CN105390374A - 一种改善n型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，包括硅片预清洗；硅片制绒；硅片氧化；清洗甩干；液态硼扩散源旋涂烘干等六个步骤。与现有技术对比，本发明制得的N型晶硅太阳电池的方块电阻均匀性更高，更适合产业化的生产，在太阳能领域具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于晶硅太阳电池领域，尤其是涉及一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法。
背景技术
近年来，P型晶硅太阳电池占据了大部分市场，但由于在后续使用过程中出现光致衰减(LID)现象，使得组件输出功率下降。而N型晶硅双面太阳电池由于具有双面发电能力，在相同电池面积下比常规P型太阳电池具有更高的发电效率。并且N型晶硅太阳电池具有更长的少数载流子寿命、对金属离子具有更强的忍受能力，因而N型晶硅太阳电池越来越受到关注。
在N型双面太阳电池制作过程中，PN结的质量尤为重要，PN结的均匀性决定了太阳电池电性能的好坏。目前N型晶硅太阳电池PN结制备通常有三种方法：(1)硼离子注入后退火(2)BBr3携源扩散(3)液态硼旋涂后热扩散。硼离子注入的离子活化率低，注入难度大；BBr3具有腐蚀性，有毒；液态硼源旋涂后扩散采用的液态硼源无毒、无腐蚀性，扩散后的方阻均匀性好，表面扩散浓度可控。但在液态硼源旋涂技术中，由于硅片表面完全涂覆液态硼扩散源的成品率相对较低，对后续硼扩散形成PN结的均匀性有一定的影响，如何提高液态硼扩散源完全覆盖硅片表面的成品率，进而增加硅片PN的结均匀性，提高电池的电性能，目前已经成为了亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂的方法，使得液态硼源在制绒后硅片表面分布更加均匀，并能够完全覆盖硅片表面，热扩散制成PN结后，硅片表面的方块电阻分布均匀性提高。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，采用以下步骤：
(1)对N型单晶硅片进行化学清洗，然后用去离子水清洗；
(2)对硅片进行制绒处理；
(3)制绒处理后经混酸及去离子水进行清洗；
(4)利用盐酸、双氧水氧化清洗，再采用去离子水清洗后甩干；
(5)对甩干后的硅片首先喷涂浸润预湿液，每片硅片喷涂量为0.5～3ml；然后滴加液态硼源旋涂，每片硅片所需硼源为0.2～1.5ml，旋涂转速为1000～5000r/min，旋转时间为2～15s；
(6)对旋涂硼源硅片进行烘干；
(7)烘干后硅片进行热扩散形成PN结，再经过后续工序加工得到N型双面太阳电池。
步骤(1)进行化学清洗时，采用0.1～0.3wt％NaOH溶液和2～5wt％双氧水对硅片表面的损伤层进行处理，处理温度为50～85℃，处理时间为2～10min。
步骤(2)采用碱制绒，制绒温度为50～80℃，制绒时间为10～30min。其中采用的碱液为1～3wt％的NaOH溶液及碱性制绒添加剂TS4，制绒添加剂与碱溶液体积比为0.1:170～0.5:170。
步骤(3)中的混酸为体积比1:3或2:3的盐酸和氢氟酸的混合物。
步骤(4)中的盐酸、双氧水的体积比为1:1或1:3，其中盐酸质量分数为0.1～10％，双氧水质量分数为0.1～20％。进行氧化清洗的温度为20～85℃，时间为1～10min。
步骤(6)中进行烘干的温度为10～300℃。
纯净的硅片表面具有疏水性，在硅片表面喷涂润湿液和液态硼扩散源过程中，其与硅片表面的粘附性较弱，在旋涂机高速的旋转过程中，喷涂润湿液和液态硼扩散源在硅片表面会有一部分难于涂上硼源，分散均匀性差。
与现有技术相比，本发明通过双氧水的氧化，在纯净的硅片表面形成一层很薄的氧化层，厚度约而硅片表面的氧化层具有很好的亲水性，润湿液和液态硼扩散源在硅片表面具有很好的粘附性，通过旋涂机高速旋转，使得液态硼源在硅片表面分散均匀，并能够完全覆盖硅片表面。热扩散制成PN结后，硅片表面的方块电阻分布均匀性提高。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
N型单晶硅片进行化学清洗，采用0.1％～0.3％热碱NaOH和2％～5％双氧水对硅片表面的损伤层进行处理，DI水清洗，DI水清洗后的硅片进行浓度为1％～3％碱NaOH与100～500ml制绒添加剂TS4制绒，制绒后的硅片经过混酸(体积比为：盐酸：氢氟酸＝1:3或2:3)清洗，DI水清洗后甩干，对甩干后的硅片进行液态硼源旋涂(硼源用量为0.2～1.5ml，转速为1000～5000r/min，旋转时间为2～15S)，对旋涂硼源硅片进行烘干(烘干温度为200℃)，烘干后硅片进行热扩散形成PN结，然后经过后续工序完成N型双面太阳电池。
实施例2
N型单晶硅片进行化学清洗，采用0.1％～0.3％热碱NaOH和2％～5％双氧水对硅片表面的损伤层进行处理，DI水清洗，DI水清洗后的硅片进行浓度为1％～3％碱NaOH与100～500ml制绒添加剂制绒，制绒后的硅片经过混酸(体积比为：盐酸：氢氟酸＝1:3或2:3)清洗，DI水清洗，DI水清洗后硅片进行质量分数为0.1～10％盐酸和质量分数为0.1～20％双氧水(体积比为1:1或1:3)氧化，DI水清洗后甩干，对甩干后的硅片进行液态硼源旋涂(硼源用量为0.2～1.5ml，转速为1000～5000r/min，旋转时间为2～15S)，对旋涂硼源硅片进行烘干(烘干温度为200℃)，烘干后硅片进行热扩散形成PN结，然后经过后续工序完成N型双面太阳电池。
实施例1与实施例2所得N型双面太阳电池电性能如下：
| 序号 | Voc(mV) | Isc(A) | Rs(mΩ) | Rsh(Ω) | FF(％) | Ncell(％) | Irev2(A) |
| 实施例1 | 643.6 | 9.502 | 2.14 | 219 | 78.62 | 20.12 | 0.127 |
| 实施例2 | 644.6 | 9.652 | 2.32 | 178 | 78.48 | 20.44 | 0.191 |
从上述实测实施例数据可以得到，相同电池制作条件下实施例2比实施例1具有更高的开路电压和短路电流。说明实施例2具有更好的PN结特性，即扩散后PN结更均匀，从而可以得出本发明对增加液态硼扩散源均匀性具有明显优势。
实施例3
一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，采用以下步骤：
(1)对N型单晶硅片进行化学清洗，具体来说，采用0.1wt％NaOH溶液和2wt％双氧水对硅片表面的损伤层进行处理，处理温度为50℃，处理时间10min，然后用去离子水清洗；
(2)对硅片进行制绒处理，采用碱制绒，制绒温度为50℃，制绒时间为30min。其中采用的碱液为1wt％的NaOH溶液及碱性制绒添加剂TS4，制绒添加剂与碱溶液体积比为0.1:170；
(3)制绒处理后经混酸及去离子水进行清洗，本实施例中采用的混酸为体积比1:3的盐酸和氢氟酸的混合物；
(4)利用盐酸、双氧水氧化清洗，盐酸、双氧水的体积比为1:1，其中盐酸质量分数为0.1％，双氧水质量分数为0.1％。进行氧化清洗的温度为20℃，时间为10min，再采用去离子水清洗后甩干；
(5)对甩干后的硅片首先喷涂浸润预湿液，每片硅片滴加量为0.5ml；然后滴加液态硼源旋涂，每片硅片所需硼源为0.9ml，旋涂转速为4000r/min，旋转时间为15s；
(6)对旋涂硼源硅片进行烘干，本实施例中，温度为200℃；
(7)烘干后硅片进行热扩散形成PN结，再经过后续工序加工得到N型双面太阳电池。
实施例4
一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，采用以下步骤：
(1)对N型单晶硅片进行化学清洗，具体来说，采用0.2wt％NaOH溶液和3wt％双氧水对硅片表面的损伤层进行处理，处理温度为60℃，处理时间5min，然后用去离子水清洗；
(2)对硅片进行制绒处理，采用碱制绒，制绒温度为60℃，制绒时间为20min。其中采用的碱液为2wt％的NaOH溶液及碱性制绒添加剂TS4，制绒添加剂与碱溶液体积比为0.3:170；
(3)制绒处理后经混酸及去离子水进行清洗，混酸为体积比1:3的盐酸和氢氟酸的混合物；
(4)利用盐酸、双氧水氧化清洗，盐酸、双氧水的体积比为1:1，其中盐酸质量分数为5％，双氧水质量分数为15％。进行氧化清洗的温度为60℃，时间为5min，再采用去离子水清洗后甩干；
(5)对甩干后的硅片首先喷涂浸润预湿液；然后滴加液态硼源旋涂，每片硅片所需硼源为1ml，旋涂转速为5000r/min，旋转时间为5s；
(6)对旋涂硼源硅片进行烘干，本实施例中烘干温度为250℃；
(7)烘干后硅片进行热扩散形成PN结，再经过后续工序加工得到N型双面太阳电池。
实施例5
一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，采用以下步骤：
(1)对N型单晶硅片进行化学清洗，具体来说，采用0.3wt％NaOH溶液和5wt％双氧水对硅片表面的损伤层进行处理，处理温度为85℃，处理时间为2min，然后用去离子水清洗；
(2)对硅片进行制绒处理，采用碱制绒，制绒温度为80℃，制绒时间为10min。其中采用的碱液为3wt％的NaOH溶液及碱性制绒添加剂TS4，制绒添加剂与碱溶液体积比为0.5:170；
(3)制绒处理后经混酸及去离子水进行清洗，混酸为体积比2:3的盐酸和氢氟酸的混合物；
(4)利用盐酸、双氧水氧化清洗，盐酸、双氧水的体积比为1:3，其中盐酸质量分数为10％，双氧水质量分数为20％。进行氧化清洗的温度为85℃，时间为1min，再采用去离子水清洗后甩干；
(5)对甩干后的硅片首先喷涂浸润预湿液；然后滴加液态硼源旋涂，每片硅片所需硼源为1.5ml，旋涂转速为5000r/min，旋转时间为2s；
(6)对旋涂硼源硅片进行烘干，本实施例中，采用烘干温度控制为300℃；
(7)烘干后硅片进行热扩散形成PN结，再经过后续工序加工得到N型双面太阳电池。
Claims (10)
1.一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：
(1)对N型单晶硅片进行化学清洗，然后用去离子水清洗；
(2)对硅片进行制绒处理；
(3)制绒处理后经混酸及去离子水进行清洗；
(4)利用盐酸、双氧水氧化清洗，再采用去离子水清洗后甩干；
(5)对甩干后的硅片首先喷涂一层预湿液，使硅片表面同硼源浸润，每片喷涂预湿液的量为0.5～3.0ml；
(6)然后滴加液态硼源旋涂，每片硅片所需硼源为0.2～1.5ml，旋涂转速为1000～5000r/min，旋转时间为2～15s；
(7)对旋涂硼源硅片进行烘干；
(8)烘干后硅片进行热扩散形成PN结，再经过后续工序加工得到N型双面太阳电池。
2.根据权利要求1所述的一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，步骤(1)进行化学清洗时，采用0.1～0.3wt％NaOH溶液和2～5wt％双氧水对硅片表面的损伤层进行处理，处理温度为50～85℃，处理时间为2～10min。
3.根据权利要求1所述的一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，步骤(2)采用碱制绒，制绒温度为50～80℃，制绒时间为10～30min。
4.根据权利要求3所述的一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，所述的碱制绒中采用的碱液为1～3wt％的NaOH溶液及市售的碱性制绒添加剂TS4，碱性制绒添加剂与碱溶液体积比为0.1:170～0.5:170。
5.根据权利要求1所述的一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，步骤(3)中的混酸为体积比1:3或2:3的盐酸和氢氟酸的混合物。
6.根据权利要求1所述的一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，步骤(4)中的盐酸、双氧水的体积比为1:1或1:3。
7.根据权利要求1所述的一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，步骤(4)中的盐酸质量分数为0.1～10％，双氧水质量分数为0.1～20％。
8.根据权利要求1所述的一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，步骤(4)中氧化清洗的温度为20～85℃，时间为1～10min。
9.根据权利要求1所述的一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，步骤(5)中，需要预先在硅片的表面喷涂一层预湿液，预湿液的作用为使硅片表面同硼源浸润。
10.根据权利要求1所述的一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，步骤(7)中进行烘干的温度为10～300℃。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106653942A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-10 | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 | 一种n型单晶硅双面电池的制作方法 |
| CN107799397A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-03-13 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种p型晶体硅太阳能电池磷旋涂方法 |
| CN108110090A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-06-01 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种n型双面电池制备方法 |
| CN109742172A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-10 | 华东理工大学 | 旋涂硼源激光掺杂制作n型选择性发射极双面电池的方法 |
| CN112599410A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-02 | 上海玻纳电子科技有限公司 | 提高n型单晶硅片硼扩散的方法 |
| CN113345981A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-03 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种用于制备选择性发射极的链式设备 |
| CN113363352A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-07 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种n型电池选择性发射极的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100186808A1 (en) * | 2009-01-27 | 2010-07-29 | Peter Borden | Plating through tunnel dielectrics for solar cell contact formation |
| CN103824761A (zh) * | 2012-11-19 | 2014-05-28 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种可提高扩散均匀性的涂源扩散方法及扩散设备 |
| CN104779155A (zh) * | 2014-01-14 | 2015-07-15 | 北大方正集团有限公司 | 一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片 |
-
2015
- 2015-10-28 CN CN201510713443.XA patent/CN105390374A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100186808A1 (en) * | 2009-01-27 | 2010-07-29 | Peter Borden | Plating through tunnel dielectrics for solar cell contact formation |
| CN103824761A (zh) * | 2012-11-19 | 2014-05-28 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种可提高扩散均匀性的涂源扩散方法及扩散设备 |
| CN104779155A (zh) * | 2014-01-14 | 2015-07-15 | 北大方正集团有限公司 | 一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106653942A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-10 | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 | 一种n型单晶硅双面电池的制作方法 |
| CN107799397A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-03-13 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种p型晶体硅太阳能电池磷旋涂方法 |
| CN108110090A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-06-01 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种n型双面电池制备方法 |
| CN109742172A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-10 | 华东理工大学 | 旋涂硼源激光掺杂制作n型选择性发射极双面电池的方法 |
| CN112599410A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-02 | 上海玻纳电子科技有限公司 | 提高n型单晶硅片硼扩散的方法 |
| CN112599410B (zh) * | 2020-12-16 | 2022-12-13 | 上海玻纳电子科技有限公司 | 提高n型单晶硅片硼扩散的方法 |
| CN113345981A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-03 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种用于制备选择性发射极的链式设备 |
| CN113363352A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-07 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种n型电池选择性发射极的制备方法 |
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