CN105390511A - 影像感测装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种影像感测装置及其制造方法，影像感测装置包括：一主动层，具有多个感光元件；一色彩图案，设置于该些感光元件之一上，其中该色彩图案的色彩选自由红色、绿色与蓝色所组成的族群；一微透镜，设置于该色彩图案上；以及一透光图案，邻近于该色彩图案且位于该些感光元件的另一上，其中该透光图案包括一彩色滤光部与一微透镜部，而该微透镜与该色彩图案之间的折射率差的绝对值少于0.3，且该透光图案的该微透镜部与该彩色滤光部的折射率之间没有差异。
Description
技术领域
本发明涉及影像感测装置，且特别涉及其内具有彩色滤光物材料与微透镜材料之间的减少折射率差异情形的一种影像感测装置及其制造方法。
背景技术
影像感测装置为当今如数码相机、行动电话以及玩具等众多光电装置内的必要构件之一。现有影像感测装置则包括电耦合装置(chargecoupleddevice,CCD)影像感测装置与互补型金氧半导体(complementarymetaloxideoxide,CMOS)影像感测装置。
影像感测装置通常包括了平面阵列化的多个像素胞(pixelcells)，其中各像素胞包括了一光电管(photogate)、一光导体(photoconductor)或具有用于累积光电电荷用的掺杂区的一感光二极管(photodiode)。于此平面阵列化的像素胞上则叠设有由不同色彩的染料所构成的周期性图样(periodicpattern)。上述的周期性图样即为现有的彩色滤光阵列(colorfilterarray)。于彩色滤光阵列上则叠设有多个微透镜(microlens)。利用圆形或方形的微透镜可聚焦入射光于各像素胞内的电荷累积区处。通过收集来自广大的光线收集区的光线并将的透过影像感测装置微透镜而聚焦于一小的感光区处可显著地改善了影像传感器的感测度。
然而，基于如红、绿或蓝的不同颜色的彩色滤光物材料以及形成于其上的微透镜材料间的折射率(refractiveindex，n)差异情形，当入射光线抵达介于微透镜与彩色滤光物之间的介面(interface)时会产生不期望的折射情形。如此，便会降低穿透微透镜与彩色滤光物的光线的能量，并因此减少了影像感测装置内像素的感测度(sensitivity)。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种影像感测装置及其制造方法，以消除或降低起因于影像感测装置内彩色滤光物材料与微透镜材料之间折射率差异情形而造成的入射光能量降低情形。
依据一实施例，本发明提供一种影像感测装置，包括：一主动层，具有多个感光元件；一色彩图案，设置于该些感光元件之一上，其中该色彩图案的色彩选自由红色、绿色与蓝色所组成的族群；一微透镜，设置于该色彩图案上；以及一透光图案，邻近于该色彩图案且位于该些感光元件的另一的上，其中该透光图案包括一彩色滤光部与一微透镜部，而该微透镜与该色彩图案的间的折射率差的绝对值少于0.3，且该透光图案的该微透镜部与该彩色滤光部的折射率的间没有差异。
依据另一实施例，本发明提供一种影像感测装置的制造方法，包括：提供一影像感测结构，包括具有多个感光元件的一主动层与一色彩图案，其中该色彩图案设置于该些感光元件之一上，该彩色图案的色彩选自由红色、绿色与蓝色所组成族群；形成一透光图案，邻近于该色彩图案且位于该些感光元件的另一的上，其中该透光图案包括一彩色滤光部与位于该彩色滤光部上的一微透镜部；以及形成一微透镜于该色彩图案上，其中该微透镜与该色彩图案的折射率差的绝对值少于0.3，而该透光图案的该微透镜部与该彩色滤光部的折射率的间则没有差异。
为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附的图式，作详细说明如下。
附图说明
图1-8为一系列剖面示意图，显示了依据本发明的一实施例的一种影像感测装置的制造方法；以及
图9为一俯视示意图，显示了依据本发明的一实施例的适用于影像感测装置的一种彩色滤光阵列。
其中，附图标记说明如下：
100～半导体基板
102～主动层
104～感光元件
106～保护层
108～遮光金属
110～色彩图案
112～色彩图案
114～透光层
114a～上方部
114b～下方部
116～硬罩幕图案
116’～硬罩幕图案
118～热制程
120～蚀刻制程
122～透光图案
124～微透镜图案
124’～微透镜图案
126～热制程
128～微透镜图案
128’～微透镜图案
130～热制程
200～单元图案
300～单元图案
具体实施方式
图1-8为一系列剖面示意图，显示了依据本发明的一实施例的一种影像感测装置的制造方法。
请参照图1，首先提供大体制备的一影像感测结构(imagesensingstructure)，包括一半导体基板100、位于基板100上的具有多个感光元件(photo-sensingelements)104形成于其内的一主动层102、位于主动层102上的具有多个遮光金属(light-shieldingmetal)108形成于其内的一保护层106，以及形成于保护层106上的多个色彩图案110与112。此些感光元件104可为如感光二极管(photodiode)或互补型金氧半导体(CMOS)感测元件，且其可分隔地形成于主动层102内。而形成于保护层106内的此些遮光金属108则分别形成于主动层102上不会覆盖此些感光元件104的一位置处，藉以定义出遮蔽像素区内除了感光元件104以外的遮光区域。形成于保护层106上的此些色彩图案110与112交错且分隔地形成于其下方的感光元件104之一上，而介于两相邻的色彩图案110与112之间则留有空间(space)。因此，位于介于两相邻色彩图案110与112之间的空间下的感光元件104并未为此些色彩图案110与112所覆盖。于一实施例中，此些色彩图案110与112可包括染料型或颜料型的色阻，且可包括选自由红色(red)、蓝色(blue)、与绿色(green)所组成的族群颜色的不同色彩，并可通过如旋转涂布与微影制程而分别地形成。于一实施例中，色彩图案110与112可具有如约1.7-1.9的折射率(refractiveindex，n)以作为红色滤光物、如约1.5-1.7的折射率以作为蓝色滤光物及如约1.5-1.7的折射率以作为绿色滤光物。下列的表1-3显示了用于形成具有如红色、蓝色、绿色等色彩的色彩图案110与112的材料范例。
表一:绿色(G)色彩图案材料
表二:红色(R)色彩图案材料
表三:蓝色(B)色彩图案的材料
请参照图2，接着通过如旋转涂布制程的一沉积制程于保护层106上坦覆地形成一透光层(transmissivelayer)114，其覆盖了此些色彩图案110与112，以及位于相邻的两色彩图案110与112之间的空间。此透光层114可包括高度透光材料，但于其内不具有特定颜色的染料或颜料，并具有如约1.75-1.95的折射率(n)。此透光层114可包括感光型阻剂，且可通过如旋转涂布方式而形成。下述表四显示了用于形成透光层114的材料的范例。
表四:透光层的材料
请继续参照图2，接着形成多个硬罩幕图案116，其分隔地形成于透光层114上，并分别覆盖位于此些色彩图案110与112之间的空间上的透光层114的一部分。此些硬罩幕图案116可包括感光材料，且可通过一微影制程(未显示)所形成，进而形成了位于透光层114上的多个硬罩幕图案116。此些硬罩幕图案116具有长方形形状。接着，施行一热制程118，例如为一热板热回流制程(hotplatethermalreflowprocess)，以改变此些硬罩幕图案116的形状。
请参照图3，于热制程118之后，便形成了多个具圆滑化形状(roundshape)的硬罩幕图案116’，其分别覆盖了位于色彩图案110与112的间的空间上的透光层114的部分。于一实施例中，此些硬罩幕图案116’的圆滑化形状可为完全圆滑化或大体圆滑化，且其可为、关于或被采用以使得某物转向、弯曲或环绕地圆滑化。如图3所示，此些硬罩幕图案116’可为半圆形形状，但并非以其为限。接着，采用此些硬罩幕图案116’作为蚀刻罩幕，以针对透光层114施行如干蚀刻的一蚀刻制程120。
请参照图4，于蚀刻制程120后，于保护层106上形成了分隔的多个透光图案(transmissivepatterns)122。此些透光图案122分别地形成于位于相邻的色彩图案110与112之间的感光元件104之一上，其包括具有长方形剖面以作为彩色滤光物(colorfilter)的一下方部114b，以及形成于下方部114b上的具有圆滑化形状剖面以作为微透镜(microlens)用的一上方部114a。此些透光图案122与其下方的感光元件104形成了影像感测装置内的一透明像素(clearpixel)或一白色像素(whitepixels)。此些透明像素或白色像素可具有与亮度有关的光谱特性(spectroscopicproperties)且可侦测一物体的亮度信息(luminanceinformation)。此外，由于透光图案122的上方部140a与下方部140b由相同材料所形成，进而使得透光图案122的上方部140a与下方部140b之间并没有折射率的差异。因此，于影像感测装置的此些透明像素或白色像素内可消除基于介于彩色滤光物与微透镜之间的折射率差异所造成的能量减少问题。
请参照图5，分隔地形成的多个微透镜图案124于此些色彩图案112之一的一部分上并与之接触。此些微透镜图案124可包括如热回流型感光材料的感光材料，且可通过一微影制程(未显示)所形成，进而形成了多个微透镜图案124，其分别位于此些色彩图案112之一的一部分上。此些微透镜图案124具有长方形形状，且可具有大于或小于彩色图案112的折射率(refractiveindex，n)的一折射率，且微透镜图案124与色彩图案112的折射率之间的差异的绝对值少于如0.3。接着，施行一热制程126，如一热板热回流制程，以改变此些微透镜图案124的形状。
请参照图6，于热制程126之后，便于此些色彩图案112上分别地形成了多个具圆滑化形状(roundshape)的微透镜图案124’。于一实施例中，此些微透镜图案124’的圆滑化形状可为完全圆滑化或大体圆滑化，且其可为、关于或被采用以使得某物转向、弯曲或环绕地圆滑化。于另一实施例中，，此些微透镜图案124’可为半圆形形状，但并非以其为限。此些微透镜图案124’可分别形成于透光图案122之间且覆盖了位于色彩图案112下方的此些感光元件104之一。基于微透镜图案124’与下方的色彩图案112之间的折射率差异可减低至低于0.3，因此便可减少位于微透镜图案124’与其下方的一色彩图案112之间的一介面处的不期望的入射光折射情形(未显示)的发生，且可降低或消除入射光的能量损失，因此可改善包括了微透镜图案124’与色彩图案112的像素的感测度。
请参照图7，分隔地形成的多个微透镜图案128于此些色彩图案110之一的一部分上并与之接触。此些微透镜图案128可包括如热回流型感光材料的感光材料，且可通过一微影制程(未显示)所形成，进而形成了多个微透镜图案128，其分别位于此些色彩图案110之一的一部分上。此些微透镜图案128具有长方形形状，且可具有大于或小于彩色图案110的折射率(refractiveindex，n)的一折射率，且微透镜图案128与色彩图案110的折射率之间的差异的绝对值少于如0.3。接着，施行一热制程130，如一热板热回流制程，以改变此些微透镜图案128的形状。
请参照图8，于热制程128之后，便于此些色彩图案110上分别地形成了多个具圆滑化形状(roundshape)的微透镜图案128’。于一实施例中，此些微透镜图案128’的圆滑化形状可为完全圆滑化或大体圆滑化，且其可为、关于或被采用以使得某物转向、弯曲或环绕地圆滑化。于另一实施例中，，此些微透镜图案128’可为半圆形形状，但并非以其为限。此些微透镜图案128’可分别形成于透光图案122之间且覆盖了位于色彩图案110下方的此些感光元件104之一。基于微透镜图案128’与下方的色彩图案110之间的折射率差异可减低至低于0.3，因此便可减少位于微透镜图案128’与其下方的一色彩图案110之间的一介面处的不期望的入射光折射情形(未显示)的发生，且可降低或消除入射光的能量损失，因此可改善包括了微透镜图案128’与色彩图案110的像素的感测度。此些微透镜图案128’与微透镜图案124’的高度可为相同或相异，其可依照如图8所示影像感测装置内像素的光学设计情形而决定。
图9为一俯视示意图，显示了依据本发明的一实施例的适用于影像感测装置的一种彩色滤光阵列(colorfilterarray，CFA)。
请参照图9，此彩色滤光阵列可包括依照X方向与Y方向而交替地安排与设置的多个单元图案200与300。于一实施例中，此些单元图案200与300显示为2*2的彩色滤光阵列，且其内包括了具有不同设置型态的红色、蓝色、绿色及透明/白色的彩色滤光物。图8显示了具有沿着图8内线段8-8的彩色滤光物设置情形的一影像感测装置的一剖面图。然而，本发明的影像感测装置可具有不同于图8-9所示的彩色滤光物的其它设置情形，而并非以图8-9所示情形而为限。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此项技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种影像感测装置，包括：
一主动层，具有多个感光元件；
一色彩图案，设置于该些感光元件之一上，其中该色彩图案的色彩选自由红色、绿色与蓝色所组成族群；
一微透镜，设置于该色彩图案上；以及
一透光图案，邻近于该色彩图案且位于该些感光元件的另一的上，其中该透光图案包括一彩色滤光部与一微透镜部，而该微透镜与该色彩图案之间的折射率差的绝对值少于0.3，且该透光图案的该微透镜部与该彩色滤光部的折射率之间没有差异。
2.如权利要求1所述的影像感测装置，其中该色彩图案为红色的，且具有1.7-1.9的折射率，或该色彩图案为蓝色的，且具有1.5-1.7的折射率，或该色彩图案为绿色的，且具有1.6-1.7的折射率。
3.如权利要求1所述的影像感测装置，其中该微透镜具有一圆滑化形状，以及该透光图案的该微透镜部具有一圆滑化形状。
4.如权利要求1所述的影像感测装置，其中透光图案与其下方的该感光元件形成了一透明像素或一白色像素。
5.一种影像感测装置的制造方法，包括：
提供一影像感测结构，包括具有多个感光元件的一主动层与一色彩图案，其中该色彩图案设置于该些感光元件之一上，该色彩图案的色彩选自由红色、绿色与蓝色所组成族群；
形成一透光图案，邻近于该色彩图案且位于该些感光元件的另一的上，其中该透光图案包括一彩色滤光部与位于该彩色滤光部上的一微透镜部；以及
形成一微透镜于该色彩图案上，其中该微透镜与该色彩图案的折射率差的绝对值少于0.3，而该透光图案的该微透镜部与该彩色滤光部的折射率之间则没有差异。
6.如权利要求5所述的影像感测装置的制造方法，其中形成该透光图案包括：
形成一透光层于该主动层上；
形成一硬罩幕图案于该透光层的一部分与该透光层下方的该些感光元件之一上；以及
采用该硬罩幕图案作为一蚀刻罩幕，对该透光层施行一蚀刻制程而形成该透光图案。
7.如权利要求5所述的影像感测装置的制造方法，其中形成该微透镜包括：
形成一微透镜图案于该色彩图案上；以及
施行一热制程并变形该微透镜图案成为位于该色彩图案上的该微透镜。
8.如权利要求5所述的影像感测装置的制造方法，其中该色彩图案为红色的，且具有1.7-1.9的折射率，或该色彩图案为蓝色的，且具有1.5-1.7的折射率，或该色彩图案为绿色的，且具有1.6-1.7的折射率，且其中该透光图案具有1.75-1.95的折射率。
9.如权利要求5所述的影像感测装置的制造方法，其中该微透镜具有一圆滑化形状，且该透光图案的该微透镜部具有一圆滑化形状。
10.如权利要求5所述的影像感测装置的制造方法，其中透光图案与其下方的该感光元件形成了一透明像素或一白色像素。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110456429A (zh) * | 2018-05-03 | 2019-11-15 | 采钰科技股份有限公司 | 形成微镜头阵列的方法以及光遮罩 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10431624B2 (en) * | 2015-07-08 | 2019-10-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing image sensor including nanostructure color filter |
| KR102718277B1 (ko) | 2018-04-13 | 2024-10-15 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 전자 장치 |
| US10880467B2 (en) * | 2018-06-25 | 2020-12-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensors with phase detection auto-focus pixels |
| US10684400B2 (en) | 2018-08-03 | 2020-06-16 | Visera Technologies Company Limited | Optical elements and method for fabricating the same |
| KR102649313B1 (ko) | 2019-02-13 | 2024-03-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| US11569291B2 (en) * | 2020-11-05 | 2023-01-31 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor and method forming the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116127A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006196634A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー固体撮像装置の製造方法 |
| US20120044395A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Andrea Del Monte | Image sensors with antireflective layers |
| US20130134537A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-05-30 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method therefor, electronic apparatus, and composition for solid-state imaging device |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219748A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2601148B2 (ja) | 1993-07-23 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2004079608A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
| JP2009026808A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
| US7968923B2 (en) * | 2008-03-12 | 2011-06-28 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor array with conformal color filters |
| JP2011176715A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
| JP2012074521A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および電子機器 |
| JP2013021168A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
| KR101352433B1 (ko) * | 2012-04-04 | 2014-01-24 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP2014154662A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Sony Corp | 固体撮像素子、電子機器、および製造方法 |
| JP6166640B2 (ja) * | 2013-10-22 | 2017-07-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
-
2014
- 2014-08-20 US US14/463,938 patent/US9640576B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-15 JP JP2015005590A patent/JP2016046510A/ja active Pending
- 2015-06-24 TW TW104120259A patent/TWI562344B/zh active
- 2015-07-06 CN CN201510390305.2A patent/CN105390511B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116127A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006196634A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー固体撮像装置の製造方法 |
| US20120044395A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Andrea Del Monte | Image sensors with antireflective layers |
| US20130134537A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-05-30 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method therefor, electronic apparatus, and composition for solid-state imaging device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110456429A (zh) * | 2018-05-03 | 2019-11-15 | 采钰科技股份有限公司 | 形成微镜头阵列的方法以及光遮罩 |
Also Published As
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