CN105355582A - 一种具有衬套的坩埚及其在制作红光led芯片中的应用 - Google Patents
一种具有衬套的坩埚及其在制作红光led芯片中的应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105355582A CN105355582A CN201510877709.4A CN201510877709A CN105355582A CN 105355582 A CN105355582 A CN 105355582A CN 201510877709 A CN201510877709 A CN 201510877709A CN 105355582 A CN105355582 A CN 105355582A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- bush
- led chip
- evaporation
- lining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种具有衬套的坩埚及其在制作红光LED芯片中的应用，属于半导体发光器件的生产技术领域，本发明在埚体内设置由底座和侧壁组成的衬套，在衬套的底座的外表面开设与底座同心的圆柱体凹槽，衬套的侧壁与埚体内表面之间设置间距。在制作红光LED芯片时，以ITO为蒸发材料进行真空电子束蒸镀时，蒸镀温度为280～320℃，镀率为0.5～2埃/秒，氧流量为5～20标准毫升/分钟，薄膜厚度为200～350纳米。本发明减小了衬套与埚体的接触面积，使源团的热量不容易散失，蒸镀所需的功率降低，镀率波动减小。镀膜致密，LED芯片的电压更低、亮度更高。
Description
技术领域
本发明属于半导体发光器件的生产技术领域，特别是涉及真空电子束蒸发设备的制作技术和ITO蒸镀制作红光LED芯片的制作方法。
背景技术
随着LED的应用越来越广泛，如何提高LED的发光效率成为关注的焦点。提高LED发光效率的两个基本出发点是提高其内量子效率和外量子效率。由于工艺和技术的成熟，当前商业化LED的内量子效率已经接近100%，但外量子效率仅有3～30%。外量子效率大小等于内量子效率与光的逃逸率之积。影响光的逃逸率低的因素有：晶格缺陷对光的吸收；衬底对光的吸收；电极对光的遮挡；光在出射过程中，在各个界面由于全反射造成的损失。铟锡氧化物ITO（In2O3:SnO2=95:5，质量分数）薄膜具有以下优点：在可见光谱区内透过率大于90%；低的电阻率（小于5×10-4Ω/cm）。因此，ITO薄膜作为增透膜和电流扩展层在光电子器件中被广泛的应用。
目前大规模用于工业化生产的ITO设备为真空电子束蒸发设备。该设备的工作原理是在真空条件下利用电子束进行直接加热ITO靶材，当ITO靶材被加热到蒸发温度时，ITO靶材离子会脱离靶材表面逸出到腔体环境中，靶材离子通过自身的热运动沉积到晶片表面，通过成膜过程（依次经散点、岛状结构、迷走结构、层状生长）形成薄膜。在电子束加热装置中，被加热的物质放置于水冷的坩埚埚体中，可避免蒸发材料与埚体壁发生反应影响薄膜的质量。因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜，同时在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚埚体，实现同时或分别蒸发，沉积多种不同的物质。通过电子束蒸发，任何材料都可以被蒸发。
坩埚又称为结晶器，是真空电弧熔炼的核心部位。金属在这里熔化、过热、精炼和结晶成锭。在这里进行着大量的热交换，坩埚壁的换热强度能够达到几万至几百万W/m2。
坩埚埚体设计的要点主要集中在以下几点：
（1）埚体要用导热性好导电性也好的且不易被熔化金属粘结的材料制造；
（2）埚体的内表面应该平整光滑，断面形状一致，无严重麻坑，以便于脱锭；
（3）埚体要有足够的刚度和强度，在熔炼情况下，足以支承最大铸锭质量，且受到电极短路碰撞时不致损害；
（4）埚体壁厚度在强度允许的条件下应尽量薄些；
（5）埚体的结构应当允许坩埚的热膨胀变形；
（6）直径小于150mm的埚体往往带有一定锥度，因为埚体需要脱锭；
（7）埚体要进行充分而适当的冷却；
（8）便于装卸、清理和维修。
在坩埚埚体中使用衬套具有以下作用：
（1）受热、冷却均匀；
（2）方便更换靶材、便于取下清洁；
（3）防止个别金属源与无氧铜坩埚反应；
（4）蒸镀部分高沸点金属（MO）；
（5）残余蒸发源回收方便。
但使用目前常规的具有衬套的坩埚是在坩埚埚体内设置由底座和侧壁组成的衬套，衬套的底座与埚体底座之间、衬套的侧壁与埚体内表面之间无间隙紧贴。在ITO蒸镀时，镀率波动较大，远远超出±0.1A/S的要求，影响ITO颗粒的均匀性及ITO镀膜质量，最终影响发光器件的光电参数。
发明内容
为了解决上述问题，本发明第一目的是提供一种能改善ITO镀膜质量的具有衬套的坩埚。
本发明在埚体内设置由底座和侧壁组成的衬套，其特征在于在衬套的底座的外表面开设与底座同心的圆柱体凹槽，衬套的侧壁与埚体内表面之间设置间距。
本发明通过以上技术改造，减小了衬套与埚体的接触面积，使源团的热量不容易散失，蒸镀所需的功率降低，镀率的均匀性得到改善，波动减小。最终ITO薄膜的镀膜致密性更好，质量得到提高，做成LED芯片的电压更低、亮度更高。此方法简单易行，成本低，便于生产使用。
进一步地，本发明所述间距为0.1～10mm。为了使衬套与埚体隔离，上述间距不得小于0.1mm。同时为了保证衬套的牢固性和安全性，防止衬套在埚体中移位，以及电子束穿透衬套，上述间距不得超过10mm。
本发明的另一目的是提出以上具有衬套的坩埚在制作红光LED芯片中的应用。
以ITO为蒸发材料进行真空电子束蒸镀时，蒸镀温度为280～320℃，镀率为0.5～2埃/秒，氧流量为5～20标准毫升/分钟，薄膜厚度为200～350纳米。
在真空电子束蒸镀机中，使用本发明具有衬套的坩埚进行ITO蒸镀，由于衬套与埚体的接触面积减小，源团的热量不容易散失，蒸镀所需的功率降低，镀率的波动减小，均匀性得到改善，蒸发出的ITO颗粒大小一致，ITO薄膜致密，镀膜质量得到提高，导致薄膜的光电性能得到改善，最终做成LED芯片的亮度提高。使用改进后的具有衬套的坩埚蒸镀ITO薄膜，并做出LED芯片，工作电压为2.04V，光强为126.6mcd。使用正常的坩埚衬套蒸镀ITO薄膜，做成LED芯片的工作电压为2.07V，光强为123.7mcd。对具有衬套的坩埚改进后，ITO薄膜的镀膜质量得到改善，做成LED芯片的工作电压减小0.03V，亮度提高2.9mcd。
附图说明
图1为本发明的一种结构示意图。
图2为采用本发明坩埚与常规坩埚进行ITO蒸镀的镀率对比图。
图3为采用本发明坩埚与常规坩埚进行ITO蒸镀的功率对比图。
图4为采用本发明坩埚与常规坩埚进行ITO蒸镀后做成LED芯片的工作电压对比图。
图5为采用本发明坩埚与常规坩埚蒸镀ITO薄膜后做成LED芯片的亮度对比图。
具体实施方式
一、具有衬套的坩埚的结构：
如图1所示，在埚体1内设置由底座2-1和侧壁2-2组成的衬套2，在底座2-1的外表面开设与底座2-1同心的圆柱体凹槽2-3，衬套2的侧壁2-2与埚体1内表面之间设置0.1～10mm的间距h，本例为8mm。
二、ITO蒸镀应用：
1、清洗待ITO蒸镀的外延片，放进烤箱烘烤。
2、真空电子束蒸镀机破真空，清洁腔体，使用底部和侧壁与埚体部分隔离的改进后的坩埚衬套，放入新的ITO源，并把烘烤后的外延片放进镀锅。
3、选择蒸镀程序，输入对应的锅次日期，点击开始。ITO蒸镀分以下阶段：
1）粗抽：PiG11达到3.40E-01Pa。
2）主抽：在完成步骤1）的前提下，进行主抽。且IG11达到1.00E-03Pa。
3）加热：使用蒸镀机腔体内的加热灯加热，温度由室温升至280-320℃。
4）持温：温度达到设定温度后，持续设定时间（10-40min），保证腔体环境干燥。
5）升功率、预熔：打开电子枪，通入设定流量的氧气（5-20标准毫升/分钟），升功率分两个阶段。第一阶段RISE1，功率由0升至设定功率的一半（3-5%），并预熔（SOAK1）5min；第二阶段RISE2，功率由设定功率的一半升至设定功率（6-10%），并预熔（SOAK2）1min。
6）升镀率：在完成步骤5）的基础上，打开挡板，进行RATERAMP，在固定时间内（5-30S），镀率由0升至设定镀率RATE1（0.5-2A/S）。
7）镀膜：在恒定的温度下，持续通入固定流量的氧气，以RATE1蒸镀至设定膜厚200-350纳米。
8）缓冲（FEED）：关闭挡板，继续打开电子枪、通气氧气，持续5-60S。
9）停止（RESET）：关闭电子枪，停止通入氧气，自然冷却腔体温度。
10）下片：当温度冷却至安全温度（60-100℃），破真空，下片。
再经过一系列的电极制作及刀片切割，完成LED发光器件的制作。
三、效果对比：
图2为采用本发明坩埚与常规坩埚进行ITO蒸镀的镀率对比图。纵坐标单位为：埃/秒，横坐标单位为：秒；其中，A对应于本发明坩埚镀率曲线，B对应于常规坩埚镀率曲线。
由图2可见：除去起始阶段挡板打开、升镀率阶段，镀率波动范围由常规坩埚时的0.4-1.2埃/秒改善为使用本发明坩埚时的0.6-0.9埃/秒，镀率均匀性（镀率落在设定镀率0.8埃/秒±0.1埃/秒范围内）由常规坩埚时的72.24%提高到使用本发明坩埚时的98.26%。
图3为采用本发明坩埚与常规坩埚进行ITO蒸镀的功率对比图；纵坐标单位为：%，横坐标单位为：秒；其中，C对应于本发明坩埚功率曲线，D对应于常规坩埚功率曲线。
由图3可见：在ITO蒸镀过程中，所需要的功率范围由常规坩埚时的6%-7.6%减小为5.9-7.1%，平均功率降低2.5%。
图4为采用本发明坩埚与常规坩埚进行ITO蒸镀后做成LED芯片的工作电压对比图；纵坐标单位为：伏特，横坐标单位为：个；其中，E对应于本发明坩埚蒸镀的ITO薄膜做成芯片的工作电压，F对应于常规坩埚蒸镀的ITO薄膜做成芯片的工作电压。
由图4可见：ITO薄膜做成芯片的工作电压对比，本发明坩埚对应芯片的工作电压范围是2.03-2.05伏特，相同条件下常规坩埚对应芯片的工作电压范围是2.04-2.08伏特，平均工作电压降低了0.03伏特。
图5为采用本发明坩埚与常规坩埚蒸镀ITO薄膜后做成LED芯片的亮度对比图。纵坐标单位为：毫坎德拉，横坐标单位为：个；其中，G对应于本发明坩埚蒸镀的ITO薄膜做成芯片的亮度，H对应于常规坩埚蒸镀的ITO薄膜做成芯片的亮度。
由图5可见：ITO薄膜做成芯片的亮度对比，本发明坩埚对应芯片的亮度范围是112.2-138.6毫坎德拉，相同条件下常规坩埚对应芯片的亮度范围是109.8-135.9毫坎德拉，平均亮度提高了2.93mcd。
Claims (3)
1.一种具有衬套的坩埚，包括埚体，在埚体内设置由底座和侧壁组成的衬套，其特征在于在衬套的底座的外表面开设与底座同心的圆柱体凹槽，衬套的侧壁与埚体内表面之间设置间距。
2.根据权利要求1所述具有衬套的坩埚，其特征在于所述间距为0.1～10mm。
3.如权利要求1所述具有衬套的坩埚在制作红光LED芯片中的应用，以ITO为蒸发材料进行真空电子束蒸镀时，蒸镀温度为280～320℃，镀率为0.5～2埃/秒，氧流量为5～20标准毫升/分钟，薄膜厚度为200～350纳米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510877709.4A CN105355582A (zh) | 2015-12-04 | 2015-12-04 | 一种具有衬套的坩埚及其在制作红光led芯片中的应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510877709.4A CN105355582A (zh) | 2015-12-04 | 2015-12-04 | 一种具有衬套的坩埚及其在制作红光led芯片中的应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105355582A true CN105355582A (zh) | 2016-02-24 |
Family
ID=55331523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510877709.4A Pending CN105355582A (zh) | 2015-12-04 | 2015-12-04 | 一种具有衬套的坩埚及其在制作红光led芯片中的应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105355582A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1908238A (zh) * | 2006-07-28 | 2007-02-07 | 哈尔滨工程大学 | 熔盐电解制备镁锂合金 |
| CN101302593A (zh) * | 2008-06-04 | 2008-11-12 | 哈尔滨工程大学 | 镁锂钬合金、镁锂钬合金的熔盐电解制备方法及装置 |
| CN101323536A (zh) * | 2008-07-11 | 2008-12-17 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 氮化硼多孔陶瓷保温材料、制备方法及其应用 |
| CN101748369A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-06-23 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 电子束蒸发装置 |
| CN101824646A (zh) * | 2009-03-02 | 2010-09-08 | 北京滨松光子技术股份有限公司 | 真空封闭式坩埚下降法生长掺铊碘化钠单晶体 |
| CN102758180A (zh) * | 2011-04-28 | 2012-10-31 | 日本电波工业株式会社 | 光学薄膜形成用炉缸内衬 |
| CN104988469A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-10-21 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种炉内退火的ito镀膜设备与方法 |
-
2015
- 2015-12-04 CN CN201510877709.4A patent/CN105355582A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1908238A (zh) * | 2006-07-28 | 2007-02-07 | 哈尔滨工程大学 | 熔盐电解制备镁锂合金 |
| CN101302593A (zh) * | 2008-06-04 | 2008-11-12 | 哈尔滨工程大学 | 镁锂钬合金、镁锂钬合金的熔盐电解制备方法及装置 |
| CN101323536A (zh) * | 2008-07-11 | 2008-12-17 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 氮化硼多孔陶瓷保温材料、制备方法及其应用 |
| CN101824646A (zh) * | 2009-03-02 | 2010-09-08 | 北京滨松光子技术股份有限公司 | 真空封闭式坩埚下降法生长掺铊碘化钠单晶体 |
| CN101748369A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-06-23 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 电子束蒸发装置 |
| CN102758180A (zh) * | 2011-04-28 | 2012-10-31 | 日本电波工业株式会社 | 光学薄膜形成用炉缸内衬 |
| CN104988469A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-10-21 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种炉内退火的ito镀膜设备与方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105517969B (zh) | 制造具有含电隔离缺陷的导电涂层的玻璃的方法 | |
| TWI254080B (en) | Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescence device | |
| EP1734150B1 (en) | Oxide sintered body, oxide transparent conductive film and manufacturing method thereof | |
| CN205194673U (zh) | 一种具有衬套的坩埚 | |
| TW201131001A (en) | Silver alloy target for forming reflecting electrode film of organic el element, and its manufacturing method | |
| CN100516285C (zh) | 电子束加热蒸发方法与装置及其用途 | |
| TWI355093B (zh) | ||
| KR20130009796A (ko) | 벌크 산란 특성을 갖는 유리 세라믹 및 그 제조 방법 | |
| TWI433954B (zh) | 高速濺鍍裝置及方法 | |
| US10085339B2 (en) | Method of manufacturing electroconductive nanowire network using electron beam, transparent electrode and electronic device using the same | |
| KR20110019180A (ko) | 하향식 증발원과 이를 구비한 증착장치 | |
| CN104947042A (zh) | 一种蒸发装置 | |
| CN113652650A (zh) | 减少金膜表面颗粒的电子束蒸发镀金方法 | |
| CN106229392B (zh) | 一种提高led抗esd能力的ito薄膜的制作方法 | |
| CN108411362B (zh) | 腔室及外延生长设备 | |
| CN105355582A (zh) | 一种具有衬套的坩埚及其在制作红光led芯片中的应用 | |
| CN112779501A (zh) | 一种金锡合金热沉薄膜及其制备方法、热沉基板和led器件 | |
| CN102051497B (zh) | 金银镶嵌靶材及其薄膜的制备方法 | |
| TWI647323B (zh) | 銀合金靶材及其製法與應用 | |
| Dai et al. | Cs2Te photocathode fabrication system at Peking University | |
| JP2002047559A (ja) | Ｉｔｏ膜及びその成膜方法 | |
| CN210287494U (zh) | 一种超稳定三电极电子束蒸发源 | |
| CN201390780Y (zh) | 一种微波真空金属镀膜装置 | |
| JP2005320192A (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜 | |
| Li et al. | Study on the ALN thin film for improving the performance of heat dissipation on high power LED substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160224 |