CN105480939A - 一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法 - Google Patents

一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105480939A
CN105480939A CN201510881854.XA CN201510881854A CN105480939A CN 105480939 A CN105480939 A CN 105480939A CN 201510881854 A CN201510881854 A CN 201510881854A CN 105480939 A CN105480939 A CN 105480939A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dimensional structure
preparation
photoresist
advance
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510881854.XA
Other languages
English (en)
Inventor
李无瑕
郝婷婷
李俊杰
顾长志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Physics of CAS
Original Assignee
Institute of Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Physics of CAS filed Critical Institute of Physics of CAS
Priority to CN201510881854.XA priority Critical patent/CN105480939A/zh
Publication of CN105480939A publication Critical patent/CN105480939A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00206—Processes for functionalising a surface, e.g. provide the surface with specific mechanical, chemical or biological properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/005—Bulk micromachining

Abstract

本发明提供了一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法，涉及三维微纳米加工技术。所述方法的具体步骤如下：选取用于支撑所述三维结构的衬底；在所述衬底上敷涂光刻胶；使用激光直写设备对所述光刻胶的预先设计区域进行曝光，形成曝光区；对所述曝光区的光刻胶进行显影、定影，获得所述三维结构。本发明的三维结构的制备方法，相对于现有技术中的加工方法，减少了多次进行刻蚀的工艺，工艺难度比较低，耗时较少，并且制成的三维结构具有较高的灵活性。本发明的三维结构的制备方法可重复性高，可以有助于提高成品率。

Description

一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法
技术领域
本发明涉及三维微纳米加工技术，特别是涉及一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法。
背景技术
润湿性是指液体与固体表面接触时，液体可以渐渐渗入或附着在固体表面上的现象，这种特征由固体表面的化学组成及微观结构共同决定，是表征固体表面的重要参数。接触角和滚动角是评价固体表面润湿性的重要参数，理论上憎水表面既要有较大的接触角，又要有较小的滚动角。超憎水性表面一般是指与水的接触角大于150°，而滚动角小于10°的表面。这样的表面具有脱附、防粘、自清洁功等功能，可防雪、防污染、抗氧化、防电流传导、流体减阻以及抑菌等，在自清洁表面、微流体系统和生物相容性等方面有着潜在应用，并引起了研究人员与产业界极大的关注。
随着科学与技术的发展，人们已经设计出各种憎水表面，并投入了应用。自然界里有很多动植物表面都具有超憎水性和自洁功能，例如荷叶和水稻叶表面，其表面水的接触角都高达160°以上，滚动角小于3°。近年来，超憎水性表面的研究已成为比较活跃的研究课题之一，这对制备新的高性能的功能材料表面有重要的作用。研究表明，具有较大接触角和较小滚动角的超憎水性表面结构为微米级及纳米级结构的双微观复合结构。超憎水结构的加工方法通常有两种。一是在憎水材料表面上构建微观结构，二是在粗糙表面上修饰低表面能物质。现有技术中有一种硅衬底上超憎水双凹悬空结构的加工方法，其制备过程如下：第一步，在硅衬底上生长1微米的SiO2；第二步，进行光刻工艺，制备刻蚀SiO2图形的掩模；第三步，通过光刻与反应离子刻蚀获得SiO2图形化结构；第四步，通过反应离子刻蚀，以SiO2图形为掩模，在硅衬底上刻蚀1.5微米凹槽；第五步，继续生长300纳米SiO2；第六步，通过反应离子刻蚀将凹槽底部的SiO2刻蚀完整；第七步，进行深硅刻蚀；第八步，进行硅各向同性刻蚀，获得双凹结构。该方案能在Si衬底上进行大面积结构加工，所获得的结构对几乎所有液体均具有全超憎的特性。然而此种加工方法需要多种加工设备与复杂的工艺过程，使应用受到了限制。
因此，当前迫切需要一种制备工艺难度较低、耗时少、且具有高灵活性的液体全超憎功能的三维结构的制备方法。
发明内容
本发明的目的是要提供一种制备工艺难度较低、耗时少、且具有高灵活性的具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法。
特别地，本发明提供了一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法，具体步骤如下：
步骤1、选取用于支撑所述三维结构的衬底；
步骤2、在所述衬底上敷涂光刻胶；
步骤3、使用激光直写设备对所述光刻胶的预先设计区域进行曝光，形成曝光区；
步骤4、对所述曝光区的光刻胶进行显影、定影，获得所述三维结构。
可选地，所述预先设计区域通过将预先设计图形进行切片处理后形成若干个相应的切片层并产生相应的曝光点，所述激光直写设备通过激光体像素对每一所述曝光点逐次进行曝光，相邻的曝光点相连从而形成连续的曝光区。
可选地，所述预先设计区域通过所述激光直写设备中的程序对预先设计图形进行数字化设计而形成。
可选地，所述预先设计区域采用Matlab软件设计形成。
可选地，所述光刻胶采用正性光刻胶。
可选地，所述光刻胶采用负性光刻胶，对所述曝光区的光刻胶进行显影、定影具体包括：将曝光后的所述光刻胶浸泡在丙二醇甲醚醋酸酯显影液中30分钟，再采用异丙醇定影5分钟，然后用氮气枪吹干，从而获得所述三维结构。
可选地，所述三维结构是由支撑柱形结构、顶部微盘以及垂耳部所形成的双凹环形，所述顶部微盘的中心与所述支撑柱形结构的中心在同一竖直方向上，所述垂耳部垂直布置在所述顶部微盘的边缘并朝向所述衬底。
可选地，所述顶部微盘为圆形、三角形或多边形。
可选地，还包括在所述三维结构表面制备功能层，所述制备功能层为在所述三维结构表面进行介质和/或金属的沉积。
可选地，所述金属材料为金或银，所述介质材料包括Al2O3、Si3N4、SiO2、HfO2中的一个或多个。
本发明的具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法，通过在衬底上敷涂一定量的光刻胶，并使用激光直写设备对预先设计区域的光刻胶进行曝光，从而形成特定形状的曝光区，再对曝光区的光刻胶进行显影、定影，从而获得具有液体全超憎功能的三维结构。本发明的三维结构的制备方法，相对于现有技术中的加工方法，减少了多次进行刻蚀的工艺，工艺难度比较低，耗时较少，并且制成的三维结构具有较高的灵活性。本发明的三维结构的制备方法可重复性高，可以有助于提高成品率。
根据下文结合附图对本发明具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本发明的上述以及其他目的、优点和特征。
附图说明
后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本发明的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：
图1是根据本发明一个实施例的具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法的流程图；
图2是图1所示三维结构的结构示意图；
图3是图2所示三维结构的横截面侧视图；
图4是图3所示三维结构的主视图；
图5是图1所示三维结构的加工流程图；
图6是图1所示三维结构的激光直写设备的激光体像素的扫描路径的示意图。
具体实施方式
图1是根据本发明一个实施例的具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法的流程图。如图1所示，所述制备方法的具体步骤如下：
步骤S1、选取用于支撑所述三维结构的衬底1；
步骤S2、在所述衬底1上敷涂光刻胶2；
步骤S3、使用激光直写设备对所述光刻胶2的预先设计区域3进行曝光，形成曝光区；
步骤S4、对所述曝光区的光刻胶2进行显影、定影，获得所述三维结构。
本发明的具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法，通过在衬底1上敷涂一定量的光刻胶2，并使用激光直写设备对预先设计区域3的光刻胶2进行曝光，从而形成特定形状的曝光区，再对曝光区的光刻胶2进行显影、定影，从而获得具有液体全超憎功能的三维结构。本发明的三维结构的制备方法，相对于现有技术中的加工方法，减少了多次进行刻蚀的工艺，工艺难度比较低，耗时较少，并且制成的三维结构具有较高的灵活性。本发明的三维结构的制备方法可重复性高，可以有助于提高成品率。
图5是图1所示三维结构的加工流程图。参见图5a，在步骤S1中，所述衬底1在使用前需要进行清洗与处理，具体包括：首先依次采用丙酮、乙醇、去离子水对所述衬底1进行超声处理；再用氮气吹干；然后在烘箱或热板上进行去水汽干燥处理。在一个优选实施例中，可以将用氮气吹干的衬底1在热板上以120℃干燥20分钟。
参见图5b，在步骤S2中，可以使用胶头滴定管蘸取少量的光刻胶2，然后在衬底1上滴上一至三滴光刻胶2。所述光刻胶2可采用正性光刻胶或负性光刻胶。当采用正性光刻胶时，激光直写设备的扫描区域为除预先设计区域3外的其他光刻胶2所覆盖的区域。当采用负性光刻胶时，激光直写设备的扫描区域为预先设计区域3的光刻胶2。
在一个优选实施例中，采用负性光刻胶。负性光刻胶可以采用IP-L或IP-S负性光刻胶。本实施例中采用IP-S负性光刻胶。具体的敷涂光刻胶2的具体步骤如下：首先将一滴IP-S光刻胶滴涂到衬底1的一面，再在衬底1的另一面滴涂两滴油，使油完全覆盖衬底1的另一面，然后采用封片胶水将衬底1固定在激光直写设备的样品架上，并于常温下放置5分钟以使得胶水晾干，最后将样品架激光直写设备的样品台上。
参见图5c，在步骤S3中，激光直写设备是一种基于激光体像素曝光而制备三维结构的设备。本实施例中采用双光子三维纳米加工系统作为激光直写设备。所述预先设计区域3可以通过将预先设计图形进行切片处理后形成若干个相应的切片层并产生相应的曝光点。预先设计区域3还可以通过所述激光直写设备中的程序对预先设计图形进行数字化设计而形成。预先设计区域3还可以通过设计软件(如AutoCAD，GoogleSketchup，Matlab)来设计出对应的图形。
本实施例中，所述预先设计区域3通过将预先设计图形进行切片处理后形成若干个相应的切片层并产生相应的曝光点，所述激光直写设备通过激光体像素对每一所述曝光点逐次进行曝光，相邻曝光点相连从而形成连续的曝光区。
本发明采用激光体像素扫描的方式，显著提高了曝光速度。此外，本发明采用高灵敏的IP-S光刻胶，不仅可以获得高分辨率图形，还可以使所制备的三维结构具有更高的稳定性。
双光子三维纳米加工系统利用飞秒激光作为激光光源，在光路中安置衰减器与快门调节激光的强度与曝光时间。光束经透镜组扩束后通过大数值孔径物镜聚焦到光刻胶2上。当聚焦点位于光刻胶2内部时，激光聚焦点附近的微小区域就是激光直写的最小单位，即体像素。体像素的形状大致为椭球形。通过相关软件使体像素按照预定的路径扫描移动，进行曝光扫描，从而获得所需的三维结构。
图2是图1所示三维结构的结构示意图。图3是图2所示三维结构的横截面侧视图。参见图3，所述三维结构是由支撑柱形结构4、顶部微盘5以及垂耳部6所形成的双凹环形，所述顶部微盘5的中心与所述支撑柱形结构4的中心在同一竖直方向上，所述垂耳部6垂直布置在所述顶部微盘5的边缘并朝向所述衬底1。可选地，所述顶部微盘5可以为圆形、三角形或多边形。
在一个实施例中，顶部微盘5为圆形，支撑柱形结构4为圆柱体。本实施例中的体像素的扫描路径为一条连续的路径。图6是图1所示三维结构的激光直写设备的激光体像素的扫描路径的示意图。其中，图中箭头代表激光体像素的位移方向。参见图6，该路径从衬底1与光面胶介面处开始。首先参见图6a，进行支撑柱形结构4的点到点的平面区域扫描，由外向里扫描。完成第一个扫描平面后，参见图6b，然后沿Z轴上升一定距离后，继续进行平面内的区域扫描，直到顶部微盘5的下表面。接着，参见图6c，激光体像素继续沿Z轴上升一定的距离，位移至顶部微盘5的边缘，由外至里，由上至下进行位移。参见图6d，激光体像素沿顶部微盘5的外侧，进行垂耳部6的扫描，扫描路径仍是由外至里，由上至下，直至垂耳部6扫描结束。这样，激光体像素的运动轨迹是均匀连续的，不会出现重复扫描的区域。在激光体像素的扫描过程中，扫描完第一个平面后，使得沿着直线上升轨迹扫描至任一位置的激光体像素，均与前一平面扫描所形成的曝光区域存在交叠，这样就能使上下相连的两个平面对应的曝光区相互拼接，最终形成的双凹环形的曝光区。
本发明中的曝光区是一次成型的，因此其具有良好的结构稳定性，不容易坍塌。所以，本发明的方法可重复性高，有助于提高成品率。并且，本发明的三维环凹结构对所以液体，包括表面能极低的液体，具有全超憎特性。
参见图5d，在步骤S4中，对所述曝光区的光刻胶2进行显影、定影，即可获得所需的双凹环形的三维结构。所述光刻胶2采用负性光刻胶，对所述曝光区的光刻胶2进行显影、定影具体包括：将曝光后的所述光刻胶2浸泡在丙二醇甲醚醋酸酯显影液中30分钟，再采用异丙醇定影5分钟，然后用氮气枪吹干，从而获得所述三维结构。
如图1所示，还可以在所述三维结构表面制备功能层7。参见图5e，在步骤S5中，所述制备功能层7可以是在所述三维结构表面进行介质和/或金属的沉积。其中，金属层为适合于实际应用的需求，例如满足表面等离激元激发和传播的材料，可以是金或银。介质层可以进一步提高结构的稳定性，另一方面通过介质层的选取，可以进一步调整介质和/或金属界面特性，从而实现结构特性的调控。所述介质材料包括Al2O3、Si3N4、SiO2、HfO2中的一个或多个。
在本发明的一个具体实施例中，采用石英玻璃作为衬底1。并利用Matlab(矩阵实验室)编写双凹环形的三维结构的相应的激光体像素的扫描路径形成对应的三维曲线，将三维曲线数据化后并载入到激光直写设备的相应软件中。采用从下而上方式，利用激光功率为52mw，中心波长为780nm的飞秒激光，脉宽约为120fs，使用数值孔径NA＝1.4的100×油浸物镜，光具有的体像素的横向尺寸Vx为360nm，纵向尺寸Vz为1000nm，从而使三维上升轨迹中上下相邻的体像素间在水平方向上的叠加为210nm，高度方向上的叠加为840nm。三维上升轨迹中，分别位于上下相邻的两个圆的上下相邻的体像素在竖直方向的递增量为dz，水平方向的递减量为dr，dz/dr的值大致固定为4。在一个更具体的实施例中，dr＝190nm，dz＝760nm，制备出的三维结构，其总高为20μm，支撑圆柱4的半径为10μm，顶部微盘5的半径为40μm，垂耳部6的内径为38μm，外径为40μm。在三维结构的表面采用电子束蒸发的方式沉积40nm的金膜，从而可以获得既具有液体全超憎功能，又具有三维等离激元光学特性的三维结构。经过测试表明，该三维结构与水的接触角以及与酒精的接触角，均大于160°。
图4是图3所示三维结构的主视图。参见图4，该三维结构采用双凹环形结构，对所有液体，包括表面能极低的液体，均具有全超憎特性，具有较广泛的应用前景。
至此，本领域技术人员应认识到，虽然本文已详尽示出和描述了本发明的多个示例性实施例，但是，在不脱离本发明精神和范围的情况下，仍可根据本发明公开的内容直接确定或推导出符合本发明原理的许多其他变型或修改。因此，本发明的范围应被理解和认定为覆盖了所有这些其他变型或修改。

Claims (10)

1.一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法，具体步骤如下：
步骤1、选取用于支撑所述三维结构的衬底；
步骤2、在所述衬底上敷涂光刻胶；
步骤3、使用激光直写设备对所述光刻胶的预先设计区域进行曝光，形成曝光区；
步骤4、对所述曝光区的光刻胶进行显影、定影，获得所述三维结构。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述预先设计区域通过将预先设计图形进行切片处理后形成若干个相应的切片层并产生相应的曝光点，所述激光直写设备通过激光体像素对每一所述曝光点逐次进行曝光，相邻的曝光点相连从而形成连续的曝光区。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述预先设计区域通过所述激光直写设备中的程序对预先设计图形进行数字化设计而形成。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述预先设计区域采用Matlab软件设计形成。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其中，所述光刻胶采用正性光刻胶。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其中，所述光刻胶采用负性光刻胶，对所述曝光区的光刻胶进行显影、定影具体包括：将曝光后的所述光刻胶浸泡在丙二醇甲醚醋酸酯显影液中30分钟，再采用异丙醇定影5分钟，然后用氮气枪吹干，从而获得所述三维结构。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其中，所述三维结构是由支撑柱形结构、顶部微盘以及垂耳部所形成的双凹环形，所述顶部微盘的中心与所述支撑柱形结构的中心在同一竖直方向上，所述垂耳部垂直布置在所述顶部微盘的边缘并朝向所述衬底。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述顶部微盘为圆形、三角形或多边形。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的制备方法，其中，还包括在所述三维结构表面制备功能层，所述制备功能层为在所述三维结构表面进行介质和/或金属的沉积。
10.根据权利要求9项所述的制备方法，其中，所述金属材料为金或银，所述介质材料包括Al2O3、Si3N4、SiO2、HfO2中的一个或多个。
CN201510881854.XA 2015-12-03 2015-12-03 一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法 Pending CN105480939A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510881854.XA CN105480939A (zh) 2015-12-03 2015-12-03 一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510881854.XA CN105480939A (zh) 2015-12-03 2015-12-03 一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105480939A true CN105480939A (zh) 2016-04-13

Family

ID=55668274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510881854.XA Pending CN105480939A (zh) 2015-12-03 2015-12-03 一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105480939A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106744657A (zh) * 2016-12-09 2017-05-31 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法
CN107863423A (zh) * 2017-10-26 2018-03-30 江苏新广联半导体有限公司 Led倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法
CN108017035A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 中国科学院深圳先进技术研究院 一种仿生壁虎干胶及其制备方法
CN108627894A (zh) * 2017-03-16 2018-10-09 厦门大学 一种大面积的纳米透镜型阵列及其制备方法
CN111517275A (zh) * 2020-05-09 2020-08-11 中北大学 一种实用化射频mems开关双层牺牲层的制备方法
CN112309826A (zh) * 2019-07-24 2021-02-02 中国科学院微电子研究所 半导体器件及制作方法及包括该器件的电子设备
CN112987501A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 直写光刻系统和直写光刻方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101692152A (zh) * 2009-10-19 2010-04-07 北京大学 基于聚合物激光烧蚀的三维光刻方法
CN101786200A (zh) * 2010-02-26 2010-07-28 华中科技大学 一种自由曲面上的投影式激光刻蚀方法
CN103011058A (zh) * 2012-12-13 2013-04-03 中国科学院物理研究所 利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法
CN103311659A (zh) * 2013-04-27 2013-09-18 大连理工大学 复合螺旋天线精密制造方法与测量加工装置
CN103325674A (zh) * 2013-05-23 2013-09-25 厦门大学 一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法
CN104627952A (zh) * 2015-01-13 2015-05-20 华中科技大学 一种柔性超疏水超疏油结构制备方法
CN104880754A (zh) * 2015-04-24 2015-09-02 苏州大学 亚波长三维螺旋圆偏振滤光片及其制作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101692152A (zh) * 2009-10-19 2010-04-07 北京大学 基于聚合物激光烧蚀的三维光刻方法
CN101786200A (zh) * 2010-02-26 2010-07-28 华中科技大学 一种自由曲面上的投影式激光刻蚀方法
CN103011058A (zh) * 2012-12-13 2013-04-03 中国科学院物理研究所 利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法
CN103311659A (zh) * 2013-04-27 2013-09-18 大连理工大学 复合螺旋天线精密制造方法与测量加工装置
CN103325674A (zh) * 2013-05-23 2013-09-25 厦门大学 一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法
CN104627952A (zh) * 2015-01-13 2015-05-20 华中科技大学 一种柔性超疏水超疏油结构制备方法
CN104880754A (zh) * 2015-04-24 2015-09-02 苏州大学 亚波长三维螺旋圆偏振滤光片及其制作方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108017035A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 中国科学院深圳先进技术研究院 一种仿生壁虎干胶及其制备方法
CN106744657A (zh) * 2016-12-09 2017-05-31 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法
CN108627894A (zh) * 2017-03-16 2018-10-09 厦门大学 一种大面积的纳米透镜型阵列及其制备方法
CN108627894B (zh) * 2017-03-16 2020-01-07 厦门大学 一种大面积的纳米透镜型阵列及其制备方法
CN107863423A (zh) * 2017-10-26 2018-03-30 江苏新广联半导体有限公司 Led倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法
CN112309826A (zh) * 2019-07-24 2021-02-02 中国科学院微电子研究所 半导体器件及制作方法及包括该器件的电子设备
CN112309826B (zh) * 2019-07-24 2022-10-21 中国科学院微电子研究所 半导体器件及制作方法及包括该器件的电子设备
CN112987501A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 直写光刻系统和直写光刻方法
WO2021120906A1 (zh) * 2019-12-17 2021-06-24 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 直写光刻系统和直写光刻方法
CN111517275A (zh) * 2020-05-09 2020-08-11 中北大学 一种实用化射频mems开关双层牺牲层的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105480939A (zh) 一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法
Dunn et al. Laser textured surface gradients
Chen et al. Coalescence-induced jumping of multiple condensate droplets on hierarchical superhydrophobic surfaces
US10281398B2 (en) Lithographic systems and methods
CN104625415B (zh) 飞秒激光制备仿生超疏水微纳表面的方法及装置
Ye et al. Formation of broadband antireflective and superhydrophilic subwavelength structures on fused silica using one-step self-masking reactive ion etching
CN111913364B (zh) 一种快速制备跨尺度三维微结构的方法
CN103025475B (zh) 激光加工方法
JP2004511420A (ja) マランゴニ効果を利用し処理流体を制御して適用することによる表面輪郭限定方法及びその装置
CN102866580A (zh) 一种纳米光刻方法及装置
CN103011058A (zh) 利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法
Smith et al. Design, simulation, and fabrication of three-dimensional microsystem components using grayscale photolithography
CN105204289B (zh) 一种三维等离激元光学聚焦结构的制备方法
Peethan et al. Laser‐Assisted Tailoring of Surface Wettability‐Fundamentals and Applications: A Critical Review
CN106033092B (zh) 一种光纤探针及其制备方法
Svavarsson et al. Large arrays of ultra-high aspect ratio periodic silicon nanowires obtained via top–down route
CN110596905A (zh) 一种用于光束均匀化的随机微透镜阵列结构及其制作方法
CN106185792A (zh) 一种超疏水微纳复合结构的全参数可控制备方法
CN109797418A (zh) 一种在倾斜光纤端面大面积均匀制备金纳米孔阵列的方法
CN106374335A (zh) 集成电极电光调谐回音壁模式微腔的制备方法
US20210255370A1 (en) Liquid lenses and methods of manufacturing liquid lenses
Sundaram et al. Fabrication of micro-optical devices at the end of a multimode optical fiber with negative tone lift-off EBL
CN112147778A (zh) 一种超构透镜及其制作方法
CN102495526B (zh) 光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法
US20160279666A1 (en) Process for depositing a compact film of particles on the internal surface of a part having a hollow delimited by this internal surface

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160413