CN105452524B - 用于基板的支承布置以及用于使用用于基板的支承布置的设备和方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
提供了一种用于在真空层沉积期间支承基板(20)的支承布置(10)。支承布置(10)包括:框架(30),配置以支撑基板(20);以及一个或多个支承装置(40),附连至框架(30)并且配置以将支承力提供至基板(20)。每一个支承装置(40)包括:弹性单元(41),配置以提供支承力;以及卡合构件(42),配置成被卡合以提供与支承力相反的释放力(52),从而释放基板(20)。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种用于在处理(例如,层沉积)期间支承基板的支承布置。本发明的实施例特别涉及一种用于在真空层沉积期间支承基板的支承布置。
背景技术
已知用于在基板上沉积材料的若干方法。例如,基板可通过物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)工艺等来涂覆。典型地,工艺在工艺设备或工艺腔室中执行,待涂覆的基板位于所述工艺设备或工艺腔室中。在设备中提供沉积材料。多种材料以及这些材料的氧化物、氮化物或碳化物可用于在基板上进行的沉积。此外,其他步骤(像蚀刻、结构化(structuring)、退火等)可在工艺腔室中执行。
所涂覆的材料可用于若干应用中以及若干技术领域中。例如,应用在微电子领域中,诸如,生成半导体器件。此外,用于显示器的基板经常通过PVD工艺来涂覆。进一步的应用包括绝缘面板、有机发光二极管(OLED)面板、具有TFT的基板、滤色器等。
典型地,在玻璃基板的处理期间,所述玻璃基板可被支撑在载件上。载件支撑玻璃或基板,并且被驱动通过处理机器。由此,载件驱动玻璃或基板。载件典型地形成框架或板,所述框架或板沿基板的外围支撑所述基板的表面,或者在板的情况下,所述板以自身来支撑表面。特别地,框架形载件也可用于对玻璃基板掩模,其中,由框架围绕的载件中的口径(aperture)提供用于将待沉积的材料涂覆在被暴露的基板部分上的口径,或者提供用于在作用于由口径暴露的基板部分上的其他处理步骤的口径。此外,提供支承布置以将基板固定至框架,并且在沉积工艺期间将所述基板支承在适当的位置。
为了将基板固定在载件中,具有不同的可用的支承布置,例如,玻璃支承件。最简单的支承件是合适的弯曲的片弹簧(flat spring)。这种类型的弹簧需要从载件/玻璃的前侧作用的推动器(pusher)来打开所述弹簧。因此,在载件框架中需要孔。在处理期间,涂覆材料通过所述孔,这导致对弯曲的片弹簧的涂覆。当插入推动器以打开支承件时,涂层从弯曲的片弹簧上被刮除,由此生成妨碍涂层质量的颗粒。避免颗粒生成是客户的重要考量。从载件的后侧进行操作的其他已知的支承件在制造和维护上是非常昂贵的。
鉴于上述内容,目标在于提供克服了本领域中的问题中的一些问题的支承布置,特别是用于在真空层沉积期间支承基板的支承布置。
发明内容
鉴于上述内容,提供了根据独立权利要求1的一种用于在真空层沉积期间支承基板的支承布置以及根据独立权利要求19的一种用于释放由所述的支承布置支承的基板的方法。通过从属权利要求、说明书和所附附图,本发明的其他方面、优点和特征是明显的。
根据一个实施例,提供了一种用于在真空层沉积期间支承基板的支承布置。所述支承布置包括:框架,配置以支撑基板;以及一个或多个支承装置,附连至所述框架并且配置以将支承力提供至所述基板。每一个支承装置包括:弹性单元,配置以提供支承力;以及卡合构件,配置成被卡合以提供与支承力相反的释放力,从而释放基板。
根据另一实施例,提供了一种用于在真空层沉积期间支承基板的支承布置。所述支承布置包括:框架,配置以支撑基板;以及一个或多个支承装置,附连至所述框架并且配置以将支承力提供至所述基板,其中,在对应于所述一个或多个支承装置的位置处没有在所述框架中形成的通孔。
根据另一方面,提供了一种用于在基板上沉积层的设备。所述设备包括:腔室,适用于在其中进行层沉积;在所述腔室内的、如上所述的支承布置;以及沉积源,用于沉积形成层的材料。
根据又一方面,提供了一种用于释放由具有弹性单元与卡合构件的支承布置支承的基板的方法。所述方法包括:通过弹性单元将支承力提供至基板;卡合卡合构件;将与支承力相反的释放力施加至卡合构件;以及释放基板。
附图说明
因此,为了可详细地理解本发明的上述特征的方式,可参照实施例进行对上文中简要概述的本发明的更特定的描述。所附附图关于本发明的实施例,并且描述如下:
图1示出根据本文中所述的实施例的支承布置,并且具有在所述支承布置的基板区域中提供的基板;
图2示出根据本文中所述的实施例的支承布置以及用于释放基板的外部单元;
图3示出根据本文中所述的实施例的、由用于释放基板的外部单元卡合(engage)的支承布置的详细视图;
图4示出根据本文所述的实施例的、由用于释放基板的外部单元卡合并拉动(pull)的支承布置的详细视图;
图5示出根据本文中所述的实施例的支承布置的支承装置的示例;
图6示出根据本文中所述的实施例的支承布置的支承装置的另一示例;
图7示出利用根据本文中所述的实施例的支承布置的、用于在基板上沉积材料层的设备的视图;以及
图8示出根据本文中所述的实施例的、用于释放基板的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细地参照本发明的各种实施例,在附图中示出各种实施例的一个或多个示例。在以下对附图的描述中,相同的参考编号指示相同的元件。一般而言,仅描述相对于单独的实施例的区别。通过解释本发明来提供每一个示例,并且每一个示例不旨在作为本发明的限制。此外,示出或描述为一个实施例的部分的特征可用于其他实施例或可结合其他实施来使用,从而获得进一步的实施例。说明书旨在包括此类修改和变型。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的典型实施例,基板厚度可以是从0.1至1.8mm,并且支承布置(特别是支承装置)可适用于此类基板厚度。然而,当基板厚度是约0.9mm或更低(诸如,0.5mm或0.3mm)时是特别有益的,并且支承布置以及支承装置特别适用于此类基板厚度。
根据一些实施例,大面积基板可具有至少0.174m2的尺寸。典型地,所述尺寸可以是约1.4m2至约8m2,更典型地,约2m2至约9m2,或甚至高达12m2。典型地,为其提供了根据本文中所述的实施例的掩模结构、设备和方法的矩形基板是本文中所述的大面积基板。例如,大面积基板可以是第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至第10代,其中,第5代对应于约1.4m2的基板(1.1m x 1.3m),第7.5代对应于约4.39m2的基板(1.95m x 2.2m),第8.5代对应于约5.5m2的基板(2.2m x 2.5m),第10代对应于约8.7m2的基板(2.85m×3.05m)。可类似地实现甚至更高代(诸如,第11代和第12代)以及对应的基板面积。
典型地,基板可由适合用于材料沉积的任何材料制成。例如,基板可由选自由以下各项组成的组中的材料制成:玻璃(例如,钠钙玻璃、硼硅玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料或任何其他材料或可通过沉积工艺涂覆的材料的组合。
图1示出根据本文中所述的实施例的支承布置10或载件。
用于在真空层沉积期间支承基板20的支承布置10包括:框架30,配置以支撑基板20;以及一个或多个支承装置40,附连至所述框架30,并且经配置以将支承力提供给基板20。根据一些实施例,每一个支承装置40包括弹性单元和卡合构件42,所述弹性单元配置以提供支承力,所述卡合构件42配置成被卡合以提供与所述支承力相反的释放力52来释放基板20。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,弹性单元和卡合构件42由单件(one piece)形成。根据一些其他实施例,弹性单元和卡合构件42由两个或更多个件形成。作为示例,弹性单元和卡合构件42可独立于彼此而形成(即,作为两个分离的件或实体),并且随后可通过例如锻接(welding)、焊接(soldering)、螺钉、粘合剂、夹持等、或上述方式的组合而彼此附连。本文中所使用的“卡合构件(engaging means)”可意指单数或复数形式的“构件”,即,一个单个的卡合构件,或者两个或更多个卡合构件。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,在框架30的后侧提供支承装置40。框架30的前侧是在层沉积期间暴露于沉积源的侧,而框架30的后侧是在层沉积期间不暴露于沉积源的侧。根据一些实施例,从所述后侧将基板加载到框架30中或加载到框架30上。可从框架30的后侧打开支承装置40以释放基板20。因此,在框架中不需要孔,并且在支承装置的打开和释放期间没有粒子生成。由此,改善了例如所沉积的层的质量。
框架30配置成用于支撑基板20。根据一些实施例,框架30限定口径开口(apertureopening)以容置基板20。例如,基板20可定位在所述口径开口内。作为示例,基板20可定位在所述口径开口内以覆盖所述基板20的边(rim)或边缘(edge),从而避免涂覆所述边或边缘。因此,可由载件的框架提供边缘排除掩模。根据一些实施例,在所述口径开口内提供用于支承基板20的边缘区域的至少部分的支撑表面。作为示例,框架30的剖面可为L形以提供所述支撑表面。
根据一些其他实施例(例如,图1中所示的实施例),在框架30的后侧布置基板20。根据一些实施例,在框架30的一侧的上表面上布置基板20。在这两种情况下,所述基板20的边或边缘不一定必须被覆盖。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,提供掩模布置以在相反的侧(例如,前侧)上覆盖基板20的边或边缘,从而排除所述边或边缘受到层沉积。根据一些实施例,框架30自身可充当掩模布置或可提供附加的掩模操作。如图1和图2的示例中所示,待处理的表面的边缘区域的至少部分由框架30覆盖或掩模。
图1中的支承布置10包括附连至框架30的一个或多个支承装置40。例如,这一个或多个支承装置40可附连至框架30的后侧。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,这一个或多个支承装置40中的至少一个稳固地附连至框架30。支承装置可通过支承元件被附连,所述支承元件诸如,螺钉、焊接、锻接、夹持和/或粘合或上述各项的组合。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,这一个或多个支承装置40中的至少一个以基本上平行于基板区域(即,基本上平行于基板20的表面)且沿框架30是可移动的方式被附连至框架30。这允许取决于例如工艺要求、待涂覆的区域等以在框架30的不同位置处(例如,在基板20的任何边缘位置处)对支承装置40的定位。
在图1中所示的示例中,在框架30的相反侧(框架元件)处提供两个支承装置40。虽然在图1中示出两个支承装置40,但是当前的实施例不限于此。可在框架30的不同位置处提供多于两个的支承装置40。根据一些实施例,可在框架30的角落区域中提供两个或更多个支承装置40中的至少一个。根据一些实施例,例如可在框架30的侧上(即,在基板20的每一侧上)提供多于一个支承装置40。
图2示出根据本文中所述的实施例的支承布置10以及用于释放基板20的外部单元50。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,外部单元50配置以卡合或被插入到支承装置40(特别是支承装置40的卡合构件42)中。作为示例,外部单元50包括配置以卡合或被插入到支承装置40(特别是卡合构件42)中的元件。例如,外部单元50为L形,其中,L形外部单元50的多个部分中的一个部分配置以卡合或被插入到支承装置40中。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,外部单元50包括配置以卡合支承装置40的杆状单元51或棒状单元。作为示例,杆状单元51或棒状单元可以是L形外部单元50的多个部分中的一个部分,特别是图2中所示的较短的部分。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,外部单元50是手持式装置,所述手持式装置可由使用者持有或导引以卡合支承装置40的卡合构件42,从而释放基板20。根据一些其他实施例,外部单元50可由机械装置提供,机械装置例如,自动化机构或装置,所述装置诸如,机器人装置(robotic device)、机器人搬运装置(robot handler)和/或机器人夹具(robot grip)。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,支承装置40的卡合构件42配置成被拉动以提供释放力。作为示例,外部单元50卡合或被插入到支承装置40的卡合构件42中,并且被拉动以提供抵抗支承力的释放力。通过拉动而不是推动(如上文中参照本公开的背景部分所述),在框架30中不需要孔,并且因此没有将妨碍涂覆工艺(例如,溅射)的颗粒生成。由此,特别是改善了所沉积的层的质量。
图3示出根据本文中所述的实施例的、由用于释放基板20的外部单元50卡合的支承布置10详细视图。
图3中所示的支承布置10包括:弹性单元,配置以提供支承力;以及卡合构件42,配置以被卡合以提供与支承力相反的释放力,从而释放基板20。根据一些实施例,弹性单元和卡合构件42由单件形成。
根据一些其他实施例,弹性单元和卡合构件42由两个或更多个件形成。作为示例,弹性单元和卡合构件42可独立于彼此而形成(即,作为两个分离的件或实体),并且随后可通过例如锻接、焊接、螺钉、粘合剂等彼此附连。
根据一些实施例,弹性单元提供作用于基板20的表面的支承力。在图3中所示的示例中,经由支承装置40的接触区域43将支承力提供至基板20的表面。根据一些实施例,弹性单元配置以提供基本上垂直于基板20的表面的支承力。在图3中所示的示例中,支承力将基板20抵压在后述的框架30的支撑部分33的表面上。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,接触区域43包括接触单元。例如,接触单元包括柔性材料,或由柔性材料制成。作为示例,接触单元包括橡胶,或由橡胶制成。接触单元的一个有益的效应在于,可避免基板20的表面的损伤,特别是刮伤。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,弹性单元的至少部分具有设有一个或多个反转点的波状形状。根据一些实施例,如图3中所示,弹性单元具有设有三个反转点的波状形状。根据一些实施例,弹性单元是弯曲的的片弹簧。弹性单元的弹性性质提供作用于基板20的表面的支承力。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,弹性单元具有一个或多个通孔44,以便将支承装置40固定至框架30。例如,这一个或多个通孔44配置成用于支承元件(例如,螺钉)的插入。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,弹性单元不具有通孔,并且通过焊接、锻接、夹持和/或粘合或这些方式的组合被固定至框架30。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,由围绕一个或多个反转点中的一个的区域来限定卡合构件42。这允许支承装置40的简单且具成本效益的制造,因为由围绕一个或多个反转点中的一个的区域来限定卡合构件42而不需要提供任何附加的元件。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,弹性单元和卡合构件42由单件形成。这允许支承装置的简单且具成本效益的制造。
根据一些其他实施例,弹性单元和卡合构件42由两个或更多个件形成。作为示例,弹性单元和卡合构件42可独立于彼此而形成(即,作为两个分离的件或实体),并且随后可通过例如锻接、焊接、螺钉、粘合剂、夹持等或这些方式的组合来彼此附连。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,弹性单元包括金属或合成材料。作为示例,作为一个单个件的弹性单元和卡合构件42可至少部分地由金属或合成材料制成。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,框架30包括主部分31和支撑部分33。主部分31限定口径开口,所述口径开口配置成容置基板20。根据一些实施例,支撑部分33附连至主部分31的下表面,并且延伸至口径开口中以提供基板20的支撑表面。然而,主部分31和支撑部分33也可由一个单个的件制成,即,主部分31和支撑部分33可一体式形成。根据一些实施例,支撑部分33(特别是所述支撑部分33的支撑表面)可用于在层沉积期间对基板边缘掩模。
根据一些实施例,能以可交换的方式来提供支撑部分33。由此,框架30可适用于不同的应用,例如,不同的掩模需求或用于支承不同类型的基板。例如,当待掩模的边缘区域是大的和/或当将处理薄基板时,可提供相比当待掩模的边缘区域是小的和/或当将处理厚基板时所使用的对应的支撑部分更进一步延伸至口径开口中的支撑部分33。这大大增强了支承布置10的灵活性(flexibility)。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,框架30具有形成在所述框架30中的凹槽32。所述凹槽32配置成容纳支承装置40。这具有如下特别的优点:支承布置的后侧是基本上平面的,使得所述支承布置可附连至例如平面传输装置,如下文中在图7中所示。此外,例如在框架30的搬运(handling)期间,支承装置40受保护免受意外的撞击。根据一些实施例,凹槽32配置以提供足够的空间,使得卡合构件42可与外部单元50卡合。根据一些实施例,凹槽32在框架30的主部分31中形成。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,框架30具有与基板侧或边缘中的至少一个相反的至少一个边缘。根据一些实施例,当将基板20加载到框架30中时,在基板侧或边缘中的至少一个与所述至少一个边缘之间存在距离。作为示例,当将基板20加载到所述框架30中时,所述距离为1至3mm,特别是1.5至2mm。在处理期间,可特别加热基板20,并且基板20由此经受热膨胀。通过在加载时提供在基板侧或边缘中的至少一个与所述至少一个边缘之间的距离,避免了处理期间基板20的破损。
根据一些实施例,所述至少一个边缘为配置成接触基板侧或边缘中的至少一个以将基板20支承在适当的位置的接触边缘。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,提供两个或更多个边缘。作为示例,所述边缘中的一个可提供作为接触边缘,其中,所述边缘中的一个或多个可提供为具有与它们的相反的基板侧或边缘的距离。这对于竖直地取向的基板是特别有利的。在这种情况下,可提供接触边缘以便沿重力向量来支撑基板的重量,其中,所述边缘中的一个或多个可提供成具有到它们的相反的基板侧或边缘的距离,从而避免因热膨胀而导致的基板的破损。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,用于在真空层沉积期间支承基板的支承布置包括:框架30,配置以支撑基板20;以及一个或多个支承装置40,附连至所述框架30并且配置以将支承力提供给基板20,其中,在一个或多个支承装置40的多个位置处,没有形成在所述框架30中的通孔。由此,在框架中没有涂覆材料在处理期间可通过的孔,并且因此没有对弯曲的片弹簧的涂覆发生。结果,在弯曲的片弹簧上没有可能被刮落并影响涂层质量的涂层。此外,可避免所沉积的材料在孔中渗透并渗透过孔,所沉积的材料在孔中渗透并渗透过孔可能导致载件和/或基板的后侧处的污染。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,用于释放由包括弹性单元的支承布置来支承的基板20的方法包括:由弹性单元将支承力提供至基板;以及施加与所述支承力相反的释放力,这特别是通过以外部单元拉动来进行。因此,根据本文中所述的实施例,当提供释放机制时可避免载件的框架中的开口。根据可与本文中所述的其他实施例结合的本文中所述的实施例,所述释放力是例如由外部单元提供的拉力。这可例如由根据本文中所述的、具有卡合构件的支承装置来提供。
图4示出根据本文中所述的实施例的、由用于释放基板20的外部单元50卡合并拉动的支承布置10的详细视图。
在图4的示例中,拉动外部单元50以提供抵抗由弹性单元提供的支承力的释放力。弹性单元例如向上弯曲以释放基板20。由此,可例如在完成沉积工艺之后移除基板20。
图5示出根据可与本文中所述的其他实施例结合的实施例的支承布置10的支承装置40的另一示例。
支承装置40与图3和图4中所示的支承装置类似,因此,上文中参照图3和图4提供的对完全相同的或类似的特征或元件的描述也适用于图5中所示的示例。
如图5中所示,支承装置40是具有弹性单元41和卡合构件42的弯曲的片弹簧。卡合构件42由围绕一个或多个反转点46中的一个的区域来限定。片弹簧包括位于其中央部分的切除部。由此,通过调整所述切除部的尺寸,可调整支承装置40的弹性,并进而调整施加于基板的支承力的量。
图6示出可与本文中所述的其他实施例结合的支承布置10的支承装置40的又一示例。
图6的支承装置40与图3、图4和图5中所示的支承装置类似,上文中参照图3、图4和图5提供的对完全相同的或类似的特征或元件的描述也适用于图6中所示的示例。
如图6中所示,支承装置40是具有两个或更多个反转点46和接触区域45的弯曲的片弹簧,所述接触区域45用于接触基板。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,弹性单元具有一个或多个通孔44,用于将支承装置40固定至框架30。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,支承装置40包括弯曲的端部。所述弯曲的端部形成卡合构件42。作为示例,弯曲的端部形成环路(loop),所述环路配置成由外部单元卡合。
根据不同的实施例,支承布置10可用于PVD沉积工艺、CVD沉积工艺、基板结构化磨边(substrate structuring edging)、加热(例如,退火)或任何种类的基板处理。本文中所述的支承布置10的实施例以及利用此类支承布置10的方法对于对竖直地取向的大面积玻璃基板的非静止式(即,连续的)基板处理是特别有用的。非静止式处理一般要求支承布置也提供用于工艺的掩模元件。
图7示出根据实施例的腔室600(例如,沉积腔室)。腔室600适用于沉积工艺,诸如,PVD或CVD工艺。基板20示出为位于基板传输装置620上的、根据本文中所述的实施例的支承布置10或载件内,或位于支承布置10或载件处。在处理腔室612中,面向基板20的待涂覆的侧提供沉积源630(例如,材料源或沉积材料源)。沉积源(例如,沉积材料源)提供待沉积在基板20上的沉积材料。
在图7中,沉积源630可以是在其上具有沉积材料的靶材,或允许释放材料以在基板20上沉积的任何其他布置。典型地,沉积源630可以是可转动靶材。根据一些实施例,沉积源630可以是可移动的以定位和/或替换沉积源。根据其他实施例,沉积源可以是平面靶材。
根据一些实施例,可根据沉积工艺和所涂覆的基板的随后的应用来选择沉积材料。例如,沉积源的沉积材料可以是选自由以下各项组成的组的材料:金属、硅、氧化铟锡和其他透明导电氧化物,所述金属诸如,铝、钼、钛、铜等。典型地,可通过提供来自沉积源的材料或通过反应式沉积(reactive depositon)(即,来自沉积源的材料与来自处理气体的、像氧、氮或碳那样的元素反应)来沉积可包括此类材料的氧化物层、氮化物层或碳化物层。根据一些实施例,薄膜晶体管材料可作为沉积材料,所述薄膜晶体管材料像是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮氧化铝。
典型地,在支承布置10或载件内或在支承布置10或载件处提供基板20,所述支承布置10或载件也可充当边缘排除掩模,特别是用于非静止式沉积工艺。虚线665示例性地示出在腔室的操作期间沉积材料的路径。根据可与本文中所述的其他实施例结合的其他实施例,可将分开的边缘排除掩模提供给掩模操作,在所述处理腔室612中提供所述分开的边缘排除掩模。由此,根据本文中所述的实施例的支承布置10对于静止式工艺以及对于非静止式工艺都是有益的。
如图7中所示,可从后侧打开支承装置40以释放基板20。因此,在框架30中不需要孔,并且没有将妨碍涂覆工艺(溅射)的颗粒生成。由此,特别是改善了所沉积的层的质量。
图8示出根据本文中所述的实施例的、用于释放基板的方法80的流程图。
用于释放使用具有弹性单元和卡合构件来夹持的基板的方法80包括以下框:由弹性单元将支承力提供81至基板的框;卡合82卡合构件的框;将与所述支承力相反的释放力施加83至卡合构件的框;以及释放84基板的框。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例,将释放力施加83至卡合构件包括:拉动卡合构件以提供释放力。
根据本文中所述的实施例,支承布置的支承装置特别在沉积处理期间稳固地支承基板。由于可从框架的后侧打开支承装置以释放基板,框架中不需要孔,并且因而没有将妨碍涂覆工艺(溅射)的颗粒产生。由此,特别是改善了所沉积的层的质量。
虽然上述内容针对本发明的实施例,但是可设计本发明的其他和进一步的实施例而不背离本发明的基本范围,并且本发明的范围由所附权利要求书来确定。
Claims (28)
1.一种用于在真空层沉积期间支承基板(20)的支承布置(10),所述支承布置(10)包括:
框架(30),所述框架(30)配置以支撑所述基板(20);以及
一个或多个支承装置(40),所述一个或多个支承装置(40)附连至所述框架(30),并且配置以将支承力提供至所述基板(20),每一个支承装置(40)包括:
弹性单元(41),所述弹性单元(41)配置以提供所述支承力;以及
卡合构件(42),所述卡合构件(42)配置成被卡合以提供与所述支承力相反的释放力(52),从而释放所述基板(20),其中,所述弹性单元(41)的至少部分具有设有一个或多个反转点(46)的波状形状,并且所述卡合构件(42)由围绕所述一个或多个反转点(46)中的一个的区域来限定。
2.如权利要求1所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)和所述卡合构件(42)由单件形成。
3.如权利要求1所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)和所述卡合构件(42)由两个或更多个件形成。
4.如权利要求1或2所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)是弯曲的片弹簧。
5.如权利要求1或2所述的支承布置(10),其特征在于,所述卡合构件(42)配置成由杆状单元(51)卡合。
6.如权利要求1或2所述的支承布置(10),其特征在于,所述卡合构件(42)配置成被拉动以提供所述释放力(52)。
7.如权利要求1或2所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)包括一个或多个通孔(44),所述一个或多个通孔(44)用于将所述一个或多个支承装置(40)固定至所述框架(30)。
8.如权利要求1或2所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)包括接触区域(43、45),所述接触区域(43、45)配置以接触所述基板(20)以将所述支承力提供至所述基板(20)。
9.如权利要求8所述的支承布置(10),其特征在于,所述接触区域(45)包括接触单元,所述接触单元由柔性材料制成。
10.如权利要求1或2所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)包括金属或合成材料。
11.如权利要求1或2所述的支承布置(10),其特征在于,每一个支承装置(40)定位在凹槽(32)中,所述凹槽(32)形成在所述框架(30)中。
12.如权利要求11所述的支承布置(10),其特征在于,所述凹槽(32)配置以提供空间,以供利用外部单元(50、51)来卡合所述卡合构件(42)。
13.一种用于在基板(20)上沉积层的设备,所述设备包括:
腔室(600),所述腔室(600)适用在所述腔室(600)中进行层沉积;
所述腔室(600)内的、根据权利要求1或2的支承布置(10);以及
沉积源(630),所述沉积源(630)用于沉积形成所述层的材料。
14.一种用于在真空层沉积期间支承基板(20)的支承布置(10),所述支承布置(10)包括:
框架(30),所述框架(30)配置以支撑所述基板(20);以及
一个或多个支承装置(40),所述一个或多个支承装置(40)附连至所述框架(30),并且配置以将支承力提供至所述基板(20),其中,在对应于所述一个或多个支承装置的多个位置处没有在所述框架(30)中形成的通孔,其中每一个支承装置(40)包括弹性单元(41)和卡合构件(42),所述弹性单元(41)配置以提供所述支承力,所述卡合构件(42)配置成被卡合以提供与所述支承力相反的释放力(52),从而释放所述基板(20),其中,所述弹性单元(41)的至少部分具有设有一个或多个反转点(46)的波状形状,并且所述卡合构件(42)由围绕所述一个或多个反转点(46)中的一个的区域来限定。
15.如权利要求14所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)和所述卡合构件(42)由单件形成。
16.如权利要求14所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)和所述卡合构件(42)由两个或更多个件形成。
17.如权利要求14或15所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)是弯曲的片弹簧。
18.如权利要求14或15所述的支承布置(10),其特征在于,所述卡合构件(42)配置成由杆状单元(51)卡合。
19.如权利要求14或15所述的支承布置(10),其特征在于,所述卡合构件(42)配置成被拉动以提供所述释放力(52)。
20.如权利要求14或15所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)包括一个或多个通孔(44),所述一个或多个通孔(44)用于将所述一个或多个支承装置(40)固定至所述框架(30)。
21.如权利要求14或15所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)包括接触区域(43、45),所述接触区域(43、45)配置以接触所述基板(20)以将所述支承力提供至所述基板(20)。
22.如权利要求21所述的支承布置(10),其特征在于,所述接触区域(45)包括接触单元,所述接触单元由柔性材料制成。
23.如权利要求14或15所述的支承布置(10),其特征在于,所述弹性单元(41)包括金属或合成材料。
24.如权利要求14或15所述的支承布置(10),其特征在于,每一个支承装置(40)定位在凹槽(32)中,所述凹槽(32)形成在所述框架(30)中。
25.如权利要求24所述的支承布置(10),其特征在于,所述凹槽(32)配置以提供空间,以供利用外部单元(50、51)来卡合所述卡合构件(42)。
26.一种用于在基板(20)上沉积层的设备,所述设备包括:
腔室(600),所述腔室(600)适用在所述腔室(600)中进行层沉积;
所述腔室(600)内的、根据权利要求14或15的支承布置(10);以及
沉积源(630),所述沉积源(630)用于沉积形成所述层的材料。
27.一种用于释放由包括弹性单元(41)与卡合构件(42)的支承布置(10)支承的基板(20)的方法(80),所述方法(80)包括:
通过所述弹性单元(41)将支承力提供(81)至所述基板(20);
卡合(82)所述卡合构件(42);
将与所述支承力相反的释放力(52)施加(83)至所述卡合构件(42);以及
释放(84)所述基板(20),其中,所述弹性单元(41)的至少部分具有设有一个或多个反转点(46)的波状形状,并且所述卡合构件(42)由围绕所述一个或多个反转点(46)中的一个的区域来限定。
28.如权利要求27所述的方法(80),其特征在于,将所述释放力施加(83)至所述卡合构件(42)包括以下步骤:拉动所述卡合构件(42)。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2013/066293 WO2015014410A1 (en) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | Holding arrangement for substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105452524A CN105452524A (zh) | 2016-03-30 |
CN105452524B true CN105452524B (zh) | 2018-12-11 |
Family
ID=48949131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201380078670.9A Active CN105452524B (zh) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 用于基板的支承布置以及用于使用用于基板的支承布置的设备和方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102190806B1 (zh) |
CN (1) | CN105452524B (zh) |
TW (1) | TW201518531A (zh) |
WO (1) | WO2015014410A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6505577B2 (ja) * | 2015-10-22 | 2019-04-24 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス物品保持具、及びガラス物品の製造方法 |
FR3049940B1 (fr) * | 2016-04-06 | 2018-04-13 | Saint- Gobain Glass France | Dispositif de support pour feuille de verre notamment dans une installation de lavage |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP2423350B1 (en) * | 2010-08-27 | 2013-07-31 | Applied Materials, Inc. | Carrier for a substrate and a method for assembling the same |
JP5963218B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2016-08-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 薄いガラス基板用のキャリアおよびその使用方法 |
-
2013
- 2013-08-02 WO PCT/EP2013/066293 patent/WO2015014410A1/en active Application Filing
- 2013-08-02 CN CN201380078670.9A patent/CN105452524B/zh active Active
- 2013-08-02 KR KR1020167005330A patent/KR102190806B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-08-04 TW TW103126527A patent/TW201518531A/zh unknown
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---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105452524A (zh) | 2016-03-30 |
KR20160040626A (ko) | 2016-04-14 |
KR102190806B1 (ko) | 2020-12-14 |
TW201518531A (zh) | 2015-05-16 |
WO2015014410A1 (en) | 2015-02-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |