CN105336861A - 一种有机太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种有机太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105336861A
CN105336861A CN201410299943.9A CN201410299943A CN105336861A CN 105336861 A CN105336861 A CN 105336861A CN 201410299943 A CN201410299943 A CN 201410299943A CN 105336861 A CN105336861 A CN 105336861A
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic solar
solar batteries
nitrogenize
thiophene
graphene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410299943.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105336861B (zh
Inventor
李慧
夏圣安
谢封超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Hengtang Technology Industry Co ltd
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Priority to CN201410299943.9A priority Critical patent/CN105336861B/zh
Priority to EP15811181.5A priority patent/EP3144990A4/en
Priority to PCT/CN2015/070710 priority patent/WO2015196794A1/zh
Publication of CN105336861A publication Critical patent/CN105336861A/zh
Priority to US15/387,253 priority patent/US10153447B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN105336861B publication Critical patent/CN105336861B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0605—Binary compounds of nitrogen with carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L2031/0344—Organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机太阳能电池器件，包括依次层叠设置的第一电极、光活性层、空穴传输层、第二电极，光活性层包括电子受体材料和电子给体材料，电子受体材料为氮化石墨烯，在第一电极上形成泡沫状薄膜并具有三维网络型结构，电子给体材料部分渗透于氮化石墨烯中，部分富集于空穴传输层一侧形成电子给体富集层，氮化石墨烯与电子给体材料形成体异质结结构，第一电极为导电玻璃，第二电极为金属电极。该太阳能电池器件以氮化石墨烯为受体材料，与有机给体材料更好的形成互穿网络型结构，有利于电荷的分离，从而在保证开路电压的情况下，提高了短路电流，从而提高了太阳能电池的能量转换效率。本发明还提供了有机太阳能电池器件的制备方法。

Description

一种有机太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及领域有机太阳能电池领域，特别是涉及一种有机太阳能电池及其制备方法。
背景技术
目前，有机体异质结太阳能电池的单层器件效率已经达到了接近10％的商用水平，而这一效率的得到，很大程度上也是源自于体异质结器件结构的引入。体异质结结构的本质是互穿网络型结构，这种结构有利于给受体材料之间的电子转移。
现今，体异质结太阳能电池采用的受体材料多为富勒烯衍生物材料，富勒烯衍生物材料有优异的电荷传输性能，能级结构上与大多数给体材料有良好的匹配性，而且富勒烯的球形结构使得其在电荷传输上有各项同性的优点，更加有利于电荷的传输，但是在活性层制备时富勒烯受体材料易于聚集，使其电荷传输的有效面积减少，且材料制备提纯困难，使其不易于商业应用。
为了寻找代替富勒烯材料的其他受体材料，研究者也报道了大量的受体材料，但这些材料则因为电荷传输性，溶解性等问题，使其不能得到广泛应用。其中，石墨烯和碳纳米管这类碳材料的电荷传输能力以及稳定性等性质都可与富勒烯相媲美，受到了业界的关注。但是由于石墨烯和碳纳米管的相对较低的能级，与给体材料的能级不能匹配，因此使用它们制备的太阳能器件的开路电压非常低，电池无实用性。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例第一方面提供了一种有机太阳能电池，用以解决现有技术中由于石墨烯的能级与给体材料的能级不能匹配，从而导致使用其制备的太阳能电池器件开路电压低，无实用性的问题，同时解决现行使用的有机太阳能电池受体材料单一的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种有机太阳能电池，包括依次层叠设置的第一电极、光活性层、空穴传输层、第二电极，所述光活性层包括电子受体材料和电子给体材料，所述电子受体材料为氮化石墨烯，所述氮化石墨烯在所述第一电极上形成泡沫状薄膜，所述氮化石墨烯具有三维网络型结构，所述电子给体材料部分渗透于所述氮化石墨烯中，部分富集于所述空穴传输层一侧形成电子给体富集层，所述氮化石墨烯与所述电子给体材料形成体异质结结构，所述第一电极为导电玻璃，所述第二电极为金属电极。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯形成的薄膜厚度为10-100nm。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯中氮元素的质量含量为0.1％-14％。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯在靠近所述第一电极的一侧形成电子受体富集层。
本发明实施方式中，所述电子给体材料为含噻吩单元的材料、含二噻吩并苯单元的材料和含二噻吩并噻咯单元的材料中的至少一种。
本发明实施方式中，所述电子给体材料为聚3-己基噻吩、聚[[9-(1-辛基壬基)-9H-咔唑-2,7-二基]-2,5-噻吩二基-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基-2,5-噻吩二基]和5；5’-二[(4-(7-己基噻吩-2-基)噻吩-2-基)-[1,2,5]噻二唑[3,4-c]嘧啶]-3；3’-二-2-乙基己基亚甲硅基-2；2’二噻吩(DTS(PTTh2)2)中的至少一种。
本发明实施方式中，所述光活性层的厚度为30-250nm。
本发明实施方式中，所述导电玻璃为FTO或ITO导电玻璃。
本发明实施方式中，所述金属电极的材质为金属铝、银或金。
本发明实施方式中，所述空穴传输层的材质为三氧化钼或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)。
本发明实施例第一方面提供的有机太阳能电池器件，以氮化石墨烯为受体材料，其能级可与给体材料的能级匹配，并通过构建三维网络型结构，可与有机给体材料更好的形成互穿网络型结构，有利于电荷的分离，从而在保证开路电压的情况下，提高了短路电流，从而提高了太阳能电池的能量转换效率。
第二方面，本发明实施例提供了一种有机太阳能电池器件的制备方法，包括以下步骤：
将氮化石墨烯超声分散于水与聚乙二醇形成的混合溶剂中，得到氮化石墨烯分散液；将所述氮化石墨烯分散液涂覆在第一电极上，然后经热处理去除所述聚乙二醇，得到氮化石墨烯泡沫状薄膜，所述氮化石墨烯泡沫状薄膜具有三维网络型结构；
再在所述氮化石墨烯泡沫状薄膜上涂覆电子给体材料，所述电子给体材料部分渗透到氮化石墨烯中，部分沉积在氮化石墨烯薄膜上形成电子给体富集层，所述电子受体材料与所述电子给体材料形成体异质结结构，从而得到光活性层，再在所述光活性层上依次蒸镀制备空穴传输层和第二电极，得到有机太阳能电池器件。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯泡沫状薄膜的厚度为10-100nm。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯分散液的浓度为0.1～10mg/mL。
本发明实施方式中，所述涂覆的方式包括刮涂、旋涂；所述热处理在200℃-500℃下进行。
本发明实施方式中，所述聚乙二醇的数均分子量为1000-5000，所述混合溶剂中聚乙二醇的质量浓度为2-10％。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯采用如下方式制备得到：
取氧化石墨烯，置于氨气和氮气的混合气氛中，在600-1000℃下加热0.5-3小时，停止加热后，保持混合气流，待降至室温，停止通入氨气，得到氮化石墨烯。
本发明另一实施方式中，所述氮化石墨烯采用如下方式制备得到：
在氧化石墨烯水溶液中加入适量尿素，得到混合液，将所述混合液置于聚四氟乙烯高压釜中，在100-250℃下反应6-20小时，得到固体产物，待所述固体产物冷却后，经过滤、水洗、烘干，得到氮化石墨烯。
本发明实施方式中，所述电子给体材料为含噻吩单元的材料、含二噻吩并苯单元的材料、和含二噻吩并噻咯单元的材料中的至少一种。
本发明实施方式中，所述电子给体材料为聚3-己基噻吩、聚[[9-(1-辛基壬基)-9H-咔唑-2,7-二基]-2,5-噻吩二基-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基-2,5-噻吩二基]和DTS(PTTh2)2中的至少一种。
本发明实施方式中，所述光活性层的厚度为30-250nm。
本发明实施方式中，所述导电玻璃为FTO或ITO导电玻璃。
本发明实施方式中，所述金属电极的材质为金属铝、银或金。
本发明实施方式中，所述空穴传输层的材质为三氧化钼或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)。
本发明实施例第二方面提供的有机太阳能电池器件的制备方法，工艺简单，适于工业化生产。
综上，本发明实施例第一方面提供的有机太阳能电池器件，以氮化石墨烯为受体材料，其能级可与给体材料的能级匹配，并通过构建三维网络型结构，与有机给体材料更好的形成互穿网络型结构，有利于电荷的分离，从而在保证开路电压的情况下，提高了短路电流，从而提高了太阳能电池的能量转换效率。本发明实施例第二方面提供的有机太阳能电池器件的制备方法，工艺简单，适于工业化生产。
本发明实施例的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而易见的，或者可以通过本发明实施例的实施而获知。
附图说明
图1为本发明实施例提供的有机太阳能电池器件的结构示意图。
具体实施方式
以下所述是本发明实施例的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明实施例的保护范围。
本发明实施例第一方面提供了一种有机太阳能电池，用以解决现有技术中由于石墨烯的能级与给体材料的能级不能匹配，从而导致使用其制备的太阳能电池器件开路电压低，无实用性的问题，同时解决现行使用的有机太阳能电池受体材料单一的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种有机太阳能电池，包括依次层叠设置的第一电极、光活性层、空穴传输层、第二电极，所述光活性层包括电子受体材料和电子给体材料，所述电子受体材料为氮化石墨烯，所述氮化石墨烯在所述第一电极上形成泡沫状薄膜，所述氮化石墨烯具有三维网络型结构，所述电子给体材料部分渗透于所述氮化石墨烯中，部分富集于所述空穴传输层一侧形成电子给体富集层，所述氮化石墨烯与所述电子给体材料形成体异质结结构，所述第一电极为导电玻璃，所述第二电极为金属电极。
图1为本发明实施例提供的有机太阳能电池器件的结构示意图，其中，10为导电玻璃、20为光活性层，30为空穴传输层，40为金属电极。其中光活性层20包括电子受体材料a和电子给体材料b，所述电子受体材料a与所述电子给体材料b形成体异质结结构，形成了良好的互穿网络型结构。整个光活性层20在靠近导电玻璃10一端形成电子受体富集层21，在靠空穴传输层30一端形成电子给体富集层22，这样可以有效防止电荷的回转。
体异质结结构的本质是互穿网络型结构，这种结构有利于给受体材料之间的电子转移。氮化石墨烯的能级与富勒烯相近，且导电性良好，泡沫状氮化石墨烯具有良好的三维网络型结构，可作为很好的受体支架型材料，能与有机光伏给体材料更好的形成互穿网络型结构，有利于电荷的分离。从而在保证开路电压的情况下，提高短路电流，从而提高太阳能电池的能量转换效率。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯形成的薄膜厚度为10-100nm。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯中氮元素的质量含量为0.1％-14％。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯在靠近所述第一电极的一侧形成电子受体富集层。
本发明实施方式中，所述电子给体材料为含噻吩单元的材料、含二噻吩并苯单元的材料和含二噻吩并噻咯单元的材料中的至少一种。
本发明实施方式中，所述电子给体材料为聚3-己基噻吩、聚[[9-(1-辛基壬基)-9H-咔唑-2,7-二基]-2,5-噻吩二基-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基-2,5-噻吩二基]和DTS(PTTh2)2中的至少一种。
本发明实施方式中，所述光活性层的厚度为30-250nm。
本发明实施方式中，所述导电玻璃为FTO或ITO导电玻璃。
本发明实施方式中，所述金属电极的材质为金属铝、银或金。
本发明实施方式中，所述空穴传输层的材质为三氧化钼或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)。
本发明实施例第一方面提供的有机太阳能电池器件，以氮化石墨烯为受体材料，其能级可与给体材料的能级匹配，并通过构建三维网络型结构，可与有机给体材料更好的形成互穿网络型结构，有利于电荷的分离，从而在保证开路电压的情况下，提高了短路电流，从而提高了太阳能电池的能量转换效率。
第二方面，本发明实施例提供了一种有机太阳能电池器件的制备方法，包括以下步骤：
将氮化石墨烯超声分散于水与聚乙二醇形成的混合溶剂中，得到氮化石墨烯分散液；将所述氮化石墨烯分散液涂覆在第一电极上，然后经热处理去除所述聚乙二醇，得到氮化石墨烯泡沫状薄膜，所述氮化石墨烯泡沫状薄膜具有三维网络型结构；
再在所述氮化石墨烯泡沫状薄膜上涂覆电子给体材料，所述电子给体材料部分渗透到氮化石墨烯中，部分沉积在氮化石墨烯薄膜上形成电子给体富集层，所述电子受体材料与所述电子给体材料形成体异质结结构，从而得到光活性层，再在所述光活性层上依次蒸镀制备空穴传输层和第二电极，得到有机太阳能电池器件。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯泡沫状薄膜的厚度为10-100nm。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯分散液的浓度为0.1～10mg/mL。
本发明实施方式中，所述涂覆的方式包括刮涂、旋涂；所述热处理在200℃-500℃下进行。
本发明实施方式中，所述聚乙二醇的数均分子量为1000-5000，所述混合溶剂中聚乙二醇的质量浓度为2-10％。
本发明实施方式中，所述氮化石墨烯采用如下方式制备得到：
取氧化石墨烯，置于氨气和氮气的混合气氛中，在600-1000℃下加热0.5-3小时，停止加热后，保持混合气流，待降至室温，停止通入氨气，得到氮化石墨烯。
本发明另一实施方式中，所述氮化石墨烯采用如下方式制备得到：
在氧化石墨烯水溶液中加入适量尿素，得到混合液，将所述混合液置于聚四氟乙烯高压釜中，在100-250℃下反应6-20小时，得到固体产物，待所述固体产物冷却后，经过滤、水洗、烘干，得到氮化石墨烯。
本发明实施方式中，所述电子给体材料为含噻吩单元的材料、含二噻吩并苯单元的材料、和含二噻吩并噻咯单元的材料中的至少一种。
本发明实施方式中，所述电子给体材料为聚3-己基噻吩、聚[[9-(1-辛基壬基)-9H-咔唑-2,7-二基]-2,5-噻吩二基-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基-2,5-噻吩二基]和DTS(PTTh2)2中的至少一种。
本发明实施方式中，所述光活性层的厚度为30-250nm。
本发明实施方式中，所述导电玻璃为FTO或ITO导电玻璃。
本发明实施方式中，所述金属电极的材质为金属铝、银或金。
本发明实施方式中，所述空穴传输层的材质为三氧化钼或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)。
本发明实施例第二方面提供的有机太阳能电池器件的制备方法，工艺简单，适于工业化生产。
综上，本发明实施例第一方面提供的有机太阳能电池器件，以氮化石墨烯为受体材料，其能级可与给体材料的能级匹配，并通过构建三维网络型结构，与有机给体材料更好的形成互穿网络型结构，有利于电荷的分离，从而在保证开路电压的情况下，提高了短路电流，从而提高了太阳能电池的能量转换效率。本发明实施例第二方面提供的有机太阳能电池器件的制备方法，工艺简单，适于工业化生产。
下面分多个实施例对本发明实施例进行进一步的说明。本发明实施例不限定于以下的具体实施例。在不变主权利的范围内，可以适当的进行变更实施。
实施例一
一种有机太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
取氧化石墨烯置于水平石英炉中，在氨气和氮气(体积比＝1∶1)的混合气氛中，置于熔炉中在800℃下加热1小时，停止加热后，保持混合气流，待石英管降至室温，停止通入氨气，将产物从石英管中取出，得到氮化石墨烯；
将上述所得氮化石墨烯超声分散于水与聚乙二醇(数均分子量为2000)形成的混合溶剂中，得到浓度为10mg/mL氮化石墨烯分散液；所述混合合剂中聚乙二醇的质量浓度为5％；
取ITO玻璃，依次用洗涤剂、氯仿、丙酮超声洗涤后，将洗净的导电玻璃的导电面用氮气吹干待用；
将所述氮化石墨烯分散液旋涂在洁净的ITO玻璃的导电面上，然后将旋涂有氮化石墨烯分散液的ITO玻璃在400℃下进行热处理，去除聚乙二醇，得到厚度为40nm的氮化石墨烯泡沫状薄膜，所述氮化石墨烯泡沫状薄膜具有三维网络型结构；
再在所述氮化石墨烯泡沫状薄膜上旋涂P3HT的浓度为15mg/ml的氯苯溶液，P3HT部分渗透到氮化石墨烯中，部分沉积在氮化石墨烯泡沫状薄膜上形成电子给体富集层，氮化石墨烯与P3HT形成体异质结结构，从而得到光活性层，所述光活性层的厚度为200nm；
再在P3HT上蒸镀厚度为2nm的MoO3空穴传输层，然后再在空穴传输层上蒸镀厚度为100nm的铝电极，得到有机太阳能电池器件。
实施例二
一种有机太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
将10mL浓度为4mg/mL的氧化石墨烯水溶液用25mL去离子水稀释，并加入少量尿素，得到混合液，将所述混合液置于50mL的聚四氟乙烯高压釜中，在180℃温度下反应12小时，得到固体产物，待所述固体产物冷却后，经过滤、水洗、烘干，得到氮化石墨烯；
将上述所得氮化石墨烯超声分散于水与聚乙二醇(数均分子量为2000)形成的混合溶剂中，得到浓度为10mg/mL氮化石墨烯分散液；所述混合合剂中聚乙二醇的质量浓度为5％；
取FTO玻璃，依次用洗涤剂、氯仿、丙酮超声洗涤后，将洗净的导电玻璃的导电面用氮气吹干待用；
将所述氮化石墨烯分散液旋涂在洁净的FTO玻璃的导电面上，然后将旋涂有氮化石墨烯分散液的FTO玻璃在400℃下进行热处理，去除聚乙二醇，得到厚度为50nm的氮化石墨烯泡沫状薄膜，所述氮化石墨烯泡沫状薄膜具有三维网络型结构；
再在所述氮化石墨烯泡沫状薄膜上旋涂PCDTBT的浓度为15mg/ml的氯苯溶液，PCDTBT部分渗透到氮化石墨烯中，部分沉积在氮化石墨烯泡沫状薄膜上形成电子给体富集层，氮化石墨烯与PCDTBT形成体异质结结构，从而得到光活性层，所述光活性层的厚度为200nm；
再在PCDTBT上再蒸镀厚度为2nm的MoO3空穴传输层，然后再在空穴传输层上蒸镀厚度为100nm的铝电极，得到有机太阳能电池器件。
对比例
取ITO玻璃，依次用洗涤剂、氯仿、丙酮超声洗涤后，将洗净的导电玻璃的导电面用氮气吹干待用；
然后在ITO上旋涂P3HT和PCBM(富勒烯衍生物)的混合溶液形成光活性层，混合溶液的溶剂为氯苯，P3HT浓度为10mg/ml，PCBM浓度为10mg/ml，光活性层薄膜的厚度为100nm；
再在光活性层薄膜上蒸镀厚度为2nm的MoO3空穴传输层，在空穴传输层上蒸镀厚度为100nm的铝电极，从而得到完整的有机太阳能电池器件。
效果实施例为有力支持本发明实施例的有益效果，提供效果实施例如下，用以评测本发明实施例提供的产品的性能。
将本发明实施例一～二和对比例制备得到的有机太阳能电池器件在100mW/cm2强度光照下进行性能测试，结果如下：
实施例一：电池的开路电压VOC为0.6V，短路电流密度JSC为7.0mA/cm2，填充因子FF为60.5％，能量转换效率η为2.54％。
实施例二：电池的开路电压VOC为0.81V，短路电流密度JSC为6.71mA/cm2，填充因子FF为58.5％，能量转换效率η为3.18％。
对比例：电池的开路电压VOC为0.59V，短路电流密度JSC为5.71mA/cm2，填充因子FF为55.7％，能量转换效率η为1.88％。
本发明实施例有机太阳能电池器件以氮化石墨烯为受体材料，其能级可与给体材料的能级匹配，并通过构建三维网络型结构，与有机给体材料更好的形成了互穿网络型结构，有利于电荷的分离，从而在保证开路电压的情况下，提高了短路电流，提高了太阳能电池的能量转换效率。

Claims (23)

1.一种有机太阳能电池器件，包括依次层叠设置的第一电极、光活性层、空穴传输层和第二电极，其特征在于，所述光活性层包括电子受体材料和电子给体材料，所述电子受体材料为氮化石墨烯，所述氮化石墨烯在所述第一电极上形成泡沫状薄膜，所述氮化石墨烯具有三维网络型结构，所述电子给体材料部分渗透于所述氮化石墨烯中，部分富集于所述空穴传输层一侧形成电子给体富集层，所述氮化石墨烯与所述电子给体材料形成体异质结结构，所述第一电极为导电玻璃，所述第二电极为金属电极。
2.如权利要求1所述的有机太阳能电池器件，其特征在于，所述氮化石墨烯形成的薄膜厚度为10-100nm。
3.如权利要求1或2所述的有机太阳能电池器件，其特征在于，所述氮化石墨烯中氮元素的质量含量为0.1％-14％。
4.如权利要求1-3任一项所述的有机太阳能电池器件，其特征在于，所述氮化石墨烯在靠近所述第一电极的一侧形成电子受体富集层。
5.如权利要求1-4任一项所述的有机太阳能电池器件，其特征在于，所述电子给体材料为含噻吩单元的材料、含二噻吩并苯单元的材料和含二噻吩并噻咯单元的材料中的至少一种。
6.如权利要求5所述的有机太阳能电池器件，其特征在于，所述电子给体材料为聚3-己基噻吩、聚[[9-(1-辛基壬基)-9H-咔唑-2,7-二基]-2,5-噻吩二基-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基-2,5-噻吩二基]和5；5’-二[(4-(7-己基噻吩-2-基)噻吩-2-基)-[1,2,5]噻二唑[3,4-c]嘧啶]-3；3’-二-2-乙基己基亚甲硅基-2；2’二噻吩中的至少一种。
7.如权利要求1-6任一项所述的有机太阳能电池器件，其特征在于，所述光活性层的厚度为30-250nm。
8.如权利要求1-7任一项所述的有机太阳能电池器件，其特征在于，所述导电玻璃为FTO或ITO导电玻璃。
9.如权利要求1-8任一项所述的有机太阳能电池器件，其特征在于，所述金属电极的材质为金属铝、银或金。
10.如权利要求1-9任一项所述的有机太阳能电池器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为三氧化钼或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)。
11.一种有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将氮化石墨烯超声分散于水与聚乙二醇形成的混合溶剂中，得到氮化石墨烯分散液；将所述氮化石墨烯分散液涂覆在第一电极上，然后经热处理去除所述聚乙二醇，得到氮化石墨烯泡沫状薄膜，所述氮化石墨烯泡沫状薄膜具有三维网络型结构；
再在所述氮化石墨烯泡沫状薄膜上涂覆电子给体材料，所述电子给体材料部分渗透到氮化石墨烯中，部分沉积在氮化石墨烯薄膜上形成电子给体富集层，所述电子受体材料与所述电子给体材料形成体异质结结构，从而得到光活性层，再在所述光活性层上依次蒸镀制备空穴传输层和第二电极，得到有机太阳能电池器件。
12.如权利要求11所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述氮化石墨烯泡沫状薄膜的厚度为10-100nm。
13.如权利要求11或12所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述氮化石墨烯分散液的浓度为0.1～10mg/mL。
14.如权利要求11-13任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述涂覆的方式包括刮涂、旋涂；所述热处理在200℃-500℃下进行。
15.如权利要求11-14任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述聚乙二醇的数均分子量为1000-5000，所述混合溶剂中聚乙二醇的质量浓度为2-10％。
16.如权利要求11-15任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述氮化石墨烯采用如下方式制备得到：
取氧化石墨烯，置于氨气和氮气的混合气氛中，在600-1000℃下加热0.5-3小时，停止加热后，保持混合气流，待降至室温，停止通入氨气，得到氮化石墨烯。
17.如权利要求11-16任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述氮化石墨烯采用如下方式制备得到：
在氧化石墨烯水溶液中加入适量尿素，得到混合液，将所述混合液置于聚四氟乙烯高压釜中，在100-250℃下反应6-20小时，得到固体产物，待所述固体产物冷却后，经过滤、水洗、烘干，得到氮化石墨烯。
18.如权利要求11-17任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述电子给体材料为含噻吩单元的材料、含二噻吩并苯单元的材料、和含二噻吩并噻咯单元的材料中的至少一种。
19.如权利要求11-18任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述电子给体材料为聚3-己基噻吩、聚[[9-(1-辛基壬基)-9H-咔唑-2,7-二基]-2,5-噻吩二基-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基-2,5-噻吩二基]和5；5’-二[(4-(7-己基噻吩-2-基)噻吩-2-基)-[1,2,5]噻二唑[3,4-c]嘧啶]-3；3’-二-2-乙基己基亚甲硅基-2；2’二噻吩中的至少一种。
20.如权利要求11-19任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述光活性层的厚度为30-250nm。
21.如权利要求11-20任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述导电玻璃为FTO或ITO导电玻璃。
22.如权利要求11-21任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述金属电极的材质为金属铝、银或金。
23.如权利要求11-22任一项所述的有机太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材质为三氧化钼或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)。
CN201410299943.9A 2014-06-27 2014-06-27 一种有机太阳能电池及其制备方法 Active CN105336861B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410299943.9A CN105336861B (zh) 2014-06-27 2014-06-27 一种有机太阳能电池及其制备方法
EP15811181.5A EP3144990A4 (en) 2014-06-27 2015-01-14 Organic solar battery and preparation method therefor
PCT/CN2015/070710 WO2015196794A1 (zh) 2014-06-27 2015-01-14 一种有机太阳能电池及其制备方法
US15/387,253 US10153447B2 (en) 2014-06-27 2016-12-21 Organic solar cell and preparation method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410299943.9A CN105336861B (zh) 2014-06-27 2014-06-27 一种有机太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105336861A true CN105336861A (zh) 2016-02-17
CN105336861B CN105336861B (zh) 2017-11-17

Family

ID=54936687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410299943.9A Active CN105336861B (zh) 2014-06-27 2014-06-27 一种有机太阳能电池及其制备方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10153447B2 (zh)
EP (1) EP3144990A4 (zh)
CN (1) CN105336861B (zh)
WO (1) WO2015196794A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107093607A (zh) * 2017-04-20 2017-08-25 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示基板的制作方法、显示基板及显示面板
CN107768522A (zh) * 2017-11-29 2018-03-06 湖南师范大学 一种以石墨烯作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法
CN113838983A (zh) * 2021-08-26 2021-12-24 电子科技大学 一种基于npb/v2o5缓冲层的有机光电传感器及其制备方法
CN114695678A (zh) * 2022-02-28 2022-07-01 电子科技大学 一种有效抑制倒置结构的有机光电探测器内暗电流的方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6530360B2 (ja) * 2016-09-23 2019-06-12 株式会社東芝 光電変換素子
CN108110142B (zh) * 2017-12-15 2019-07-30 吉林大学 一种阴极界面层材料及其制备方法和一种反式太阳能电池及其制备方法
CN109768240B (zh) * 2018-12-24 2021-01-29 岭南师范学院 一种Sb掺氮石墨烯复合材料及其制备方法和应用
CN112349836B (zh) 2019-08-08 2024-03-26 天光材料科技股份有限公司 有机半导体混合材料及应用其的有机光电组件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102280589A (zh) * 2011-09-08 2011-12-14 深圳市创益科技发展有限公司 一种有机太阳能电池及其制备方法
CN102386332A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 海洋王照明科技股份有限公司 太阳能电池及其制备方法
CN103367641A (zh) * 2012-04-06 2013-10-23 中国科学院大连化学物理研究所 以高功函石墨烯衍生物为中间层的有机太阳能电池及制备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543469B (zh) 2012-01-11 2014-12-10 山东理工大学 染料敏化太阳能电池氮掺杂石墨烯对电极及其制备方法
US9917255B2 (en) * 2012-02-03 2018-03-13 Northwestern University Methods of making composite of graphene oxide and nanostructures
US20150083206A1 (en) * 2012-03-22 2015-03-26 The University Of Manchester Photovoltaic cells
JP6147542B2 (ja) * 2013-04-01 2017-06-14 株式会社東芝 透明導電フィルムおよび電気素子
CN103193785B (zh) * 2013-04-11 2015-04-22 江苏大学 一种类石墨烯c3n4材料及其制备方法和用途
US9287057B2 (en) * 2013-06-05 2016-03-15 City University Of Hong Kong Plasmonic enhanced tandem dye-sensitized solar cell with metallic nanostructures

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102386332A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 海洋王照明科技股份有限公司 太阳能电池及其制备方法
CN102280589A (zh) * 2011-09-08 2011-12-14 深圳市创益科技发展有限公司 一种有机太阳能电池及其制备方法
CN103367641A (zh) * 2012-04-06 2013-10-23 中国科学院大连化学物理研究所 以高功函石墨烯衍生物为中间层的有机太阳能电池及制备

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107093607A (zh) * 2017-04-20 2017-08-25 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示基板的制作方法、显示基板及显示面板
WO2018192020A1 (zh) * 2017-04-20 2018-10-25 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示基板的制作方法及显示面板
JP2020516081A (ja) * 2017-04-20 2020-05-28 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 アレイ基板、表示基板の製造方法及びディスプレイパネル
CN107768522A (zh) * 2017-11-29 2018-03-06 湖南师范大学 一种以石墨烯作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法
CN113838983A (zh) * 2021-08-26 2021-12-24 电子科技大学 一种基于npb/v2o5缓冲层的有机光电传感器及其制备方法
CN113838983B (zh) * 2021-08-26 2024-03-26 电子科技大学 一种基于npb/v2o5缓冲层的有机光电传感器及其制备方法
CN114695678A (zh) * 2022-02-28 2022-07-01 电子科技大学 一种有效抑制倒置结构的有机光电探测器内暗电流的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105336861B (zh) 2017-11-17
US20170104169A1 (en) 2017-04-13
WO2015196794A1 (zh) 2015-12-30
EP3144990A1 (en) 2017-03-22
EP3144990A4 (en) 2017-06-07
US10153447B2 (en) 2018-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105336861A (zh) 一种有机太阳能电池及其制备方法
Cheng et al. Fluorinated reduced graphene oxide as an efficient hole-transport layer for efficient and stable polymer solar cells
Liu et al. Improving photovoltaic properties by incorporating both SPFGraphene and functionalized multiwalled carbon nanotubes
CN102983277B (zh) 银纳米粒子复合空穴传输层的反型聚合物太阳能电池及制备方法
Xia et al. Graphene oxide by UV-ozone treatment as an efficient hole extraction layer for highly efficient and stable polymer solar cells
Chen et al. Morphologic improvement of the PBDTTT-C and PC71BM blend film with mixed solvent for high-performance inverted polymer solar cells
Kim et al. Microwave-reduced graphene oxide for efficient and stable hole extraction layers of polymer solar cells
CN103606627B (zh) 金属网嵌套异质结的有机太阳能电池及其制备方法
CN105355787A (zh) 一种新型太阳能电池器件及其制备方法
CN105185911A (zh) 一种基于溶剂掺杂的聚合物太阳能电池及其制备方法
CN102593362B (zh) 一种有机太阳能电池
CN102945925B (zh) 提高有机太阳能电池光电转换效率的方法
KR102009045B1 (ko) 키토산 함유 유기물층을 포함하는 유기태양전지 단위소자
CN102769102A (zh) 一种可溶液加工的太阳能电池阳极修饰材料及其修饰方法
CN104465991A (zh) 基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池及其制备方法
CN102637828B (zh) 一种有机薄膜太阳能电池的制备方法
CN103280532B (zh) 一种反向结构聚合物太阳电池氧化锌膜的制备方法
Zhang et al. Stable Inverted Low‐Bandgap Polymer Solar Cells with Aqueous Solution Processed Low‐Temperature ZnO Buffer Layers
문두경 et al. Organic Solar Cells with Enhanced Photovoltaic Performance and Stability by Introducing Organic-Inorganic Hybrid Hole Transporting Layer
Yao et al. Performance improvement of organic bulk heterojunction solar cells by using dihydroxybenzene as additive
CN105140407B (zh) 一种还原氧化石墨烯‑3,4,9,10‑苝四甲酸钾复合物及其制备方法和用途
한용운 et al. Optical and Structural Analyses of Hybrid Ternary Solar Cells through Energy Transfer Effects
장유정 et al. Enhanced photovoltaic properties with the Electrodeposited PEDOT counter electrode in DSSCs
한용운 et al. Highly Efficient Hybrid Hole Transport Layers for fabrication of Organic Solar Cells Module
한용운 et al. Efficient Bilayer Hole Transport Layers to Enhancing Performance and Stability of Organic Solar Cells in Ambient Atmosphere

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201112

Address after: 625, room 269, Connaught platinum Plaza, No. 518101, Qianjin Road, Xin'an street, Shenzhen, Guangdong, Baoan District

Patentee after: SHENZHEN SHANGGE INTELLECTUAL PROPERTY SERVICE Co.,Ltd.

Address before: 518129 Bantian HUAWEI headquarters office building, Longgang District, Guangdong, Shenzhen

Patentee before: HUAWEI TECHNOLOGIES Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201201

Address after: 213000 No. 11 Qingyang North Road, Tianning District, Changzhou, Jiangsu

Patentee after: Changzhou Hong quantity Electronic Technology Co.,Ltd.

Address before: 625, room 269, Connaught platinum Plaza, No. 518101, Qianjin Road, Xin'an street, Shenzhen, Guangdong, Baoan District

Patentee before: SHENZHEN SHANGGE INTELLECTUAL PROPERTY SERVICE Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220824

Address after: Tianning District Hehai road 213000 Jiangsu city of Changzhou province No. 9

Patentee after: Changzhou Tianning Communication Technology Industrial Park Co.,Ltd.

Address before: 213000 No. 11 Qingyang North Road, Tianning District, Changzhou City, Jiangsu Province

Patentee before: Changzhou Hong quantity Electronic Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230109

Address after: Tianning District Hehai road 213000 Jiangsu city of Changzhou province No. 9

Patentee after: Changzhou Hengtang Technology Industry Co.,Ltd.

Address before: Tianning District Hehai road 213000 Jiangsu city of Changzhou province No. 9

Patentee before: Changzhou Tianning Communication Technology Industrial Park Co.,Ltd.