CN105336747A - 阵列基板及其修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及其修复方法，通过将第一金属层中的存储电容电极与第二金属层中的漏极错开设计，同时将有机材料层中的过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，从而当过孔发生异常，导致像素电极层与漏极不能有效接触时，可采用激光对过孔中对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层与漏极熔接在一起，由于在激光熔接的位点，所述漏极的下方没有设置第一金属层，因而不会出现将第一金属层与第二金属层熔接在一起的情形，能够修复过孔异常引起的点不良，将暗点变为亮点，提升产品良率和产品品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其修复方法。
背景技术
液晶显示装置(LCD，LiquidCrystalDisplay)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlightmodule)。其中，液晶显示面板的结构主要是由一阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)、一彩膜基板(ColorFilterSubstrate，CFSubstrate)、以及配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常阵列基板上设有阵列排布的多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线，漏极连接像素电极，随着显示技术的不断发展，为了提高显示品质现今的显示产品的阵列基板都会在薄膜晶体管上使用有机膜制作一平坦层，以减小电学寄生干扰。除此之外，还出现了将彩色光阻层制备在阵列基板上的COA(ColorFilteronArray)技术，采用COA技术可以避免彩膜基板与阵列基板的对位问题，降低显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免了对盒时的误差，提高了像素的开口率。
请参阅图1与图2，为一种现有的阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板10、设于衬底基板10上的第一金属层20、设于第一金属层20上的绝缘层30、设于绝缘层30上的半导体层40、设于半导体层40上的第二金属层50、设于第二金属层50上的有机材料层60、及设于有机材料层60上并通过有机材料层60上的过孔61与第二金属层50中的漏极502相接触的像素电极层70。上述结构因为增加有机材料层60，因而需要在有机材料层60上制作贯穿有机材料层60的过孔61才能连接像素电极层70与漏极502，然而在有机材料层60上制作该过孔61时，经常会发生过孔61不能完全曝开，导致像素电极层70与第二金属层50不能有效接触的情况，引起点不良。通常情况下，是对这些像素做暗点化处理来修复上述由过孔异常引起的点不良。通常暗点化处理的方法是将该像素的源极501与漏极502切断，使像素电极70悬空或者使像素电极70与公共电极线205相连。但如果暗点多，就只能将阵列基板废弃处理，即使暗点少，也会降低产品品质。
现有技术中对于过孔异常引起的点不良还存在另外一种修复方法，即：通过激光镭射过孔61，使得像素电极70与漏极502熔接在一起；然而，由于所述过孔61的下方设有两层金属，分别为第一金属层2中的漏极502与第二金属层5中的存储电容电极204，因此在激光镭射过程中，很容易将漏极502与存储电容电极204熔接在一起，造成修复失败。
因此，有必要提供一种新型结构的阵列基板及其修复方法，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板，该阵列基板在出现过孔异常时，能够直接通过激光熔接像素电极与漏极，且熔接时不会影响第一金属层，提升产品良率和产品品质。
本发明的目的还在于提供一种阵列基板修复方法，该方法能够直接通过激光熔接像素电极与漏极，修复过孔异常引起的点不良，且熔接时不会影响第一金属层，提升产品良率和产品品质。
为实现上述目的，一种阵列基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层上的绝缘层、设于绝缘层上的半导体层、设于半导体层上的第二金属层、及设于第二金属层上的有机材料层、设于所述有机材料层上的像素电极层；
所述第一金属层包括扫描线、与扫描线相连的栅极、与栅极间隔设置的存储电容电极、以及与存储电容电极相连的公共电极线；
所述第二金属层包括数据线、与数据线相连的源极、以及与源极相对设置的漏极；
其中，所述漏极与存储电容电极部分重叠设置，所述有机材料层上对应所述漏极与存储电容电极上方设有过孔，所述过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，所述像素电极层通过所述过孔与漏极相接触。
所述过孔的一半对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一半对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置。
所述漏极与存储电容电极相互重叠的部分构成存储电容。
所述有机材料层为平坦层或色阻层。
所述像素电极层的材料为ITO；所述第一金属层及第二金属层的材料为铜、钨、铬、铝中的一种或多种的组合。
本发明还提供一种阵列基板修复方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的半导体层、设于半导体层上的第二金属层、设于第二金属层上的有机材料层、及设于所述有机材料层上的像素电极层；
所述第一金属层包括扫描线、与扫描线相连的栅极、与栅极间隔设置的存储电容电极、以及与存储电容电极相连的公共电极线；
所述第二金属层包括数据线、与数据线相连的源极、以及与源极相对设置的漏极；
其中，所述漏极与存储电容电极部分重叠设置，所述有机材料层上对应所述漏极与存储电容电极上方设有过孔，所述过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，所述像素电极层通过所述过孔与漏极相接触；
步骤2、检测过孔是否存在异常，若过孔发生异常，导致像素电极层与漏极不能有效接触时，采用激光对过孔中对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层与漏极熔接在一起。
所述过孔的一半对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一半对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置。
所述漏极与存储电容电极相互重叠的部分构成存储电容。
所述有机材料层为平坦层或色阻层。
所述像素电极层的材料为ITO；所述第一金属层及第二金属层的材料为铜、钨、铬、铝中的一种或多种的组合。
本发明的有益效果：本发明提供一种阵列基板，通过将第一金属层中的存储电容电极与第二金属层中的漏极错开设计，同时将有机材料层中的过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，从而当过孔发生异常，导致像素电极层与漏极不能有效接触时，可采用激光对过孔中对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层与漏极熔接在一起，由于在激光熔接的位点，所述漏极的下方没有设置第一金属层，因而不会出现将第一金属层与第二金属层熔接在一起的情形，能够修复过孔异常引起的点不良，将暗点变为亮点，提升产品良率和产品品质。本发明还提供一种阵列基板修复方法，该方法能够直接通过激光熔接像素电极与第二金属层，修复过孔异常引起的点不良，且熔接时不会影响第一金属层，提升产品良率和产品品质。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的阵列基板的剖视示意图；
图2为图1所示的阵列基板的俯视示意图；
图3为本发明的阵列基板的剖视示意图；
图4为本发明的阵列基板的俯视示意图；
图5为本发明的阵列基板的修复方法的步骤2的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3及图4，本发明提供一种阵列基板，包括：衬底基板1、设于所述衬底基板1上的第一金属层2、设于所述第一金属层2上的绝缘层3、设于绝缘层3上的半导体层4、设于半导体层4上的第二金属层5、设于第二金属层5上的有机材料层6、及设于所述有机材料层6上的像素电极层7；
所述第一金属层2包括扫描线21、与扫描线21相连的栅极22、与栅极22间隔设置的存储电容电极24、以及与存储电容电极24相连的公共电极线25；
所述第二金属层5包括数据线51、与数据线51相连的源极52、以及与源极52相对设置的漏极53；
其中，所述漏极53与存储电容电极24部分重叠设置，所述有机材料层6上对应所述漏极53与存储电容电极24上方设有过孔601，所述过孔601的一部分对应于所述漏极53上与存储电容电极24重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极53上与存储电容电极24不重叠的区域设置，所述像素电极层7通过所述过孔601与漏极53相接触。
优选的，所述过孔601的一半对应于所述漏极53上与存储电容电极24重叠的区域设置，另外一半对应于所述漏极53上与存储电容电极24不重叠的区域设置。
具体的，所述漏极53与存储电容电极24相互重叠的部分构成存储电容。
具体的，所述有机材料层6可以为平坦层或色阻层。
具体的，所述像素电极层7的材料为ITO(氧化铟锡)，所述第一金属层2及第二金属层5的材料为铜、钨、铬、铝中的一种或多种的组合。
具体的，所述衬底基板1为透明基板，优选玻璃基板。所述第一绝缘层3的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。所述半导体层4为N型半导体或P型半导体。
特别的，上述阵列基板在出现过孔异常时，例如过孔601在制作时没有完全曝开，可以通过对过孔601中对应于所述漏极53上与存储电容电极24不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层7与漏极53熔接在一起，由于在激光熔接的位点，所述漏极53的下方没有设置第一金属层2，因而不会出现将第一金属层2与第二金属层5熔接在一起的情形，能够修复过孔异常引起的点不良，将暗点变为亮点，提升产品良率和产品品质。
此外，请参阅图3至图5，本发明还提供一种阵列基板修复方法，包括如下步骤：
步骤1、请参阅图3-4，提供一阵列基板，包括：衬底基板1、设于所述衬底基板1上的第一金属层2、设于所述第一金属层2上的绝缘层3、设于绝缘层3上的半导体层4、设于半导体层4上的第二金属层5、设于第二金属层5上的有机材料层6、及设于所述有机材料层6上的像素电极层7；
所述第一金属层2包括扫描线21、与扫描线21相连的栅极22、与栅极22间隔设置的存储电容电极24、以及与存储电容电极24相连的公共电极线25；
所述第二金属层5包括数据线51、与数据线51相连的源极52、以及与源极52相对设置的漏极53；
其中，所述漏极53与存储电容电极24部分重叠设置，所述有机材料层6上对应所述漏极53与存储电容电极24上方设有过孔601，所述过孔601的一部分对应于所述漏极53上与存储电容电极24重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极53上与存储电容电极24不重叠的区域设置，所述像素电极层7通过所述过孔601与漏极53相接触。
优选的，所述过孔601的一半对应于所述漏极53上与存储电容电极24重叠的区域设置，另外一半对应于所述漏极53上与存储电容电极24不重叠的区域设置。
具体的，所述漏极53与存储电容电极24相互重叠的部分构成存储电容。
具体的，所述有机材料层6可以为平坦层或色阻层。
具体的，所述像素电极层7的材料为ITO(氧化铟锡)，所述第一金属层2及第二金属层5的材料为铜、钨、铬、铝中的一种或多种的组合。
具体的，所述衬底基板1为透明基板，优选玻璃基板。所述第一绝缘层3的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。所述半导体层4为N型半导体或P型半导体。
步骤2、请参阅图5，检测过孔601是否存在异常，若过孔601发生异常，导致像素电极层7与漏极53不能有效接触时，采用激光对过孔601中对应于所述漏极53上与存储电容电极24不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层7与漏极53熔接在一起。
特别的，该方法通过将第一金属层2中的存储电容电极24与第二金属层5中的漏极53错开设计，同时将有机材料层6中的过孔601的一部分对应于所述漏极53上与存储电容电极24重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极53上与存储电容电极24不重叠的区域设置，从而当过孔601发生异常，导致像素电极层7与漏极53不能有效接触时，可采用激光对过孔601中对应于所述漏极53上与存储电容电极24不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层7与漏极53熔接在一起，由于在激光熔接的位点，所述漏极53的下方没有设置第一金属层2，因而不会出现将第一金属层2与第二金属层5熔接在一起的情形，能够修复过孔异常引起的点不良，将暗点变为亮点，提升产品良率和产品品质。
综上所述，本发明提供一种阵列基板，通过将第一金属层中的存储电容电极与第二金属层中的漏极错开设计，同时将有机材料层中的过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，从而当过孔发生异常，导致像素电极层与漏极不能有效接触时，可采用激光对过孔中对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层与漏极熔接在一起，由于在激光熔接的位点，所述漏极的下方没有设置第一金属层，因而不会出现将第一金属层与第二金属层熔接在一起的情形，能够修复过孔异常引起的点不良，将暗点变为亮点，提升产品良率和产品品质。本发明还提供一种阵列基板修复方法，该方法能够直接通过激光熔接像素电极与漏极，修复过孔异常引起的点不良，且熔接时不会影响第一金属层，提升产品良率和产品品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(2)、设于所述第一金属层(2)上的绝缘层(3)、设于绝缘层(3)上的半导体层(4)、设于半导体层(4)上的第二金属层(5)、设于第二金属层(5)上的有机材料层(6)、及设于所述有机材料层(6)上的像素电极层(7)；
所述第一金属层(2)包括扫描线(21)、与扫描线(21)相连的栅极(22)、与栅极(22)间隔设置的存储电容电极(24)、以及与存储电容电极(24)相连的公共电极线(25)；
所述第二金属层(5)包括数据线(51)、与数据线(51)相连的源极(52)、以及与源极(52)相对设置的漏极(53)；
其中，所述漏极(53)与存储电容电极(24)部分重叠设置，所述有机材料层(6)上对应所述漏极(53)与存储电容电极(24)上方设有过孔(601)，所述过孔(601)的一部分对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)不重叠的区域设置，所述像素电极层(7)通过所述过孔(601)与漏极(53)相接触。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔(601)的一半对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)重叠的区域设置，另外一半对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)不重叠的区域设置。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极(53)与存储电容电极(24)相互重叠的部分构成存储电容。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机材料层(6)为平坦层或色阻层。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层(7)的材料为ITO；所述第一金属层(2)及第二金属层(5)的材料为铜、钨、铬、铝中的一种或多种的组合。
6.一种阵列基板修复方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(2)、设于所述第一金属层(2)上的第一绝缘层(3)、设于第一绝缘层(3)上的半导体层(4)、设于半导体层(4)上的第二金属层(5)、设于第二金属层(5)上的有机材料层(6)、及设于所述有机材料层(6)上的像素电极层(7)；
所述第一金属层(2)包括扫描线(21)、与扫描线(21)相连的栅极(22)、与栅极(22)间隔设置的存储电容电极(24)、以及与存储电容电极(24)相连的公共电极线(25)；
所述第二金属层(5)包括数据线(51)、与数据线(51)相连的源极(52)、以及与源极(52)相对设置的漏极(53)；
其中，所述漏极(53)与存储电容电极(24)部分重叠设置，所述有机材料层(6)上对应所述漏极(53)与存储电容电极(24)上方设有过孔(601)，所述过孔(601)的一部分对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)不重叠的区域设置，所述像素电极层(7)通过所述过孔(601)与漏极(53)相接触；
步骤2、检测过孔(601)是否存在异常，若过孔(601)发生异常，导致像素电极层(7)与漏极(53)不能有效接触时，采用激光对过孔(601)中对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层(7)与漏极(53)熔接在一起。
7.如权利要求6所述的阵列基板修复方法，其特征在于，所述过孔(601)的一半对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)重叠的区域设置，另外一半对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)不重叠的区域设置。
8.如权利要求6所述的阵列基板修复方法，其特征在于，所述漏极(53)与存储电容电极(24)相互重叠的部分构成存储电容。
9.如权利要求6所述的阵列基板修复方法，其特征在于，所述有机材料层(6)为平坦层或色阻层。
10.如权利要求6所述的阵列基板修复方法，其特征在于，所述像素电极层(7)的材料为ITO；所述第一金属层(2)及第二金属层(5)的材料为铜、钨、铬、铝中的一种或多种的组合。
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