CN105441951A - 一种金属抛光液及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于材料表面处理领域,公开了一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:聚甲醛10~18份、改性二氧化硅8~15份、大豆油2~5份、四乙酸二氨基乙烯4~8份、氨基磺酸钠3~9份、聚乙二醇4~9份、尿素2~6份、焦磷酸钠3~6份、环己醇8~20份、半胱氨酸4~10份、石油磺酸钠3~8份、羧甲基纤维素钠2~9份和去离子水40~70份。本发明还公开了所述金属抛光液的制备方法。本发明所制备的金属抛光液具有低化学腐蚀性,同时抛光效果好,表面光洁度佳,克服了传统的抛光液的腐蚀性差,表面平整度和表面一致性差的问题,具有较佳的应用前景。

Description

一种金属抛光液及其制备方法
技术领域
本发明属于材料表面处理领域,特别涉及一种金属抛光液及其制备方法。
背景技术
在机械加工过程中,往往需要对各种金属材料进行抛光处理在进行电镀或者涂装,以防护金属材料且使材料表面更美观。常用的抛光处理方法有机械抛光、化学抛光、电化学抛光等。相比于其它抛光方法,化学抛光由于其操作简单、效率高、成本低、不受抛光件形状的影响等优点,在机械加工过程中应用最为广泛。然而,化学抛光的腐蚀性较大无法适用耐腐蚀性胶差的金属材料,且抛光后材料的表面平整度和表面一致性较差,这些问题急需解决。
发明内容
要解决的技术问题是:为了克服化学抛光的腐蚀性较大,抛光后材料表面平整度和表面一致性较差等问题,提供一种新型金属抛光液及其制备方法。
技术方案:为了解决上述问题,本发明提供了一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛10~18份、改性二氧化硅8~15份、大豆油2~5份、四乙酸二氨基乙烯4~8份、氨基磺酸钠3~9份、聚乙二醇4~9份、尿素2~6份、焦磷酸钠3~6份、环己醇8~20份、半胱氨酸4~10份、石油磺酸钠3~8份、羧甲基纤维素钠2~9份和去离子水40~70份。
优选的,所述聚乙二醇的平均分子量为1800~2500。
优选的,所述改性二氧化硅为聚甲基丙烯酸接枝改性的二氧化硅。
优选的,所述改性二氧化硅的改性步骤为:将纳米二氧化硅置于乙二醇和去离子水中,并调节溶剂体系的PH呈碱性,然后加入聚甲基丙烯酸,在40~60℃下继续搅拌1~5h,然后过滤洗涤反应物至中性,即得改性二氧化硅;其中所述纳米二氧化硅:乙二醇:去离子水:聚甲基丙烯酸的质量比为5:8:3:1。
优选的,所述的一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛10~15份、改性二氧化硅10~15份、大豆油2~5份、四乙酸二氨基乙烯5~8份、氨基磺酸钠4~9份、聚乙二醇4~7份、尿素3~6份、焦磷酸钠3~6份、环己醇11~20份、半胱氨酸5~10份、石油磺酸钠3~8份、羧甲基纤维素钠2~7份和去离子水40~65份。
进一步,优选的,所述的一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛13份、改性二氧化硅11份、大豆油3份、四乙酸二氨基乙烯6份、氨基磺酸钠6份、聚乙二醇5份、尿素3份、焦磷酸钠4份、环己醇12份、半胱氨酸6份、石油磺酸钠4份、羧甲基纤维素钠5份和去离子水56份。
所述的一种金属抛光液的制备方法,制备步骤如下:
1)将适量的去离子水加入反应容器中,加热至45~55℃,然后依次加入氨基磺酸钠、聚乙二醇、尿素、焦磷酸钠、环己醇、半胱氨酸和羧甲基纤维素钠,充分搅拌均匀;
2)将改性二氧化硅、四乙酸二氨基乙烯、聚甲醛、大豆油和石油磺酸钠加入反应容器中并充分搅拌均匀1~2h,然后加入余下的去离子水,于45℃温度下搅拌3~6h,自然冷却至室温,即可。
本发明具有以下有益效果:本实施例所制备的金属抛光液的抛光效果好,表面光洁度检测结果为2级,即表面光亮,能看出面部五官和眉毛,但是眉毛部分不够清晰,且试验结果显示抛光液中的四乙酸二氨基乙烯、焦磷酸钠和半胱氨酸在抛光效果中发挥一定作用。在腐蚀度性能检测中,所制备的金属抛光液的腐蚀度为0.5~1.2%/h,也显示具有较低的腐蚀性能。故而,本发明所制备的金属抛光液具有低化学腐蚀性,同时抛光效果好,表面光洁度佳,克服了传统的抛光液的腐蚀性差,表面平整度和表面一致性差的问题,具有较佳的应用前景。
具体实施方式
为了进一步理解本发明,下面结合实施例对发明优选实施方案进行描述,但是应当理解,这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点,而不是对本发明权利要求的限制。
实施例1
一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛10份、改性二氧化硅8份、大豆油2份、四乙酸二氨基乙烯4份、氨基磺酸钠3份、聚乙二醇4份、尿素2份、焦磷酸钠3份、环己醇8份、半胱氨酸4份、石油磺酸钠3份、羧甲基纤维素钠2份和去离子水40份。
所述聚乙二醇的平均分子量为1800~2500。所述改性二氧化硅为聚甲基丙烯酸接枝改性的二氧化硅。所述改性二氧化硅的改性步骤为:将纳米二氧化硅置于乙二醇和去离子水中,并调节溶剂体系的PH呈碱性,然后加入聚甲基丙烯酸,在50℃下继续搅拌4h,然后过滤洗涤反应物至中性,即得改性二氧化硅;其中所述纳米二氧化硅:乙二醇:去离子水:聚甲基丙烯酸的质量比为5:8:3:1。
所述的一种金属抛光液的制备方法,制备步骤如下:
1)将适量的去离子水加入反应容器中,加热至45℃,然后依次加入氨基磺酸钠、聚乙二醇、尿素、焦磷酸钠、环己醇、半胱氨酸和羧甲基纤维素钠,充分搅拌均匀;
2)将改性二氧化硅、四乙酸二氨基乙烯、聚甲醛、大豆油和石油磺酸钠加入反应容器中并充分搅拌均匀1h,然后加入余下的去离子水,于45℃温度下搅拌3h,自然冷却至室温,即可。
实施例2
一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛18份、改性二氧化硅15份、大豆油5份、四乙酸二氨基乙烯8份、氨基磺酸钠9份、聚乙二醇9份、尿素6份、焦磷酸钠6份、环己醇20份、半胱氨酸10份、石油磺酸钠8份、羧甲基纤维素钠9份和去离子水70份。
所述聚乙二醇的平均分子量为1800~2500。所述改性二氧化硅为聚甲基丙烯酸接枝改性的二氧化硅。所述改性二氧化硅的制备方法参见实施例1,在此不再赘述。
所述的一种金属抛光液的制备方法,制备步骤如下:
1)将适量的去离子水加入反应容器中,加热至55℃,然后依次加入氨基磺酸钠、聚乙二醇、尿素、焦磷酸钠、环己醇、半胱氨酸和羧甲基纤维素钠,充分搅拌均匀;
2)将改性二氧化硅、四乙酸二氨基乙烯、聚甲醛、大豆油和石油磺酸钠加入反应容器中并充分搅拌均匀2h,然后加入余下的去离子水,于45℃温度下搅拌6h,自然冷却至室温,即可。
实施例3
一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛14份、改性二氧化硅11份、大豆油3份、四乙酸二氨基乙烯6份、氨基磺酸钠6份、聚乙二醇7份、尿素4份、焦磷酸钠4份、环己醇14份、半胱氨酸7份、石油磺酸钠6份、羧甲基纤维素钠5份和去离子水55份。
所述聚乙二醇的平均分子量为1800~2500。所述改性二氧化硅为聚甲基丙烯酸接枝改性的二氧化硅。所述改性二氧化硅的制备方法参见实施例1,在此不再赘述。
所述的一种金属抛光液的制备方法,制备步骤如下:
1)将适量的去离子水加入反应容器中,加热至50℃,然后依次加入氨基磺酸钠、聚乙二醇、尿素、焦磷酸钠、环己醇、半胱氨酸和羧甲基纤维素钠,充分搅拌均匀;
2)将改性二氧化硅、四乙酸二氨基乙烯、聚甲醛、大豆油和石油磺酸钠加入反应容器中并充分搅拌均匀1h,然后加入余下的去离子水,于45℃温度下搅拌4h,自然冷却至室温,即可。
实施例4
一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛13份、改性二氧化硅11份、大豆油3份、四乙酸二氨基乙烯6份、氨基磺酸钠6份、聚乙二醇5份、尿素3份、焦磷酸钠4份、环己醇12份、半胱氨酸6份、石油磺酸钠4份、羧甲基纤维素钠5份和去离子水56份。
所述聚乙二醇的平均分子量为1800~2500。所述改性二氧化硅为聚甲基丙烯酸接枝改性的二氧化硅。所述改性二氧化硅的制备方法参见实施例1,在此不再赘述。
所述的一种金属抛光液的制备方法,制备步骤如下:
1)将适量的去离子水加入反应容器中,加热至48℃,然后依次加入氨基磺酸钠、聚乙二醇、尿素、焦磷酸钠、环己醇、半胱氨酸和羧甲基纤维素钠,充分搅拌均匀;
2)将改性二氧化硅、四乙酸二氨基乙烯、聚甲醛、大豆油和石油磺酸钠加入反应容器中并充分搅拌均匀2h,然后加入余下的去离子水,于45℃温度下搅拌6h,自然冷却至室温,即可。
实施例5
一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛15份、改性二氧化硅10份、大豆油3份、四乙酸二氨基乙烯5份、氨基磺酸钠4份、聚乙二醇7份、尿素3份、焦磷酸钠5份、环己醇11份、半胱氨酸5份、石油磺酸钠4份、羧甲基纤维素钠7份和去离子水65份。
所述聚乙二醇的平均分子量为1800~2500。所述改性二氧化硅为聚甲基丙烯酸接枝改性的二氧化硅。所述改性二氧化硅的制备方法参见实施例1,在此不再赘述。
所述的一种金属抛光液的制备方法,制备步骤如下:
1)将适量的去离子水加入反应容器中,加热至50℃,然后依次加入氨基磺酸钠、聚乙二醇、尿素、焦磷酸钠、环己醇、半胱氨酸和羧甲基纤维素钠,充分搅拌均匀;
2)将改性二氧化硅、四乙酸二氨基乙烯、聚甲醛、大豆油和石油磺酸钠加入反应容器中并充分搅拌均匀1h,然后加入余下的去离子水,于45℃温度下搅拌5h,自然冷却至室温,即可。
对比例1
一种金属抛光液,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛18份、改性二氧化硅15份、大豆油5份、、氨基磺酸钠9份、聚乙二醇9份、尿素6份、、环己醇20份、石油磺酸钠8份、羧甲基纤维素钠9份和去离子水70份。
所述聚乙二醇的平均分子量为1800~2500。所述改性二氧化硅为聚甲基丙烯酸接枝改性的二氧化硅。所述改性二氧化硅的制备方法参见实施例1,在此不再赘述。
所述的一种金属抛光液的制备方法,制备步骤如下:
1)将适量的去离子水加入反应容器中,加热至55℃,然后依次加入氨基磺酸钠、聚乙二醇、尿素、环己醇和羧甲基纤维素钠,充分搅拌均匀;
2)将改性二氧化硅、聚甲醛、大豆油和石油磺酸钠加入反应容器中并充分搅拌均匀2h,然后加入余下的去离子水,于45℃温度下搅拌6h,自然冷却至室温,即可。
性能测试
将待抛光的样品分别置于200mL上述各实施例所制备的金属抛光液中,静置2h进行化学抛光,然后进行各种性能测试。其中,试验结束后将样品取出,清洗表面,自然干燥后,检测表面光洁度。然后对样品进行烘干,称重,计算出相应的腐蚀度。下面为对实施例1~5所制备的金属抛光剂的性能测试结果如下表所示:
其中,抛光后表面光洁度(*)为参照目测光亮度评定分级参考标准。
由上表测试结果可知,本实施例所制备的金属抛光液的抛光效果好,表面光洁度检测结果为2级,即表面光亮,能看出面部五官和眉毛,但是眉毛部分不够清晰,而市售抛光液的表面光洁度检测结果均为3级,即表面较光亮,能看见面部五官和眉毛,眉毛部分模糊;对比例1的检测结果为4级,即表面光泽,但看不清人的五官。相比于对比例1和市售抛光液,本发明所制备的金属抛光液具有更好的抛光效果,表面平整度和表面一致性更好,且抛光液中的四乙酸二氨基乙烯、焦磷酸钠和半胱氨酸在抛光效果中发挥一定作用。
在腐蚀度性能检测中,实施例1~5所制备的金属抛光液的腐蚀度为0.5~1.2%/h,而市售抛光液的腐蚀度为3.2%/h,如此说明了本发明所制备的金属抛光液显示较低的腐蚀性。
综上所述,本发明所制备的金属抛光液具有低化学腐蚀性,同时抛光效果好,表面光洁度佳,克服了传统的抛光液的腐蚀性差,表面平整度和表面一致性差的问题,具有较佳的应用前景。

Claims (7)

1.一种金属抛光液,其特征在于,包括以下成分,按重量份数计:
聚甲醛10~18份、改性二氧化硅8~15份、大豆油2~5份、四乙酸二氨基乙烯4~8份、氨基磺酸钠3~9份、聚乙二醇4~9份、尿素2~6份、焦磷酸钠3~6份、环己醇8~20份、半胱氨酸4~10份、石油磺酸钠3~8份、羧甲基纤维素钠2~9份和去离子水40~70份。
2.根据权利要求1所述的一种金属抛光液,其特征在于,所述聚乙二醇的平均分子量为1800~2500。
3.根据权利要求1所述的一种金属抛光液,其特征在于,所述改性二氧化硅为聚甲基丙烯酸接枝改性的二氧化硅。
4.根据权利要求3所述的一种金属抛光液,其特征在于,所述改性二氧化硅的改性步骤为:将纳米二氧化硅置于乙二醇和去离子水中,并调节溶剂体系的PH呈碱性,然后加入聚甲基丙烯酸,在40~60℃下继续搅拌1~5h,然后过滤洗涤反应物至中性,即得改性二氧化硅;其中所述纳米二氧化硅:乙二醇:去离子水:聚甲基丙烯酸的质量比为5:8:3:1。
5.根据权利要求1所述的一种金属抛光液,其特征在于,按重量份数计:
聚甲醛10~15份、改性二氧化硅10~15份、大豆油2~5份、四乙酸二氨基乙烯5~8份、氨基磺酸钠4~9份、聚乙二醇4~7份、尿素3~6份、焦磷酸钠3~6份、环己醇11~20份、半胱氨酸5~10份、石油磺酸钠3~8份、羧甲基纤维素钠2~7份和去离子水40~65份。
6.根据权利要求1所述的一种金属抛光液,其特征在于,按重量份数计:
聚甲醛13份、改性二氧化硅11份、大豆油3份、四乙酸二氨基乙烯6份、氨基磺酸钠6份、聚乙二醇5份、尿素3份、焦磷酸钠4份、环己醇12份、半胱氨酸6份、石油磺酸钠4份、羧甲基纤维素钠5份和去离子水56份。
7.制备如权利要求1~6任一项所述的一种金属抛光液的制备方法,其特征在于,制备步骤如下:
1)将适量的去离子水加入反应容器中,加热至45~55℃,然后依次加入氨基磺酸钠、聚乙二醇、尿素、焦磷酸钠、环己醇、半胱氨酸和羧甲基纤维素钠,充分搅拌均匀;
2)将改性二氧化硅、四乙酸二氨基乙烯、聚甲醛、大豆油和石油磺酸钠加入反应容器中并充分搅拌均匀1~2h,然后加入余下的去离子水,于45℃温度下搅拌3~6h,自然冷却至室温,即可。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109604968A (zh) * 2018-12-28 2019-04-12 临安泽诚金属制品有限公司 一种精密元件的高效成型工艺
CN111020591A (zh) * 2019-12-09 2020-04-17 怀化学院 一种疏水性表面抛光的铝合金的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060027534A1 (en) * 2003-03-06 2006-02-09 John Grunwald CMP composition containing organic nitro compounds
CN102516879A (zh) * 2011-12-12 2012-06-27 上海新安纳电子科技有限公司 一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液
CN104046269A (zh) * 2014-06-26 2014-09-17 青岛宝泰新能源科技有限公司 一种抗氧化的抛光液

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060027534A1 (en) * 2003-03-06 2006-02-09 John Grunwald CMP composition containing organic nitro compounds
CN102516879A (zh) * 2011-12-12 2012-06-27 上海新安纳电子科技有限公司 一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液
CN104046269A (zh) * 2014-06-26 2014-09-17 青岛宝泰新能源科技有限公司 一种抗氧化的抛光液

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109604968A (zh) * 2018-12-28 2019-04-12 临安泽诚金属制品有限公司 一种精密元件的高效成型工艺
CN111020591A (zh) * 2019-12-09 2020-04-17 怀化学院 一种疏水性表面抛光的铝合金的制备方法
CN111020591B (zh) * 2019-12-09 2021-05-04 怀化学院 一种疏水性表面抛光的铝合金的制备方法

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