CN105405424A - 像素电路及其驱动方法、驱动电路、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素电路及其驱动方法、驱动电路和显示装置，属于像素电路驱动技术领域。该像素电路包括：电容、电容充电晶体管、第一电容放电晶体管、第二电容放电晶体管；其中，所述电容在所述电容充电晶体管被开启时被充电至大于所述像素电压的第一电压；所述电容与第一电容放电晶体管、第二电容放电晶体管串联形成放电电路，所述电容在所述第一电容放电晶体管和第二电容放电晶体管开启时被放电以使所述电容的两端电压从所述第一电压降至所述像素电压。本发明像素电路的像素电路阵列的驱动电路不需要对应设置Gamma电阻，结构简单，并且驱动功耗低。

Description

像素电路及其驱动方法、驱动电路、显示装置
技术领域
本发明属于像素电路驱动技术领域，涉及一种像素电路及其驱动方法、以及基于该像素电路形成的像素电路阵列的驱动电路和显示装置。
背景技术
显示器的玻璃基板上设置有TFT阵列，TFT阵列一般由若干按行和列排列的像素电路构成，对应每个像素设置相应的像素电路，像素电路提供相应的像素电压从而控制每个像素的显示。
现有的像素电路一般为1T1C结构，即基于一晶体管（例如TFT）加一电容形成，晶体管T通过栅极驱动器提供的栅极信号（Gate）来控制其开启或关闭，电容C通过源极驱动控制器基于数据信号（Data）来进行充电，从而达到某一像素电压值。该像素电压可以用来驱动相应像素的液晶。
为实现不同的灰阶，像素电路需要提供不同大小的像素电压，即灰阶电压。而不同的灰阶电压的提供是由TFT阵列的Gamma电路和源驱动器实现的。具体地，需要通过Gamma电路给出多个固定的绑点电压，然后通过源驱动器内部的诸多个Gamma电阻进行精细分压，得到多个电压值（即Gamma参考电压）例如6Bit的电压值，然后进行数模转换，施加到相应像素电路的电容上以产生相应的像素电压。
这种像素电路的驱动的最大问题是会导致较大的逻辑功耗以及较复杂的TFT阵列的驱动电路；并且，由于RGB子像素的灰阶电压必须是共用的，实现8bit的电压值控制成本更高，且算法复杂、调试周期长。
发明内容
本发明的目的之一在于，避免使用Gamma电阻来驱动像素电路，降低像素电路的驱动功耗。
为实现以上目的或者其他目的，本发明提供以下技术方案：
按照本发明的一方面，提供一种像素电路（100），用于提供像素电压，该像素电路位于像素电路阵列（10）的第N行，其特征在于，包括：
　　电容（C）；
　　电容充电晶体管（T1），其用于为所述电容（C）充电，其中，所述电容充电晶体管（T1）的栅端与第（N-1）行的栅线（110）电连接；
　　第一电容放电晶体管（T2），其栅端与第N行的栅线（120）电连接；以及
　　第二电容放电晶体管（T3），其栅端与数据线（130）电连接；
　　其中，所述电容在所述电容充电晶体管（T1）被开启时被充电至大于所述像素电压的第一电压；所述电容（C）与第一电容放电晶体管（T2）、第二电容放电晶体管（T3）串联形成放电电路，所述电容在所述第一电容放电晶体管和所述第二电容放电晶体管（T3）开启时被放电以使所述电容（C）的两端电压从所述第一电压降至所述像素电压；
　　其中，N为大于或等于2的整数。
根据本发明的一实施例的像素电路，其中，通过至少控制所述电容（C）的放电时间（T放）来实现从所述第一电压降至所述像素电压。
优选地，所述数据线（130）的数据信号为脉宽调制信号，通过脉宽调制信号控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启时间从而控制所述放电时间（T放）。
根据本发明的又一实施例的像素电路，其中，通过至少控制所述数据线（130）的电压来控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启程度，从而实现从所述第一电压降至所述像素电压。
根据本发明的还一实施例的像素电路，其中，在正帧时，所述第一电压为2倍于液晶分子偏转参考电压（2Vcom），所述像素电压为正帧像素电压；在负帧时，所述第一电压为液晶分子偏转参考电压（Vcom），所述像素电压为负帧像素电压。
在之前所述任一实施例的像素电路中，所述电容充电晶体管（T1）的漏端与所述电容的第一端电连接，所述第一电容放电晶体管（T2）的源端与所述电容的第一端电连接，所述第一电容放电晶体管（T2）的漏端与所述第二电容放电晶体管（T3）的源端电连接。
在之前所述任一实施例的像素电路中，优选地，所述像素电路（100）被分别对应RGB像素的R亚像素、G亚像素和B亚像素而设置，从而分别为R亚像素、G亚像素和B亚像素提供相应独立的所述像素电压。
按照本发明的又一方面，提供一种以上所述像素电路的驱动方法，包括：
　　充电阶段：通过所述第（N-1）行的栅线（110）的栅极信号（Gate（N-1））使所述充电晶体管（T1）开启，从而向所述电容充电至大于所述像素电压的第一电压；
　　放电阶段：通过所述第N行的栅线（120）的栅极信号（GateN）使所述第一电容放电晶体管（T2）开启、并通过所述数据线（130）的数据信号（Data）使所述第二电容放电晶体管（T3）开启，所述电容（C）的两端电压从第一电压放电降至所述像素电压；
　　保持阶段：所述电容充电晶体管（T1）关闭且所述第一电容放电晶体管（T2）和第二电容放电晶体管（T3）的至少一个关闭，以保持该像素电压大小基本不变。
根据本发明一实施例的驱动方法，其中，在正帧时，所述第一电压为2倍于公共电极上所偏置的液晶分子偏转参考电压（2Vcom），所述像素电压为正帧像素电压；在负帧时，所述第一电压等于公共电极上所偏置的液晶分子偏转参考电压（Vcom），所述像素电压为负帧像素电压。
根据本发明又一实施例的驱动方法，其中，通过至少控制所述电容（C）的放电时间（T放）来实现从所述第一电压降至所述像素电压。
优选地，所述数据线（130）的数据信号为脉宽调制信号，通过脉宽调制信号控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启时间从而控制所述放电时间（T放）。
根据本发明还一实施例的驱动方法，其中，通过至少控制所述数据线（130）的电压来控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启程度，从而实现从所述第一电压降至所述像素电压。
在之前所述任一实施例驱动方法中，所述充电阶段和/或放电阶段的时间在微秒数量级。
按照本发明的还一方面，一种像素电路阵列的驱动电路，该像素电路阵列包括按行和列排列的多个以上所述及的任一种像素电路，其中所述驱动电路，包括：
　　充电电源（20），其用于提供将所述电容（C）充电至大于所述像素电压的第一电压的充电电压；
　　栅驱动模块（30），其用于为所述栅线（110，120）提供栅极信号；
　　像素电压控制模块（50），其被配置为向所述数据线（130）提供使所述第二电容放电晶体管（T3）开启进而使所述电容（C）的两端电压从第一电压放电降至所述像素电压的数据信号（Data）。
根据本发明一实施例的驱动电路，其中，所述像素电压控制模块（50）包括脉宽控制器（520），其用于输出脉宽调制信号，其中，脉宽调制信号的相应脉冲宽度被配置用来控制所述电容（C）的放电时间（T放）。
进一步可选地，所述像素电压控制模块（50）包括电平转换器（530），其用于控制所述脉宽调制信号的高电平的大小以控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启程度。
进一步可选地，所述像素电压控制模块（50）还包括：
移位寄存器（510），其至少用于接收的数字驱动信号并暂时地存储；和
输出缓存器（540），其至少用于输出所述脉宽调制信号。
根据本发明又一实施例的驱动电路，其中，所述充电电源（20）包括第三晶体管（P1）和第四晶体管（P2），所述第三晶体管（P1）和第四晶体管（P2）相互为互补型晶体管，所述第三晶体管（P1）的漏端和所述第四晶体管（P2）的漏端均电连接所述充电电源（20）的输出端，所述第三晶体管（P1）的栅端和所述第四晶体管（P2）的栅端受极性翻转控制信号控制。
优选地，在正帧时，所述第三晶体管（P1）开启并被输入2倍于公共电极上所偏置的液晶分子偏转参考电压（2Vcom）；在负帧时，所述第四晶体管（P2）开启并被输入公共电极上所偏置的液晶分子偏转参考电压（Vcom）。
按照本发明的再一方面，提供一种显示装置，其包括：
　　像素电路阵列，其包括按行和列排列的多个以上所述及的像素电路；以及
　　以上所述及的驱动电路。
本发明的技术效果是，本发明像素电路的像素电路阵列的驱动电路不需要对应设置Gamma电阻，结构简单，驱动电路更容易实现，并且驱动过程功耗低。并且，充电阶段首先将电容C充电至一高于像素电压的电压，在一定程度上可以对相应像素的液晶产生过驱（overdrive）效果，从而有利于加快液晶响应。
附图说明
从结合附图的以下详细说明中，将会使本发明的上述和其他目的及优点更加完整清楚。
图1是按照本发明一实施例的像素电路的基本结构示意图。
图2是按照本发明一实施例的像素电路的驱动原理示意图。
图3是本发明实施例使用脉宽调制技术来控制像素电压的原理示意图。
图4是按照本发明一实施例的像素电路阵列的驱动电路示意图。
图5是按照本发明一实施例的像素电压控制模块的模块结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图更加完全地描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实施例。但是，本发明可按照很多不同的形式实现，并且不应该被理解为限制于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开变得彻底和完整，并将本发明的构思完全传递给本领域技术人员。附图中，相同的标号指代相同的元件或部件，因此，将省略对它们的描述。
图1所示为按照本发明一实施例的像素电路的基本结构示意图。在该实施例中，图1示意出了一个像素电路100，像素电路100主要包括电容C、晶体管T1-T3。像素电路100用来形成像素电路阵列，例如，形成在TFT玻璃基板上的像素电路阵列，该像素电路阵列可以是用来形成显示面板的核心部件之一，可以控制液晶模块。对于每个像素电路100可以控制每个像素或亚像素的显示，具体通过电容C提供相应的像素电压来控制每个像素或亚像素的灰阶。
电容C可以是由TFT基板上的像素电极与TFT基板上方的CF（彩膜）基板上的公共电极等效地形成，该像素电极可以理解为本发明实施例的像素电路100的电容C，。在该实施例中，用于形成电容C的公共电极偏置预定的电压Vcom（如图1所示），其为液晶分子偏转参考电压，其用于为像素电极的像素电压极性提供参考，如果像素电极的像素电压大于Vcom，该像素电压为正极性电压，如果像素电极的像素电压小于Vcom，该像素电压为负极性电压。像素电极和公共电极均可以通过ITO材料构图形成。
继续如图1所示，假设该像素电路100是构成L行X列的像素电路阵列的其中一个单元，像素电路100位于阵列的第N行，N小于等于L，但是，应当理解到，像素电路100在像素电路阵列中的具体位置不是限制性的。
晶体管T1为电容充电晶体管，其漏端电连接电容C，即连接像素电极，其栅端电连接第（N-1）行的栅线（或扫描线）110，其源端电连接外部的充电电源20。外部的充电电源包括串联的晶体管P2和P1，晶体管P2和P1为互补型晶体管,晶体管P2和P1的栅端均连接输入POL（极性翻转控制）信号，这样，晶体管P2开启时晶体管P1关闭，晶体管P1开启时晶体管P2关闭；从晶体管P1的源端输入2Vcom，从晶体管P2的源端输入Vcom。晶体管P2的漏端和晶体管P1的漏端电连接在一起并形成充电电源20的输出端。在晶体管P1开启时，充电电源20输出2Vcom的充电电压，在晶体管P2开启时输出Vcom的充电电压。
晶体管T1的开启受栅线110传输的信号Gate（N-1）所控制，在晶体管T1开启时，表示进入电容充电阶段，从而可以从充电电源20对电容C进行充电，此时，晶体管T1的源端接入外部的充电电源20的输出，当充电电源的晶体管P1导通时，晶体管T1的源端被接入2Vcom并可以将电容C充电至约2Vcom的电压水平，当充电电源的晶体管P2导通时，晶体管T1的源端被接入Vcom并可以将电容C充电至约Vcom的电压水平。因此，电容C可以被充电至Vcom或2Vcom的电压水平。
继续如图1所示，晶体管T2和T3为电容放电晶体管，晶体管T2的栅端电连接第N行的栅线（或扫描线）120，其源端电连接电容C，其漏端电连接放电晶体管T3的源端；晶体管T3的漏端可以接地GND，晶体管T3的栅端电连接数据线130。因此，电容C与电容放电晶体管T2、电容放电晶体管T3串联形成放电电路，在电容放电晶体管T2和T3均开启时，放电电路可以对电容C进行放电。其中，晶体管T2的开启受栅线120传输的信号GateN所控制，晶体管T3的开启受数据线130传输的数据信号Data所控制。在该实施例中，在晶体管T2和晶体管T3均开启时，表示像素电路100进入放电阶段，进一步通过控制电容放电晶体管T3的开启时间或开启程度来控制电容C的放电时间和/或放电速度，从而能控制放电后的电容C的电压，即像素电压。通过控制放电过程来控制像素电压的具体原理将在其后驱动原理中示例详细说明。
需要说明的是，晶体管T3的开启程度可以以其等效电阻R大小来表示，即晶体管T3的开启程度反映其等效电阻R的大小，开启程度越高，其等效电阻越小。在放电电路中，电容C与包括该等效电阻R的电阻形成RC放电电路，等效电阻R越小，表示晶体管T3的开启程度越大，放电速度越快。
图2所示为按照本发明一实施例的像素电路的驱动原理示意图。结合图1和图2，示例说明图1所示实施例的像素电路的工作原理以及其驱动方法，在该实施例中，使用双帧信号来驱动液晶单元，也即使用正帧和负帧来交替驱动液晶单元的每个像素，这有利于避免像元滞留和最终导致图像永久性变差。其中，在正帧时，对像素施加正电场而进行正极性驱动，此时，像素电极被偏置正极性电压，即被偏置大于公共电极的Vcom的电压；在负帧时，对像素施加负电场而进行负极性驱动，此时，像素电极被偏置负极性电压，即被偏置小于公共电极的Vcom的电压。
如图2（a）所示，其表示负帧情况下的像素电压控制，可以得到负帧像素电压，即负极性电压。首先，由于充电晶体管T1的栅端电连接第（N-1）行的栅线110，从而被偏置如图2所示的信号Gate（N-1），晶体管T1在t1时刻偏置高电平而开启，表示进入充电阶段。在t2时刻，信号Gate（N-1）变为低电平，晶体管T1关闭，充电阶段结束。在t1到t2时间段，充电电源20输出Vcom，电容C从0V充电至Vcom，Vcom大于最终需要放电后得到的负极性电压。并且在t1到t2时间段，信号GateN为低电平，电容C的放电电路不导通。
同时在t2时刻，在逐行扫描的情况下，栅线120的信号GateN变为高电平，晶体管T2开启，并且，在t2时刻，数据线130的信号Data变为高电平，晶体管T3开启，表示开始进入放电阶段，放电电路导通，从而电容C从Vcom开始放电。
在t3时刻，数据线130的信号Data变为低电平，晶体管T3关闭，放电结束，电容C被放电至某一预定的负帧像素电压（其小于Vcom），并且在其后t3至t5时刻，该负帧像素电压被基本保持，从而对相应的像素产生负极性驱动，使能液晶翻转，负帧像素电压相对于Vcom的差值决定液晶分子的翻转程度，从而控制该像素的灰阶。
因此，t2时刻至t3时刻为放电时间，即T放，在该实施例中，通过控制放电时间T放的长短，可以控制电容C的放电电荷量，从而可以控制负帧像素电压的大小，因此，可以控制得到预定想要的负帧像素电压。
以上图2（a）所示的负帧情形下，驱动过程主要包括t1至t2时间段的充电阶段、t2至t3时间段的放电阶段、t3至t5时间段为保持阶段。
如图2（b）所示，其表示正帧情况下像素电压控制，以得到正帧像素电压，即正极性电压。其工作原理与负帧情况下基本相同，也即，包括t1至t2时间段的充电阶段、t2至t3时间段的放电阶段、t3至t5时间段为保持阶段。其中不同的是，在充电阶段，充电电源20输出2Vcom，电容C从0V充电至2Vcom，即像素电极被充电至2Vcom，2Vcom大于放电后的预定想要得到的正帧像素电压；在放电阶段，电容C放电从2Vcom下降至预定想要的正帧像素电压，该正帧像素电压大于公共电极的电压，即大于Vcom，其可以在Vcom至2Vcom的范围内设置。并且在其后t3至t5时刻，该正帧像素电压被基本保持，从而对相应的像素产生正极性驱动，使能液晶翻转，正帧像素电压相对于Vcom的差值决定液晶分子的翻转程度，从而控制该像素的灰阶。
具体地，在一实施例中，数据信号Data为脉宽调制信号，其使用脉宽调制技术来基于充电电压、预定得到的像素电压等来对脉宽进行调制，从而控制T放的时间长短，使放电后得到的像素电压为预定得到的像素电压。
图3所示为本发明实施例使用脉宽调制技术来控制像素电压的原理示意图。如图3所示，Data1、Data2和Data3为脉冲形式的数据信号，它们分别具有不同的脉宽T1、T2、T3，V1为像素电极的被充电后的充电电压，V21为对应数据信号Data1控制放电过程后得到的像素电极的像素电压，V22为对应数据信号Data2控制放电过程后得到的像素电极的像素电压，V23为对应数据信号Data3控制放电过程后得到的像素电极的像素电压。可以看到，在数据信号Data1、Data2和Data3被调制为具有不同脉宽的情况下，可以控制得到相应的像素电压。应当理解，以上仅是示例调制得到三个不同脉宽的数据信号来控制的得到3个不同的像素电压，根据示例教导，在建立的电容C的放电模型的基础上，可以获得根据脉宽调制技术获得更多的像素电压。因此，只需要控制数据信号的脉宽即可实现，更多像素电压获得变得更简单。
在又一实施例中，在放电时间T放固定的情况下，也可以控制数据信号Data的高电平的电压大小来控制电容放电晶体管T3的开启程度，从而控制放电的速度，使放电后得到的像素电压为预定得到的像素电压。数据信号Data的高电平的电压大小也可以基于充电电压、预定得到的像素电压、放电时间T放等来调节设置。
在以上实施例中，像素电路100对应的液晶单元的像素中，其液晶可以在正帧像素电压和负帧像素电压驱动下交替翻转，避免液晶在同一极性电压下偏置时间过久而导致其特性破坏。
需要说明的是，图1所示实施例的像素电路100可以对应显示面板的像素或亚像素设置，例如，对于每个RGB像素，对应每个R亚像素、G亚像素、B亚像素分别设置如图1所示的像素电路100，三个像素电路100分别独立给R亚像素、G亚像素、B亚像素提供的像素电压可以相同或不相同，优选地为相同设置，这样，无需在共用电压基础上调试，容易实现8bit及以上显示器中的像素电压值的控制。
图4所示为按照本发明一实施例的像素电路阵列的驱动电路示意图，图5所示为按照本发明一实施例的像素电压控制模块的模块结构示意图。结合图4和图5将理解本发明实施例的像素电路100的驱动控制变得更容易实现且驱动功耗更低。
如图4所示，像素电路阵列10由L行×X列的像素电路排列形成，其可以形成在TFT基板上，每个像素电路的结构与图1所示的像素电路100基本或完全相同，为示例说明，其中给出了图1所示的位于第N行的一个像素电路100。
驱动电路中，对应像素电路阵列10设置有栅驱动模块30，其分别输出L个栅极信号至L行的栅线上，其中GateN即表示输出在第N行栅线的栅极信号（如图2所示），Gate（N-1）即表示输出在第（N-1）行栅线的栅极信号（如图2所示）。栅驱动模块30可以与驱动电路的计时控制器（图中未示出）耦接并被输入诸如stv、cpv等信号。
对应像素电路阵列10还设置有像素电压控制模块50，其分别输出X个数据信号Data至X列的数据线上，像素电压控制模块50可以与驱动电路的计时控制器（图中未示出）耦接并被输入诸如sth、cph、load等数字信号。
参见图5，在该实施例中，像素电压控制模块50主要地包括移位寄存器510、脉宽控制器520、电平转换器530和输出缓存器540。移位寄存器510可以接收外部输入的sth、cph、load等数字驱动信号并暂时地存储，还可以接收MiniLVDS（低压差分信号）信号。脉宽控制器520也可以接收还MiniLVDS（低压差分信号）信号，并且从移位寄存器510调取信号来生成相应的脉宽调制信号，脉宽调制信号的脉宽反映被该数据信号Data控制的放电时间T放。可选地，宽调制信号在电平转换器530中进行高电平转换，例如进行升压转换，从而得到预定电平的脉宽调制信号，即如图2所示的数据信号Data，并经过输出缓存器540输出至相应的数据线上。
驱动电路对像素电路阵列10电路的每个像素电路的驱动控制原理如图2类似，其中，栅驱动模块30提供栅极信号Gate（N-1）、GateN，充电电源20提供Vcom或2Vcom，像素电压控制模块50提供数据信号Data，例如脉宽可调制的数据信号Data。从而可以对选择行和/或选中列的像素电路仅控制，得到相应的像素电压。
进一步地，驱动电路还包括充电电源20，其受信号POL控制并输出Vcom或2Vcom的充电电压；充电电源20的具体结构示例如图1所示，在此不再赘述。应当理解，根据像素电路100中的电容C在充电阶段需要得到的不同充电电压大小，配置充电电源20来提供不限于Vcom或2Vcom的不同充电电压输出。
需要说明的是，在一实施例中，数据信号Data的高电平的大小是预定不变的，也即晶体管T3在放电阶段的开启程度是基本固定，在开启程度固定的情况下，基于脉冲宽度调制的数据信号Data来控制放电时间，从而可以达到预定大小的像素电压水平。在其他变换实施例中，也可以控制电平转换器530来控制输出的数据信号Data的高电平的大小，从而可以调节控制像素电路100中的晶体管T3的开启程度，进而可以控制放电速度，可以在一定放电时间内精细控制放电过程，从充电电压下降得到预定大小的像素电压水平。
在本文中，晶体管T3的开启程度可以以其等效电阻R大小来表示，在放电电路中，电容C与包括该等效电阻R的电阻形成RC放电电路，等效电阻R越小，表示晶体管T3的开启程度越大，放电速度越快。基于晶体管T3参数等，可以通过软件模拟得到晶体管T3的栅端在不同大小电平偏置下的等效电阻或阻抗R，进而可以计算到晶体管T3在不同开启时间和/或不同栅极电压条件下电容C从某一预定充电电压可以放电得到相应的像素电压，像素电压控制模块50可以基于此计算结果来控制输出数据信号Data。
因此，将理解到，在像素电路阵列10的外围驱动电路中，并不需要提供不同大小的Gamma参考电压，因此，不需要设置复杂的Gamma电阻来驱动像素电路阵列10，不需要提供不同的绑点电压，当然也可以不设置Gamma电路，驱动电路更容易实现，电路结构简单，并且运行的逻辑功耗也将得到大大的降低。
进一步需要说明的是，在TFT-LCD中，像素电路阵列10所驱动的液晶单元中的液晶的偏转时间在毫秒数量级，而以上实施例所述的充电阶段（例如t1-t2）、放电阶段（例如t2-t3）的时间远小于液晶的偏转时间，例如在微秒数量级，因此，本发明实施例的像素电路的充电和放电并不会对液晶的偏转驱动控制相冲突，相反地，充电阶段首先将电容C充电至一高于像素电压的电压，在一定程度上可以对相应像素的液晶产生过驱（overdrive）效果，从而有利于加快液晶响应。
以上实施例的像素电路100排列形成的像素阵列10、以及对应的驱动电路可以用来形成显示面板，尤其地适用应用于ADS面板或TN面板中。
以上例子主要说明了本发明的像素电路及其驱动方法和驱动电路。尽管只对其中一些本发明的实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员应当了解，本发明可以在不偏离其主旨与范围内以许多其他的形式实施。因此，所展示的例子与实施方式被视为示意性的而非限制性的，在不脱离如所附各权利要求所定义的本发明精神及范围的情况下，本发明可能涵盖各种的修改与替换。

Claims (20)

1.一种像素电路（100），用于提供像素电压，该像素电路位于像素电路阵列（10）的第N行，其特征在于，包括：
　　电容（C）；
　　电容充电晶体管（T1），其用于为所述电容（C）充电，其中，所述电容充电晶体管（T1）的栅端与第（N-1）行的栅线（110）电连接；
　　第一电容放电晶体管（T2），其栅端与第N行的栅线（120）电连接；以及
　　第二电容放电晶体管（T3），其栅端与数据线（130）电连接；
　　其中，所述电容在所述电容充电晶体管（T1）被开启时被充电至大于所述像素电压的第一电压；所述电容（C）与第一电容放电晶体管（T2）、第二电容放电晶体管（T3）串联形成放电电路，所述电容在所述第一电容放电晶体管（T2）和所述第二电容放电晶体管（T3）开启时被放电以使所述电容（C）的两端电压从所述第一电压降至所述像素电压；
　　其中，N为大于或等于2的整数。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，通过至少控制所述电容（C）的放电时间（T放）来实现从所述第一电压降至所述像素电压。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述数据线（130）的数据信号为脉宽调制信号，通过脉宽调制信号控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启时间从而控制所述放电时间（T放）。
4.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，通过至少控制所述数据线（130）的电压来控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启程度，从而实现从所述第一电压降至所述像素电压。
5.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，在正帧时，所述第一电压为2倍于液晶分子偏转参考电压（2Vcom），所述像素电压为正帧像素电压；在负帧时，所述第一电压为液晶分子偏转参考电压（Vcom），所述像素电压为负帧像素电压。
6.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述电容充电晶体管（T1）的漏端与所述电容的第一端电连接，所述第一电容放电晶体管（T2）的源端与所述电容的第一端电连接，所述第一电容放电晶体管（T2）的漏端与所述第二电容放电晶体管（T3）的源端电连接。
7.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路（100）被分别对应RGB像素的R亚像素、G亚像素和B亚像素而设置，从而分别为R亚像素、G亚像素和B亚像素提供相应独立的所述像素电压。
8.一种如权利要求1所述像素电路的驱动方法，其特征在于，包括：
　　充电阶段：通过所述第（N-1）行的栅线（110）的栅极信号（Gate（N-1））使所述充电晶体管（T1）开启，从而向所述电容充电至大于所述像素电压的第一电压；
　　放电阶段：通过所述第N行的栅线（120）的栅极信号（GateN）使所述第一电容放电晶体管（T2）开启、并通过所述数据线（130）的数据信号（Data）使所述第二电容放电晶体管（T3）开启，所述电容（C）的两端电压从第一电压放电降至所述像素电压；
　　保持阶段：所述电容充电晶体管（T1）关闭且所述第一电容放电晶体管（T2）和第二电容放电晶体管（T3）的至少一个关闭，以保持该像素电压大小基本不变。
9.如权利要求8所述的驱动方法，其特征在于，在正帧时，所述第一电压为2倍于公共电极上所偏置的液晶分子偏转参考电压（2Vcom），所述像素电压为正帧像素电压；在负帧时，所述第一电压等于公共电极上所偏置的液晶分子偏转参考电压（Vcom），所述像素电压为负帧像素电压。
10.如权利要求8所述的驱动方法，其特征在于，其中，通过至少控制所述电容（C）的放电时间（T放）来实现从所述第一电压降至所述像素电压。
11.如权利要求10所述的驱动方法，其特征在于，所述数据线（130）的数据信号为脉宽调制信号，通过脉宽调制信号控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启时间从而控制所述放电时间（T放）。
12.如权利要求8所述的驱动方法，其特征在于，通过至少控制所述数据线（130）的电压来控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启程度，从而实现从所述第一电压降至所述像素电压。
13.如权利要求8所述的驱动方法，其特征在于，所述充电阶段和/或放电阶段的时间在微秒数量级。
14.一种像素电路阵列的驱动电路，该像素电路阵列包括按行和列排列的多个如权利要求1至7中任一项所述的像素电路，其特征在于，所述驱动电路，包括：
　　充电电源（20），其用于提供将所述电容（C）充电至大于所述像素电压的第一电压的充电电压；
　　栅驱动模块（30），其用于为所述栅线（110，120）提供栅极信号；
　　像素电压控制模块（50），其被配置为向所述数据线（130）提供使所述第二电容放电晶体管（T3）开启进而使所述电容（C）的两端电压从第一电压放电降至所述像素电压的数据信号（Data）。
15.如权利要求14所述的驱动电路，其特征在于，所述像素电压控制模块（50）包括脉宽控制器（520），其用于输出脉宽调制信号，其中，脉宽调制信号的相应脉冲宽度被配置用来控制所述电容（C）的放电时间（T放）。
16.如权利要求15所述的驱动电路，其特征在于，所述像素电压控制模块（50）包括电平转换器（530），其用于控制所述脉宽调制信号的高电平的大小以控制所述第二电容放电晶体管（T3）的开启程度。
17.如权利要求16所述的驱动电路，其特征在于，所述像素电压控制模块（50）还包括：
　　移位寄存器（510），其至少用于接收的数字驱动信号并暂时地存储；和
　　输出缓存器（540），其至少用于输出所述脉宽调制信号。
18.如权利要求14所述的驱动电路，其特征在于，所述充电电源（20）包括第三晶体管（P1）和第四晶体管（P2），所述第三晶体管（P1）和第四晶体管（P2）相互为互补型晶体管，所述第三晶体管（P1）的漏端和所述第四晶体管（P2）的漏端均电连接所述充电电源（20）的输出端，所述第三晶体管（P1）的栅端和所述第四晶体管（P2）的栅端受极性翻转控制信号控制。
19.如权利要求18所述的驱动电路，其特征在于，在正帧时，所述第三晶体管（P1）开启并被输入2倍于公共电极上所偏置的液晶分子偏转参考电压（2Vcom）；在负帧时，所述第四晶体管（P2）开启并被输入公共电极上所偏置的液晶分子偏转参考电压（Vcom）。
20.一种显示装置，其特征在于，包括：
　　像素电路阵列，其包括按行和列排列的多个如权利要求1至7中任一项所述的像素电路；以及
　　如权利要求14至19中任一项所述的驱动电路。
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