TWI467248B - 彩色濾光結構及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於影像感測裝置的製作，且特別地關於適用於影像感測裝置之一種彩色濾光結構及其製造方法，其可具有較佳之解析度及較少之串音(cross-talk)問題。
影像感測裝置為當今如數位相機、行動電話以及玩具等眾多光電裝置內之必要構件之一。習知影像感測裝置則包括電耦合裝置(charge coupled device,CCD)影像感測裝置與互補型金氧半導體(complementary metal oxide oxide,CMOS)影像感測裝置。影像感測裝置可包括由數個影像畫素所形成之陣列。而各畫素中則分別包括轉換光能成為電子訊號之一光電管(photogate)、感光鼓(photoconductor)以及具有累積光生電荷(photo-generated charge)之摻雜區之感光二極體。
此外，於上述平面陣列化之影像畫素上則疊設有由不同色彩之染料所構成之週期性圖樣(periodic pattern)。上述之週期性圖樣即為習知之彩色濾光陣列(color filter array)。而上述不同色彩之之週期性圖樣通常係由如染料型(dye-type)或顏料型(pigment-type)之I線感光材料(I-line photosensitive materials)所構成，因此上述不同色彩之週期性圖樣通常可採用微影製程所形成。然而，於微影製程中，顏料型感光材料通常較染料型感光材料具有較差之解析度表現。而相較於染料型感光材料，顏料型感光材料則會顯現出不良之化學忍受性(chemical duration)。因此，不同色彩之染料型或顏料型感光材料所構成之週期性圖樣之準確定義便產生問題，且隨著上述不同色彩之週期性圖樣的尺寸更縮小至如次微米(sub-micron)尺寸時，上述問題將變的更為嚴重。再者，當不同色彩之週期性圖樣尺寸進一步縮減至如次微米之一尺寸時，針對前述I線感光材料施行微影程序時所應用之微影機台的解析度將受到限制而無法適用。
有鑑於此，本發明提供了一種彩色濾光結構及其製造方法，以解決上述問題。
依據一實施例，本發明提供了一種彩色濾光結構之製造方法，包括：提供一底層；形成一第一色彩層於該底層之上；圖案化該第一色彩層，形成一對第一色彩圖案於該底層之上、一第一開口位於該對第一色彩圖案之間，以及一第二開口鄰近該對第一色彩圖案；形成一第一介電層於該對第一色彩圖案之上以及於為該第一開口與該第二開口所露出之該底層之上；形成一第二色彩層於該對第一色彩圖案以及該第一介電層之上；圖案化該第二色彩層，形成一第二色彩圖案於該第一開口內；形成一第二介電層於該第一介電層與該第二色彩圖案之上；形成一第三色彩層於該第二介電層之上；以及圖案化該第三色彩層，形成一第三色彩圖案於該第二開口內。
依據另一實施例，本發明提供了一種彩色濾光結構，包括：一對第一色彩圖案；一第二色彩圖案，位於該對第一色彩圖案之間；一第三色彩圖案，鄰近該對第一色彩圖案；一第一介電層，位於該對第一色彩圖案之上；以及一第二介電層，位於該第一介電層與該第二色彩圖案之上。
依據又一實施例，本發明提供了一種彩色濾光結構之製造方法，包括：(a) 形成一介電層；(b)形成一色彩層於該介電層之上；(c)形成一硬罩幕圖案於該色彩層之上；(d)圖案化該色彩層並利用該硬罩幕圖案以形成一色彩圖案；(e)移除該硬罩幕圖案；(f)重複步驟(a)-(e)；以及(g)重複步驟(a)-(e)。
為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附的圖式，作詳細說明如下：
第1-4圖為一系列示意剖面圖，顯示了依據本發明一實施例之一種影像感測裝置之製造方法。
首先提供大體製備之一影像感測結構，包括一半導體基板100、位於基板100上之具有複數個感光元件104形成於其內之一主動層102、以及位於主動層102上之具有複數個遮光金屬(light-shielding metal)108形成於其內之一保護層106。此些感光元件104可為如感光二極體(photodiode)或互補型金氧半導體(CMOS)感測元件，且分隔地形成於主動層102內，而形成於保護層106內之此些遮光金屬108則分別形成於主動層102上不會覆蓋此些感光元件104之一位置處，藉以定義出遮蔽像素區內除了感光元件104以外之遮光區域。
接著，於保護層106上形成一介電層110。介電層110可具有少於50埃之一厚度，並可包括如氧化矽之材料。介電層110係為一透光膜層，且具有約為1.4-1.6之一折射率(N)，並可藉由如化學氣相沈積製程之一沈積製程於不高於200℃之一溫度下形成。接著，於介電層110上形成一色彩層112。色彩層112可包括非感光型色阻(non-photosensitive color resists)，並可藉由如旋轉塗佈之方式形成。色彩層112可具有約5000-10000埃之一厚度。接著，於色彩層112上形成相分隔之複數個硬罩幕圖案114。此些硬罩幕圖案114可包括不同於I線感光材料之感光材料，且可藉由一微影程序(未顯示)所形成，進而於介電層110之上形成了複數個硬罩幕圖案114。如第1圖所示，此些硬罩幕圖案114具有長方形形狀。接著，針對色彩層112施行一圖案化製程116，例如一乾蝕刻製程，並使用硬罩幕圖案114作為蝕刻罩幕。
請參照第2圖，於圖案化製程116之後，於介電層110之上形成有相分隔之複數個色彩圖案112a，而位於下方之保護層106則為介電層110所保護而不會於圖案化製程116中遭受蝕刻。此些色彩圖案112a分別形成於此些感光元件104之一之上，且每兩個色彩圖案112a可大體分類成為一子群(sub-group)。因此，於此些色彩圖案112a之每一子群之內具有位於其內之色彩圖案112a間之一開口118，而於此些色彩圖案112a之相鄰之兩個子群之間則形成有一開口120。接著，形成一介電層122於此些色彩圖案112a及介電層110之上。介電層122可形成具有少於50埃之一厚度，並可包括如氧化矽之材料。介電層122係為一透光膜層，且可具有約為1.4-1.6之一折射率，且可藉由如化學氣相沈積製程之一沈積製程於不高於200℃之溫度下形成。接著，形成一色彩層124於介電層122之上。色彩層122可包括非感光型色阻，且可藉由如旋轉塗佈之方式形成。色彩層124可具有約5000-10000埃之厚度。接著，於色彩層124之上形成相分隔之複數個硬罩幕圖案126。此些硬罩幕圖案126可包括不同於I線感光材料之感光材料，且可藉由一微影製程(未顯示)所形成，進而於色彩層124之上形成複數個硬罩幕圖案126。此些硬罩幕圖案126具有長方形圖案。如第2圖所示，此些硬罩幕圖案126分別形成於大體位於每一開口118上之一位置處。接著，針對色彩層124施行如乾蝕刻之一圖案化製程128，並採用此些硬罩幕圖案126作為一蝕刻罩幕。
請參照第3圖，於圖案化製程128後，於介電層122上便形成了相分隔之複數個色彩圖案124a。此些色彩圖案124a係分別形成於每一開口118之上。此些色彩圖案124a亦分別形成於下方之感光元件104之一之上。藉由介電層122的保護，於圖案化製程128中下方之色彩圖案112a並未被蝕刻。接著，於介電層122之上形成一介電層130，並覆蓋此些色彩圖案124a。介電層130可形成具有少於50埃之一厚度，並可包括如氧化矽之材料。介電層130係為一透光膜層，且可具有約為1.4-1.6之一折射率，且可藉由如化學氣相沈積製程之一沈積製程於不高於200℃之溫度下形成。接著，形成一色彩層132於介電層130之上。色彩層132可包括非感光型色阻，且可藉由如旋轉塗佈之方式形成。色彩層132可具有約5000-10000埃之厚度。接著，於色彩層132之上形成相分隔之複數個硬罩幕圖案134。此些硬罩幕圖案134可包括不同於I線感光材料之感光材料，且可藉由一微影製程(未顯示)所形成，進而於色彩層132之上形成複數個硬罩幕圖案134。。如第3圖所示，此些硬罩幕圖案134分別形成於大體位於每一開口120上之一位置處，且具有長方形圖案。接著，針對色彩層132施行如乾蝕刻之一圖案化製程136，並採用此些硬罩幕圖案134作為一蝕刻罩幕。
請參照第4圖，於圖案化製程之後，於介電層130之上便形成有相分隔之複數個色彩圖案132a，且此些色彩圖案132a係分別形成於每一開口120之上。此些色彩圖案132a亦分別形成於下方之感光元件104之一上。藉由介電層130的保護，於圖案化製程136中位於下方之此些色彩圖案124a與介電層122並未被蝕刻。接著，於介電層130之上形成一間隔物(spacer)層138，以覆蓋此些色彩圖案132a。間隔物層138可具有約為1000-6000埃之一厚度，且可包括如氧化矽之材料。於間隔物層138形成後便可提供用於後續程序之一平坦表面，且可於間隔物層138上接著形成複數個微透鏡(microlens)140。每一微透鏡140大體垂直準直於此些色彩圖案112a/124a/132a之一以及位於下方之此些感光元件104之一。
於上述實施例中，色彩層112、124與132以及色彩圖案112a、124a與132a皆由非感光型色阻所形成，且其可為染料型或顏料型之色阻。色彩層112、124與132以及色彩圖案112a、124a與132a係具有不同之顏色，且可包括擇自由紅色(red)、藍色(blue)、與綠色(green)所組成之族群顏色，或擇自由洋紅色(magneta)、青藍色(cyan)與黃色(yellow)所組成族群之顏色，如此便可形成一全彩之馬賽克陣列(color mosaic matrix)。此些色彩圖案112a、124a與132a可藉由包括不同於I線感光材料之一感光材料之硬罩幕圖案114、126與134的使用而圖案化，因此其相較於習知之直接圖案化I線光阻所形成之色彩層可具有較佳之解析度(resolution)與對準準確性(alignment accuracy)。於一實施例中，此些圖案化製程116、128與136例如為採用如氧氣(O2
)作為蝕刻氣體之一乾蝕刻製程，以使得於圖案化色彩層112、124與132而形成色彩圖案112a、124a與132a之後可消除不期望之有機物殘留(organic residue)問題。於本實施例中，經結合此些色彩圖案112a、124a與132a以及介電層122與130之後便可提供了用於一影像感測裝置之一彩色濾光結構(color filtering structure)，而此彩色濾光結構可具有較佳之解析度與對準準確度。
第5-9圖為一系列示意剖面圖，顯示了依據本發明另一實施例之一種影像感測裝置之製造方法，此製造方法之實施情形係由修改如第1-4圖所示之製造方法所得到。
請參照第5圖，首先提供大體製造之一影像感測結構，其包括一半導體基板200、位於半導體基板200上之具有複數個感光元件204形成於其內之一主動層202、以及位於主動層202上之具有複數個遮光金屬(light-shielding metal)208形成於其內之一保護層206。此些感光元件204可為如感光二極體(photodiode)或互補型金氧半導體(CMOS)感測元件，且分隔地形成於主動層202內，而形成於保護層206內之此些遮光金屬208則分別形成於主動層202上不會覆蓋此些感光元件204之一位置處，藉以定義出遮蔽像素區內除了感光元件204以外之遮光區域。
接著，於保護層206上形成一介電層210。介電層210可具有少於50埃之一厚度，並可包括如氧化矽之材料。介電層210係為一透光膜層，且具有約為1.4-1.6之一折射率(N)，並可藉由如化學氣相沈積製程之一沈積製程於不高於200℃之一溫度下形成。接著，於介電層210上形成一色彩層212。色彩層212可包括非感光型色阻(non-photosensitive color resists)，並可藉由如旋轉塗佈之方式形成。色彩層212可具有約5000-10000埃之一厚度。接著，於色彩層212上形成相分隔之複數個硬罩幕圖案214。此些硬罩幕圖案214可包括不同於I線感光材料之感光材料，且可藉由一微影程序(未顯示)所形成，進而於介電層210之上形成了複數個硬罩幕圖案214。接著，施行一熱製程216，例如為一快速熱回火(rapid thermal annealing，RTA)製程，以改變此些硬罩幕圖案214之形狀。
請參照第6圖，於熱製程216之後，便形成了具有半圓形圖案之複數個硬罩幕圖案214a，且接著針對色彩層212施行一圖案化製程218，例如為一乾蝕刻製程，並使用此些硬罩幕圖案214a作為蝕刻罩幕。
請參照第7圖，於圖案化製程218後，於介電層210之上形成有相分隔之複數個色彩圖案212a，而位於下方之保護層206則為介電層210所保護而不會於圖案化製程218中遭受蝕刻。此些色彩圖案212a分別形成於此些感光元件204之一之上，且每兩個色彩圖案212a可大體分類成為一子群(sub-group)。因此，於此些色彩圖案212a之每一子群之內具有位於其內之色彩圖案212a間之一開口220，而於此些色彩圖案212a之相鄰之兩個子群之間則形成有一開口222。
請參照第8圖，形成一介電層224於此些色彩圖案212a及介電層210之上。介電層224可形成具有少於50埃之一厚度，並可包括如氧化矽之材料。介電層224係為一透光膜層，且可具有約為1.4-1.6之一折射率，且可藉由如化學氣相沈積製程之一沈積製程於不高於200℃之溫度下形成。接著，藉由同樣地施行相似於如第6-7圖所示之製程，進而於介電層224之上依序形成複數個色彩圖案226、介電層228以及複數個色彩圖案230。所形成之此些色彩圖案226與230亦具有半圓形形狀，而介電層228之特性與功能皆與介電層224相同。如第8圖所示，此些色彩圖案226係分別形成於每一開口220(請參見第7圖)之內，而此些色彩圖案230則分別形成於每一開口222(請參見第7圖)之內。
請參照第9圖，接著於此些色彩圖案230與介電層228之上形成一間隔物層232，以覆蓋色彩圖案230。間隔物層232可具有一厚度約為1000-6000埃，且可包括如氧化矽之材料。於形成間隔物層232後，可提供後續程序一平坦表面，並於間隔物層232上形成數個微透鏡234。每一微透鏡234大體且垂直地對準於色彩圖案212a/226/230之一以及下方之感光元件204之一。
於上述實施例中，色彩圖案212a、226與230皆由非感光型色阻所形成且可為染料型或顏料型色阻。形成色彩圖案212a、226與230之色彩層係具有不同顏色，且可包括擇自由紅色(red)、藍色(blue)、與綠色(green)所組成之族群顏色，或擇自由洋紅色(magneta)、青藍色(cyan)與黃色(yellow)所組成族群之顏色，如此便可形成一全彩之馬賽克陣列(color mosaic matrix)。此些色彩圖案212a、226與230可藉由包括不同於I線感光材料之一感光材料之硬罩幕圖案(例如硬罩幕圖案214a)的使用而圖案化，因此其相較於習知之直接圖案化I線光阻所形成之色彩層可具有較佳之解析度(resolution)與對準準確性(alignment accuracy)。於一實施例中，所使用之圖案化製程(例如圖案化製程218)例如為採用如氧氣(O2
)作為蝕刻氣體之一乾蝕刻製程，以使得於圖案化形成色彩圖案212a、226與230之色彩層後可消除不期望之有機物殘留(organic residue)問題。於本實施例中，經結合此些色彩圖案212a、226與230以及介電層224與228之後便可提供了用於一影像感測裝置之一彩色濾光結構(color filtering structure)，而此彩色濾光結構可具有較佳之解析度與對準準確度。
第10-11圖為一系列示意剖面圖，顯示了依據本發明又一實施例之一種影像感測裝置之製造方法，此製造方法之實施情形係由修改如第6-9圖所示之製造方法所得到。
請參照第10圖，藉由施行如第6-8圖所示製程而首先提供如第8圖所示之一結構。接著，於此些色彩圖案230與介電層228之上形成一介電層236。介電層236可具有少於50埃之一厚度，並可包括如氧化矽之材料。介電層236係為一透光膜層，且具有約為1.4-1.6之一折射率(N)，並可藉由如化學氣相沈積製程之一沈積製程於不高於200℃之一溫度下形成。接著，於介電層236上形成一黑矩陣(black matrix)層238。黑矩陣層238可包括可具有約5000-10000埃之一厚度且可包括如非感光型色阻之一遮光材料(light-blocking material)。黑矩陣層238之非感光型色阻可為染料型或顏料型之色阻。接著，於黑矩陣層238上形成相分隔之複數個硬罩幕圖案240。此些硬罩幕圖案240可包括不同於I線感光材料之感光材料，且可藉由一微影程序(未顯示)所形成，進而於黑矩陣層238之上形成了複數個硬罩幕圖案240。如第10圖所示，此些硬罩幕圖案240係分別形成於大體位於每一遮光金屬208之上之一位置處，且具有長方形之形狀。接著，針對黑矩陣層238施行一圖案化製程242，例如為一乾蝕刻製程，並使用此些硬罩幕圖案240作為蝕刻罩幕。
請參照第11圖，於圖案化製程242後，於介電層236之上形成有相分隔且大體準直於其下方之遮光金屬208之複數個遮光圖案238a。接著，如第9圖所示之製程，以形成一間隔物層232與複數個微透鏡234。每一微透鏡234體垂直地對準於此些色彩圖案212a/226/230之一以及其下方之數個感光元件204之一
第12圖為一示意剖面圖，顯示了依據本發明一實施例之一種影像感測裝置，其係由如修改第10-11圖所示之方法所形成，而在此針對黑矩陣層238所施行之圖案化製程242為不使用硬罩幕圖案240之一濕蝕刻製程。如第12圖所示，複數個遮光圖案238b係形成於介電層236上之大體準直於其下方之數個遮光金屬208之一上之一位置處。於此實施例中，此些遮光圖案238b具有拔錐狀(tapered shape)之形狀而非如如第11圖所示之遮光圖案238a般為具有大體長方形之形狀。
於如第5-9圖、第10-11圖與第12圖所示之上述實施例中，色彩圖案212a、226與230以及用於形成色彩圖案212a、226與230之色彩層皆由非感光型色阻所形成，且可為染料型或顏料型色阻。形成色彩圖案212a、226與230之色彩層係具有不同顏色，且可包括擇自由紅色(red)、藍色(blue)、與綠色(green)所組成之族群顏色，或擇自由洋紅色(magneta)、青藍色(cyan)與黃色(yellow)所組成族群之顏色，如此便可形成一全彩之馬賽克陣列(color mosaic matrix)。此些色彩圖案212a、226與230可藉由包括不同於I線感光材料之一感光材料之硬罩幕圖案(例如硬罩幕圖案214a)的使用而圖案化，因此其相較於習知之直接圖案化I線光阻所形成之色彩層可具有較佳之解析度(resolution)與對準準確性(alignment accuracy)。於一實施例中，所使用之圖案化製程(例如圖案化製程218)例如為採用如氧氣(O2
)作為蝕刻氣體之一乾蝕刻製程，以使得於圖案化形成色彩圖案212a、226與230之色彩層後可消除不期望之有機物殘留(organic residue)問題。於上述實施例中，經結合此些色彩圖案212a、226與230以及介電層224與228之後便可提供了用於一影像感測裝置之一彩色濾光結構(color filtering structure)，而此彩色濾光結構可具有較佳之解析度與對準準確度。再者，於一實施例中，藉由遮光圖案(如第11-12圖內所示之遮光圖案238a與238b)的使用，可減低或甚至消除相鄰之感光元件(如第11-12圖內所示之相鄰感光元件204)之串音(cross-talk)問題。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．半導體基板
102．．．主動層
104．．．感光元件
106．．．保護層
108．．．遮光金屬
110．．．介電層
112．．．色彩層
112a．．．色彩圖案
114．．．硬罩幕圖案
116．．．圖案化製程
118、120．．．開口
124．．．色彩層
124a．．．色彩圖案
126．．．硬罩幕圖案
128．．．圖案化製程
130．．．介電層
132．．．色彩層
132a．．．色彩圖案
134．．．硬罩幕圖案
136．．．圖案化製程
138．．．間隔物層
140．．．微透鏡
200．．．半導體基板
202．．．主動層
204．．．感光元件
206．．．保護層
208．．．遮光金屬
210．．．介電層
212．．．色彩層
212a．．．色彩圖案
214、214a．．．硬罩幕圖案
216．．．熱製程
218．．．圖案化製程
220、222．．．開口
224．．．介電層
226．．．色彩圖案
228．．．介電層
230．．．色彩圖案
232．．．間隔物層
234．．．微透鏡
236．．．介電層
238．．．黑矩陣層
238a、238b．．．遮光圖案
240．．．硬罩幕圖案
242．．．圖案化製程
第1~4圖為一系列示意剖面圖，顯示了依據本發明一實施例之一種影像感測裝置之製造方法；
第5~9圖為一系列示意剖面圖，顯示了依據本發明另一實施例之一種影像感測裝置之製造方法；
第10~11圖為一系列示意剖面圖，顯示了依據本發明又一實施例之一種影像感測裝置之製造方法；以及
第12圖為一示意剖面圖，顯示了依據本發明一實施例之一種影像感測裝置。
100．．．半導體基板
102．．．主動層
104．．．感光元件
106．．．保護層
108．．．遮光金屬
110．．．介電層
112a．．．色彩圖案
118、120．．．開口
124．．．色彩層
126．．．硬罩幕圖案
128．．．圖案化製程
Claims (12)
- 一種彩色濾光結構之製造方法，包括：提供一底層；形成一第一色彩層於該底層之上；圖案化該第一色彩層，形成一對第一色彩圖案於該底層之上、一第一開口位於該對第一色彩圖案之間，以及一第二開口鄰近該對第一色彩圖案；形成一第一介電層於該對第一色彩圖案之上以及於為該第一開口與該第二開口所露出之該底層之上；形成一第二色彩層於該對第一色彩圖案以及該第一介電層之上；圖案化該第二色彩層，形成一第二色彩圖案於該第一開口內；形成一第二介電層於該第一介電層與該第二色彩圖案之上；形成一第三色彩層於該第二介電層之上；以及圖案化該第三色彩層，形成一第三色彩圖案於該第二開口內，其中該第一色彩圖案、該第二色彩圖案與該第三色彩圖案包括非感光型色阻，而該非感光型色阻包括了染料型色阻或顏料型色阻。
- 如申請專利範圍第1項所述之彩色濾光結構之製造方法，更包括：形成一第三介電層於該第二介電層與該第三色彩圖案之上；形成一層遮光材料於該第三介電層之上；以及 圖案化該層遮光材料，形成複數個遮光圖案。
- 如申請專利範圍第2項所述之彩色濾光結構之製造方法，其中圖案化該層遮光材料係由一蝕刻而達成。
- 如申請專利範圍第2項所述之彩色濾光結構之製造方法，其中該第一介電層、該第二介電層與該第三介電層係由化學氣相沈積所形成，而該化學氣相沈積係於低於200℃之一溫度下施行。
- 一種彩色濾光結構，包括：一對第一色彩圖案；一第二色彩圖案，位於該對第一色彩圖案之間；一第三色彩圖案，鄰近該對第一色彩圖案；一第一介電層，位於該對第一色彩圖案之上；以及一第二介電層，位於該第一介電層與該第二色彩圖案之上，其中該第一色彩圖案、該第二色彩圖案與該第三色彩圖案包括非感光型色阻，而該非感光型色阻包括了染料型色阻或顏料型色阻。
- 如申請專利範圍第5項所述之彩色濾光結構，其中該第一色彩圖案、該第二色彩圖案與該第三色彩圖案包括擇自由紅色、藍色、與綠色所組成之族群或擇自由洋紅色、青藍色與黃色所組成族群之不同顏色，而該第一色彩圖案、該第二色彩圖案與該第三色彩圖案具有半圓形或長方形之一剖面。
- 如申請專利範圍第5項所述之彩色濾光結構，更包括複數個遮光圖案，其中該些遮光圖案係分別形成於該第一色彩圖案與該第三色彩圖案之間，以及於該第一色彩圖 案與該第二色彩圖案之間。
- 如申請專利範圍第5項所述之彩色濾光結構，其中該第一介電層、該第二介電層與該第三介電層具有少於50埃之一厚度，而該第一介電層、該第二介電層與該第三介電層具有約1.4-1.6之一折射率。
- 如申請專利範圍第5項所述之彩色濾光結構，更包括一第三介電層以作為一底層，其中該對第一色彩圖案係形成於該第三介電層之上，而該第一介電層、該第二介電層與該第三介電層係位於該第三色彩圖案之下方。
- 一種彩色濾光結構之製造方法，包括：(a)形成一介電層；(b)形成一色彩層於該介電層之上；(c)形成一硬罩幕圖案於該色彩層之上；(d)圖案化該色彩層並利用該硬罩幕圖案以形成一色彩圖案；(e)移除該硬罩幕圖案；(f)重複步驟(a)-(e)；以及(g)重複步驟(a)-(e)。
- 如申請專利範圍第10項所述之彩色濾光結構之製造方法，其中圖案化該色彩層包括使用氧氣作為一蝕刻氣體。
- 如申請專利範圍第10項所述之彩色濾光結構之製造方法，更包括重複步驟(a)-(e)以形成一黑矩陣圖案。
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