CN105371163A - 包含非均匀光导单元的集成背光单元 - Google Patents

Abstract

本发明涉及包含非均匀光导单元的集成背光单元。一种集成背光单元可包含具有提取特征的非均匀分布的光导板。所述提取特征的所述非均匀分布可通过接近于发光装置的无提取特征区及/或通过随距所述发光装置的距离而改变的所述提取特征的可变密度来提供。另外或替代地，所述光导单元可包含异质反射率表面，所述异质反射率表面在接近于所述发光装置组合件处与所述光导单元的远端部分处具有不同反射率。所述不同反射率可通过镜面反射材料、漫反射材料或光吸收材料来提供。提取特征的所述非均匀分布及/或所述异质反射率表面可用以增强反射光的亮度均匀性及/或控制所述光导单元内的温度分布。

Description

包含非均匀光导单元的集成背光单元

技术领域

本发明的实施例一般来说涉及半导体发光装置且具体来说，涉及集成背光单元，及集成背光单元的制造方法。

背景技术

例如发光二极管(LED)等发光装置用于电子显示器中，例如膝上型计算机或LED电视机中的液晶显示器。常规LED单元是通过将LED安装到衬底、囊封所安装的LED且接着将经囊封的LED光学耦合到光波导来制造。常规LED单元可能遇到的一些问题包含在接近于与LED发光装置组合件的接口的区中的光波导的局部加热、从光导板反射的光的亮度的均匀性的变化，及/或跨越光导板的光强度分布及/或温度分布的均匀性的普遍缺乏。

发明内容

一种集成背光单元可包含具有提取特征的非均匀分布的光导单元，所述提取特征在实质上垂直于来自发光装置的光的初始方向的方向上反射来自所述发光装置的所述光。所述提取特征的所述非均匀分布可通过接近于所述发光装置组合件的无提取特征区及/或通过随距所述发光装置的距离而改变的所述提取特征的可变密度来提供。另外或替代地，所述光导单元可包含异质反射率表面，所述异质反射率表面在接近于所述发光装置处与所述光导单元的远端部分处具有不同反射率。所述不同反射率可通过镜面反射材料、漫反射材料或光吸收材料来提供。提取特征的所述非均匀分布及/或所述异质反射率表面可用以增强反射光的亮度均匀性及/或控制所述光导单元内的温度分布。

根据本发明的一方面，提供一种集成背光单元，其包含发光装置组合件，所述发光装置组合件含有含空隙的支撑件及位于所述空隙内的至少一个发光装置，且所述集成背光单元进一步包含光导单元，所述光导单元光学耦合到所述至少一个发光装置且具有位于所述空隙内或邻近于所述空隙的近端部分及在所述空隙外部延伸的远端部分。所述光导单元包含经配置以反射来自所述至少一个发光装置的光的多个提取特征。所述多个提取特征当中的最近邻距离为非均匀的且随距所述至少一个发光装置的距离的增加而单调地减小。

根据本发明的另一方面，提供一种集成背光单元，其包含发光装置组合件，所述发光装置组合件包含含空隙的支撑件及位于所述空隙内的至少一个发光装置，且所述集成背光单元进一步包含光导单元，所述光导单元光学耦合到所述至少一个发光装置且具有位于所述空隙内或邻近于所述空隙的近端部分及在所述空隙外部延伸的远端部分。所述光导单元包含：多个提取特征，其经配置以反射来自所述至少一个发光装置的光；及异质表面，其包含位于所述多个提取特征之下的远端表面及更接近所述至少一个发光装置且具有不同于所述远端表面的反射率的近端表面。

根据本发明的又一方面，提供一种形成集成背光单元的方法。提供发光装置组合件，所述发光装置组合件包含含空隙的支撑件及嵌入于所述空隙中或位于邻近于所述空隙处的至少一个发光装置。将光导单元光学耦合到所述至少一个发光装置。所述光导单元具有经配置以反射来自所述至少一个发光装置的光的多个提取特征的非均匀分布。所述光导单元经安置以使得所述多个提取特征当中的最近邻距离随距所述至少一个发光装置的距离而单调地减小。

根据本发明的再一方面，提供一种形成集成背光单元的方法。提供发光装置组合件，所述发光装置组合件包含含空隙的支撑件及嵌入于所述空隙中或位于邻近于所述空隙处的至少一个发光装置。光导单元光学耦合到所述至少一个发光装置以使得所述光导单元的近端部分安置在所述空隙内或邻近于所述空隙且所述光导单元的远端部分在所述空隙外部延伸。所述光导单元包含经配置以反射来自所述至少一个发光装置的光的多个提取特征，且进一步包含异质表面。所述异质表面包含位于所述多个提取特征之下的远端表面，及更接近所述至少一个发光装置且具有不同于所述远端表面的反射率的近端表面。

根据本发明的又一实施例，提供一种集成背光单元，其包含发光装置组合件，所述发光装置组合件包括含空隙的支撑件及位于所述空隙内的至少一个发光装置。所述集成背光单元进一步包含光导单元，所述光导单元光学耦合到所述至少一个发光装置且具有位于所述空隙内或邻近于所述空隙的近端部分及在所述空隙外部延伸的远端部分。所述光导单元包括多个提取特征，所述多个提取特征在光导板的表面上被印刷有几何特征以影响在所述光导板内行进的光子的提取及透射。所述印刷的特征经优化以吸收、反射或部分地反射及吸收所述光子，所述印刷的几何特征中的至少一者具有选自直线形状、曲线形状、多边形形状及弯曲形状中的形状，且经优化以从所述光导板的所述表面获得所要光学发射图。

根据本发明的另一实施例，提供一种集成背光单元，其包括：发光装置组合件，所述发光装置组合件包括含空隙的支撑件及位于所述空隙内的至少一个发光装置；及光导单元，所述光导单元光学耦合到所述至少一个发光装置且具有位于所述空隙内或邻近于所述空隙的近端部分及在所述空隙外部延伸的远端部分。所述光导单元包括具有线性凹槽密度的多个凹槽，所述线性凹槽密度随距所述近端部分的距离而增加，所述线性凹槽密度为如在含有所述多个凹槽的平面内且沿着垂直于距所述近端部分的所述距离的方向计数的每一单位长度的凹槽的总数目。

附图说明

图1为根据本发明的第一实施例的第一示范性集成背光单元的自上向下的视图的示意性说明。为清楚起见而未图示囊封基质覆盖源侧反射材料层、引线结构或引线的部分。

图2为根据本发明的第一实施例的第一示范性集成背光单元的垂直横截面图的示意性说明。

图3为根据本发明的第二实施例的第二示范性集成背光单元的垂直横截面图的示意性说明。

图4为根据本发明的第三实施例的第三示范性集成背光单元的垂直横截面图的示意性说明。

图5为根据本发明的第四实施例的第四示范性集成背光单元的垂直横截面图的示意性说明。

图6为根据本发明的第一实施例的第一示范性集成背光单元的第一变化的垂直横截面图的示意性说明。

图7为根据本发明的第二实施例的第二示范性集成背光单元的第一变化的垂直横截面图的示意性说明。

图8为根据本发明的第三实施例的第三示范性集成背光单元的第一变化的垂直横截面图的示意性说明。

图9为根据本发明的第四实施例的第四示范性集成背光单元的第一变化的垂直横截面图的示意性说明。

图10为根据本发明的第一实施例的第一示范性集成背光单元的第二变化的垂直横截面图的示意性说明。

图11为根据本发明的第二实施例的第二示范性集成背光单元的第二变化的垂直横截面图的示意性说明。

图12为根据本发明的第三实施例的第三示范性集成背光单元的第二变化的垂直横截面图的示意性说明。

图13为根据本发明的第四实施例的第四示范性集成背光单元的第二变化的垂直横截面图的示意性说明。

图14A为根据本发明的第五实施例的第五示范性集成背光单元的垂直横截面图的示意性说明。

图14B为图14A中的第五示范性集成背光单元内的光导板的自上向下的视图。

图14C为图14B的一部分的放大图。

图14D为沿平面D的图14C的光导板的垂直横截面图。

图14E为沿平面E的图14C的光导板的垂直横截面图。

图14F为沿平面F的图14C的光导板的垂直横截面图。

图14G为沿平面G的图14C的光导板的垂直横截面图。

图15A为第五示范性集成背光单元的光导板的自上向下的视图。

图15B为图15A的一部分的放大图。

图15C为图15B的一部分的放大图。

图16为说明用于光导板内的凹槽的示范性设计的一组示意图，其中侧向间距范围为30到200微米，且凹槽深度范围为4到15微米。

具体实施方式

如上文所陈述，本发明涉及集成背光单元及其制造方法，其各个方面描述如下。贯穿图式，相似元件通过相同的参考标号来描述。图式未按比例绘制。除非明确地描述或以其它方式清楚地指示不存在元件的重复，否则在说明元件的单个实例的情况下，可重复元件的多个实例。例如“第一”“第二”及“第三”等序数仅用以识别类似元件，且不同序数可跨越本发明的说明书及权利要求书来使用。

利用LED光源且希望用于均匀照明应用的现有技术背光解决方案归因于以下限制中的一或多者而具有降级的总体光学系统效率。

1.归因于组件的局部加热(且尤其是高角射线照射的光导单元的区(热点产生)的局部加热)产生的集成背光单元的可靠性的降级；以及

2.归因于依据位置且具体来说依据距发光装置的距离及/或依据发光装置的类型的光强度的变化产生的亮度的非均匀性。

如本文所使用，“集成背光单元”是指为液晶显示器(LCD)或通过阻挡来自侧面或来自背面的背景照明的子集显示图像的其它装置提供照明功能的单元。如本文所使用，“发光装置”可为能够发出可见光范围内(具有在400纳米到800纳米的范围内的波长)、红外线范围内(具有在800纳米到1毫米的范围内的波长)或紫外线范围内(具有在10纳米到400纳米的范围内的波长)的光的任何装置。本发明的发光装置包含如所属领域中已知的发光二极管，且确切地说，发出可见光范围内的光的半导体发光二极管。

如本文中所使用，“发光装置组合件”指至少一个发光装置在结构上关于支撑结构固定的组合件，其可包含(例如)衬底、基质或经配置以对至少一个发光装置提供稳定机械支撑的任何其他结构。如本文中所使用，“光导单元”指经配置以在实质上不同于如从至少一个发光装置发射的光的初始方向的一或多个方向上在发光装置组合件中导引从至少一个发光装置发射的光的单元。本发明的光导单元可经配置以沿着不同于如从至少一个发光装置发射的光的初始方向的方向上反射或散射光。在一个实施例中，本发明的光导单元包含光导板，且可经配置以沿着(即，沿着实质上垂直于光导板的底表面的方向)围绕光导板的底表面的表面法线的方向反射光。如本文中所使用，如果两个方向之间的角度在从75度到105度的范围中，那么一个方向“实质上垂直”于另一方向。

参看图1和2，展示第一示范性集成背光单元100，其包含发光装置组合件30、光导单元60和衬底200。衬底200可为绝缘体衬底、半导体衬底、导电衬底或其组合或堆叠，且可由可对发光装置组合件提供结构支撑的任何硬性结构替换。衬底200可为任选组件。

发光装置组合件30可包含具有在其中界定空隙132的形状的支撑件(117、102、104)。空隙132为具有朝向一侧的开口119的空腔。在一个实施例中，空隙132可具有接近所述侧处的开口119的均匀宽度，且可具有与待嵌入于支撑件(117、102、104)内的发光装置110的数目一样多的数目个远离开口119的空腔延伸。交替地，如果捆绑多个发光装置110作为丛集，那么空腔延伸的数目可与发光装置110的丛集的数目相同。又交替地，在发光装置110在空隙132内相互侧向接触之情况下，可合并空腔延伸。

在一个实施例中，空隙132的接近开口119的部分可含有实质上矩形空腔，其具有均匀宽度。在另一实施例中，空隙132的接近开口119的部分可为波纹状，使得光导单元60可按精确对准插入到空隙中。可调整空隙132的形状以适应至少一个发光装置110中的每一者的类型、形状和本质。在说明性实例中，空隙132可包含具有狭缝形状、圆柱形形状、圆锥形形状、多面体形状、锥体形状或容纳至少一个发光装置110的嵌入的任何三维曲线形状的部分，以容纳在至少一个发光装置110中的每一者与空隙空隙的开口119之间的光路，和容纳光导单元60的一部分到空隙132内的插入。

源侧反射性材料层116可形成于空隙132的侧壁的至少一部分上。源侧反射性材料层116可为例如银或铝的光反射材料的层。在一个实施例中，源侧反射性材料层116可形成为涂层。

支撑件(117、102、104)可包含到至少一个发光装置110中的每一者的引线结构102，其可为模制引线框、电路板或可容下电力供应器布线的任何结构。另外，支撑件(117、102、104)可包含提供从引线结构102到至少一个发光装置110的各种节点的电连接的引线104。支撑件(117、102、104)可进一步包含囊封基质117，其可经模制以在其中形成空隙132。在一个实施例中，囊封基质117可为塑料材料或由不透明材料或光学透明材料制成的聚合物LED封装。如本文中所使用，“光学透明材料”指在从至少一个发光装置110发射的光的波长下至少50％透射性的燃料。如本文中所使用，“不透明材料，，指并非光学透明材料的任何材料。可按需要提供用于囊封基质117的外壳(未图示)。

至少一个发光装置110中的每一者可插入到空隙132中且嵌入于支撑件(117、102、104)内，使得至少一个发光装置110和电活性节点接触引线104。每一发光装置110可按用于结合或附接的任何合适技术(例如，倒装芯片结合或导线结合)电连接到引线104。在一个实施例中，至少一个发光装置110中的每一者可包含一或多个发光半导体元件(例如，红、绿和蓝发射LED；蓝LED、绿LED和覆盖有红发射磷光体的蓝LED；或蓝LED、绿LED和覆盖有黄发射磷光体的蓝发射LED)。

在一个实施例中，至少一个发光装置110可包含白光发射LED(例如，覆盖有黄发射磷光体的蓝LED，其一起显得对观测者发射白光)或多个紧密间隔LED(例如，发射红光、绿光和蓝光的一组紧密间隔LED；包含蓝LED、绿LED和覆盖有红发射磷光体的蓝LED的一组紧密间隔LED；或包含蓝LED、绿LED和覆盖有黄发射磷光体的蓝LED的一组紧密间隔LED)。

任何合适LED结构可用于至少一个发光装置110中的每一者。在实施例中，LED可为基于纳米线的LED。纳米线LED通常基于一或多个pn或pin接面。每一奈米线可包括第一导电类型(例如，掺杂的n型)纳米线核心和围封的第二传导类型(例如，掺杂的p型)壳以用于形成pn或pin接面，该接面在操作中为光产生提供活性区。核心与壳之间的中间活性区可包括单一内部或轻掺杂的(例如，掺杂级别在10¹⁶cm^-3以下)半导体层或一或多个量子井，例如，包括不同带隙的多个半导体层的3到10个量子井。纳米线通常按阵列(包括数百、数千、数万或更多个纳米线)并排排列在支撑衬底上以形成LED结构。纳米线可包括多种半导体材料，例如，III-V半导体及/或III氮化物半导体，且合适材料包含(不限于)GaAs、InAs、Ge、ZnO、InN、GaInN、GaN、AlGaInN、BN、InP、InAsP、GaInP、InGaP：Si、InGaP：Zn、GaInAs、AlInP、GaAlInP、GaAlInAsP、GaInSb、InSb、AlN、GaP和Si。支撑衬底可包含(不限于)III-V或II-VI半导体、Si、Ge、Al₂O₃、SiC、石英和玻璃。关于纳米线LED和制造的方法的另外细节论述于(例如)美国专利第7,396,696号、第7,335,908号和第7,829,443号、PCT公开案第WO2010014032号、第WO2008048704号和第WO2007102781号中和瑞典专利申请案SE1050700-2中，其皆被以引用的方式全部并入本文中。

替代地，替代纳米线LED，或除了纳米线LED之外，亦可使用块体(即，平面层类型)LED。此外，虽然无机半导体纳米线或块体发光二极管是优选的，但可替代地使用任何其它发光装置，例如，激光、有机发光二极管(OLED)(包含基于小分子、聚合物和/或磷光化合物的OLED)、发光电化学电池(LEC)、静默变化、荧光、阴极致发光、电子刺激发光(ESL)、电阻性灯丝白炽、卤素白炽和/或气体放电发光装置。每一发光装置110可发射任何合适辐射波长(例如，峰值或频带)，例如，可见光辐射。

任选地，光学透明囊封部分112可在空隙132内形成于至少一个发光装置110中的每一者上。另外，光学发射器114可按需要形成于每一光学透明囊封部分112上或至少一个光学透明囊封部分112中的每一者上。可用于光学透明囊封部分112或光学发射器114的各种材料为所属领域中已知的。

囊封基质117和光学透明囊封部分112中的每一者可在从至少一个发光装置110发射的光的波长下至少80％透射性。在一个实施例中，囊封基质117和光学透明囊封部分112中的每一者可在从至少一个发光装置110发射的光的波长下为80％到99％透射性。在一个实施例中，囊封基质117和光学透明囊封部分112中的每一者可在可见波长范围上为80％到99％透射性。在说明性实例中，用于囊封基质117和光学透明囊封部分112的材料可独立地选自聚硅氧、丙烯酸聚合物(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯)(“PMMA”))和环氧树脂。至少一个光学发射器114(如果存在)可包含与聚硅氧、聚合物和/或环氧树脂混合的磷光体或染料材料。在一个实施例中，可用如所属领域中已知的光棒取代本发明的发光装置组合件30。

光导单元60包含多个提取特征129，其经配置以从至少一个发光装置110反射或散射光。多个光提取特征129将光反射或散射到光导单元60的前侧。反射或散射来自至少一个发光装置110的光所沿着的大体方向在图2中由三个指向上的箭头说明。

在一个实施例中，光导单元60可包含光导板120，其可为具有实质上均匀厚度的光学透明板。在一个实施例中，多个提取特征129可位于一个表面上或光导板120内。在一个实施例中，多个提取特征129可在光导板120的底表面上为几何特征。几何特征可包含(例如)在光导板120的底表面上的突起部和/或凹陷。在一个实施例中，几何特征中的每一者可具有(例如)棱柱形状、锥体形状、柱状形状、圆锥形形状或其组合。几何特征可为不相互邻接的离散特征，或可相互邻接以形成相邻结构。在一个实施例中，每一几何特征沿着光线的初始方向的方向的尺寸可在从发射自至少一个发光装置110的光的波长的1/4到发射自至少一个发光装置110的光的波长的约100倍的范围中，但也可使用更小或更大尺寸。

多个提取特征129可为光导板120的表面上的印刷几何特征以影响在光导板120内行进的光子的提取和透射。印刷特征可经优化以吸收、反射或部分反射且吸收来自至少一个发光装置110的光子。印刷几何特征中的至少一者可具有选自长方体形状、曲线形状、多边形形状和弯曲形状的形状，且可经优化以从光导板120的表面获得所要的光学发射图案。喷墨、打印或其它合适图案转印工艺可形成提取特征129的所要的几何特征。合适的基于聚合物或基于溶剂的载剂可将用于多个提取特征129的所要的材料传递到光导板120的表面。多个提取特征129的传递的材料可为吸收性、反射性或部分透射性。

光导单元60可进一步包含背面光反射层118，其为定位于光导板120的底侧上的光反射层。背面光反射层118充当位于光导板120下的背板，且将光从至少一个发光装置100反射到光导单元60的前侧。背面光反射层118可为例如银或铝的光反射材料的层，或在柔性或非柔性层上的光反射材料的涂层。在一个实施例中，背面光反射层118可包含例如金属的热传导材料。在一个实施例中，导热层210可提供于背面光反射层118与衬底200之间以促进从背面光反射层118到衬底200的热传递，使得避免背面光反射层118的过热。

可将光导单元60插入到空隙132中，或可将其边缘紧靠着空隙132的开口119定位，使得光导单元60在插入到空隙132内后光学耦接至至少一个发光装置110。虽然将光导单元60插入到空隙132中的配置说明于图1和2中，但本发明可为以任一方式按将光导单元60邻近空隙132放置的配置的实践，其限制性条件为提供至少一个发光装置110与光导单元60之间的光学耦合。大体上，光导单元60的至少一远端部分延伸到空隙132外。

在一个实施例中，光导单元60的第一部分可被灵活地定位在空隙132内，且光导单元60的第二部分延伸到空隙132外。在一个实施例中，光导单元60第二部分第二部分可伸出空隙132外。光导单元60的第一部分在本文中被称作光导单元60的近端部分，且光导单元60的第二部分在本文中被称作光导单元60的远端部分。

根据本发明的实施例，多个提取特征129的图案和形状经选择，使得多个提取特征129间的最近邻距离不均匀且随着距至少一个发光装置110的距离的增大而单调减小。在一个实施例中，多个提取特征129间的最近邻距离不均匀且随着距至少一个发光装置110的距离的增大而单调减小。例如，多个提取特征129间的最近邻距离不均匀且随着距平面p(包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界)的距离x的增大而单调减小。

如本文中所使用，将“最近邻距离”针对提取特征129内含有之任何位置定义为选自提取特征的外表面上的点的第一点与选自任何其它提取特征的外表面上的点的第二点之间的最短距离。在一个实施例中，至少在光导单元60的远端部分内，多个提取特征129间的最近邻距离不均匀且随着距至少一个发光装置110的距离增大而严格减小。在一个实施例中，至少在光导单元60的远端部分内，多个提取特征129间的最近邻距离不均匀且随着距平面p(包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界)的距离x的增大而严格减小。在提取特征129相互邻接的区内，最近邻距离可为零。

如本文中所使用，在且仅在函数的域和范围中的每一者为实数的子集且参数的值的增大不诱发函数的值的正改变(对于参数的所有值)的情况下，函数随参数而变“单调减小”。如本文中所使用，在且仅在函数的域和范围中的每一者为实数的子集且参数的值的增大不诱发函数的值的负改变(对于参数的所有值)的情况下，函数随参数而变“单调增加”。如本文中所使用，在且仅在函数的域和范围中的每一者为实数的子集且参数的值的增大诱发函数的值的负改变(对于参数的所有值)的情况下，函数随参数而变“严格减小”。如本文中所使用，在且仅在函数的域和范围中的每一者为实数的子集且参数的值的增大诱发函数的值的正改变(对于参数的所有值)的情况下，函数随参数而变“严格增加”。

在一个实施例中，多个提取特征129可沿着垂直于测量距至少一个发光装置110的距离或距平面p(包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界)的距离x所沿着的水平方向的水平方向侧向延伸。在此情况下，对于任一任意选定提取特征129的最近邻距离可为到两个相邻提取特征129的两个距离中的较小者，可将其在本文中定义为提取特征129的局部间距p(x)。在一个实施例中，提取特征129可为沿着垂直于测量距至少一个发光装置110的距离所沿着的水平方向的水平方向延伸的棱柱或凹槽。在一个实施例中，多个延伸特征129中的每一者可沿着同一方向延伸，且最近邻距离可为一对相邻延伸特征之间的间距。

在一个实施例中，从最接近至少一个发光装置110的提取特征129到最远离至少一个发光装置110的提取特征，最近邻距离可改变至少20％(例如，20％-300％)。在另一实施例中，从最接近至少一个发光装置110的提取特征129到最远离至少一个发光装置110的提取特征，最近邻距离可改变至少50％(例如，50％-100％)。在又一实施例中，从最接近至少一个发光装置110的提取特征129到最远离至少一个发光装置110的提取特征，最近邻距离可至少按因数2改变。

在提取特征129对于不同类型的发光装置110具有不同最近邻距离的情况下，可选择发光装置110，且可识别经配置以散射或反射来自选定发光装置110的光的提取特征129的对应集合。可针对每一发光装置110的提取特征129的对应集合计算最近邻距离。举例来说，至少一个发光装置110可为包含发射在第一峰值波长处的光的第一发光装置和发射在不同于第一峰值波长的第二峰值波长处的光的第二发光装置的多个发光装置110。在此状况下，来自第一发光装置的光的路径内的多个提取特征129的第一子集及来自第二发光装置的光的路径内的多个提取特征129的第二子集的形状、大小及/或最近邻距离的分布可依据距相应发光装置的距离而不同。在此状况下，多个提取特征129中的第一子集的最近邻距离和多个提取特征129中的第二子集的最近邻距离可为距对应的至少一个发光装置110的距离或距平面p(包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界)的距离x的不同单调减小函数。在使用两个以上类型的发光装置110和/或两个以上类型的提取特征129的情况下，可应用相同几何特征。

根据本发明的实施例，多个提取特征129的图案和形状经选择，使得多个提取特征129不均匀地分布。具体地说，多个提取特征129可按随距至少一个发光装置110的距离单调增加的可变密度分布。在此情况下，提取特征129的密度可随距至少一个发光装置110的距离单调增加，或随距平面p(包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界)的距离x单调增加。在一个实施例中，提取特征129的密度可随距至少一个发光装置110的距离严格增加，或随距平面p(包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界)的距离x严格增加。

如本文中所使用，提取特征129的密度为可定义为每单位面积的提取特征129的总面积的宏观量。可在含有提取特征129的任一点处测量提取特征129的密度。单位面积的大小可经选择以包含统计上大量数目个提取特征129(例如，大于10个)。在随机分布提取特征129之情况下，可使用所属领域中已知的任何数学和/或统计技术来统计提取特征129的密度的统计波动，及随平滑变化的宏观量来计算提取特征129的密度。在提取特征129针对不同类型的发光装置110具有不同密度的情况下，出于提取特征129的密度的计算提取特征129的目的，可藉由使用仅散射或反射来自选定发光装置110的光的提取特征129来针对每一发光装置110计算提取特征129的密度。

在一个实施例中，从最接近至少一个发光装置110的提取特征129到最远离至少一个发光装置110的提取特征，提取特征129的密度可改变至少20％(例如，20％到300％)。在另一实施例中，从最接近至少一个发光装置110的提取特征129到最远离至少一个发光装置110的提取特征，提取特征129的密度可改变至少50％(例如，50％到100％)。在又一实施例中，从最接近至少一个发光装置110的提取特征129到最远离至少一个发光装置110的提取特征，提取特征129的密度可至少按因数2改变。

在一个实施例中，发光装置110及/或提取特征129可存在多个类型。举例来说，至少一个发光装置110可为包含发射在第一峰值波长处的光的第一发光装置及发射在不同于第一峰值波长的第二峰值波长处的光的第二发光装置的多个发光装置110。在此状况下，来自第一发光装置的光的路径内的多个提取特征129的第一子集及来自第二发光装置的光的路径内的多个提取特征129的第二子集的形状、大小及/或最近邻距离的分布可依据距相应发光装置的距离而不同。在此状况下，多个提取特征129的第一子集的提取特征129的密度及多个提取特征129的第二子集的提取特征129的密度中的每一者可为距至少一个发光装置110的距离或距包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界的平面p的距离x的单调增加函数。倘若使用两个以上类型的发光装置110及/或两个以上类型的提取特征129，则可应用相同几何特征。

在一个实施例中，无提取特征区121可设置于位置邻近于空隙132的开口119的光导单元60的部分内。举例来说，无提取特征区121可设置于光导单元60的远端部分内。在此状况下，无提取特征区121可位于邻接光导单元60的近端部分的光导单元60的远端部分的一部分内。无提取特征区121不含多个提取特征129中的任一者。换句话说，提取特征129不存在于无提取特征区121内。在一个实施例中，无提取特征区121可具有光导单元60的远端部分的总长度L的至少5％(例如5％到50％)的长度。在另一实施例中，无提取特征区121可具有光导单元60的远端部分的总长度L的至少10％(例如10％到40％)的长度。在又一实施例中，无提取特征区121可具有光导单元60的远端部分的总长度L的至少20％(例如20％到30％)的长度。

总长度L的范围可为5mm到50mm，但总长度L可使用更小及更大的距离。在一个实施例中，如沿着包含来自至少一个发光装置110的光的方向的水平方向测量的无提取区121的长度可比多个提取特征129的最近邻距离当中的最大值大两倍。在另一实施例中，无提取区121的长度可比多个提取特征129的最近邻距离当中的最大值大10倍(例如，10倍到1,000倍)。在又一实施例中，无提取区121的长度可比多个提取特征129的最近邻距离当中的最大值大100倍(例如100倍到300倍)。在再一实施例中，无提取区121的长度可大于0.5mm。

在制造示范性集成背光单元中的任一者期间，光导单元60可例如通过使光导单元60滑动到空隙132中而安置到空隙132中及安置到至少一个发光装置110上。或者，只要光导板120与至少一个发光装置110之间提供光学耦合，光导单元60的光导板120便可形成与囊封基质117的对接接触。

参看图3，可通过在光导单元60的背板(150、118)上提供异质表面而从第一集成背光单元100导出第二示范性集成背光单元100。在第二示范性集成背光单元100中，用包含镜面反射材料层150与背面光反射层118的组合的背板(150、118)替换第一示范性集成背光单元100的背面光反射层118。镜面反射材料层150包含镜面反射材料。如本文所使用，“镜面反射”是指光从表面的镜样反射，其中入射角与反射角相同。“镜面反射材料”是指提供镜面反射的材料。在镜面反射材料层150的表面上可提供合适的表面加工以提供镜面反射。镜面反射材料层150可包含适合用作镜子的任何材料。

在一个实施例中，镜面反射材料层150的反射率可大于背面光反射层118的反射率。在说明性实例中，背面光反射层118可包含铝层或铝涂层，且镜面反射材料层150可包含金层、银层、金涂层或银涂层。

背板(150、118)位于光导板120之下，且具有接近光导板120的底部表面的异质表面。背板(150、118)的异质表面可或可不接触光导板120的底部表面。倘若光导板120的底部表面上存在多个提取特征129，背板(150、118)便可接触多个提取特征。具体来说，背板(150、118)的异质表面可包含位于多个提取特征129之下及任选地接触多个提取特征129的远端表面(其为背面光反射层118的顶部表面)及比远端表面更靠近于至少一个发光装置110且具有不同于远端表面的反射率的近端表面(其为镜面反射材料层150的顶部表面)。在一个实施例中，近端表面的反射率可大于远端表面的反射率。

在一个实施例中，镜面反射材料层150可位于无提取特征区121的区域内。镜面反射材料层150可增加来自接近至少一个发光装置110的背板(150、118)的部分的光的反射，且减低背板(150、118)的加热，从而增强第二示范性集成背光单元100的可靠度。此外，如果镜面反射材料层150上不存在提取特征129，那么无提取特征区121中不存在提取特征129可减低接近至少一个发光装置110的背板(150、118)的部分中的加热。

参看图4，可通过在光导单元60的背板(170、118)上提供异质表面而从第一集成背光单元100导出第三示范性集成背光单元100。在第三示范性集成背光单元100中，用包含漫反射材料层170与背面光反射层118的组合的背板(170、118)替换第一示范性集成背光单元100的背面光反射层118。漫反射材料层170包含漫反射材料。如本文所使用，“漫反射”是指光从表面的反射以使得以许多不同角度反射入射光线。“漫反射材料”是指提供漫反射的材料。在漫反射材料层170的表面上可提供合适的表面加工以提供漫反射。漫反射材料层170可包含此项技术中已知的任何光漫射材料。漫反射材料层170的反射率可大于、等于或小于背面光反射层118的反射率。

背板(170、118)位于光导板120之下，且具有接近光导板120的底部表面的异质表面。背板(170、118)的异质表面可或可不接触光导板120的底部表面。倘若光导板120的底部表面上存在多个提取特征129，背板(170、118)便可接触多个提取特征。具体来说，背板(170、118)的异质表面可包含位于多个提取特征129之下及任选地接触多个提取特征129的远端表面(其为背面光反射层118的顶部表面)及比远端表面更靠近于至少一个发光装置110且具有不同于远端表面的反射率的近端表面(其为漫反射材料层170的顶部表面)。在一个实施例中，近端表面的反射率可大于、等于或小于远端表面的反射率。

在一个实施例中，漫反射材料层170可位于无提取特征区121的区域内。漫反射材料层170可增加来自接近至少一个发光装置110的背板(170、118)的部分的光的反射，且减低背板(170、118)的加热，从而增强第二示范性集成背光单元100的可靠度。此外，如果漫反射材料层170上不存在提取特征129，那么无提取特征区121中不存在提取特征129可减低接近至少一个发光装置110的背板(170、118)的部分中的加热。

参看图5，可通过在光导单元60的背板(180、118)上提供异质表面而从第一集成背光单元100导出第四示范性集成背光单元100。在第四示范性集成背光单元100中，用包含光吸收材料层180与背面光反射层118的组合的背板(180、118)替换第一示范性集成背光单元100的背面光反射层118。光吸收材料层180包含光吸收材料。如本文所使用，“光吸收材料”是指在照射于其上的光的波长处具有小于0.5的反射率的材料，所述波长可为如从至少一个发光装置110发射或如在光学发射器114处修改的光的波长。在光吸收材料层180的表面上可提供合适的表面加工以提供光吸收的特性。光吸收材料层180可包含此项技术中已知的任何光吸收材料，所述光吸收材料包含，但不限于，黑墨水、黑漆及黑胶带。光吸收材料层180的反射率小于背面光反射层118的反射率。

背板(180、118)位于光导板120之下，且具有接近光导板120的底部表面的异质表面。背板(180、118)的异质表面可或可不接触光导板120的底部表面。倘若光导板120的底部表面上存在多个提取特征129，背板(180、118)便可接触多个提取特征。具体来说，背板(180、118)的异质表面可包含位于多个提取特征129之下及任选地接触多个提取特征129的远端表面(其为背面光反射层118的顶部表面)及比远端表面更靠近于至少一个发光装置110且具有不同于远端表面的反射率的近端表面(其为光吸收材料层180的顶部表面)。在一个实施例中，近端表面的反射率可小于远端表面的反射率。

在一个实施例中，光吸收材料层180可位于无提取特征区121的区域内。光吸收材料层180降低如从至少一个发光装置110发射的光的高角度反射。因此，穿过覆在光吸收材料层180上面的光导板120的部分的光具有更小角展度，且因此，从提取特征129反射或散射的光可更具方向性，即，具有更小角展度。在此状况下，相比不使用光吸收材料层180作为背板(180、118)的组件的类似的单元，第四示范性集成背光单元100的亮度均一性可得到增强。如果在光吸收材料层180上不存在提取特征129，那么无提取特征区121中不存在提取特征129可减低接近至少一个发光装置110的背板(180、118)的部分中的加热。

虽然预期本发明的特征在各种兼容特征彼此相结合地使用时提供充分益处，但本文中明确地涵盖其中在利用另一特征时省略特征中的一或多者的实施例。在一个实施例中，在本发明的各种示范性集成背光单元100的第一变化中可省略在无提取特征区121之外的提取特征129的不均匀分布的特征。另外或替代地，在本发明的各种示范性集成背光单元100的第一变化中可省略多个提取特征129当中的最近邻距离随着距至少一个发光装置110的距离(或随着距包含光导单元(120、118、129及任选地150、170、180)的近端部分与光导单元(120、118、129及任选地150、170、180)的远端部分之间的边界的平面p的距离x)单调降低的特征。另外或替代地，在本发明的各种示范性集成背光单元100的第一变化中可省略随着距至少一个发光装置110的距离单调增加的多个提取特征129的可变密度的特征。图6到9中分别说明本发明的各种示范性集成背光单元100的此些第一变化。

此外，可在不存在无提取特征区121的特征下实践本发明。换句话说，可消除无提取特征区121，且多个提取特征129的不均匀分布可扩展遍及从发光装置组合件30当中(即，从包含光导单元(120、118、129及任选地150、170、180)的近端部分与远端部分之间的界面的平面当中)伸出的光导板120的部分。图10到13中分别说明本发明的各种示范性集成背光单元100的此些第二变化。在本发明的各种示范性集成背光单元100的第二变化中不存在无提取特征区121。

另外，可在无提取特征129的不均匀分布的特征下及在不存在无提取特征区121的特征下实践本发明。换句话说，可消除提取特征129，且可消除无提取特征区121。在此状况下，本发明的各种示范性集成背光单元100的第三变化(未说明)可包含背板(118以及150、170、180中的一或多者)的异质表面。异质表面内的远端表面(其为背面光反射层118的顶部表面)位于多个提取特征129之下，及任选地接触多个提取特征129。异质表面内的近端表面(其为镜面反射材料层150、漫反射材料层170及光吸收材料层180的一或多个顶部表面)比远端表面更靠近于至少一个发光装置110，且可具有不同于远端表面的反射率的反射率。

参看图14A到14G、图15A到15C及图16，展示根据本发明的第五实施例的第五示范性集成背光单元，其包含在其顶部表面上具有凹槽129的光导板120。在一个实施例中，每一凹槽129可沿着实质上平行于从至少一个发光装置110发射的辐射方向的方向侧向地延伸。

在一个实施例中，每一凹槽129可沿着实质上平行于从多个发光装置110当中的最近端发光装置110发射的辐射方向的方向侧向地延伸。在一个实施例中，每一凹槽129可具有沿着垂直平面的弯曲凹面垂直截面轮廓，所述垂直平面垂直于从最近端发光装置110发射的辐射方向。在一个实施例中，每一凹槽129的垂直截面轮廓可具有圆弧形状或椭圆弧形状。

在一个实施例中，每一凹槽129的垂直截面轮廓可为平坦表面的集合，所述平坦表面的集合可为例如具有呈Ariel字体的字母“V”的截面形状的表面集合，或具有三个或三个以上线段的截面形状的多个表面，所述线段被接合在一起以在沿着垂直于从最近端发光装置110发射的辐射方向的平面的垂直截面图中观看时形成通常凹面垂直轮廓。

在一个实施例中，每一凹槽129可具有变化深度及变化宽度。在一个实施例中，每一凹槽129的深度可随着距包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界的平面p或距至少一个发光装置110的侧向距离而单调增加或严格增加。另外或替代地，每一凹槽129的宽度可随着距包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界的平面p或距至少一个发光装置110的侧向距离而单调增加或严格增加。在一个实施例中，每一凹槽129的最大深度的范围可为4微米到15微米，但也可以使用更小及更大的最大深度。

在一个实施例中，每一凹槽129的深度的增加的速率可与每一凹槽129的总长度成反比，以使得凹槽129的最大深度可实质上相同。在一个实施例中，每一凹槽129的最大宽度的范围可为12微米到48微米，但也可以使用更小及更大的最大深度。在一个实施例中，每一凹槽129的宽度的增加的速率可与每一凹槽129的总长度成反比，以使得凹槽129的最大宽度可实质上相同。

对于每一相邻对凹槽129来说，穿过凹槽129的相应几何中心及平行于从最近端发光装置110发射的辐射方向的两个垂直平面之间的凹槽间距gp可相同。凹槽的凹槽间距gp的范围可为30微米到200微米，但也可以使用更小及更大的凹槽间距gp。

在一个实施例中，可提供接近包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界的平面p或与至少一个发光装置110相隔的无凹槽区221。无凹槽区221可具有实质上三角形形状或实质上抛物线形状，以使得无凹槽区221的宽度随着距包含光导单元60的近端部分与光导单元60的远端部分之间的边界的平面p或距至少一个发光装置110的侧向距离而单调减少。在一个实施例中，可沿着垂直于来自多个发光装置110的辐射方向的水平方向重复无凹槽区221，其中周期性与多个发光装置内的发光装置110的重复的周期性相同，或其周期性为发射不同波长的光及/或与不同类型的光学发射器114组合的发光装置110的组合的重复的周期性。

多个凹槽129具有使从其中存在凹槽129的区域内的发光装置110或光学发射器114发射的光的散射及/或反射聚集的效果。通过将无凹槽区221放置于最接近于发光装置110的光导板120的远端部分的区中，避免了最接近于发光装置110的光导板120的远端部分的区的加热，且至少一个发光装置110的温度可维护在比其中不存在多个凹槽129的配置中的温度低的温度。

多个凹槽129的特征可与第一、第二、第三和第四示范性集成背光单元及其变化中的任一者组合。无凹槽区221的周期性可与多个发光装置110内的发光装置110的周期性相称。在一个实施例中，无凹槽区221的周期性可与多个发光装置110内的发光装置110的周期性相同。在一个实施例中，无凹槽区221的周期性可与形成多个发光装置110内的重复的单元的不同类型的发光装置110的组合的周期性相同。

图14A到14C中所说明的结构包括集成背光，所述集成背光包括：发光装置组合件30，其包括含有空隙132及位于空隙132内的至少一个发光装置110的支撑件(117、102、104)；及光导单元60，其光学耦合到至少一个发光装置30且具有位于空隙132内或邻近于空隙132的近端部分及延伸于空隙132之外的远端部分。光导单元60包括多个凹槽129，所述凹槽具有随着距近端部分的距离x而增加的线性凹槽密度。线性凹槽密度被定义为如在含有多个凹槽129的平面(例如，光在光导单元60内部传播的水平平面)内及沿着垂直于距近端部分的距离的方向(即，沿着垂直于从发光装置30的初始光传播的方向的方向)计数的每单位长度的凹槽129的总数。

在一个实施例中，光导单元60进一步包括无提取特征且具有随着距近端部分的距离x而减少的宽度的无提取特征区221。本文中的提取特征是指经配置以从至少一个发光装置110反射光的任何几何特征。沿着垂直于距近端部分的距离的方向(即，沿着垂直于从发光装置30的初始光传播的方向的方向)测量无提取特征区21的宽度。在一个实施例中，可提供多个无提取特征区221。在一个实施例中，无提取特征区可具有三角形的形状或由一侧的抛物线及另一侧的直线界定的形状。

在一个实施例中，线性凹槽密度可随着距近端部分的距离增加直到预定义距离而逐步地增加，所述预定义距离为最远端凹槽开始所处的距离。线性凹槽密度可在光导60的区中保持恒定，其中距近端部分的距离大于预定义距离。在一个实施例中，多个凹槽129中的每一者可具有严格增加(即，随着距近端部分的距离而“严格增加”)的凹槽深度。在一个实施例中，多个凹槽中的每一者具有随着距近端部分的距离而严格增加的凹槽宽度。

本发明的各种实施例可用以控制集成背光单元中的热点，及/或提供更均一亮度，及/或减少从提取特征反射的光的空间扩散，且可用于上文所明确描述或可以其它方式导出的任何配置中。

虽然前文涉及特定优选实施例，但应了解本发明不限于此。所属领域的技术人员将想到可对所揭示的实施例作各种修改并且此类修改意图在本发明的范围内。在本发明中说明使用特定结构及/或配置的实施例的情况下，应理解可在功能上等效的任何其它兼容结构及/或配置的情况下实践本发明，其条件是此些替代物并未被明确地禁用或以其它方式被所属领域的技术人员已知为不可能的。

Claims (26)

1.一种集成背光单元，其包括：

发光装置组合件，其包括含空隙的支撑件及位于所述空隙内的至少一个发光装置；以及

光导单元，其光学耦合到所述至少一个发光装置且具有位于所述空隙内或邻近于所述空隙的近端部分及在所述空隙外部延伸的远端部分，所述光导单元包括经配置以反射来自所述至少一个发光装置的光的多个提取特征，其中所述多个提取特征当中的最近邻距离为非均匀的且随距所述至少一个发光装置的距离的增加而单调地减小。

2.根据权利要求1所述的集成背光单元，其中所述远端部分的邻接所述近端部分且具有为所述远端部分的总长度的至少5％的长度的区无提取特征。

3.根据权利要求1所述的集成背光单元，其中所述最近邻距离从最接近于所述至少一个发光装置的提取特征到最远离所述至少一个发光装置的提取特征改变至少达20％。

4.根据权利要求1所述的集成背光单元，其中所述至少一个发光装置包括：

第一发光装置，其发出第一峰值波长的光；以及

第二发光装置，其发出第二峰值波长的光，所述第二峰值波长不同于所述第一峰值波长，

其中来自所述第一发光装置的所述光的路径内的所述多个提取特征的第一子集及来自所述第二发光装置的所述光的路径内的所述多个提取特征的第二子集的形状、大小或所述最近邻距离的分布依据距相应发光装置的所述距离而不同。

5.根据权利要求1所述的集成背光单元，其中所述多个提取特征中的每一者沿着相同方向侧向地延伸，且所述最近邻距离为一对相邻提取特征之间的间距。

6.根据权利要求1所述的集成背光单元，其中所述光导单元包括光导板，且所述多个提取特征包括所述光导板的表面上的突起或凹部。

7.根据权利要求6所述的集成背光单元，其进一步包括背板，所述背板位于所述光导板之下且具有异质表面，所述异质表面含有：

远端表面，其位于所述多个提取特征之下；以及

近端表面，其更接近所述至少一个发光装置且具有不同于所述远端表面的反射率。

8.根据权利要求7所述的集成背光单元，其中所述近端表面具有镜面反射材料。

9.根据权利要求7所述的集成背光单元，其中所述近端表面具有漫反射材料。

10.根据权利要求7所述的集成背光单元，其中所述近端表面具有光吸收材料。

11.一种集成背光单元，其包括：

发光装置组合件，其包括含空隙的支撑件及位于所述空隙内的至少一个发光装置；以及

光导单元，其光学耦合到所述至少一个发光装置且具有位于所述空隙内或邻近于所述空隙的近端部分及在所述空隙外部延伸的远端部分，所述光导单元包括：

多个提取特征，其经配置以反射来自所述至少一个发光装置的光；以及

异质表面，其包含位于所述多个提取特征之下的远端表面，及更接近所述至少一个发光装置且具有不同于所述远端表面的反射率的近端表面。

12.根据权利要求11所述的集成背光单元，其中所述近端表面具有镜面反射材料。

13.根据权利要求11所述的集成背光单元，其中所述近端表面具有漫反射材料。

14.根据权利要求11所述的集成背光单元，其中所述近端表面具有光吸收材料。

15.根据权利要求11所述的集成背光单元，其中无提取特征存在于所述近端表面上。

16.根据权利要求11所述的集成背光单元，其中所述多个提取特征当中的最近邻距离为非均匀的且随距所述至少一个发光装置的距离的增加而单调地减小。

17.根据权利要求16所述的集成背光单元，其中所述多个提取特征沿着相同方向侧向地延伸，且所述最近邻距离为一对相邻提取特征之间的间距。

18.根据权利要求11所述的集成背光单元，其中所述光导单元包括光导板，且所述多个提取特征包括所述光导板的表面上的突起或凹部。

19.根据权利要求11所述的集成背光单元，其中所述异质表面为位于所述光导板之下的背板的表面。

20.根据权利要求11所述的集成背光单元，其中所述至少一个发光装置包括：

第一发光装置，其发出第一峰值波长的光；以及

第二发光装置，其发出第二峰值波长的光，所述第二峰值波长不同于所述第一峰值波长，

其中来自所述第一发光装置的所述光的路径内的所述多个提取特征的第一子集及来自所述第二发光装置的所述光的路径内的所述多个提取特征的第二子集的形状、大小或所述最近邻距离的分布依据距相应发光装置的所述距离而不同。

21.一种集成背光单元，其包括：

发光装置组合件，其包括含空隙的支撑件及位于所述空隙内的至少一个发光装置；以及

光导单元，其光学耦合到所述至少一个发光装置且具有位于所述空隙内或邻近于所述空隙的近端部分及在所述空隙外部延伸的远端部分，所述光导单元包括多个提取特征，所述多个提取特征为光导板的表面上的印刷几何特征以影响在所述光导板内行进的光子的提取及透射，所述印刷的特征经优化以吸收、反射或部分地反射及吸收所述光子，所述印刷的几何特征中的至少一者具有选自直线形状、曲线形状、多边形形状及弯曲形状中的形状，且经优化以从所述光导板的所述表面获得所要光学发射图。

22.一种集成背光单元，其包括：

发光装置组合件，其包括含空隙的支撑件及位于所述空隙内的至少一个发光装置；以及

光导单元，其光学耦合到所述至少一个发光装置且具有位于所述空隙内或邻近于所述空隙的近端部分及在所述空隙外部延伸的远端部分，

其中所述光导单元包括具有线性凹槽密度的多个凹槽，所述线性凹槽密度随距所述近端部分的距离而增加，所述线性凹槽密度为如在含有所述多个凹槽的平面内且沿着垂直于距所述近端部分的所述距离的方向计数的每一单位长度的凹槽的总数目。

23.根据权利要求22所述的集成背光单元，其中所述光导单元进一步包括无提取特征区，所述无提取特征区无提取特征且具有随距所述近端部分的所述距离而减小的宽度，所述提取特征为经配置以反射来自所述至少一个发光装置的光的任何几何特征。

24.根据权利要求22所述的集成背光单元，其中所述线性凹槽密度随着距所述近端部分的所述距离直到预定义距离的增加而逐步地增加，且所述线性凹槽密度在其中距所述近端部分的所述距离大于所述预定义距离的所述光导的区中保持恒定。

25.根据权利要求22所述的集成背光单元，其中所述多个凹槽中的每一者具有严格地随距所述近端部分的所述距离增加的凹槽深度。

26.根据权利要求25所述的集成背光单元，其中所述多个凹槽中的每一者具有严格地随距所述近端部分的所述距离增加的凹槽宽度。