CN103208497B - 彩色滤光结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种彩色滤光结构及其制造方法，所述方法包括：提供底层；形成第一色彩层于底层之上；图案化第一色彩层，形成一对第一色彩图案于底层之上、第一开口位于该对第一色彩图案之间，以及第二开口邻近该对第一色彩图案；形成第一介电层于该对第一色彩图案之上以及于为第一开口与第二开口所露出的底层之上；形成第二色彩层于该对第一色彩图案以及第一介电层之上；图案化第二色彩层，形成第二色彩图案于第一开口内；形成第二介电层于第一介电层与第二色彩图案之上；形成第三色彩层于第二介电层之上；以及图案化第三色彩层，形成第三色彩图案于第二开口内。本发明可可提供具有较佳的分辨率与对准准确度的一彩色滤光结构；可减低或消除串音问题。
Description
技术领域
本发明涉及图像感测装置的制作，尤其涉及适用于图像感测装置的一种彩色滤光结构及其制造方法，其可具有较佳的分辨率及较少的串音(cross-talk)问题。
背景技术
图像感测装置为当今如数码相机、移动电话以及玩具等众多光电装置内的必要构件之一。公知图像感测装置则包括电耦合装置(chargecoupleddevice，CCD)图像感测装置与互补型金属氧化物半导体(complementarymetaloxideoxide，CMOS)图像感测装置。图像感测装置可包括由多个图像像素所形成的阵列。而各像素中则分别包括转换光能成为电子信号的一光电管(photogate)、感光鼓(photoconductor)以及具有累积光生电荷(photo-generatedcharge)的掺杂区的感光二极管。
此外，于上述平面阵列化的图像像素上则叠设有由不同色彩的染料所构成的周期性图样(periodicpattern)。上述的周期性图样即为公知的彩色滤光阵列(colorfilterarray)。而上述不同色彩的周期性图样通常是由如染料型(dye-type)或颜料型(pigment-type)的I线感光材料(I-linephotosensitivematerials)所构成，因此上述不同色彩的周期性图样通常可采用光刻工艺所形成。然而，于光刻工艺中，颜料型感光材料通常较染料型感光材料具有较差的分辨率表现。而相较于染料型感光材料，颜料型感光材料则会显现出不良的化学忍受性(chemicalduration)。因此，不同色彩的染料型或颜料型感光材料所构成的周期性图样的准确定义便产生问题，且随着上述不同色彩的周期性图样的尺寸更缩小至如次微米(sub-micron)尺寸时，上述问题将变的更为严重。再者，当不同色彩的周期性图样尺寸进一步缩减至如次微米的一尺寸时，针对前述I线感光材料施行光刻程序时所应用的光刻机台的分辨率将受到限制而无法适用。
发明内容
有鉴于此，为了克服现有技术的缺陷，本发明提供了一种彩色滤光结构及其制造方法，以解决上述问题。
依据一实施例，本发明提供了一种彩色滤光结构的制造方法，包括：
提供一底层；形成一第一色彩层于该底层之上；图案化该第一色彩层，形成一对第一色彩图案于该底层之上、一第一开口位于该对第一色彩图案之间，以及一第二开口邻近该对第一色彩图案；形成一第一介电层于该对第一色彩图案之上以及于为该第一开口与该第二开口所露出的该底层之上；形成一第二色彩层于该对第一色彩图案以及该第一介电层之上；图案化该第二色彩层，形成一第二色彩图案于该第一开口内；形成一第二介电层于该第一介电层与该第二色彩图案之上；形成一第三色彩层于该第二介电层之上；以及图案化该第三色彩层，形成一第三色彩图案于该第二开口内。
依据另一实施例，本发明提供了一种彩色滤光结构，包括：
一对第一色彩图案；一第二色彩图案，位于该对第一色彩图案之间；一第三色彩图案，邻近该对第一色彩图案；一第一介电层，位于该对第一色彩图案之上；以及一第二介电层，位于该第一介电层与该第二色彩图案之上。
依据又一实施例，本发明提供了一种彩色滤光结构的制造方法，包括：
(a)形成一介电层；(b)形成一色彩层于该介电层之上；(c)形成一硬掩模图案于该色彩层之上；(d)图案化该色彩层并利用该硬掩模图案以形成一色彩图案；(e)移除该硬掩模图案；(f)重复步骤(a)-(e)；以及(g)重复步骤(a)-(e)。
本发明可消除不期望的有机物残留问题；可提供具有较佳的分辨率与对准准确度的一彩色滤光结构；以及可减低或甚至消除相邻的感光组件的串音问题。
为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附的图式，作详细说明如下。
附图说明
图1-图4为一系列示意剖面图，显示了依据本发明一实施例的一种图像感测装置的制造方法；
图5-图9为一系列示意剖面图，显示了依据本发明另一实施例的一种图像感测装置的制造方法；
图10-图11为一系列示意剖面图，显示了依据本发明又一实施例的一种图像感测装置的制造方法；以及
图12为一示意剖面图，显示了依据本发明一实施例的一种图像感测装置。
其中，附图标记说明如下：
100～半导体基板；
102～有源层；
104～感光组件；
106～保护层；
108～遮光金属；
110～介电层；
112～色彩层；
112a～色彩图案；
114～硬掩模图案；
116～图案化工艺；
118、120～开口；
124～色彩层；
124a～色彩图案；
126～硬掩模图案；
128～图案化工艺；
130～介电层；
132～色彩层；
132a～色彩图案；
134～硬掩模图案；
136～图案化工艺；
138～间隔物层；
140～微透镜；
200～半导体基板；
202～有源层；
204～感光组件；
206～保护层；
208～遮光金属；
210～介电层；
212～色彩层；
212a～色彩图案；
214、214a～～硬掩模图案；
216～热工艺；
218～图案化工艺；
220、222～开口；
224～介电层；
226～色彩图案；
228～介电层；
230～色彩图案；
232～间隔物层；
234～微透镜；
236～介电层；
238～黑矩阵层；
238a、238b～遮光图案；
240～硬掩模图案；
242～图案化工艺。
具体实施方式
图1-图4为一系列示意剖面图，显示了依据本发明一实施例的一种图像感测装置的制造方法。
首先提供大体制备的一图像感测结构，包括一半导体基板100、位于基板100上的具有多个感光组件104形成于其内的一有源层102、以及位于有源层102上的具有多个遮光金属(light-shieldingmetal)108形成于其内的一保护层106。所述多个感光组件104可为如感光二极管(photodiode)或互补型金属氧化物半导体(CMOS)感测组件，且分隔地形成于有源层102内，而形成于保护层106内的所述多个遮光金属108则分别形成于有源层102上不会覆盖所述多个感光组件104的一位置处，借以定义出遮蔽像素区内除了感光组件104以外的遮光区域。
接着，于保护层106上形成一介电层110。介电层110可具有少于50埃的一厚度，并可包括如氧化硅的材料。介电层110为一透光膜层，且具有约为1.4-1.6的一折射率(N)，并可通过如化学气相沉积工艺的一沉积工艺于不高于200℃的一温度下形成。接着，于介电层110上形成一色彩层112。色彩层112可包括非感光型色阻(non-photosensitivecolorresists)，并可通过如旋转涂布的方式形成。色彩层112可具有约5000-10000埃的一厚度。接着，于色彩层112上形成相分隔的多个硬掩模图案114。所述多个硬掩模图案114可包括不同于I线感光材料的感光材料，且可通过一光刻程序(未显示)所形成，进而于介电层110之上形成了多个硬掩模图案114。如图1所示，所述多个硬掩模图案114具有长方形形状。接着，针对色彩层112施行一图案化工艺116，例如一干蚀刻工艺，并使用硬掩模图案114作为蚀刻掩模。
请参照图2，于图案化工艺116之后，于介电层110之上形成有相分隔的多个色彩图案112a，而位于下方的保护层106则为介电层110所保护而不会于图案化工艺116中遭受蚀刻。所述多个色彩图案112a分别形成于所述多个感光组件104之一之上，且每两个色彩图案112a可大体分类成为一子群(sub-group)。因此，于所述多个色彩图案112a的每一子群之内具有位于其内的色彩图案112a间的一开口118，而于所述多个色彩图案112a的相邻的两个子群之间则形成有一开口120。接着，形成一介电层122于所述多个色彩图案112a及介电层110之上。介电层122可形成具有少于50埃的一厚度，并可包括如氧化硅的材料。介电层122为一透光膜层，且可具有约为1.4-1.6的一折射率，且可通过如化学气相沉积工艺的一沉积工艺于不高于200℃的温度下形成。接着，形成一色彩层124于介电层122之上。色彩层122可包括非感光型色阻，且可通过如旋转涂布的方式形成。色彩层124可具有约5000-10000埃的厚度。接着，于色彩层124之上形成相分隔的多个硬掩模图案126。所述多个硬掩模图案126可包括不同于I线感光材料的感光材料，且可通过一光刻工艺(未显示)所形成，进而于色彩层124之上形成多个硬掩模图案126。所述多个硬掩模图案126具有长方形图案。如图2所示，所述多个硬掩模图案126分别形成于大体位于每一开口118上的一位置处。接着，针对色彩层124施行如干蚀刻的一图案化工艺128，并采用所述多个硬掩模图案126作为一蚀刻掩模。
请参照图3，于图案化工艺128后，于介电层122上便形成了相分隔的多个色彩图案124a。所述多个色彩图案124a分别形成于每一开口118之上。所述多个色彩图案124a亦分别形成于下方的感光组件104之一之上。通过介电层122的保护，于图案化工艺128中下方的色彩图案112a并未被蚀刻。接着，于介电层122之上形成一介电层130，并覆盖所述多个色彩图案124a。介电层130可形成具有少于50埃的一厚度，并可包括如氧化硅的材料。介电层130为一透光膜层，且可具有约为1.4-1.6的一折射率，且可通过如化学气相沉积工艺的一沉积工艺于不高于200℃的温度下形成。接着，形成一色彩层132于介电层130之上。色彩层132可包括非感光型色阻，且可通过如旋转涂布的方式形成。色彩层132可具有约5000-10000埃的厚度。接着，于色彩层132之上形成相分隔的多个硬掩模图案134。所述多个硬掩模图案134可包括不同于I线感光材料的感光材料，且可通过一光刻工艺(未显示)所形成，进而于色彩层132之上形成多个硬掩模图案134。。如图3所示，所述多个硬掩模图案134分别形成于大体位于每一开口120上的一位置处，且具有长方形图案。接着，针对色彩层132施行如干蚀刻的一图案化工艺136，并采用所述多个硬掩模图案134作为一蚀刻掩模。
请参照图4，于图案化工艺之后，于介电层130之上便形成有相分隔的多个色彩图案132a，且所述多个色彩图案132a分别形成于每一开口120之上。所述多个色彩图案132a亦分别形成于下方的感光组件104之一上。通过介电层130的保护，于图案化工艺136中位于下方的所述多个色彩图案124a与介电层122并未被蚀刻。接着，于介电层130之上形成一间隔物(spacer)层138，以覆盖所述多个色彩图案132a。间隔物层138可具有约为1000-6000埃的一厚度，且可包括如氧化硅的材料。于间隔物层138形成后便可提供用于后续程序的一平坦表面，且可于间隔物层138上接着形成多个微透镜(microlens)140。每一微透镜140大体垂直准直于所述多个色彩图案112a/124a/132a之一以及位于下方的所述多个感光组件104之一。
于上述实施例中，色彩层112、124与132以及色彩图案112a、124a与132a皆由非感光型色阻所形成，且其可为染料型或颜料型的色阻。色彩层112、124与132以及色彩图案112a、124a与132a具有不同的颜色，且可包括择自由红色(red)、蓝色(blue)、与绿色(green)所组成的族群颜色，或择自由洋红色(magneta)、青蓝色(cyan)与黄色(yellow)所组成族群的颜色，如此便可形成一全彩的马赛克阵列(colormosaicmatrix)。所述多个色彩图案112a、124a与132a可通过包括不同于I线感光材料的一感光材料的硬掩模图案114、126与134的使用而图案化，因此其相较于公知的直接图案化I线光阻所形成的色彩层可具有较佳的分辨率(resolution)与对准准确性(alignmentaccuracy)。于一实施例中，所述多个图案化工艺116、128与136例如为采用如氧气(O2)作为蚀刻气体的一干蚀刻工艺，以使得于图案化色彩层112、124与132而形成色彩图案112a、124a与132a之后可消除不期望的有机物残留(organicresidue)问题。于本实施例中，经结合所述多个色彩图案112a、124a与132a以及介电层122与130之后便可提供了用于一图像感测装置的一彩色滤光结构(colorfilteringstructure)，而此彩色滤光结构可具有较佳的分辨率与对准准确度。
图5-图9为一系列示意剖面图，显示了依据本发明另一实施例的一种图像感测装置的制造方法，此制造方法的实施情形是由修改如图1-图4所示的制造方法所得到。
请参照图5，首先提供大体制造的一图像感测结构，其包括一半导体基板200、位于半导体基板200上的具有多个感光组件204形成于其内的一有源层202、以及位于有源层202上的具有多个遮光金属208形成于其内的一保护层206。所述多个感光组件204可为如感光二极管或互补型金属氧化物半导体感测组件，且分隔地形成于有源层202内，而形成于保护层206内的所述多个遮光金属208则分别形成于有源层202上不会覆盖所述多个感光组件204的一位置处，借以定义出遮蔽像素区内除了感光组件204以外的遮光区域。
接着，于保护层206上形成一介电层210。介电层210可具有少于50埃的一厚度，并可包括如氧化硅的材料。介电层210为一透光膜层，且具有约为1.4-1.6的一折射率，并可通过如化学气相沉积工艺的一沉积工艺于不高于200℃的一温度下形成。接着，于介电层210上形成一色彩层212。色彩层212可包括非感光型色阻，并可通过如旋转涂布的方式形成。色彩层212可具有约5000-10000埃的一厚度。接着，于色彩层212上形成相分隔的多个硬掩模图案214。所述多个硬掩模图案214可包括不同于I线感光材料的感光材料，且可通过一光刻程序(未显示)所形成，进而于介电层210之上形成了多个硬掩模图案214。接着，施行一热工艺216，例如为一快速热回火(rapidthermalannealing，RTA)工艺，以改变所述多个硬掩模图案214的形状。
请参照图6，于热工艺216之后，便形成了具有半圆形图案的多个硬掩模图案214a，且接着针对色彩层212施行一图案化工艺218，例如为一干蚀刻工艺，并使用所述多个硬掩模图案214a作为蚀刻掩模。
请参照图7，于图案化工艺218后，于介电层210之上形成有相分隔的多个色彩图案212a，而位于下方的保护层206则为介电层210所保护而不会于图案化工艺218中遭受蚀刻。所述多个色彩图案212a分别形成于所述多个感光组件204之一之上，且每两个色彩图案212a可大体分类成为一子群。因此，于所述多个色彩图案212a的每一子群之内具有位于其内的色彩图案212a间的一开口220，而于所述多个色彩图案212a的相邻的两个子群之间则形成有一开口222。
请参照图8，形成一介电层224于所述多个色彩图案212a及介电层210之上。介电层224可形成具有少于50埃的一厚度，并可包括如氧化硅的材料。介电层224为一透光膜层，且可具有约为1.4-1.6的一折射率，且可通过如化学气相沉积工艺的一沉积工艺于不高于200℃的温度下形成。接着，通过同样地施行相似于如图6-图7所示的工艺，进而于介电层224之上依序形成多个色彩图案226、介电层228以及多个色彩图案230。所形成的所述多个色彩图案226与230亦具有半圆形形状，而介电层228的特性与功能皆与介电层224相同。如图8所示，所述多个色彩图案226分别形成于每一开口220(请参见图7)之内，而所述多个色彩图案230则分别形成于每一开口222(请参见图7)之内。
请参照图9，接着于所述多个色彩图案230与介电层228之上形成一间隔物层232，以覆盖色彩图案230。间隔物层232可具有一厚度约为1000-6000埃，且可包括如氧化硅的材料。于形成间隔物层232后，可提供后续程序一平坦表面，并于间隔物层232上形成多个微透镜234。每一微透镜234大体且垂直地对准于色彩图案212a/226/230之一以及下方的感光组件204之一。
于上述实施例中，色彩图案212a、226与230皆由非感光型色阻所形成且可为染料型或颜料型色阻。形成色彩图案212a、226与230的色彩层具有不同颜色，且可包括择自由红色、蓝色、与绿色所组成的族群颜色，或择自由洋红色、青蓝色与黄色所组成族群的颜色，如此便可形成一全彩的马赛克阵列。所述多个色彩图案212a、226与230可通过包括不同于I线感光材料的一感光材料的硬掩模图案(例如硬掩模图案214a)的使用而图案化，因此其相较于公知的直接图案化I线光阻所形成的色彩层可具有较佳的分辨率与对准准确性。于一实施例中，所使用的图案化工艺(例如图案化工艺218)例如为采用如氧气作为蚀刻气体的一干蚀刻工艺，以使得于图案化形成色彩图案212a、226与230的色彩层后可消除不期望的有机物残留问题。于本实施例中，经结合所述多个色彩图案212a、226与230以及介电层224与228之后便可提供了用于一图像感测装置的一彩色滤光结构，而此彩色滤光结构可具有较佳的分辨率与对准准确度。
图10-图11为一系列示意剖面图，显示了依据本发明又一实施例的一种图像感测装置的制造方法，此制造方法的实施情形是由修改如图6-图9所示的制造方法所得到。
请参照图10，通过施行如图6-图8所示工艺而首先提供如图8所示的一结构。接着，于所述多个色彩图案230与介电层228之上形成一介电层236。介电层236可具有少于50埃的一厚度，并可包括如氧化硅的材料。介电层236为一透光膜层，且具有约为1.4-1.6的一折射率，并可通过如化学气相沉积工艺的一沉积工艺于不高于200℃的一温度下形成。接着，于介电层236上形成一黑矩阵(blackmatrix)层238。黑矩阵层238可包括可具有约5000-10000埃的一厚度且可包括如非感光型色阻的一遮光材料(light-blockingmaterial)。黑矩阵层238的非感光型色阻可为染料型或颜料型的色阻。接着，于黑矩阵层238上形成相分隔的多个硬掩模图案240。所述多个硬掩模图案240可包括不同于I线感光材料的感光材料，且可通过一光刻程序(未显示)所形成，进而于黑矩阵层238之上形成了多个硬掩模图案240。如图10所示，所述多个硬掩模图案240分别形成于大体位于每一遮光金属208之上的一位置处，且具有长方形的形状。接着，针对黑矩阵层238施行一图案化工艺242，例如为一干蚀刻工艺，并使用所述多个硬掩模图案240作为蚀刻掩模。
请参照图11，于图案化工艺242后，于介电层236之上形成有相分隔且大体准直于其下方的遮光金属208的多个遮光图案238a。接着，如图9所示的工艺，以形成一间隔物层232与多个微透镜234。每一微透镜234体垂直地对准于所述多个色彩图案212a/226/230之一以及其下方的多个感光组件204之一。
图12为一示意剖面图，显示了依据本发明一实施例的一种图像感测装置，其是由如修改图10-图11所示的方法所形成，而在此针对黑矩阵层238所施行的图案化工艺242为不使用硬掩模图案240的一湿蚀刻工艺。如图12所示，多个遮光图案238b形成于介电层236上的大体准直于其下方的多个遮光金属208之一上的一位置处。于此实施例中，所述多个遮光图案238b具有拔锥状(taperedshape)的形状而非如图11所示的遮光图案238a般为具有大体长方形的形状。
于如图5-图9、图10-图11与图12所示的上述实施例中，色彩图案212a、226与230以及用于形成色彩图案212a、226与230的色彩层皆由非感光型色阻所形成，且可为染料型或颜料型色阻。形成色彩图案212a、226与230的色彩层具有不同颜色，且可包括择自由红色、蓝色、与绿色所组成的族群颜色，或择自由洋红色、青蓝色与黄色所组成族群的颜色，如此便可形成一全彩的马赛克阵列。所述多个色彩图案212a、226与230可通过包括不同于I线感光材料的一感光材料的硬掩模图案(例如硬掩模图案214a)的使用而图案化，因此其相较于公知的直接图案化I线光阻所形成的色彩层可具有较佳的分辨率与对准准确性。于一实施例中，所使用的图案化工艺(例如图案化工艺218)例如为采用如氧气作为蚀刻气体的一干蚀刻工艺，以使得于图案化形成色彩图案212a、226与230的色彩层后可消除不期望的有机物残留问题。于上述实施例中，经结合所述多个色彩图案212a、226与230以及介电层224与228之后便可提供了用于一图像感测装置的一彩色滤光结构，而此彩色滤光结构可具有较佳的分辨率与对准准确度。再者，于一实施例中，通过遮光图案(如图11-图12内所示的遮光图案238a与238b)的使用，可减低或甚至消除相邻的感光组件(如图11-图12内所示的相邻感光组件204)的串音问题。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种彩色滤光结构的制造方法，包括：
提供一底层；
形成一第一色彩层于该底层之上；
图案化该第一色彩层，形成一对第一色彩图案于该底层之上、一第一开口位于该对第一色彩图案之间，以及一第二开口邻近该对第一色彩图案，该第一色彩图案具有半圆形形状；
形成一第一介电层于该对第一色彩图案之上以及于为该第一开口与该第二开口所露出的该底层之上；
形成一第二色彩层于该对第一色彩图案以及该第一介电层之上；
图案化该第二色彩层，形成一第二色彩图案于该第一开口内，该第二色彩图案具有半圆形形状；
形成一第二介电层于该第一介电层与该第二色彩图案之上；
形成一第三色彩层于该第二介电层之上；
图案化该第三色彩层，形成一第三色彩图案于该第二开口内，该第三色彩图案具有半圆形形状；
形成一第三介电层于该第二介电层与该第三色彩图案之上；
形成一层遮光材料于该第三介电层之上；以及
图案化该层遮光材料，形成多个遮光图案于该对第一色彩图案、该第二色彩图案与该第三色彩图案间的该第三介电层之上。
2.如权利要求1所述的彩色滤光结构的制造方法，其中图案化该层遮光材料是由一蚀刻而达成。
3.如权利要求1所述的彩色滤光结构的制造方法，其中该第一介电层、该第二介电层与该第三介电层是由化学气相沉积所形成，而该化学气相沉积是于低于200℃的一温度下施行。
4.一种彩色滤光结构，包括：
一对第一色彩图案；
一第二色彩图案，位于该对第一色彩图案之间；
一第三色彩图案，邻近该对第一色彩图案；
一第一介电层，位于该对第一色彩图案之上；以及
一第二介电层，位于该第一介电层与该第二色彩图案之上，其中，该第一色彩图案、第二色彩图案及第三色彩图案具有半圆形形状。
5.如权利要求4所述的彩色滤光结构，其中该第一色彩图案、该第二色彩图案与该第三色彩图案包括非感光型色阻，而该非感光型色阻包括了染料型色阻或颜料型色阻，而该第一色彩图案、该第二色彩图案与该第三色彩图案包括择自由红色、蓝色、与绿色所组成的族群或择自由洋红色、青蓝色与黄色所组成族群的不同颜色，而该第一色彩图案、该第二色彩图案与该第三色彩图案具有半圆形或长方形的一剖面。
6.如权利要求4所述的彩色滤光结构，还包括多个遮光图案，其中所述多个遮光图案分别形成于该第一色彩图案与该第三色彩图案之间，以及于该第一色彩图案与该第二色彩图案之间。
7.如权利要求4所述的彩色滤光结构，还包括一第三介电层以作为一底层，其中该对第一色彩图案形成于该第三介电层之上，而该第一介电层、该第二介电层与该第三介电层位于该第三色彩图案的下方。
8.如权利要求7所述的彩色滤光结构，其中该第一介电层、该第二介电层与该第三介电层具有少于50埃的一厚度，而该第一介电层、该第二介电层与该第三介电层具有1.4-1.6的一折射率。
9.一种彩色滤光结构的制造方法，包括：
(a)形成一介电层；
(b)形成一色彩层于该介电层之上；
(c)形成一硬掩模图案于该色彩层之上；
(d)图案化该色彩层并利用该硬掩模图案以形成一色彩图案，该色彩图案具有半圆形形状；
(e)移除该硬掩模图案；
(f)重复步骤(a)-(e)；
(g)重复步骤(a)-(e)；以及
(f)重复步骤(a)-(e)以形成一黑矩阵图案，邻近该色彩图案。
10.如权利要求9所述的彩色滤光结构的制造方法，其中图案化该色彩层包括使用氧气作为一蚀刻气体。
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