CN105493398A - 绝缘单极性晶体管栅极驱动器 - Google Patents

绝缘单极性晶体管栅极驱动器 Download PDF

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Abstract

根据一方面，晶体管栅极驱动器包含被配置为耦合到DC电压源的第一输入端；被配置为接收控制信号的第二输入端；被配置为耦合到接地连接部的第三输入端；变压器；第一开关，其被配置为将第一输入端耦合到变压器的初级绕组的第一端以响应接收到控制信号，以及从初级绕组的第一端去耦合第一输入端以响应于接收到控制信号；第二开关，其被配置为将初级绕组的第二端耦合到第三输入端以响应接收到控制信号，以及从第三输入端去耦合初级绕组的第二端以响应接收到控制信号。

Description

绝缘单极性晶体管栅极驱动器
发明背景
1.发明领域
本文所述的至少一些实施例大体上涉及高速绝缘晶体管栅极驱动器，且更具体地涉及在这些应用中的两个绝缘电路之间的电子脉冲的耦合。
2.相关技术的讨论
在不同的应用中，在离线电路中或者类似的高电压电路中使高侧开关绝缘可以是有利的。例如，普通的绝缘晶体管栅极驱动电路包括在栅极驱动电路的输入端和栅极驱动电路的输出端之间提供电绝缘的变压器。变压器的初级绕组被耦合到电路的输入侧以及变压器的次级绕组被耦合到电路的输出侧以提供在输入端和输出端之间的绝缘。一个或多个额外的初级绕组和次级绕组可被包括在变压器中并且可以驱动许多额外的输出侧的开关电路。
发明概述
本发明的至少一个方面针对晶体管栅极驱动器。晶体管栅极驱动器包含：被配置为耦合到DC电压源的第一输入端；被配置为接收控制信号的第二输入端；被配置为耦合到接地连接部的第三输入端；具有初级绕组和至少一个次级绕组的变压器，该初级绕组具有第一端和第二端；第一开关，其具有控制输入端并被配置为将第一输入端耦合到初级绕组的第一端以响应接收到具有第一电平的控制信号，以及从初级绕组的第一端去耦合第一输入端以响应接收到具有第二电平的控制信号；第二开关，其具有控制输入端并被配置为将初级绕组的第二侧耦合到第三输入端以响应接收到具有第一电平的控制信号，以及从第三输入端去耦合初级绕组的第二侧以响应接收到具有第二电平的控制信号；第一二极管，其被耦合在第一开关和初级绕组的第一端之间并且还被耦合到第三输入端；以及第二二极管，其被耦合到第一输入端并且还被耦合在第二开关和初级绕组的第二端之间。
根据一个实施例，第一二极管和第二二极管被配置为提供用于初级绕组的重置的通路。在另外的实施例中，第一开关包括被耦合到第二输入端的控制引脚、被耦合到第一输入端的集电极以及被耦合在第一二极管和变压器的初级绕组之间的发射极。在还有的另外的实施例中，第二开关是具有被耦合在初级绕组和第二二极管之间的漏极和被耦合到第三输入端的源极的MOSFET。
根据另外的实施例中，初级绕组和次级绕组具有相同的极性。在该实施例中，晶体管栅极驱动器还包含至少一个次级电路，该至少一个次级电路被耦合到变压器的至少一个次级绕组并且具有被配置为基于控制信号的电平来驱动晶体管的控制引脚的输出端。另外，至少一个次级电路可包含关断开关和接通二极管，其中关断开关和接通二极管被并联地与变压器的至少一个次级绕组耦合，并且其中在接通二极管和关断开关之间的连接点被耦合到至少一个次级电路的输出端。此外，至少一个次级电路可包含被耦合在至少一个次级电路的输出端和输出接地连接部之间的下拉式电阻。
在另外的实施例中，PWM控制器可被耦合到第一开关和第二开关，以及PWM控制器可被配置为产生控制信号。在该实施例中，PWM控制器可被配置为产生具有50％的占空比或者更少占空比的控制信号。另外，占空比可以是基于被提供给PWM控制器的输入信号的可变占空比。
本发明的另一个方面是针对运行晶体管栅极驱动电路的方法。该方法包含：在晶体管栅极驱动电路的第一输入端处接收DC输入电压；在接通模式下，在晶体管栅极驱动电路的第二输入端处接收控制信号，该控制信号具有第一电平；响应接收到具有第一电平的控制信号，将第一输入端耦合到变压器的初级绕组的第一端；响应接收到具有第一电平的控制信号，将变压器的初级绕组的第二端耦合到接地连接部；在关断模式下，在晶体管栅极驱动电路的第二输入端处接收控制信号，该控制信号具有第二电平；以及响应接收到具有第二电平的控制信号，使变压器放电。
根据一个实施例，方法还包含：在接通模式下，在变压器的至少一个次级绕组中感生电流；以及利用电流驱动至少一个输出电路的至少一个主开关至接通。
根据另外的实施例，方法还包含：响应接收到具有第二电平的控制信号，从变压器的初级绕组的第一端去耦合第一输入端；响应接收具有第二电平的控制信号，从接地连接部去耦合变压器的初级绕组的第二端；以及通过第一二极管和第二二极管重置变压器的初级绕组。
根据一个实施例，重置包括限制在第一开关和第二开关两端的电压。
根据另外的实施例，方法还包含：响应重置初级绕组，驱动关断开关以接通；以及响应关断开关的接通，将至少一个输出电路的至少一个主开关的控制引脚耦合到第二接地连接部；以及驱动至少一个主开关以关断。
根据一个实施例，接收还包括接收来自脉冲宽度调制(PWM)控制器的控制信号，该控制信号具有占空比。在该实施例中，方法还包含将控制信号的占空比从第一占空比改变到第二占空比。
本发明的还有的另外的方面是针对晶体管栅极驱动电路。栅极驱动电路包含：被配置为耦合到DC电压源的第一输入端；被配置为接收控制信号的第二输入端；被配置为耦合到接地连接部的第三输入端；变压器，该变压器具有初级绕组和至少一个次级绕组；以及装置，该装置用于在运行的接通模式下通过将变压器的初级绕组耦合到第一输入端和接地连接部，产生包括变压器的初级绕组的第一电流通路，由此感生次级绕组上的电流，以及在运行的关断模式下通过第二电流通路重置变压器的初级绕组，其中第一电流通路和第二电流通路都不包括电容器。
在一个实施例中，晶体管栅极还包含在关断模式期间用于限制在第一开关和第二开关之间的电压的装置。
附图简述
附图并非旨在按比例进行绘制。在附图中，不同的附图中所示出的每个相同的或几乎相同的组件是用相似的数字来表示的。为了清楚起见，并非在每个附图中都标记了每一个组件。在附图中：
图1是根据一种方法的晶体管栅极驱动器的示意图；以及
图2是根据一个实施例的单极性绝缘晶体管栅极驱动电路的示意图；
详细描述
现在将参考附图详细讨论各种的实施例及其方面。应认识到，本发明并不将其应用限于在下面的描述中提出的或在附图中示出的结构细节和组件布置。本发明能够有其它实施例并能够以各种方式被实施或被执行。另外，本文所使用的措辞和术语是出于描述的目的，而不应被认为是限制性的。在本文中对“包含(including)”、“包括(comprising)”或“具有(having)”、“含有(containing)”、“涉及(involving)”及其变形的使用旨在包括在其后所列出的项目及其等效形式以及额外的项目。
如上所讨论的，典型的绝缘晶体管栅极驱动电路包括被耦合在输入侧和输出侧之间的变压器以提供绝缘。图1示出了绝缘晶体管栅极驱动器100的一种现有的方法。该方法可以与脉冲宽度调制(PWM)电流控制器一起用于驱动高侧开关。绝缘晶体管栅极驱动器100将通过变压器110将来自输入侧134的AC信号耦合到输出侧136上。晶体管栅极驱动器100运行在理论上最大为50％的占空比上。这保证了在任何给定的时间段在变压器110两端正向电压的积分加上负向电压的积分将为零。如下文将被讨论的，DC组件的引入可引起变压器110的饱和。另外，非对称的脉冲或者在占空比上的突然变化可以产生在主开关124的栅极122处的电压电平的变动。因此，在典型的现有技术的电路中任何电压变动或者DC组件被阻止或者被过滤。
绝缘晶体管栅极驱动器100包括输入侧134、输入端108、第一开关102、第二开关104、DC电源(VDR)116、接地连接部114、隔DC电容器112、初级绕组118、变压器110、输出侧136、次级绕组120、主开关124、栅极122、下拉式电阻126、关断二极管128以及PWM电流控制器150。
PWM控制器150的输出端被耦合到输入端108。输入端108被耦合到第一开关102的基极和第二开关104的基极。第一开关102的集电极被耦合到VDR116。如在图1中所示出的，第一开关102和第二开关104被布置在普通的双极性同相图腾柱配置中。在第一开关102和第二开关104之间的交叉点被耦合到变压器110的初级绕组118上。第二开关104的发射极被耦合到接地连接部114并且还被耦合到隔DC电容器112的一端。隔DC电容器112的另一端被耦合到变压器110的初级绕组118上。变压器110的次级绕组120被耦合到关断二极管128的阴极132。二极管128的阳极130被耦合到下拉式电阻126和主开关124的栅极122。尽管在图1中示出了一个特殊的输入侧134开关电路，但是绝缘晶体管栅极驱动器的各种其它的现有方法为本领域所熟知。同样地，尽管在图1中示出了一个特殊的输出侧136开关电路，但是许多额外的输出侧开关电路可以被利用并且为本领域所熟知。
在接通阶段期间(例如，来自PWM电流控制器150的方波的上升沿)，电压被施加到输入端108上以驱动第一开关102和第二开关104的基极高压。第一开关102是NPN型晶体管，当被高压驱动时该NPN型晶体管接通并且开始导通从发射极到集电极。第二开关104是PNP晶体管，当被高压驱动时该PNP晶体管被关断。从VDR116通过第一开关102和变压器110的初级绕组118的电流感生在变压器110的次级绕组120中的正向电流。同时，通过变压器110的初级绕组118的电流给隔DC电容器112充电。在变压器110的次级绕组120中感生的电流导致主开关124接通。
在关断阶段期间(例如，来自PWM电流控制器150的方波的下降沿)，第一开关102的基极和第一开关104的基极被驱动低压。从而，第一开关102被关断而第二开关104被接通。隔DC电容器112然后给变压器110的初级绕组118提供重置电压。变压器112然后放电在次级绕组120上感生负向电流。从而，关断二极管128变成正向偏置并且开始导通，为负向电流提供通路以便驱动主开关124的栅极122到负电势(低压)，导致主开关124关断。
前述方法利用耦合到变压器110的初级绕组118的隔DC电容器112通过耦合的变压器110完成了输入侧134和输出侧136的电隔离。在电路100中没有隔DC电容器112的话，将在变压器110两端存在依赖DC电压的占空比，导致变压器110随时变化而饱和。然而，隔DC电容器112的包含物限制了变压器110的初级绕组118重置的整体速度。而且，隔DC电容器112的包含物还需要占空比相对地保持恒定。占空比的突然变化将导致在对栅极122供应的电压上的成比例的变化。另外，占空比的突然变化可以激发由变压器110的磁化电感和隔DC电容器112形成的谐振回路(或者LC谐振回路)并且不利地影响输出波形的形状。
本文描述的至少一些实施例提供了具有保护箝位和消除对隔DC电容器的需要的重置电路的单极性绝缘晶体管栅极驱动电路。根据一些实施例，具有保护箝位和重置电路的晶体管栅极驱动电路可以操作关于具有50％的恒定占空比的脉冲。根据其它的实施例，具有保护箝位和重置电路的晶体管栅极驱动电路可以操作关于具有可变占空比的脉冲。在这些实施例中，在晶体管栅极驱动电路运行期间占空比可以在任意点并以任何比率发生变化而对输出波形没有不利的影响。
图2是根据本文描述的方面的具有保护箝位和重置电路的单极性绝缘晶体管栅极驱动电路200的框图。根据一个实施例，晶体管栅极驱动电路200是具有耦合到变压器220的输入侧202以感生电流来驱动输出侧204的耦合变压器的栅极驱动器。栅极驱动电路200可包括PWM电流控制器206、输入端208、第一开关210、第二开关212、第一二极管214、第二二极管216、DC电压(VDRV)218、变压器220、初级绕组222以及接地连接部224。应当被理解的是，PWM电流控制器206可以具有类似于图1中的102和104的图腾柱配置的图腾柱输出(或者缓存)。
输入208被配置为耦合到PWM电流控制器206和第一开关的基极226和第二开关的栅极228。如在图2中所示出的，PWM电流控制器206是UC2845电流模式PWM控制器；然而，在其它的实施例中PWM电流控制器可以是不同的类型。根据一个实施例，第一开关210是NPN晶体管；然而，在其它的实施例中可以使用不同类型的开关。同样地，根据一个实施例第二开关212装置是MOSFET；然而，在其它的实施例中可以使用不同类型的开关。第一开关210的发射极230被耦合在第一二极管214的阴极232和变压器220的初级绕组222的第一端236之间。第一二极管214的阳极234被耦合到接地连接部224。第一开关210的集电极238被耦合在第二二极管216的阴极240和VDRV218之间。第二二极管216的阳极242被耦合到第二开关212的漏极244。第二开关212的漏极244被耦合在第二二极管216的阳极242和变压器220的初级绕组222的第二端246之间。第二开关212的源极248被耦合到接地连接部224。
仍参考图2，其中包括了经由次级绕组耦合到变压器252的用250指示的两个输出侧开关电路。应当被理解的是，如下文进一步的描述，输出侧开关电路250不限于在图2中示出的电路，以及输出侧开关电路250可以被配置在各种选择性的配置中，该各种选择性的配置使得在每个输出侧开关电路250中的栅极或者在每个输出侧开关电路250中的多个栅极经由感生的电流进行驱动。根据一个实施例，每个输出侧开关电路250包括接通二极管254、关断开关256、下拉式电阻258和主开关260。在特定的其它的实施例中，仅一个具有单个栅极272的输出侧开关电路250可以经由次级绕组而被耦合到变压器220。
根据一个实施例，次级绕组252的第一端262被耦合到接通二极管254的阳极264。次级绕组252的第一端262还被耦合到关断开关256的基极266。关断开关256的集电极268被耦合在接通二极管254的阴极270和主开关260的栅极272之间。下拉式电阻258的一侧被耦合在主开关260的栅极272和初级绕组252的第二端276之间。下拉式电阻258的另一侧被耦合到次级绕组252的第二侧276。关断开关256的集电极274被耦合到次级绕组252的第二侧276。次级绕组252的第二端276可以被耦合到接地连接部224。在一个实施例中，输出侧204的接地连接部224与接入侧202的接地连接部224绝缘。在其它的实施例中，接地连接部224可以是在输入侧202和输出侧204之间共用的。
如上述所讨论的，尽管图2示出了一个特殊类型的输出侧204电路(即，本领域技术人员会认作为PNP关断电路)，应当被理解的是，包含上述讨论的输出侧136(图1)的任意数目的电路可以被使用。输出侧204电路可以具有被输入侧202驱动的一个或多个栅极(或者控制引脚)。例如，不是旨在限制性的，输出侧开关电路250是NMOS关断电路。在其它的示例中，开关电路250可以包括其它的电子开关，比如双极性晶体管、MOSFET晶体管和绝缘栅双极性晶体管(IGBT)。更进一步的示例包括用于正逻辑和负逻辑(例如，PNP、NPN、Nmos、Pmos和IGBT)的电子开关。根据一个实施例，可以是经由次级绕组耦合到变压器220的一个输出侧开关电路250。在其它的实施例中，可以存在经由次级绕组耦合到变压器220的多个输出侧开关电路250。应当认识到，每个输出侧开关电路250可以是彼此相同的，或者每个输出侧开关电路250可以是不同的电路配置。
在晶体管栅极驱动器200的接通模式中，信号被施加到输入端208一段时间间隔(例如，来自PWM控制器206的方波的上升沿)。在一个实施例中，控制信号是由PWM电流控制器206提供的；然而，在其它的实施例中，控制信号是由本领域所熟知的任何的其它信号发生器。如上述所讨论的，由PWM电流控制器206提供的控制信号的占空比可以是恒定的或者可变的。在该实施例中，由PWM电流控制器206提供的脉冲宽度决定了晶体管栅极驱动器200在接通模式下运行的时间间隔。如在图2中所示出的，PWM电流控制器206给第一开关210的基极226和第二开关212的栅极228提供控制信号以可选择地将VDRV218的电压耦合到变压器220的初级绕组222的第一侧236。来自VDRV218的电流在次级绕组252中产生了在电平上足够驱动主开关260的栅极272至变化状态(例如，闭合)的正向电流。
当PWM电流控制器206施加控制信号(例如，来自PWM电流控制器206的方波的上升沿)时，第一开关210和第二开关212同时被接通(例如，高压驱动)。从而，来自VDRV218的电流从第一开关210的集电极238流向第一开关210的发射极230，给初级绕组222的第一端236提供电流。当电流从第一端236穿行到初级绕组222的第二端246时，在初级绕组222中的电流和磁通量增加，导致能量被存储在变压器220中。在一个实施例中，变压器220的匝数比是1:1；然而，在其它的实施例中，变压器220的匝数比可以被不同地配置。在示出的实施例中，初级绕组222和次级绕组252具有相同的极性。因此，当在初级绕组222中的电流和磁通量增加时，在次级绕组252的第一端262中生成了正向电流。从而，接通二极管254变成正向偏置，为正向电流提供到主开关260的栅极272的通路。同时，关断开关256被关断。电流然后被施加到主开关260的栅极272，导致主开关260至变化状态(例如，至闭合)。
在晶体管栅极驱动器200的关断模式下，在输入端208施加另外的控制信号(例如，来自PWM控制器206的方波的下降沿)，同时驱动第一开关210和第二开关212关断(例如，低电压)。当第一开关210和第二开关212关断时，在初级绕组222两端形成相反的极性(即，负向电流)的反电动势(EMF)。从而，第一二极管214和第二二极管216变成正向偏置并且开始导通，提供从接地连接部224到VDRV218的负向电流的通路，重置初级绕组222。负向电流感生在变压器220的次级绕组252两端的负向电压。从而，关断开关256的基极266被低压驱动，导致关断开关256至变化状态(例如，闭合)。从而，关断开关256将主开关260的栅极272耦合到接地连接部224，导致主开关260至变化状态(例如，断开)。在一个实施例中，第一二极管214和第二二极管216保护第一开关210和第二开关212免受过量电压的影响。
如上文所述，PWM电流控制器206是UC2845电流模式PWM控制器；然而，在其它的实施例中，输入侧202可以包括另外类型的控制器(例如，不同类型的电流模式控制器或者平均的电流模式控制器)。
本文描述的实施例提供了具有保护箝位和重置电路的单极性绝缘晶体管栅极驱动电路。晶体管栅极驱动电路通过一系列的二极管重置变压器的初级绕组，该一系列的二极管重置变压器并且保护输入侧开关免受过量电压的影响。因为变压器的重置排除了对隔DC电容器的需要，所以提高了变压器重置的速度。另外，因为初级绕组的重置完全发生在晶体管栅极驱动器的关断模式和接通模式之间，所以晶体管栅极驱动器经得起占空比的突然变化。
因此，已经描述了本发明的至少一个实施例的几个方面，应认识到，对于本领域中的技术人员而言将容易想到各种变更、修改和提高。这些变更、修改和提高被认为是本公开的一部分，且被认为本发明的精神和范围内。因此，前面的描述和附图是仅通过示例的方式进行的。

Claims (20)

1.一种晶体管栅极驱动器，包含：
第一输入端，其被配置为耦合到DC电压源；
第二输入端，其被配置为接收控制信号；
第三输入端，其被配置为耦合到接地连接部；
变压器，其具有初级绕组和至少一个次级绕组，所述初级绕组具有第一端和第二端；
第一开关，所述第一开关具有控制输入端并被配置为将所述第一输入端耦合到所述初级绕组的所述第一端以响应接收到具有第一电平的所述控制信号，以及从所述初级绕组的所述第一端去耦合所述第一输入端以响应接收到具有第二电平的所述控制信号；
第二开关，所述第二开关具有控制输入端并被配置为将所述初级绕组的所述第二端耦合到所述第三输入端以响应接收到具有所述第一电平的所述控制信号，以及从所述第三输入端去耦合所述初级绕组的所述第二端以响应接收到具有所述第二电平的所述控制信号；
第一二极管，其被耦合在所述第一开关和所述初级绕组的所述第一端之间并且还被耦合到所述第三输入端；以及
第二二极管，其被耦合到所述第一输入端并且还被耦合在所述第二开关和所述初级绕组的所述第二端之间。
2.根据权利要求1所述的晶体管栅极驱动器，其中所述第一二极管和所述第二二极管被配置为提供用于所述初级绕组的重置的通路。
3.根据权利要求1所述的晶体管栅极驱动器，其中所述第一开关包括被耦合到所述第二输入端的控制引脚、被耦合到所述第一输入端的集电极以及被耦合在所述第一二极管和所述变压器的所述初级绕组之间的发射极。
4.根据权利要求1所述的晶体管栅极驱动器，其中所述第二开关是具有漏极和源极的MOSFET，所述漏极被耦合在所述初级绕组和所述第二二极管之间，所述源极被耦合到所述第三输入端。
5.根据权利要求1所述的晶体管栅极驱动器，其中所述初级绕组和所述次级绕组有相同的极性。
6.根据权利要求5所述的晶体管栅极驱动器，还包含至少一个次级电路，所述至少一个次级电路被耦合到所述变压器的所述至少一个次级绕组以及具有被配置为基于所述控制信号的电平来驱动晶体管的控制引脚的输出端。
7.根据权利要求6所述的晶体管栅极驱动器，其中所述至少一个次级电路包含：
断开开关；以及
接通二极管，其中所述断开开关和所述接通二极管与所述变压器的所述至少一个次级绕组并联耦合，并且其中在所述接通二极管和所述断开开关之间的连接点被耦合到所述至少一个次级电路的输出端。
8.根据权利要求7所述的晶体管栅极驱动器，还包含耦合在所述至少一个次级电路的所述输出端和输出接地连接部之间的下拉式电阻。
9.根据权利要求1所述的晶体管栅极驱动器，还包含被耦合到所述第一开关和所述第二开关的PWM控制器，所述PWM控制器被配置为产生所述控制信号。
10.根据权利要求9所述的晶体管栅极驱动器，其中所述PWM控制器被配置为产生具有50％占空比或者更少占空比的控制信号。
11.根据权利要求10所述的晶体管栅极驱动器，其中所述占空比是基于被提供给所述PWM控制器的输入信号的可变占空比。
12.一种运行晶体管栅极驱动电路的方法，所述方法包含：
在所述晶体管栅极驱动电路的第一输入端处接收DC输入电压；
在接通模式下，在所述晶体管栅极驱动电路的第二输入端处接收具有第一电平的控制信号；
响应接收到具有所述第一电平的所述控制信号，将所述第一输入端耦合到变压器的初级绕组的第一端；
响应接收到具有所述第一电平的所述控制信号，将所述变压器的所述初级绕组的第二端耦合到接地连接部；
在关断模式下，在所述晶体管栅极驱动电路的所述第二输入端处接收具有第二电平的所述控制信号；以及
响应接收到具有所述第二电平的所述控制信号，使所述变压器放电。
13.根据权利要求12所述的方法，还包含：
在所述接通模式下，在所述变压器的至少一个次级绕组中感生电流；以及
利用所述电流驱动至少一个输出电路的至少一个主开关至接通。
14.根据权利要求12所述的方法，还包含：
响应接收到具有所述第二电平的所述控制信号，从所述变压器的所述初级绕组的所述第一端去耦合所述第一输入端；
响应接收到具有所述第二电平的所述控制信号，从所述接地连接部去耦合所述变压器的所述初级绕组的所述第二端；以及
通过第一二极管和第二二极管重置所述变压器的所述初级绕组。
15.根据权利要求14所述的方法，其中重置包括限制在所述第一开关和所述第二开关两端的电压。
16.根据权利要求14所述的方法，还包含：
响应于重置所述初级绕组，驱动关断开关至接通；以及
响应于所述关断开关接通，将至少一个输出电路的至少一个主开关的控制引脚耦合到第二接地连接部；以及
驱动所述至少一个主开关至关断。
17.根据权利要求12所述的方法，其中接收还包括从脉冲宽度调制(PWM)控制器接收所述控制信号，所述控制信号具有占空比。
18.根据权利要求17所述的方法，还包含：
将所述控制信号的所述占空比从第一占空比变化到第二占空比。
19.一种晶体管栅极驱动电路，包含：
第一输入端，其被配置为耦合到DC电压源；
第二输入端，其被配置为接收控制信号；
第三输入端，其被配置为耦合到接地连接部；
变压器，所述变压器具有初级绕组和至少一个次级绕组；以及
装置，所述装置用于在运行的接通模式下通过将所述变压器的所述初级绕组耦合到所述第一输入端和所述接地连接部，产生包括所述变压器的所述初级绕组的第一电流通路，来在所述次级绕组上感生电流，以及在运行的关断模式下通过第二电流通路重置所述变压器的所述初级绕组，其中所述第一电流通路和所述第二电流通路都不包括电容器。
20.根据权利要求19所述的晶体管栅极驱动器，还包含用于在所述关断模式期间限制在所述第一开关和所述第二开关两端的电压的装置。
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