CN105392594B - 银合金接合线 - Google Patents

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Abstract

本发明构思涉及一种以银作为主组分的银合金接合线，且更具体地，涉及一种银合金接合线，其包含约1重量％至约4重量％的钯，并且“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”在约0.3至约3的范围内。本发明构思提供了具有出色的焊接特性焊球成形性和凸点上针脚(SOB)焊接性能且成本低廉的接合线。

Description

银合金接合线
技术领域
本发明构思涉及银合金接合线，且更具体地，涉及具有出色的焊球成形性(ballformability)和凸点上针脚(stitch-on-bump,SOB)焊接性能而成本低廉的银合金接合线。
背景技术
多种结构体可以用于封装件以安装半导体器件，并且接合线仍然广泛用于连接基板与半导体器件，或者用于半导体器件之间的连接。已经大量使用了金接合线；然而，固有的高价格和最近迅速上涨的价格需要另一种接合线替代它。
在已经作为金(Au)的替代材料的成为热点的铜线的情况中，其中芯片在球焊期间由于铜的固有的高硬度而开裂的焊盘开裂现象已频繁发生，并且对于高密度封装件来说所需的凸点上针脚(SOB)焊接的问题由于铜的高硬度和强氧化性而尚未得到解决。
作为备选，已积极地进行了对以廉价的银(Ag)作为主组分的接合线的研究。然而，以银作为主组分的接合线具有差的湿度可靠性和差的热可靠性的问题。此外，由于差的对压缩和膨胀的抗性而导致的与现有金(Au)接合线相比对于高温和低温循环的热冲击可靠性显著减少的问题已经出现。此外，最近对于SOB焊接的需求增加，并且需要针对银的加工硬化现象、氧化等的改进方法，并且已经付出了努力以通过添加金(Au)来解决这些问题中的一部分。因为金的价格非常高，这样的努力可能不是最终的解决方案，而且此外，由于钯(Pd)和金(Au)的加入而导致的电阻的增加可能对接合线作为用于半导体的电连接体的应用造成限制。
发明构思详述
技术问题
本发明构思提供了出色的焊球成形性和凸点上针脚(SOB)焊接性能而成本低廉的银合金接合线。
技术方案
根据本发明构思的一个方面，提供了一种银合金接合线，其包含作为主组分的银(Ag)和约1重量％至约4重量％的钯(Pd)。在这里，当将外侧部分的平均晶粒尺寸定义为“a”且将中心部分的平均晶粒尺寸定义为“b”时，在与所述银合金接合线的纵向垂直的横截面上，“a”/“b”的比率可以为约0.3至约3。所述银合金接合线可以基本上不包含金(Ag)。
所述银合金接合线的所述中心部分的平均晶粒尺寸“b”可以大于所述外侧部分的平均晶粒尺寸“a”，并且所述中心的平均晶粒尺寸“b”可以小于或等于约2μm。
此外，“a”/“b”的比率，即所述外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比所述中心部分的平均晶粒尺寸“b”可以为约0.3至约1。
所述银合金接合线可以还包含第一物理性能调节元素。所述第一物理性能调节元素可以是选自由以下各项组成的组中的一种以上：铍(Be)、钙(Ca)、镧(La)、钇(Y)和铈(Ce)。所述第一物理性能调节元素的总含量基于总的银合金接合线可以为约30wtppm至约100wtppm。
此外，所述银合金接合线可以还包含第二物理性能调节元素。所述第二物理性能调节元素可以是选自由以下各项组成的组中的一种以上：铂(Pt)和铜(Cu)。所述第二物理性能调节元素的总含量基于总的银合金接合线可以为约0.01重量％至约3.0重量％。
此外，在制造所述银合金接合线的拉拔过程期间，所述银合金接合线可以具有约7％至约10％的横截面减小率。
选择性地，所述银合金接合线可以包含更多的金，并且金的含量可以小于0.2重量％，或优选小于0.1重量％。
根据本发明构思的另一个方面，提供了一种以银作为主组分的银合金接合线，所述银合金接合线包含约1重量％至约4重量％的钯(Pd)，基本上不包含金，并且在拉拔过程期间以约7％至约10％的横截面减小率制造。
有益效果
本发明构思的接合线可以提供低廉的成本和出色的焊接特性焊球成形性和SOB焊接性能。
附图描述
图1是根据本发明的一个以上实施方案的银合金接合线的横截面透视图。
图2是根据本发明的一个以上实施方案的银合金接合线的横截面图。
图3A是根据本发明的一个以上实施方案的银合金接合线的焊接形状侧视图，以详细描述SOB焊接性能。
图3B是图3A中的B部分的当从其顶部观看时的平面图。
最佳方式
现在将参照其中示出了本发明构思的示例性实施方案的附图更完整地描述本发明构思。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实现，并且不应当解释为受限于本文所陈述的实施方案；而是提供这些实施方案使得本公开将全面和完整，并且将向本领域技术人员完全地传达本发明构思的构思。在图中，为了清楚夸大了层和区域的厚度。在图中，相似的附图标记表示相似的要素，并且因此将省略它们的描述。
尽管可以使用术语如“第一”、“第二”等来描述不同的组分，但这样的组分不受以上术语的限制。使用以上术语仅仅是将一个组分与另一个区分开。例如，可以将第一组分重命名为第二组分，并且相反地，可以将第二组分重命名为第一组分，而不脱离本发明构思的权利范围。
在本说明书中使用的术语仅仅用于描述示例性实施方案，而不意在限制本发明构思。以单数使用的表达方式包括复数的表达方式，除非它在上下文中具有明确不同的含义。在本说明书中，应理解的是，术语如“包括”、“具有”和“包含”意在表明在本说明书中公开的特征、数量、步骤、作用、组分、部件或它们的组合的存在，并且不意在排除可以存在或可以添加一种以上其他特征、数量、步骤、作用、组分、部件或它们的组合的可能性。
除非另外定义，本文所使用的全部术语，包括技术或科学术语，都具有与本发明构思可能所属的技术领域的技术人员通常理解的那些相同的含义。如常用的字典中所定义的那些术语被解释为具有与在相关技术的上下文中的含义相匹配的含义，并且除非另外清楚地定义，不被解释为理想形式的或过度形式的。
本发明构思提供了包含银(Ag)作为主组分以及钯(Pd)的银合金接合线。主组分表示，相对于总组分，有关的组分的浓度超过50％。换言之，包含银作为主组分表示，相对于银和其他组分的总和，银的浓度超过50％。在这里，浓度是基于原子摩尔浓度的。
钯(Pd)的含量可以为约1重量％至约4重量％。当钯(Pd)的含量过小时，耐酸性变差，并且银合金接合线可能被硝酸或硫酸轻易地腐蚀或损坏。特别是，当不包含钯(Pd)时，银合金接合线的抗氧化性可能变差。另一方面，当钯(Pd)的含量过大时，在引线接合期间在线末端处形成的焊球的硬度可能过度地增加，并且因此可能损坏焊盘和/或在其下的基板。此外，在凸点上的针脚式接合即通常所说的凸点上针脚(SOB)焊接性能可能劣化。
银合金接合线可以不包含金(Au)。当包含金(Au)而形成银(Ag)-钯(Pd)-金(Au)合金时，合金可能具有比较高的电阻，这对于用于低导电(electricification)和低发热的电器件的构造来说可能是不利的。因此，适宜的是，银合金接合线不包含金(Au)；然而，即使当银合金接合线包含金(Au)时，适宜的是，金(Au)的含量小于约0.2重量％，且更优选小于约0.1重量％。
可以在特定气氛下进行焊球形成，以增强在导线末端处形成的焊球的真正球形，和防止偏心球形成的现象，并且通常在添加有氢(H2)和氮(N2)的气氛下进行。换言之，在焊球形成期间，可以使用包含约1体积％至约10体积％范围的氢(H2)的氮(N2)气体混合物作为保护气体，同时使用本发明构思中的银合金接合线进行接合。更具体地，可以向导线的末端放出5％H2+N2气体，并且可以产生电弧放电，以形成焊球部，并且可以对所述焊球部接合。
接合线可以由大量晶粒构成。晶粒的尺寸可以贯穿整个接合线具有特别的散布(scattering)。此外，晶粒的尺寸可以根据接合线的径向位置而改变。对于根据本发明构思的一个以上实施方案的银合金接合线来说，在与银合金接合线的纵向垂直的横截面上，a/b的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸"a"比中心部分的平均晶粒尺寸"b"，可以为约0.3至约3。或者，“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸"a"比中心部分的平均晶粒尺寸"b"，可以为约0.5至2.5。
图1是根据本发明的一个以上实施方案的银合金接合线100的透视图，并且图示了横截面，以描述与纵向即z轴垂直的横截面的结构。银合金接合线100可以由相对于中间界面105、即边界界面更接近接合线100的中心O的中心部分110和更远离接合线100的中心O的外侧部分120组成。中间界面105可以是假想的，并且在中心部分110和外侧部分120之间可能观察不到物理界面。
中间界面105可以位于接合线100的中心O和接合线100的表面之间。换言之，假设接合线100的横截面为半径为R的圆，中间界面105可以是半径为R/2的圆，为与横截面同心的圆。
图2是外侧部分的平均晶粒尺寸“a”和中心部分的平均晶粒尺寸“b”的测量方法的一些实施方案的示意图。
参照图2，可以沿着接合线100的圆周方向测量外侧部分的平均晶粒尺寸“a”，表示为a1。例如，可以例如使用如电子背散射衍射(electron backscatter diffraction,EBSD)法的方法，测量外侧部分的平均晶粒尺寸“a”。可以通过以下方式获得外侧部分的平均晶粒尺寸“a”：由通过EBSD分析获得的晶粒图像，对在与线的纵向垂直的方向上跨过预定距离的晶粒的数量计数，并且将预定长度除以晶粒的数量。
因为可以通过EBSD法测量各晶粒的取向，从而可以确定晶粒体系。本发明构思将具有约15度以上取向差的相邻晶粒定义为晶粒体系。
备选地，可以使用EBSD系统，以软件方法确定平均晶粒尺寸a。当使用EBSD系统以软件方法确定平均晶粒尺寸“a”时，例如，在计算暴露在侧表面上的晶粒的面积之后，将具有相同面积的圆的直径定义为晶粒尺寸，并且随后，可以通过将这样定义的晶粒尺寸取平均来确定平均晶粒尺寸。
或者，选择性地，当使用EBSD系统并且以软件方法确定表示为a2的外侧部分的晶粒尺寸时，可以通过获得晶粒尺寸的平均值来获得平均晶粒尺寸“a”。
此外，中心部分的平均晶粒尺寸“b”可以是对于在中心部分中的任意范围或对于中心部分的整个范围测量的晶粒尺寸的平均值。可以使用例如EBSD的方法，以对于在中心部分中的任意范围或对于整个中心部分范围测量晶粒尺寸。使用EBSD以软件方法获得平均晶粒尺寸“b”的情况可以和上述的相同。
特别地，适宜的是测得的中心部分的平均晶粒尺寸“b”可以等于或小于2μm。
使用EBSD获取晶粒尺寸及其平均值的方法详细描述于韩国专利号1057271，并且在此省略了对该方法更详细的描述。
如上所述，可以获得外侧部分的平均晶粒尺寸“a”和中心部分的平均晶粒尺寸“b”，并且中心部分的平均晶粒尺寸“b”可以大于外侧部分的平均晶粒尺寸“a”。换言之，在与接合线的纵向垂直的横截面上，“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”，可以小于约1。在这种情况下，“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”，可以为约0.3至约1。
将基板与半导体管芯(die)连接或将半导体管芯与其他半导体管芯连接的接合线可能经常经历严苛的温度变化，并且晶粒尺寸和晶粒尺寸的散布可能关系到对于热变化的稳定性。换言之，当晶粒尺寸小时，与当晶粒尺寸大时的不稳定性相比，可以减小对于热变化的不稳定性。
此外，当晶粒尺寸的分布比较均一时，散布小，并且因此，晶粒尺寸的分布与当散布大时的情况相比可以更加恒定。因此，可以减小对于热变化的不稳定性。其中，在与接合线的纵向垂直的横截面上，“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分b的平均晶粒尺寸“b”，可以为指示散布的指数。
可以进一步添加第一物理性能调节元素，以增强银合金接合线的材料性能。第一物理性能调节元素可以防止接合线内的晶粒的尺寸的过度增加。
第一物理性能调节元素可以是选自由以下各项组成的组中的一种以上：铍(Be)、钙(Ca)、镧(La)、钇(Y)和铈(Ce)。基于总的银合金接合线，第一物理性能调节元素的总含量可以为约30wt ppm至约100wt ppm。
当在合金接合线中的第一物理性能调节元素的含量太小时，防止晶粒尺寸粗化的效果可能是最小的。另一方面，当在银合金接合线中的第一物理性能调节元素的含量过大时，在银合金接合线的末端形成的焊球的硬度可能过高。当焊球的硬度过高时，在焊盘或半导体管芯中可能出现裂缝或成坑(cratering)，并且可能使相对于凸点的凸点上针脚(SOB)焊接性能变差。
图3A是详细描述SOB焊接性能的侧视图，且图3B是图3A中B部分的当从其顶部观看时的平面图。参照图3A，设置了将要电学连接的第一焊盘10和第二焊盘20，并且在第二焊盘20上设置凸点30。凸点30可以是球凸点或柱凸点，并且此处描述的是柱凸点的情况。
在设置的焊盘10和20中，在第二焊盘20上设置凸点30，并且设置凸点30的方法同样对于本领域技术人员来说是熟知的，并省略了对其的详细描述。
在于第一焊盘10上通过在银合金接合线100的线端部处形成焊球从而进行球焊之后，通过将银合金接合线100引至在第二焊盘20上的凸点30来在凸点30上进行针脚式接合。
参照图3B，适宜的是，在针脚式接合中，左侧和右侧的形状和尺寸相对于中心线C是基本上对称的。当在针脚式接合期间向总的接合线宽度施加均匀的力时，如果接合线的材料性能在整个宽度内是几乎均匀的，则针脚式接合表面的左侧和右侧的形状和尺寸相对于中心线C可以是基本上相互对称的。
可以进一步添加第二物理性能调节元素，以增强银合金接合线的物理性能。第二物理性能调节元素可以抑制在接合线的变形期间可能发生的加工硬化。作为结果，可以达到SOB焊接可能性的出色效果，并且可以获得改善成坑的效果。
第二物理性能调节元素可以是选自由以下各项组成的组中的一种以上：铂(Pt)和铜(Cu)。第二物理性能调节元素的总含量可以为，例如相对于总的银合金接合线，总计约0.01重量％至约3重量％。
当在银合金接合线中的第二物理性能调节元素的含量太小时，对由于接合线的变形导致的加工硬化的抑制效果可能是最小的。另一方面，当银合金接合线中的第二物理性能调节元素的含量过大时，可能出现多种副作用，如接合线的电阻的过度增加和由于合金化导致的硬化现象。
以下描述根据本发明构思的一个以上实施方案的银合金接合线的制造方法。
在根据上述含量铸造了一根棍形状的线之后，通过拉拔过程使线的横截面连续减小。在拉拔过程中，可以优选的是在模口之前和之后接合线的横截面减小率为约7％至约10％。换言之，当线在拉拔过程期间通过模口时，可以适宜的是配置该拉拔过程，使得在通过模口后的横截面与通过模口前的横截面相比减小了约7％至约10％。特别地，适宜的是，在其中直径等于或小于50μm的过程中，将接合线的横截面减小率控制在约7％至约10％。
当接合线的横截面减小率太高时，接合线中的晶粒的散布可能过大。此外，当接合线的横截面减小率太低时，获得具有想要的直径的接合线所必需的拉拔过程的次数可能太多，这可能是在经济上不利的。
选择性地，在铸造过程之前可以还包括将原材料纯化的纯化过程。
在拉拔过程之间还可以包括中间体退火过程。接合线中的晶粒的尺寸在通过拉拔过程的同时减小，并且，随着晶粒的尺寸减小，接合线的延性(ductility)和展性(malleability)可能劣化。因此，可以进行中间体退火过程，以减小延性和展性的劣化，并将组分更均匀地分布。更具体地，进行中间体退火过程可以导致接合线中晶粒的尺寸的增加并且可以获得对加工来说所需的延性和展性。中间体退火可以在约250℃至约450℃的温度进行约0.5秒至约30秒。
当中间体退火温度太低时，可能不会获得用于制造的延性和展性，且另一方面，当中间体退火温度太高时，硬度减弱并且在拉拔过程中可能发生线断裂。
此外，当中间体退火时间太短时，可能不会获得对于制造来说所需的延性和展性。另一方面，当中间体退火时间太长时，晶粒的尺寸可能过度增加，并且这可能是在经济上不利的。
在拉拔过程完成后，可以进行最终退火过程。最终退火过程可以在约400℃至约600℃的温度进行约1秒至约20分钟。
当最终退火温度太低时，可能不会获得对于焊接来说所需的延性和展性。另一方面，当最终退火温度太高时，晶粒的尺寸可能过度增加，并且在焊接期间可能不合需要地出现缺陷如回线的偏转。
此外，当退火时间太短时，可能不会获得对于制造来说所需的延性和展性。另一方面，当退火时间太长时，晶粒的尺寸可能过度增加，并且这可能是在经济上不利的。
可以通过例如将接合线以合适的速度通过炉子，来进行上述的中间体退火过程和最终退火过程。此外，将接合线通过炉子的速度可以由退火时间和炉子的尺寸决定。
本发明构思的方式
在下文中，参照详细的示例性实施方案和比较例，来详细描述本发明构思的结构和效果；然而，本发明的实施方案仅用于更清楚地描述本发明构思的一个以上实施方案的特征，并且不应当解释为受限于本文所给出的描述。物理性能是通过以下方法使用示例性实施方案和比较例来评价的。
[比电阻]
在室温使用四点探针测量技术，以约100mm(即约10cm)的探针间距，通过数字万用表(DMM)测量电阻。随后，使用测得的电阻以及银合金接合线的横截面积和探针间距，计算比电阻。计算出的比电阻，对于小于3.0μΩ·cm的，显示为◎，对于等于或大于3.0μΩ·cm至小于3.4μΩ·cm的，显示为○，对于等于或大于3.4μΩ·cm至小于3.8μΩ·cm的，显示为△，并且对于等于或大于3.8μΩ·cm的，显示为×。
[耐酸性]
通过将线样品分别浸入5％硫酸和5％盐酸中，基于时间，测试线样品的表面的腐蚀程度。如果在1小时内观察到腐蚀，将它的腐蚀程度评价为X。如果在2小时内观察到但在1小时内未观察到表面腐蚀，将它评价为△。如果在3小时内观察到但在2小时内未观察到表面腐蚀，将它评价为O。如果在3小时内没有发生变化，将它评价为◎。
[焊盘成坑]
使用制得的接合线，在K&S Maxum Ultra焊接机上，用超声热压焊接法，进行球焊/针脚式接合过程。在N2气体气氛中，通过电弧放电，在接合线的引线端处形成焊球，使得接合线首先焊接至在硅基板上的0.6μm厚的铝焊盘，并随后将接合线延伸并在220℃楔焊至镀有厚度为2μm的Ag或Pd的引线框架。
使用相同的接合线在6,000个焊盘上进行焊接。在将铝焊盘在碱溶液中熔融并从焊接的接合线中移除铝焊盘后，观察在曾经存在铝焊盘的位置处的硅基板是否受损。作为结果，如果对于6,000个焊盘，没有出现在硅基板上的开裂或损坏，将它评价为◎。如果出现三个以下在硅基板上的开裂或损坏，将它评价为O。如果出现四个至十个在硅基板上的开裂或损坏，将它评价为△。如果出现多于十个在硅基板上的开裂或损坏，将它评价为X。
[凸点上针脚(SOB)焊接性能]
通过使用相同的接合线在形成于焊盘上的凸起焊球上进行6,000次针脚式接合，来评价焊接性能。在于150℃的温度进行焊接后，如果焊接部分的0.1％以上剥离，将它评价为X。如果焊接部分的小于0.1％剥离，将它评价为△。如果没有焊接部分剥离并且线的形状不对称地变形，将它评价为O。如果没有焊接部分剥离并且线的形状对称地变形，将它评价为◎。
[焊球形状均匀性]
在以5％H2+N2为保护气体将直径为20μm的接合线的引线端熔融以形成直径为42μm的焊接球之后，将接合线焊接至焊盘。随后，测量水平轴方向的长度和竖直轴方向的长度的比率，以观察比率是否接近1，接合线是否位于焊球的中心，边缘是否为光滑的圆形，以及边缘是否以花瓣的形式弯曲。
如果测得的是焊接球在水平轴方向和竖直轴方向的长度的比率为大于0.99，接合线位于焊球的中心，且边缘具有圆形形状而不具有花瓣形状，将它评价为◎。如果测得的是焊接球在水平轴方向和竖直轴方向的长度的比率为0.96至0.99，接合线位于焊球的中心，且边缘具有圆形形状而不具有花瓣形状，将它评价为O。如果焊接球在水平轴方向和竖直轴方向的长度的比率为大于0.9，边缘没有花瓣的形状并且它不对应于◎或O，将它评价为△。其他情况评价为X。
[热冲击可靠性]
使用可商购的热循环测试(TCT)设备，测得热冲击可靠性。在引线接合后，将接合线用环氧模化合物(EMC)包封，在严苛条件下反复施加热冲击(从-45℃/30分钟至+125℃/30分钟)，并且随后测量由于收缩/膨胀而断裂的接合线的数量。如果在6,000根线中没有线断裂，将它评价为◎。如果断裂的线的数量为1至4之间，将它评价为O。如果断裂的线的数量为5至19之间，将它评价为△。如果断裂的线的数量为20以上，将它评价为X。
[湿度可靠性]
通过将在引线接合后用EMC包封的封装件放置在121℃的温度和85％的湿度下，并且测量在接合表面中发生断开的时间，来评价湿度可靠性。如果当在接合表面中发生断开时的时间为大于500小时，将它评价为◎。如果当在接合表面中发生断开时的时间为396小时以上至小于500小时，将它评价为O。如果当在接合表面中发生断开时的时间为198小时以上至小于396小时，将它评价为△。如果当在接合表面中发生断开时的时间为小于198小时，将它评价为X。
[高温可靠性]
通过将在引线接合后用EMC包封的封装件放置在175℃的温度下，并且测量在接合表面中发生断开的时间，来评价高温可靠性。如果当在接合表面中发生断开时的时间为大于500小时，将它评价为◎。如果当在接合表面中发生断开时的时间为396小时以上至小于500小时，将它评价为O。如果当在接合表面中发生断开时的时间为198小时以上至小于396小时，将它评价为△。如果当在接合表面中发生断开时的时间为小于198小时，将它评价为X。
制备具有如在表1中所示的组成的锭。根据横截面减小率，将该锭拉细至约20μm的直径，并且在500℃退火约1秒，以制造接合线。测量制造的接合线的平均晶粒尺寸，并且测试上述各测试项，并且结果分别总结在表1和2中。
[表1]
[表2]
如在上表1和2中所示，当钯(Pd)的组成在约1重量％至约4重量％的范围内时，银合金接合线在多个项目如比电阻、耐酸性、焊盘成坑、凸点上针脚焊接性能和湿度可靠性上展现出出色的性能；然而，当钯的组成缺乏或在组成范围之外时，确定这些项目的评价结果是差的。此外，即使当钯的组成在上述范围内时，如果“a”/“b”的比率在约0.3至约3的范围外，对关于热冲击稳定性和焊盘成坑的项目的评价也变差。
为了发现第一物理性能调节元素的效果，制备了具有如在表3中所示的组成的锭。根据横截面减小率，将该锭拉细至约20μm的直径，并且在500℃退火约1秒，以制造接合线。测量制造的接合线的平均晶粒尺寸，并且测试上述各测试项，并且结果分别总结在表3和4中。
[表3]
[表4]
如在上表3和4中所示，即使钯(Pd)的组成在约1重量％至约4重量％的范围内且添加了在约30wtppm至约100wtppm的范围内的第一物理性能调节元素，仍然发现银合金接合线在如焊盘成坑、凸点上针脚焊接性能和热冲击可靠性的项目上具有不佳的物理性能，除非“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”在约0.3至约3的范围内。
此外，由表1至4的结果确定的是，当“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”在约0.3至约3的范围内，并且加入约30wtppm至约100wtppm的范围内的物理性能调节元素时，银合金接合线在如焊球形状均匀性和高湿度可靠性的项目上可以具有更出色的物理性能。
为了发现第二物理性能调节元素的效果，制备了具有如在表5中所示的组成的锭。根据横截面减小率，将该锭拉细至约20μm的直径，并且在500℃退火约1秒，以制造接合线。测量制造的接合线的平均晶粒尺寸，并且测试上述各测试项，并且结果分别总结在表5和6中。
[表5]
(*):重量％；(#):wt ppm
[表6]
如上表5和6中所示，即使钯(Pd)的组成在约1重量％至约4重量％的范围内且添加了在约0.01重量％至约3重量％的范围内的第二物理性能调节元素，仍然发现银合金接合线在如焊盘成坑、凸点上针脚焊接性能和热冲击可靠性的项目上具有不佳的物理性能，除非“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”在约0.3至约3的范围内。
此外，由表1至4的结果确定的是，当“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”在约0.3至约3的范围内，并且加入约0.01重量％至约3重量％的范围内的第二物理性能调节元素时，银合金接合线可以具有更出色的物理性能。
尽管已经参照其示例性实施方案具体地示出和描述了本发明构思，应理解的是，可以在其中在不脱离以下权利要求的精神和范围的情况下进行形式和细节的多种改变。
工业实用性
本发明构思可以用在半导体工业中。

Claims (10)

1.一种以银(Ag)作为主组分的银合金接合线，所述银合金接合线包含1重量％至4重量％的钯，其中在与所述接合线的纵向垂直的横截面上，“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”，在0.3至3的范围内，并且
其中所述银合金接合线包括中间界面，所述中间界面是半径为R/2且与半径为R的所述银合金接合线同心的圆，所述中心部分是比所述中间界面更接近所述银合金接合线的中心的部分，并且外侧部分是比所述中间界面更远离所述银合金接合线的所述中心的部分。
2.权利要求1所述的银合金接合线，其中不包含金(Au)。
3.权利要求1所述的银合金接合线，其中所述中心部分的平均晶粒尺寸“b”大于所述外侧部分的平均晶粒尺寸“a”。
4.权利要求3所述的银合金接合线，其中所述中心部分的平均晶粒尺寸“b”小于或等于2μm。
5.权利要求1所述的银合金接合线，其中所述“a”/“b”的比率，即所述外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比所述中心部分的平均晶粒尺寸“b”，在0.3至1的范围内。
6.权利要求1所述的银合金接合线，其中第一物理性能调节元素包括选自由以下各项组成的组中的一种以上：铍(Be)、钙(Ca)、镧(La)、钇(Y)和铈(Ce)，并且所述第一物理性能调节元素的总含量相对于总的银合金接合线为30wt ppm至100wt ppm。
7.权利要求1所述的银合金接合线，其中第二物理性能调节元素包括选自由以下各项组成的组中的一种以上：铂(Pt)和铜(Cu)，并且所述第二物理性能调节元素的总含量相对于总的银合金接合线为0.01重量％至3重量％。
8.权利要求1所述的银合金接合线，其中通过拉拔过程以7％至10％的横截面减小率制造所述银合金接合线。
9.权利要求1所述的银合金接合线，所述银合金接合线还包含金，其中金的含量小于0.2重量％。
10.一种以银(Ag)作为主组分的银合金接合线，所述银合金接合线包含1重量％至4重量％的钯并且不包含金(Au)，其中通过拉拔过程以7％至10％的横截面减小率制造所述银合金接合线，
其中在与所述接合线的纵向垂直的横截面上，“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”，在0.3至3的范围内，并且
其中所述银合金接合线包括中间界面，所述中间界面是半径为R/2且与半径为R的所述银合金接合线同心的圆，所述中心部分是比所述中间界面更接近所述银合金接合线的中心的部分，并且外侧部分是比所述中间界面更远离所述银合金接合线的所述中心的部分。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY162021A (en) * 2014-03-31 2017-05-31 Nippon Micrometal Corp Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same
TWI536476B (zh) * 2014-03-31 2016-06-01 Nippon Micrometal Corp Connecting wire for semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101681616B1 (ko) * 2014-08-27 2016-12-01 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게 본딩 와이어 및 이의 제조 방법
JP6516465B2 (ja) 2014-12-17 2019-05-22 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
WO2016203659A1 (ja) 2015-06-15 2016-12-22 日鉄住金マイクロメタル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
EP3136435B1 (en) 2015-07-23 2022-08-31 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor device
SG10201508104TA (en) * 2015-09-29 2017-04-27 Heraeus Materials Singapore Pte Ltd Alloyed silver wire
CN110527864A (zh) * 2016-04-28 2019-12-03 日铁新材料股份有限公司 半导体装置用接合线
KR101812943B1 (ko) * 2016-10-20 2017-12-28 엠케이전자 주식회사 본딩 와이어
TWI802555B (zh) * 2017-03-31 2023-05-21 日商拓自達電線股份有限公司 接合線
CN107958850A (zh) * 2017-11-28 2018-04-24 宁波尚进自动化科技有限公司 一种焊点焊接质量监控系统及其监控方法
CN109930020B (zh) * 2019-05-05 2020-10-30 浙江佳博科技股份有限公司 一种键合合金丝及其制备和应用
CN112626368B (zh) * 2020-12-23 2022-01-25 南昌航空大学 一种银合金键合线的制备方法
CN114952079B (zh) * 2022-06-28 2023-06-23 浙江亚通新材料股份有限公司 一种降银药芯焊丝

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101802994A (zh) * 2008-01-25 2010-08-11 新日铁高新材料株式会社 半导体装置用接合线
KR20120046019A (ko) * 2010-10-29 2012-05-09 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 본딩 와이어
JP2012169374A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Tanaka Electronics Ind Co Ltd Ａｇ−Ａｕ−Ｐｄ三元合金系ボンディングワイヤ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3697227B2 (ja) 2002-06-24 2005-09-21 新日本製鐵株式会社 半導体装置用金ボンディングワイヤ及びその製造方法
JP2005294681A (ja) 2004-04-02 2005-10-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体素子用ボンディングワイヤおよびその製造方法
KR101001700B1 (ko) * 2007-03-30 2010-12-15 엠케이전자 주식회사 반도체 패키지용 은합금 와이어
JP5616165B2 (ja) * 2010-08-24 2014-10-29 タツタ電線株式会社 銀ボンディングワイヤ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101802994A (zh) * 2008-01-25 2010-08-11 新日铁高新材料株式会社 半导体装置用接合线
KR20120046019A (ko) * 2010-10-29 2012-05-09 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 본딩 와이어
JP2012169374A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Tanaka Electronics Ind Co Ltd Ａｇ−Ａｕ−Ｐｄ三元合金系ボンディングワイヤ

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