CN105489475A - 一种湿制程设备以及tft基板干燥方法 - Google Patents

一种湿制程设备以及tft基板干燥方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种湿制程设备以及TFT基板干燥方法，其中，所述干燥方法包括：在完成所述TFT基板的清洗后，根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀，以使所述确定的风刀的刀口方向与所述硅岛沟道的方向符合预设要求；其中，所述风刀包括呈镜像设置的第一风刀以及第二风刀；所述第一风刀与所述TFT基板的移动方向形成的夹角为30°～60°，所述第二风刀与所述TFT基板的移动方向形成的夹角为120°～150°；控制确定的所述风刀对所述TFT基板进行干燥处理。通过上述方式，本发明能够防止因沟道内残留的水、颗粒物导致TFT基板的源极、漏极导通的情况，减少该情况导致的不良率。

Description

一种湿制程设备以及TFT基板干燥方法
技术领域
本发明涉及领域显示领域，特别是涉及一种湿制程设备以及TFT基板干燥方法。
背景技术
在薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)制程中，通常需要经过湿制程设备做进一步处理。湿制程设备通常分为上层和下层。湿制程设备包括传输机构、升降机构、药液区、水洗区以及干燥装置。干燥装置包括一风刀。
传输机构用于将TFT基板传输至升降机构、药液区以及水洗区。升降机构用于将TFT基板从上层传送至下层药液区进行处理。干燥装置用于对TFT基板进行清洁、干燥处理。
湿制程设备对TFT基板处理过程具体为：TFT基板通过湿制程设备的入口到达传输机构，传输机构将TFT基板传送至升降机构，升降机构将TFT基板送至下层药液区、水洗区进行处理。TFT基板经过水洗区清洁后，由于TFT基板上带有大量的水及颗粒，因此需要通过湿制程设备的风刀(A/K)对TFT基板做清洁、干燥处理。经过风刀处理后，TFT基板传送至湿制程设备出口。
在通常情况下，TFT基板上绝大部分的水在经过风刀处理后将会被去除，残留在TFT基板上的颗粒也随着水被吹走。
然而，由于薄膜晶体管的沟道通常为U形，当风刀的刀口对着U形底部吹扫时，在源极/漏极沟道的水以及颗粒难以去除。残留在源极/漏极沟道内的水、颗粒导致N+硅膜残留(N+Residue)，进而导致源极、漏极导通，使得薄膜晶体管的导电性能不佳。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种湿制程设备以及TFT基板干燥方法，能够有效减少N+硅膜残留，有效较少因N+硅膜残留导致的产品不良率，降低成本。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种湿制程设备，所述湿制程设备用于处理TFT基板，所述湿制程设备包括传输机构、升降机构、药液区、水洗区、干燥装置，其中，所述干燥装置至少包括镜像设置的第一风刀以及第二风刀；所述第一风刀与所述TFT基板的移动方向的夹角为30°～60°，所述第二风刀与所述TFT基板的移动方向的的夹角为120°～150°。
其中，述湿制程设备还包括旋转机构，所述旋转机构设置于所述传输机构和/或所述升降机构下方，所述旋转机构用于控制所述传输机构和/或所述升降机构旋转。
其中，所述旋转机构用于根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向进行旋转，以使所述第一风刀或所述第二风刀的刀口方向与所述TFT基板的硅岛沟道的方向符合预设要求。
其中，所述旋转机构包括连轴以及马达，所述连轴的一端连接所述传输机构、所述升降机，所述连轴的另一端连接所述马达，所述马达用于控制与所述连轴连接的所述传输机构、所述升降机按预设角度旋转；其中，所述预设角度根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向进行设置。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种TFT基板干燥方法，所述方法包括以下步骤：在完成所述TFT基板的清洗后，根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀，以使所述确定的风刀的刀口方向与所述硅岛沟道的方向符合预设要求；其中，所述风刀包括呈镜像设置的第一风刀以及第二风刀；所述第一风刀与所述TFT基板的移动方向形成的夹角为30°～60°，所述第二风刀与所述TFT基板的移动方向形成的夹角为120°～150°；
控制确定的所述风刀对所述TFT基板进行干燥处理。
其中，根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀的步骤包括：根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀；根据所述风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度；控制所述TFT基板按照所述旋转角度进行旋转，以使得旋转后的所述TFT基板的硅岛沟道的方向与所述风刀的刀口方向符合预设要求。
其中，根据所述风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度的步骤具体为：根据所述第一风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度。
其中，根据所述风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度的步骤具体为：根据所述第二风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度。
其中，根据所述风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度的步骤具体为：根据所述第一风刀、所述第二风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度。
其中，所述预设要求为述TFT基板的硅岛沟道的方向与所述风刀的刀口方向一致。
上述方案，通过在湿制程设备的干燥装置内设置呈镜像设置的第一风刀以及第二风刀，能够根据TFT基板的硅岛沟道方向确定启动第一风刀或第二风刀，从而能够较顺利清理TFT基板的硅岛沟道内残留的水、颗粒物等，进而防止因沟道内残留的水、颗粒物导致TFT基板的源极、漏极导通的情况，减少该情况导致的不良率。
附图说明
图1是本发明湿制程设备一实施例的简易结构示意图；
图2是图1中干燥装置一实施例的剖面结构示意图；
图3是本发明旋转机构一实施例的结构示意图；
图4是本发明TFT基板干燥方法一实施例的流程示意图；
图5是本发明TFT基板干燥方法另一实施例的流程示意图。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明。
请参阅图1以及图2，图1是现有技术中湿制程设备一实施例的简易结构示意图；图2是图1中干燥装置一实施例的剖面结构示意图。
湿制程设备通常分为上层和下层。相对于现有技术中的湿制程设备，本发明对湿制程设备的干燥装置150做了改进。
如图1所示，本发明的湿制程设备包括传输机构110、升降机构120、药液区130、水洗区140以及干燥装置150。其中，传输机构110、升降机构120可以视为带有传送滚轮的平台。
如图2所示，干燥装置150至少包括镜像设置的第一风刀151以及第二风刀152。第一风刀151与TFT基板200的移动方向所形成的夹角为30°～60°，第二风刀152与TFT基板200的移动方向所形成的夹角为120°～150°。
传输机构110用于将TFT基板200传输至升降机构120、药液区130以及水洗区140。升降机构120用于将TFT基板200从上层传送至下层药液区130进行处理。干燥装置150用于对TFT基板200进行清洁、干燥处理。
其中，干燥装置150能够根据TFT基板200的硅岛沟道的方向确定启动第一风刀151或第二风刀152，以使第一风刀151或第二风刀152的刀口方向与TFT基板200的硅岛沟道方向相同或大致相同，进而使得第一风刀151或第二风刀152能够顺着TFT基板200的硅岛沟道方向清理沟道内的水、颗粒物等。TFT基板200的硅岛沟道形状通常呈U型。
上述方案，通过在湿制程设备的干燥装置内设置呈镜像设置的第一风刀以及第二风刀，能够根据TFT基板200的硅岛沟道方向确定启动第一风刀151或第二风刀152，从而能够较顺利清理TFT基板200的硅岛沟道内残留的水、颗粒物等，进而防止因沟道内残留的水、颗粒物导致TFT基板的源极、漏极导通的情况，减少该情况导致的不良率。
请一并参阅图3，本发明旋转机构一实施例的结构示意图。在另一种实施例中，本发明的湿制程设备还包括旋转机构400，旋转机构400包括连轴410以及马达420。
由于传输机构110、升降机构120可以视为带有传送滚轮的平台300，旋转机构400设置于平台300(传输机构110、升降机构120)的下方。连轴410的一端连接平台300(传输机构110、升降机120)，连轴410的另一端连接马达420。旋转机构400用于控制平台300(传输机构110和/或升降机构120)旋转。
可以理解的是，在本实施例中，在传输机构110以及升降机构120下方均设置有旋转机构，以使得TFT基板进出湿制程设备的方向不变。在其他实施例中，在对TFT基板进出湿制程设备的方向不做要求时，也可以只在传输机构110或升降机构120下方均设置有旋转机构。
例如，第一旋转机构400设置于传输机构110下方，第一旋转机构400通过连轴410连接传输机构110以及马达420。马达420通过连轴410带动传输机构110旋转。
第二旋转机构400设置于升降机构120下方，第二旋转机构400通过连轴410连接升降机构120与马达420。马达420通过连轴410带动升降机构120旋转。
进一步地，旋转机构400用于根据TFT基板200的硅岛沟道的方向进行旋转，以使第一风刀151或第二风刀152的刀口方向与TFT基板200的硅岛沟道的方向符合预设要求。
进一步地，马达420用于控制与连轴410连接的平台300按预设角度旋转；其中，预设角度根据TFT基板的硅岛沟道的方向进行设置，以使第一风刀151或第二风刀152的刀口方向与TFT基板200的硅岛沟道的方向符合预设要求。
预设要求可以为第一风刀151或第二风刀152的刀口方向与TFT基板200的硅岛沟道的方向一致，或第一风刀151或第二风刀152的刀口方向与TFT基板200的硅岛沟道的方向所形成的角度在可接受的预设范围，但并不限于此，此处不作限制。
可能理解的是，在本实施例中，干燥装置150包含第一风刀151以及第二风刀152，在其他实施例中，干燥装置150也可以只包括一风刀，此处不作限制。
上述方案，在湿制程设备中设置旋转机构，能够根据风刀的刀口方向、TFT基板的硅岛沟道的方向控制旋转机构旋转的角度，以控制传输机构和/或升降机构按该角度进行旋转，从而使得承载于传输机构和/或升降机构的TFT基板按该角度旋转，以使风刀的刀口方向与TFT基板的硅岛沟道的方向符合预设要求。上述方式，能够较彻底清理TFT基板的硅岛沟道内残留的水、颗粒物等，进而防止因沟道内残留的水、颗粒物导致TFT基板的源极、漏极导通的情况，减少该情况导致的不良率。
请参阅图4，图4是本发明TFT基板干燥方法一实施例的流程示意图。本实施的执行主体为湿制程设备。湿制程设备包括呈镜像设置的第一风刀和第二风刀。本实施例的TFT基板干燥方法包括：
S101：在完成所述TFT基板的清洗后，根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀。
湿制程设备在对TFT基板完成清洗后，获取TFT基板的硅岛沟道的方向信息，并根据TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀，以使确定的风刀的刀口方向与TFT基板的硅岛沟道的方向符合预设要求。
其中，风刀包括镜像设置的第一风刀以及第二风刀；第一风刀与TFT基板的移动方向形成的夹角为30°～60°，第二风刀与TFT基板的移动方向形成的夹角为120°～150°。
其中，预设要求可以为第一风刀或第二风刀的刀口方向与TFT基板的硅岛沟道的方向一致，或第一风刀或第二风刀的刀口方向与TFT基板的硅岛沟道的方向所形成的角度在可接受的预设范围，但并不限于此，此处不作限制。
S102：控制确定的所述风刀对所述TFT基板进行干燥处理。
湿制程设备控制确定的风刀工作，清理TFT基板的硅岛沟道内残留的水、颗粒物等，以对TFT基板进行干燥处理。
上述方案，湿制程设备根据TFT基板的硅岛沟道方向确定启动第一风刀或第二风刀，从而能够较顺利清理TFT基板的硅岛沟道内残留的水、颗粒物等，进而防止因沟道内残留的水、颗粒物导致TFT基板的源极、漏极导通的情况，减少该情况导致的不良率。
请参阅图5，图5是本发明TFT基板干燥方法另一实施例的流程示意图。本实施的执行主体为湿制程设备。湿制程设备包括旋转机构、第一风刀以及第二风刀。本实施例的TFT基板干燥方法包括：
S201：在完成所述TFT基板的清洗后，根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀。
湿制程设备在对TFT基板完成清洗后，获取TFT基板的硅岛沟道的方向信息，并根据TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀，以使确定的风刀的刀口方向与TFT基板的硅岛沟道的方向符合预设要求。
其中，风刀包括镜像设置的第一风刀以及第二风刀；第一风刀与TFT基板的移动方向形成的夹角为30°～60°，第二风刀与TFT基板的移动方向形成的夹角为120°～150°。
其中，预设要求可以为第一风刀或第二风刀的刀口方向与TFT基板的硅岛沟道的方向一致，或第一风刀或第二风刀的刀口方向与TFT基板的硅岛沟道的方向所形成的角度在可接受的预设范围，但并不限于此，此处不作限制。
可以理解的是，一次干燥过程中可以只使用第一风刀或第二风刀，也可以根据TFT基板的硅岛沟道的方向交替使用第一风刀以及第二风刀。
可以理解的是，在其他实施例中，湿制程设备只包括一把风刀(例如，只包括第一风刀，第一风刀与TFT基板的移动方向形成的夹角为30°～60°)时，在对TFT基板完成清洗后，跳过步骤S201，直接执行步骤S202。
S202：根据所述风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度。
湿制程设备获取需要启动的风刀的刀口方向信息，TFT基板的硅岛沟道的方向信息，根据需要启动的风刀的刀口方向以及FT基板的硅岛沟道的方向确定旋转机构的旋转角度。
进一步地，当湿制程设备包括第一风刀以及第二风刀，当在干燥过程中只使用第一风刀或第二风刀时，步骤S202可以为：根据所述第一风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度；或根据所述第二风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度。
当在干燥过程中需要交替使用第一风刀以及第二风刀时，步骤S202还可以为：根据所述第一风刀、所述第二风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度。
其中，可以根据第一风刀的刀口方向以及TFT基板的硅岛沟道的方向确定第一旋转角度，以便第一风刀的刀口方向能够尽量顺着TFT基板的硅岛沟道的方向；根据第二风刀的刀口方向以及TFT基板的硅岛沟道的方向确定第二旋转角度，以便第二风刀的刀口方向能够尽量顺着TFT基板的硅岛沟道的方向。
S203：控制所述TFT基板按照所述旋转角度进行旋转，以使得旋转后的所述TFT基板的硅岛沟道的方向与所述风刀的刀口方向符合预设要求。
湿制程设备通过控制旋转机构按确定的旋转角度进行旋转，以控制TFT基板按照该旋转角度进行旋转，以使得旋转后的TFT基板的硅岛沟道的方向与风刀的刀口方向符合预设要求。例如，旋转后的TFT基板的硅岛沟道的方向与风刀的刀口方向一致。
S204：控制确定的所述风刀对所述TFT基板进行干燥处理。
湿制程设备控制确定的风刀工作，清理TFT基板的硅岛沟道内残留的水、颗粒物等，以对TFT基板进行干燥处理。
可以理解的是，在干燥过程中，可以根据TFT基板的硅岛沟道方向，循环执行步骤S201～S204。
上述方案，湿制程设备根据风刀的刀口方向以及TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转机构的旋转角度，并控制TFT基板按照该旋转角度进行旋转，以使得旋转后的TFT基板的硅岛沟道的方向与风刀的刀口方向符合预设要求。上述方式，能够较彻底清理TFT基板的硅岛沟道内残留的水、颗粒物等，进而防止因沟道内残留的水、颗粒物导致TFT基板的源极、漏极导通的情况，减少该情况导致的不良率。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种湿制程设备，所述湿制程设备用于处理TFT基板，所述湿制程设备包括传输机构、升降机构、药液区、水洗区、干燥装置，其特征在于，所述干燥装置至少包括镜像设置的第一风刀以及第二风刀；
其中，所述第一风刀与所述TFT基板的移动方向的夹角为30°～60°，所述第二风刀与所述TFT基板的移动方向的的夹角为120°～150°。
2.根据权利要求1所述的湿制程设备，其特征在于，所述湿制程设备还包括旋转机构，所述旋转机构设置于所述传输机构和/或所述升降机构下方，所述旋转机构用于控制所述传输机构和/或所述升降机构旋转。
3.根据权利要求2所述的湿制程设备，其特征在于，所述旋转机构用于根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向进行旋转，以使所述第一风刀或所述第二风刀的刀口方向与所述TFT基板的硅岛沟道的方向符合预设要求。
4.根据权利要求2所述的湿制程设备，其特征在于，所述旋转机构包括连轴以及马达，所述连轴的一端连接所述传输机构、所述升降机，所述连轴的另一端连接所述马达，所述马达用于控制与所述连轴连接的所述传输机构、所述升降机按预设角度旋转；其中，所述预设角度根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向进行设置。
5.一种TFT基板干燥方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在完成所述TFT基板的清洗后，根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀，以使所述确定的风刀的刀口方向与所述硅岛沟道的方向符合预设要求；其中，所述风刀包括呈镜像设置的第一风刀以及第二风刀；所述第一风刀与所述TFT基板的移动方向形成的夹角为30°～60°，所述第二风刀与所述TFT基板的移动方向形成的夹角为120°～150°；
控制确定的所述风刀对所述TFT基板进行干燥处理。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀的步骤包括：
根据所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定湿制程设备中需要启动的风刀；
根据所述风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度；
控制所述TFT基板按照所述旋转角度进行旋转，以使得旋转后的所述TFT基板的硅岛沟道的方向与所述风刀的刀口方向符合预设要求。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度的步骤具体为：根据所述第一风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度的步骤具体为：根据所述第二风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度的步骤具体为：根据所述第一风刀、所述第二风刀的刀口方向以及所述TFT基板的硅岛沟道的方向确定旋转角度。
10.根据权利要求5至9任一项所述的方法，其特征在于，所述预设要求为述TFT基板的硅岛沟道的方向与所述风刀的刀口方向一致。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108022864A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 盟立自动化股份有限公司 湿式制程装置
CN108597987A (zh) * 2018-05-08 2018-09-28 广西桂芯半导体科技有限公司 半导体晶圆的清洗方法
WO2019090742A1 (zh) * 2017-11-10 2019-05-16 深圳市柔宇科技有限公司 有机电致发光显示面板的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101038935A (zh) * 2006-03-13 2007-09-19 财团法人工业技术研究院 薄膜晶体管结构及其制造方法
US20070281094A1 (en) * 2003-12-19 2007-12-06 Yoshitaka Nishio Method for Removing Deposit from Substrate and Method for Drying Substrate, as Well as Apparatus for Removing Deposit from Substrate and Apparatus for Drying Substrate Using These Methods
CN101847567A (zh) * 2009-03-26 2010-09-29 北京京东方光电科技有限公司 清洗基板的装置
US20130306116A1 (en) * 2012-05-17 2013-11-21 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070281094A1 (en) * 2003-12-19 2007-12-06 Yoshitaka Nishio Method for Removing Deposit from Substrate and Method for Drying Substrate, as Well as Apparatus for Removing Deposit from Substrate and Apparatus for Drying Substrate Using These Methods
CN101038935A (zh) * 2006-03-13 2007-09-19 财团法人工业技术研究院 薄膜晶体管结构及其制造方法
CN101847567A (zh) * 2009-03-26 2010-09-29 北京京东方光电科技有限公司 清洗基板的装置
US20130306116A1 (en) * 2012-05-17 2013-11-21 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108022864A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 盟立自动化股份有限公司 湿式制程装置
CN108022864B (zh) * 2016-10-28 2020-06-30 盟立自动化股份有限公司 湿式制程装置
WO2019090742A1 (zh) * 2017-11-10 2019-05-16 深圳市柔宇科技有限公司 有机电致发光显示面板的制造方法
CN111201630A (zh) * 2017-11-10 2020-05-26 深圳市柔宇科技有限公司 有机电致发光显示面板的制造方法
CN111201630B (zh) * 2017-11-10 2022-03-25 深圳市柔宇科技有限公司 有机电致发光显示面板的制造方法
CN108597987A (zh) * 2018-05-08 2018-09-28 广西桂芯半导体科技有限公司 半导体晶圆的清洗方法

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