CN105481010A - 一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途 - Google Patents

一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN105481010A
CN105481010A CN201510835965.7A CN201510835965A CN105481010A CN 105481010 A CN105481010 A CN 105481010A CN 201510835965 A CN201510835965 A CN 201510835965A CN 105481010 A CN105481010 A CN 105481010A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor material
preparation
compound semiconductor
sulfide compound
yield
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510835965.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105481010B (zh
Inventor
刘毅
刘畅
侯佩佩
郑雪绒
沈亚英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Priority to CN201510835965.7A priority Critical patent/CN105481010B/zh
Publication of CN105481010A publication Critical patent/CN105481010A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105481010B publication Critical patent/CN105481010B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G30/00—Compounds of antimony
    • C01G30/002—Compounds containing, besides antimony, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/30—Three-dimensional structures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/77—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by unit-cell parameters, atom positions or structure diagrams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/84—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by UV- or VIS- data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途。以钡盐、金属铜、二元固溶体Sb2Q3(Q＝S,Se)和单质Q为原料，水合肼为溶剂，在160℃烘箱中反应2-7天，得到四元硫属化合物半导体材料。化学组成式为：BaCuSbS3和BaCuSbSe3，本发明具有合成产率高，操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫属化合物，BaCuSbS3可得到纯相，BaCuSbSe3产率可达到～70％，化学纯度高，用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。

Description

一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途
技术领域
本发明属于无机半导体材料领域，具体涉及一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途。
背景技术
材料的物理化学性能取决于他们的组成和结构。硫属化合物由于具有丰富的结构特征，在离子交换，光催化和非线性光学领域有很大的应用前景。在众多硫属化合物中，锑硫属化合物具有非常丰富的结构类型。其基本构建单元SbQx(x＝3,4,5)由于活跃的5s孤对电子的存在，具有独特的结构化学特性。孤对电子的立体化学效应和Sb(III)的不同硫原子配位数可以产生多种的不同的结构组成。以不同的阳离子作为结构导向剂,[Sb(III)Q]3-单元能通过共边和共顶点的聚合形成不同结构的阴离子[SbxQy]z-，组成链状，层状或三维网络。过渡金属离子同样可以与锑硫网络连接，形成更加复杂的无机阴离子骨架。
硫属化合物晶体的合成主要有以下几种方法：高温固相反应、助溶剂法，以及水热或溶剂热法。在过去的几十年中，溶剂热法是有效的合成多元锑硫属化合物的手段。然而，大多数低温溶剂热法合成的多元锑硫属化合物使用碱金属离子作为平衡阳离子。极少有通过溶剂热法将半径更小的碱土金属例子作为平衡阳离子加入晶体结构框架的研究。事实上，大部分包含碱土金属的多元锑硫属化合物都是通过传统的高温固相反应得到的，例如在反应物中添加BaQ(Q＝S,Se,Te)作为Ba源。
肼是一种广泛使用的溶剂以及强还原剂，在溶剂热反应中可以同时充当结构导向剂以及反应介质。在反应中，肼的强还原能力可以将中性的硫属化合物转变为阴离子并将其溶解。同样的，肼可以作为配体分散金属硫化物链或层，使我们得到稳定的低维骨架结构。
尽管肼在控制二元及三元硫属化合物中被反复应用，但是将其作为溶剂生长四元硫属化合物依然是一个相对空白的领域。开发新的溶剂热合成路线,寻找新的合成体系,合成具有优良物理化学性能的结构是目前合成新型多元硫属化物的重点，同时，提高溶剂热反应产物的产率，简化实验步骤，也是相关研究关注的问题。因此，选择合适的溶剂及反应环境，得到高产率的晶体产物，在相关领域具有一定的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途。
一种高产率四元硫属化合物半导体材料，其化学组成式为：BaCuSbQ3,其中Q＝S或Se，两者属于同构；
其中，BaCuSbS3属于正交晶系，Pbam空间群，晶胞参数 α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝4.590g/cm3，单晶体为红色块状，能隙为1.8eV，模拟太阳光照射下光电流约为60nA/cm2；
其中，BaCuSbSe3属于正交晶系，Pbam空间群，晶胞参数 α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝5.531g/cm3，单晶体为黑色块状，能隙为1.4eV，模拟太阳光照射下光电流约为30nA/cm2。
一种所述的四元硫属化合物半导体材料的制备方法，具体为:将摩尔比为1.0-1.5：0-1.0：1.0：0.5：2.0-3.0的乙酸钡、氢氧化钾，金属铜、二元固溶体硫化锑和单质硫混合，每0.61～0.86克混合物加入4mL85wt％水合肼，在160℃下中反应2-7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到BaCuSbS3。
一种所述的四元硫属化合物半导体材料的制备方法，具体为:将摩尔比为1.0-1.5：0-1.0：1.0：0.25-0.5：2.0-3.0的水合氢氧化钡、氢氧化钾、金属铜、二元固溶体硒化锑和单质硒混合，每0.66～1.07克混合物加入4mL85wt％水合肼，在160℃下反应4-7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到BaCuSbSe3。
所述的四元硫属化合物半导体材料的用途，用于制备光电化学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
本发明的有益效果：合成产物的产量高，合成方法简单易行，原料成本低，反应条件温和。采用本方法制备的四元硫属化合物半导体材料中，BaCuSbS3可得到纯相，BaCuSbSe3产率可达到～70％。半导体材料的能隙分别为1.8eV和1.4eV，在模拟太阳光下的光电流约为60nA/cm2和30nA/cm2，在半导体光学方面具有潜在的应用价值。
附图说明
图1为BaCuSbS3晶体的形貌图；
图2为BaCuSbSe3晶体的形貌图；
图3为BaCuSbS3晶体的EDX图谱；
图4为BaCuSbSe3晶体的EDX图谱；
图5为BaCuSbQ3(Q＝S,Se)的结构图；
图6为根据BaCuSbS3晶体得到的的XRD图谱与单晶模拟衍射图。
图7为根据BaCuSbSe3晶体得到的的XRD图谱与单晶模拟衍射图。
图8为BaCuSbS3和BaCuSbSe3的固态紫外可见漫反射光谱。
图9为BaCuSbS3(a)和BaCuSbSe3(b)在模拟太阳光下的光响应图谱。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步阐述和说明。本发明中各个实施方式的技术特征在没有相互冲突的前提下，均可进行相应组合。
一种高产率四元硫属化合物半导体材料，其化学组成式为：BaCuSbQ3,其中Q＝S或Se，两者属于同构；
其中，BaCuSbS3属于正交晶系，Pbam空间群，晶胞参数 α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝4.590g/cm3，单晶体为红色块状(见图1)，能隙为1.8eV，模拟太阳光照射下光电流约为60nA/cm2；
其中，BaCuSbSe3属于正交晶系，Pbam空间群，晶胞参数 α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝5.531g/cm3，单晶体为黑色块状(见图2)，能隙为1.4eV，模拟太阳光照射下光电流约为30nA/cm2。
一种所述的四元硫属化合物半导体材料的制备方法，具体为:将摩尔比为1.0-1.5：0-1.0：1.0：0.5：2.0-3.0的乙酸钡、氢氧化钾，金属铜、二元固溶体硫化锑和单质硫混合，每0.61～0.86克混合物加入4mL85wt％水合肼，在160℃下中反应2-7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到BaCuSbS3。
一种所述的四元硫属化合物半导体材料的制备方法，具体为:将摩尔比为1.0-1.5：0-1.0：1.0：0.25-0.5：2.0-3.0的水合氢氧化钡、氢氧化钾、金属铜、二元固溶体硒化锑和单质硒混合，每0.66～1.07克混合物加入4mL85wt％水合肼，在160℃下反应4-7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到BaCuSbSe3。
所述的四元硫属化合物半导体材料的用途，用于制备光电化学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
实施例1：
BaCuSbS3晶体。称取初始原料Ba(CH3COO)21.5mmol(0.383g)、Cu1.0mmol(0.064g)、Sb2S30.5mmol(0.170g)和S3.0mmol(0.064g)放入水热釜中，再加入水合肼3mL，将水热釜置于160℃下反应7天。产物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤2次，得到产率为10％的红色块状晶体。EDX元素分析表明晶体只含Ba、Cu、Sb、S四种元素，且各元素含量比约为1:1:1:3。
实施例2：
BaCuSbS3晶体。称取初始原料Ba(CH3COO)21.0mmol(0.255g)、KOH1.0mmol(0.056g)、Cu1.0mmol(0.064g)、Sb2S30.5mmol(0.170g)和S2.0mmol(0.064g)放入水热釜中，再加入水合肼4mL，将水热釜置于160℃下反应7天。产物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤2次，得到纯净的红色块状晶体。EDX元素分析表明晶体只含Ba、Cu、Sb、S四种元素，且各元素含量比约为1:1:1:3(见图3)。经单晶X射线衍射分析，该晶体组成式为BaCuSbS3，与EDX元素分析结果一致，属于正交晶系，Pbam空间群，晶胞参数α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝4.590g/cm3，晶体结构如图5所示。对晶体粉末进行XRD测试,结果如图6所示。UV-vis图谱测得半导体材料能隙为1.8eV(见图8)，模拟太阳光照射下光电流约为60nA/cm2(见图9)。
实施例3：
BaCuSbS3晶体。称取初始原料Ba(CH3COO)21.0mmol(0.255g)、KOH1.0mmol(0.056g)、Cu1.0mmol(0.064g)、Sb2S30.5mmol(0.170g)和S2.0mmol(0.064g)放入水热釜中，再加入水合肼4mL，将水热釜置于160℃下反应2天。产物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤2次，得到纯净的红色块状晶体。EDX元素分析表明晶体只含Ba、Cu、Sb、S四种元素，且各元素含量比约为1:1:1:3。
实施例4：
BaCuSbSe3晶体。称量初始原料Ba(OH)2·8H2O1.5mmol(0.470g)、Cu1.0mmol(0.064g)、Sb2Se30.25mmol(0.120g)和Se2.0mmol(0.158g)放入水热釜中，再加入水合肼3.0mL。将水热釜置于160℃下反应7天，产物分别用蒸馏水和乙醇洗涤2次，得到黑色块状晶体，产率为10％。EDX元素分析表明晶体只含Ba、Cu、Sb、Se四种元素，且各元素含量比约为1:1:1:3。
实施例5：
BaCuSbSe3晶体。称量初始原料Ba(OH)2·8H2O1.0mmol(0.316g)、KOH1.0mmol(0.056g)、Cu1.0mmol(0.064g)、Sb2Se30.5mmol(0.240g)和Se2.0mmol(0.158g)放入水热釜中，再加入水合肼4.0mL。将水热釜置于160℃下反应7天，产物分别用蒸馏水和乙醇洗涤2次，得到黑色块状晶体，产率可达70％。经单晶X射线衍射分析，该晶体组成式为BaCuSbSe3，属于正交晶系，Pbam空间群，晶胞参数α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝5.531g/cm3，晶体结构图如5所示。EDX元素分析表明晶体含Ba、Cu、Sb、Se四种元素，且各元素含量比与单晶衍射分析结果一致(见图4)。对晶体粉末进行XRD测试,结果如图7所示。UV-vis图谱测得半导体材料能隙为1.4eV(见图8)，模拟太阳光照射下光电流约为30nA/cm2(见图9)。
实施例6：
BaCuSbSe3晶体。称量初始原料Ba(OH)2·8H2O1.0mmol(0.316g)、Cu1.0mmol(0.064g)、Sb2Se30.5mmol(0.240g)和Se2.0mmol(0.158g)放入水热釜中，再加入水合肼5.0mL。将水热釜置于160℃下反应7天，产物分别用蒸馏水和乙醇洗涤2次，得到黑色块状晶体，产率为60％。EDX元素分析表明晶体只含Ba、Cu、Sb、Se四种元素，且各元素含量比约为1:1:1:3。
以上所述的实施例只是本发明的一种较佳的方案，然其并非用以限制本发明，凡采取等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。

Claims (4)

1.一种高产率四元硫属化合物半导体材料，其特征在于，其化学组成式为：BaCuSbQ3,其中Q＝S或Se，两者属于同构；
其中，BaCuSbS3属于正交晶系，Pbam空间群，晶胞参数 α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝4.590g/cm3，单晶体为红色块状，能隙为1.8eV；
其中，BaCuSbSe3属于正交晶系，Pbam空间群，晶胞参数 α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝5.531g/cm3，单晶体为黑色块状，能隙为1.4eV。
2.如权利要求1所述的四元硫属化合物半导体材料的制备方法，其特征在于将摩尔比为1.0-1.5：0-1.0：1.0：0.5：2.0-3.0的乙酸钡、氢氧化钾，金属铜、二元固溶体硫化锑和单质硫混合，每0.61～0.86克混合物加入4mL85wt％水合肼，在160℃下中反应2-7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到BaCuSbS3。
3.如权利要求1所述的四元硫属化合物半导体材料的制备方法，其特征在于将摩尔比为1.0-1.5：0-1.0：1.0：0.25-0.5：2.0-3.0的水合氢氧化钡、氢氧化钾、金属铜、二元固溶体硒化锑和单质硒混合，每0.66～1.07克混合物加入4mL85wt％水合肼，在160℃下反应4-7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到BaCuSbSe3。
4.一种如权利要求1所述的四元硫属化合物半导体材料的用途，其特征在于：用于制备光电化学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
CN201510835965.7A 2015-11-26 2015-11-26 一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途 Expired - Fee Related CN105481010B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510835965.7A CN105481010B (zh) 2015-11-26 2015-11-26 一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510835965.7A CN105481010B (zh) 2015-11-26 2015-11-26 一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105481010A true CN105481010A (zh) 2016-04-13
CN105481010B CN105481010B (zh) 2017-11-03

Family

ID=55668345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510835965.7A Expired - Fee Related CN105481010B (zh) 2015-11-26 2015-11-26 一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105481010B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106423215A (zh) * 2016-08-03 2017-02-22 浙江大学 一种用于临海混凝土结构抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途
CN106904652A (zh) * 2017-01-23 2017-06-30 浙江大学 一种五元硫锑化合物半导体材料及其制备方法和用途
CN107311120A (zh) * 2017-08-07 2017-11-03 内蒙古师范大学 一种硫属化合物Cs8Sb6Sn4S4Se17及其合成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104862782A (zh) * 2015-03-31 2015-08-26 浙江大学 一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途
CN105036192A (zh) * 2015-06-08 2015-11-11 浙江大学 一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104862782A (zh) * 2015-03-31 2015-08-26 浙江大学 一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途
CN105036192A (zh) * 2015-06-08 2015-11-11 浙江大学 一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MIN YUAN ET AL.: ""Solvent properties of hydrazine in the preparation of metal chalcogenide bulk materials and films"", 《DALTON TRANS. 》 *
ZHIMIN MA ET AL.: ""Low temperature synthesis and structures of alkaline earth metal chalcogenides Ba3Cu4SbS6OH, BaCuSbS3 and BaCu2S2"", 《RSC ADVANCES》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106423215A (zh) * 2016-08-03 2017-02-22 浙江大学 一种用于临海混凝土结构抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途
CN106423215B (zh) * 2016-08-03 2019-02-22 浙江大学 一种用于临海混凝土结构抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途
CN106904652A (zh) * 2017-01-23 2017-06-30 浙江大学 一种五元硫锑化合物半导体材料及其制备方法和用途
CN107311120A (zh) * 2017-08-07 2017-11-03 内蒙古师范大学 一种硫属化合物Cs8Sb6Sn4S4Se17及其合成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105481010B (zh) 2017-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104862782B (zh) 一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途
CN109369725A (zh) 一种无铅杂化二维双钙钛矿材料及制备方法
Liu et al. Hydrazine-hydrothermal syntheses, characterizations and photoelectrochemical properties of two quaternary chalcogenidoantimonates (III) BaCuSbQ3 (Q= S, Se)
CN105481010A (zh) 一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途
CN112875755A (zh) 一种钨酸铋纳米粉体的制备方法
Nhalil et al. Optoelectronic properties of candidate photovoltaic Cu2PbSiS4, Ag2PbGeS4 and KAg2SbS4 semiconductors
CN105236482A (zh) 一种四元硫锑化合物ACuSb2S4半导体材料
CN106025256B (zh) 一种“双晶畴”富锂层状氧化物材料及制备方法
CN105036192B (zh) 一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途
CN105696080A (zh) 一种四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途
CN102161477B (zh) 一种水相合成铜锌锡硒纳米颗粒的制备方法
CN102689920A (zh) 一种溶剂热合成铜锌锡硫材料的方法
CN103943850B (zh) 一种采用低热固相反应制备锂镍钴铝氧化物材料的方法
CN103633165B (zh) 黄铜矿结构中间带太阳能电池吸收层材料及其制备方法
CN106904652B (zh) 一种五元硫锑化合物半导体材料及其制备方法和用途
CN110627709B (zh) 一种高稳定性铋碘杂化光吸收剂及其制备与应用
CN102167399B (zh) 一种蝴蝶结形三氧化二锑的制备方法
CN109750357B (zh) 红外非线性光学晶体Ba10Zn7M6Q26及其制备方法与用途
CN107311120B (zh) 一种硫属化合物Cs8Sb6Sn4S4Se17及其合成方法
CN107779956B (zh) 一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途
CN103606573B (zh) 一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法
CN105016385B (zh) 层状多元光电硫化物的水热制备方法
CN103896326A (zh) 一种铜锌锡硫半导体材料的制备方法
CN102887538A (zh) 一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法
CN103570074B (zh) 一种锰酸锂正极材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20171103

Termination date: 20211126

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee