量数据调制的装置和方法
CN112649975A (zh) * 2020-12-30 2021-04-13 山西大学 一种减小剩余振幅调制的共振型电光调制器
CN112910561A (zh) * 2021-01-11 2021-06-04 浙江大学 基于光学相控阵的无线激光通信系统快速捕获方法
US11156816B2 (en) 2016-06-06 2021-10-26 Hamamatsu Photonics K.K. Reflective spatial light modulator having non-conducting adhesive material, optical observation device and optical irradiation device
US11169310B2 (en) 2016-06-06 2021-11-09 Hamamatsu Photonics K.K. Optical element and optical device
CN117908280A (zh) * 2024-03-20 2024-04-19 中国科学院精密测量科学与技术创新研究院 一种低剩余幅度调制的弯曲波导电光相位调制器

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6075576B2 (ja) * 2015-03-25 2017-02-08 住友大阪セメント株式会社 導波路型光素子
US9912413B1 (en) 2016-08-26 2018-03-06 International Business Machines Corporation Electro-optic phase modulator with no residual amplitude modulation
EP3401634A1 (de) * 2017-05-12 2018-11-14 Taylor Hobson Limited Abstandsmessanordnung zur bestimmung eines abstandes zu einem objekt
US10795079B2 (en) 2018-01-25 2020-10-06 Poet Technologies, Inc. Methods for optical dielectric waveguide subassembly structure
US10816727B1 (en) * 2019-06-14 2020-10-27 Globalfoundries Inc. Multimode waveguide bends with features to reduce bending loss

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4145109A (en) * 1977-05-12 1979-03-20 Sperry Rand Corporation Electro-optic multiplexing with high interchannel isolation
US4359261A (en) * 1980-08-08 1982-11-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Fiber optic switching device
JPH0627914B2 (ja) * 1985-03-15 1994-04-13 日本放送協会 光学素子
US4776656A (en) * 1987-04-27 1988-10-11 Polaroid Corporation TE-TM mode converter
JPH01134402A (ja) * 1987-11-20 1989-05-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路の製造方法
JPH02101425A (ja) * 1988-10-11 1990-04-13 Nec Corp 光変調器
US4984861A (en) * 1989-03-27 1991-01-15 United Technologies Corporation Low-loss proton exchanged waveguides for active integrated optic devices and method of making same
JPH05173101A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Sony Corp 光制御装置
JPH0961771A (ja) * 1995-08-24 1997-03-07 Toshiba Corp 偏波スクランブル装置
JP4164179B2 (ja) * 1998-12-18 2008-10-08 富士通株式会社 光変調器及びそのバイアス制御回路並びに該光変調器を備えた光送信機
JP3827629B2 (ja) * 2002-08-30 2006-09-27 住友大阪セメント株式会社 光変調器
JP4234117B2 (ja) * 2005-07-07 2009-03-04 アンリツ株式会社 光変調器
JP5983256B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-31 住友大阪セメント株式会社 光変調器

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11106062B2 (en) 2016-06-06 2021-08-31 Hamamatsu Photonics K.K. Light modulator, optical observation device and optical irradiation device
CN109313364A (zh) * 2016-06-06 2019-02-05 浜松光子学株式会社 光调制器、光观察装置以及光照射装置
CN109313364B (zh) * 2016-06-06 2021-12-10 浜松光子学株式会社 光调制器、光观察装置以及光照射装置
US11169310B2 (en) 2016-06-06 2021-11-09 Hamamatsu Photonics K.K. Optical element and optical device
US11156816B2 (en) 2016-06-06 2021-10-26 Hamamatsu Photonics K.K. Reflective spatial light modulator having non-conducting adhesive material, optical observation device and optical irradiation device
CN108020937B (zh) * 2016-10-31 2023-09-19 罗伯特·博世有限公司 光学移相器、光学相控装置、调节方法、LiDAR系统
CN108020937A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 罗伯特·博世有限公司 光学移相器、光学相控装置、调节方法、LiDAR系统
CN110058429A (zh) * 2018-01-18 2019-07-26 原子能和替代能源委员会 光学器件
CN110058429B (zh) * 2018-01-18 2024-03-19 原子能和替代能源委员会 光学器件
CN110068942A (zh) * 2018-01-22 2019-07-30 霍尼韦尔国际公司 用于低能量数据调制的装置和方法
CN108459210A (zh) * 2018-03-07 2018-08-28 西北核技术研究所 一种无电极结构的无源脉冲电场探测器
CN112649975A (zh) * 2020-12-30 2021-04-13 山西大学 一种减小剩余振幅调制的共振型电光调制器
CN112910561A (zh) * 2021-01-11 2021-06-04 浙江大学 基于光学相控阵的无线激光通信系统快速捕获方法
CN117908280A (zh) * 2024-03-20 2024-04-19 中国科学院精密测量科学与技术创新研究院 一种低剩余幅度调制的弯曲波导电光相位调制器

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