CN105487155A - 红外检测滤光透镜 - Google Patents

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王继平
吕晶
胡伟琴
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Abstract

本发明公开了一种红外检测滤光透镜,包括以Si为原材料的基板,以Ge、ZnS为第一镀膜层和以C为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明所得到的红外检测滤光透镜,其在温度测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光片5%Cut?on=5500±400nm,7500~13500nm,Tavg≥70%,1500~4000nm,Tavg≤0.1%,T≤1.0%,4000~5000nm,Tavg≤0.5%。

Description

红外检测滤光透镜
技术领域
本发明涉及红外滤光片领域,尤其是一种红外检测滤光透镜。
背景技术
红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量),并将其转换为电信号,进而在显示器上生成热图像和温度值,并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量,使您不仅能够观察热图像,还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。
红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键,由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的,所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像,人们往往会在探测器中添加红外滤光片,通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能),保证红外热成像仪的成像结果。
但是,目前的红外滤光片,其信噪比低,精度差,不能满足市场发展的需要。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的红外检测滤光透镜。
为了达到上述目的,本发明所设计的红外检测滤光透镜,包括以Si为原材料的基板、第一镀膜层和以第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间,其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有300nm厚度的Ge层、187nm厚度的ZnS层、184nm厚度的Ge层、147nm厚度的ZnS层、123nm厚度的Ge层、231nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、170nm厚度的ZnS层、110nm厚度的Ge层、188nm厚度的ZnS层、109nm厚度的Ge层、219nm厚度的ZnS层、94nm厚度的Ge层、200nm厚度的ZnS层、157nm厚度的Ge层、223nm厚度的ZnS层、127nm厚度的Ge层、269nm厚度的ZnS层、171nm厚度的Ge层、253nm厚度的ZnS层、143nm厚度的Ge层、266nm厚度的ZnS层、141nm厚度的Ge层、236nm厚度的ZnS层、167nm厚度的Ge层、314nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、228nm厚度的ZnS层、156nm厚度的Ge层、403nm厚度的ZnS层、146nm厚度的Ge层、390nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、424nm厚度的ZnS层、193nm厚度的Ge层、291nm厚度的ZnS层、194nm厚度的Ge层、375nm厚度ZnS层、238nm厚度的Ge层、450nm厚度的ZnS层、201nm厚度的Ge层、391nm厚度的ZnS层、206nm厚度的Ge层、401nm厚度的ZnS层、284nm厚度的Ge层、479nm厚度的ZnS层、279nm厚度的Ge层、574nm厚度的ZnS层、269nm厚度的Ge层、507nm厚度的ZnS层、327nm厚度的Ge层、474nm厚度的ZnS层、283nm厚度的Ge层、685nm厚度的ZnS层、239nm厚度的Ge层、544nm厚度的ZnS层、497nm厚度的Ge层、206nm厚度的ZnS层、465nm厚度的Ge层、1155nm厚度的ZnS层,所述的第二镀膜层为1100nm厚度的C层。所述的基板为直径3cm的单面凸透镜,其凸出面与第一镀膜层接触,且凸出面的凸出半径为4.3cm。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本发明所得到的一种红外检测滤光透镜,其在温度测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。另外还将基板设置为单面凸透镜,进一步增加了检测效果,该滤光片5%Cuton=5500±400nm,7500~13500nm,Tavg≥70%,1500~4000nm,Tavg≤0.1%,T≤1.0%,4000~5000nm,Tavg≤0.5%。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图。
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。
实施例1。
如图1、图2所示,本实施例描述的红外检测滤光透镜,包括以Si为原材料的基板2、第一镀膜层1和以第二镀膜层3,且所述基板2设于第一镀膜层1与第二镀膜层3之间,其特征是所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有300nm厚度的Ge层、187nm厚度的ZnS层、184nm厚度的Ge层、147nm厚度的ZnS层、123nm厚度的Ge层、231nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、170nm厚度的ZnS层、110nm厚度的Ge层、188nm厚度的ZnS层、109nm厚度的Ge层、219nm厚度的ZnS层、94nm厚度的Ge层、200nm厚度的ZnS层、157nm厚度的Ge层、223nm厚度的ZnS层、127nm厚度的Ge层、269nm厚度的ZnS层、171nm厚度的Ge层、253nm厚度的ZnS层、143nm厚度的Ge层、266nm厚度的ZnS层、141nm厚度的Ge层、236nm厚度的ZnS层、167nm厚度的Ge层、314nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、228nm厚度的ZnS层、156nm厚度的Ge层、403nm厚度的ZnS层、146nm厚度的Ge层、390nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、424nm厚度的ZnS层、193nm厚度的Ge层、291nm厚度的ZnS层、194nm厚度的Ge层、375nm厚度ZnS层、238nm厚度的Ge层、450nm厚度的ZnS层、201nm厚度的Ge层、391nm厚度的ZnS层、206nm厚度的Ge层、401nm厚度的ZnS层、284nm厚度的Ge层、479nm厚度的ZnS层、279nm厚度的Ge层、574nm厚度的ZnS层、269nm厚度的Ge层、507nm厚度的ZnS层、327nm厚度的Ge层、474nm厚度的ZnS层、283nm厚度的Ge层、685nm厚度的ZnS层、239nm厚度的Ge层、544nm厚度的ZnS层、497nm厚度的Ge层、206nm厚度的ZnS层、465nm厚度的Ge层、1155nm厚度的ZnS层,所述的第二镀膜层3为1100nm厚度的C层。所述的基板2为直径3cm的单面凸透镜,其凸出面与第一镀膜层接触,且凸出面的凸出半径为4.3cm。

Claims (1)

1.一种红外检测滤光透镜,包括以Si为原材料的基板(2)、第一镀膜层(1)和以第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有300nm厚度的Ge层、187nm厚度的ZnS层、184nm厚度的Ge层、147nm厚度的ZnS层、123nm厚度的Ge层、231nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、170nm厚度的ZnS层、110nm厚度的Ge层、188nm厚度的ZnS层、109nm厚度的Ge层、219nm厚度的ZnS层、94nm厚度的Ge层、200nm厚度的ZnS层、157nm厚度的Ge层、223nm厚度的ZnS层、127nm厚度的Ge层、269nm厚度的ZnS层、171nm厚度的Ge层、253nm厚度的ZnS层、143nm厚度的Ge层、266nm厚度的ZnS层、141nm厚度的Ge层、236nm厚度的ZnS层、167nm厚度的Ge层、314nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、228nm厚度的ZnS层、156nm厚度的Ge层、403nm厚度的ZnS层、146nm厚度的Ge层、390nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、424nm厚度的ZnS层、193nm厚度的Ge层、291nm厚度的ZnS层、194nm厚度的Ge层、375nm厚度ZnS层、238nm厚度的Ge层、450nm厚度的ZnS层、201nm厚度的Ge层、391nm厚度的ZnS层、206nm厚度的Ge层、401nm厚度的ZnS层、284nm厚度的Ge层、479nm厚度的ZnS层、279nm厚度的Ge层、574nm厚度的ZnS层、269nm厚度的Ge层、507nm厚度的ZnS层、327nm厚度的Ge层、474nm厚度的ZnS层、283nm厚度的Ge层、685nm厚度的ZnS层、239nm厚度的Ge层、544nm厚度的ZnS层、497nm厚度的Ge层、206nm厚度的ZnS层、465nm厚度的Ge层、1155nm厚度的ZnS层,所述的第二镀膜层(3)为1100nm厚度的C层,所述的基板为直径3cm的单面凸透镜,其凸出面与第一镀膜层接触,且凸出面的凸出半径为4.3cm。
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Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08334603A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Mitsubishi Electric Corp 赤外域用光学膜および光学素子
CN2763819Y (zh) * 2004-12-17 2006-03-08 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 复合透镜
CN201041588Y (zh) * 2006-09-14 2008-03-26 武汉市富泰来光电器件有限公司 一种复合层红外薄膜的光学镜头
CN101458352A (zh) * 2008-12-22 2009-06-17 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 一种光谱范围为2.67μm~2.83μm的宽截止中波红外滤光片
CN201383012Y (zh) * 2009-03-30 2010-01-13 北京蓝思泰克科技有限公司 红外多层增透膜的光学镜头
CN201458976U (zh) * 2009-07-22 2010-05-12 天津南玻节能玻璃有限公司 一种类金刚石镀膜玻璃
CN102213777A (zh) * 2010-04-02 2011-10-12 富士胶片株式会社 抗反射膜和红外线光学元件
CN102590917A (zh) * 2012-03-12 2012-07-18 杭州麦乐克电子科技有限公司 3.65微米至5微米宽带红外滤光片及其制作方法
CN202472019U (zh) * 2012-03-12 2012-10-03 杭州麦乐克电子科技有限公司 5300纳米带通红外滤光片
CN103105635A (zh) * 2013-02-07 2013-05-15 杭州麦乐克电子科技有限公司 滤光透镜
CN203849438U (zh) * 2014-04-16 2014-09-24 苏州奥科辉光电科技有限公司 一种中波红外长波通滤光片
CN203965649U (zh) * 2014-06-12 2014-11-26 中国科学院上海技术物理研究所 一种以锗为基底的具有太阳光反射功能的长波红外增透膜
CN204462436U (zh) * 2015-03-17 2015-07-08 苏州鼎旺科技有限公司 一种高硬度双波段滤光片结构
CN205450325U (zh) * 2015-12-30 2016-08-10 杭州麦乐克电子科技有限公司 红外检测滤光透镜

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08334603A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Mitsubishi Electric Corp 赤外域用光学膜および光学素子
CN2763819Y (zh) * 2004-12-17 2006-03-08 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 复合透镜
CN201041588Y (zh) * 2006-09-14 2008-03-26 武汉市富泰来光电器件有限公司 一种复合层红外薄膜的光学镜头
CN101458352A (zh) * 2008-12-22 2009-06-17 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 一种光谱范围为2.67μm~2.83μm的宽截止中波红外滤光片
CN201383012Y (zh) * 2009-03-30 2010-01-13 北京蓝思泰克科技有限公司 红外多层增透膜的光学镜头
CN201458976U (zh) * 2009-07-22 2010-05-12 天津南玻节能玻璃有限公司 一种类金刚石镀膜玻璃
CN102213777A (zh) * 2010-04-02 2011-10-12 富士胶片株式会社 抗反射膜和红外线光学元件
CN102590917A (zh) * 2012-03-12 2012-07-18 杭州麦乐克电子科技有限公司 3.65微米至5微米宽带红外滤光片及其制作方法
CN202472019U (zh) * 2012-03-12 2012-10-03 杭州麦乐克电子科技有限公司 5300纳米带通红外滤光片
CN103105635A (zh) * 2013-02-07 2013-05-15 杭州麦乐克电子科技有限公司 滤光透镜
CN203849438U (zh) * 2014-04-16 2014-09-24 苏州奥科辉光电科技有限公司 一种中波红外长波通滤光片
CN203965649U (zh) * 2014-06-12 2014-11-26 中国科学院上海技术物理研究所 一种以锗为基底的具有太阳光反射功能的长波红外增透膜
CN204462436U (zh) * 2015-03-17 2015-07-08 苏州鼎旺科技有限公司 一种高硬度双波段滤光片结构
CN205450325U (zh) * 2015-12-30 2016-08-10 杭州麦乐克电子科技有限公司 红外检测滤光透镜

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