CN105336673A

CN105336673A - 互连结构及其形成方法

Info

Publication number: CN105336673A
Application number: CN201410363408.5A
Authority: CN
Inventors: 周鸣
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2014-07-28
Filing date: 2014-07-28
Publication date: 2016-02-17

Abstract

本发明提供一种互连结构及其形成方法，互连结构的形成方法包括：提供衬底；形成含碳的扩散阻挡层、含碳的粘附层；形成导电插塞；粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量，粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量；本发明还提供一种互连结构，包括衬底、扩散阻挡层、粘附层、层间介质层，层间介质层中具有导电插塞；粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量，粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量。本发明的有益效果在于，使形成的层间介质层与扩散阻挡层之间的粘附性增加，层间介质层不容易产生裂纹。

Description

互连结构及其形成方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种互连结构及其形成方法。

背景技术

现有技术集成电路中的半导体器件越来越密集，实现半导体器件电连接的互连结构也不断增多，互连结构的电阻(R)及电容(C)产生了越来越明显的寄生效应，从而容易造成传输延迟(RCDelay)及串音(CrossTalk)等问题。

互连结构通常采用金属材料的导电插塞，为了防止金属扩散至互连结构中其他相邻的部件，现有技术在各个互连结构的导电插塞处设置扩散阻挡层(barrierlayer)，用于减少导电插塞中的金属向周围部件扩散的问题。

同时，为了降低互连结构中的寄生电容，现有技术中开始使用低介电常数(K)的材料，例如：采用一些疏松多孔的低K材料或者超低K材料来形成层间介质层(Inter-LayerDielectric，ILD)。

但是，这种采用低K或者超低K材料的互连结构容易产生裂纹(crack)，从而影响了互连结构的性能。例如：在这种带有裂纹的层间介质层中形成导电插塞之后，导电插塞的材料也很容易渗透进这些裂纹中，进而引起桥接等不良后果。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种互连结构及其形成方法，减少裂纹缺陷的产生，从而优化形成的互连结构的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种互连结构的形成方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成含碳的扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层上形成含碳的粘附层；

在所述粘附层上形成不含碳或者碳含量小于扩散阻挡层的层间介质层；

在层间介质层中形成导电插塞；

其中，所述粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量，所述粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量。

可选的，形成粘附层的步骤包括，依次在所述扩散阻挡层上形成第一掺氧碳化硅层以及第二掺氧碳化硅层，所述第一掺氧碳化硅层的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层的碳含量。

可选的，形成粘附层的步骤还包括，在所述第二掺氧碳化硅层上形成含碳氧化硅层。

可选的，形成第一掺氧碳化硅层的步骤包括，形成碳含量在10％～30％范围内的第一掺氧碳化硅层。

可选的，形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括，形成碳含量在0.01％～10％范围内的第二掺氧碳化硅层。

可选的，形成粘附层的步骤包括：形成K值在3.2～3.6范围内的第一掺氧碳化硅层。

可选的，形成第一掺氧碳化硅层的步骤包括：

采用化学气相沉积的方式形成所述第一掺氧碳化硅层。

可选的，采用化学气相沉积的方式形成所述第一掺氧碳化硅层的步骤包括：形成所述第一掺氧碳化硅层的反应气体包含四甲基硅烷气体以及二氧化碳。

可选的，所述反应气体中还包含三甲基硅烷、二甲基硅烷以及一甲基硅烷中的一种或者多种。

可选的，形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括：形成K值在4.3～4.6范围内的第二掺氧碳化硅层。

可选的，形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括：采用化学气相沉积的方式形成所述第二掺氧碳化硅层。

可选的，采用化学气相沉积的方式形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括：形成所述第二掺氧碳化硅层的反应气体包含硅烷以及二氧化碳。

可选的，形成扩散阻挡层的步骤包括，形成掺氮碳化物材料的扩散阻挡层。

此外，本发明还提供一种互连结构，包括：

衬底；

位于所述衬底上含碳的扩散阻挡层；

位于所述扩散阻挡层上含碳的粘附层；

位于所述粘附层上不含碳或者碳含量小于扩散阻挡层的层间介质层，所述层间介质层中具有导电插塞；

可选的，所述含碳的扩散阻挡层为掺氮碳化物材料的扩散阻挡层。

可选的，在所述层间介质层与粘附层之间还设有含碳氧化硅层。

可选的，所述粘附层包括第一掺氧碳化硅层以及第二掺氧碳化硅层；所述第一掺氧碳化硅层中的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层中的碳含量。

可选的，所述第一掺氧碳化硅层的碳含量在10％～30％的范围内。

可选的，所述第二掺氧碳化硅层的碳含量在0.01％～10％的范围内。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

通过在衬底的扩散阻挡层与层间介质层之间形成粘附层，并使粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量、粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量，从而使粘附层的碳含量位于扩散阻挡层的碳含量和层间介质层的碳含量之间，且粘附层与扩散阻挡层交界处的碳含量较为接近、粘附层与层间介质层交界处碳含量也较为接近，可以增加粘附层与相邻的扩散阻挡层、层间介质层的粘附性，进而增加扩散阻挡层与层间介质层之间的粘附性，进而不容易在层间介质层中产生裂纹，整个互连结构的性能不容易因层间介质层产生裂纹而受到影响。

附图说明

图1是现有技术形成的互连结构的电镜图；

图2至图7是本发明互连结构的形成方法一实施例中各个步骤的结构示意图；

图8是采用本发明互连结构的形成方法形成的互连结构的电镜图；

图9是本发明互连结构一实施例中的结构示意图。

具体实施方式

为了解决背景技术中提到的问题，结合互连结构的电镜图分析裂纹产生的原因。参考图1，示出了现有技术中一种互连结构的电镜图，在层间介质层3中形成导电插塞4后，由于层间介质层3中带有裂纹，导电插塞4的部分材料会渗入这些裂纹，椭圆型框5为导电插塞4材料在层间介质层3中的渗入部分。所述裂纹产生的主要原因为层间介质层与扩散阻挡层之间的粘附性不足，层间介质层在后续的一些步骤(例如一些化学机械研磨步骤)中受到外力影响容易会出现裂纹。

因此，本发明提供一种互连结构的形成方法，包括以下步骤：

提供衬底；在所述衬底上形成含碳的扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成含碳的粘附层；在所述粘附层上形成不含碳或者碳含量小于扩散阻挡层的层间介质层；在层间介质层中形成导电插塞；其中，所述粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量，所述粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量。

通过在衬底的扩散阻挡层与层间介质层之间形成粘附层，并使粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量、粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量，从而使粘附层的碳含量位于扩散阻挡层的碳含量和层间介质层的碳含量之间，且粘附层与扩散阻挡层交界处的碳含量较为接近、粘附层与层间介质层交界处碳含量也较为接近，可以增加粘附层与相邻的扩散阻挡层、层间介质层的粘附性，进而增加扩散阻挡层与层间介质层之间的粘附性，进而不容易在层间介质层中产生裂纹，整个互连结构的性能不容易因层间介质层产生裂纹而受到影响；因为层间介质层产生裂纹可能导致层间介质层本身的电学隔离性能受到影响，且形成导电插塞的导电插塞材料也容易渗透进所述裂纹，这会导致导电插塞本身的电学性能发生改变，且可能造成互连结构桥接。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例作详细的说明。

参考图2，提供衬底40，在本实施例中，所述衬底40中可以事先形成有包括源漏区、栅极在内的半导体部件，衬底中还可以形成有层间介质层。

在本实施例中，所述衬底中的层间介质层可以采用低k材料形成，但是本发明对此不作限定。

另外，衬底40仅在图2中示出，后续的附图中略去所述衬底40。

在形成所述衬底40后，在所述衬底40上形成含碳的扩散阻挡层100，在本实施例中，形成掺氮碳化物(NitrogenDopedCarbide,NDC)材料的扩散阻挡层100，所述扩散阻挡层100用于阻挡后续形成的导电插塞等部件的材料向衬底40中扩散。

具体来说，所述掺氮碳化物材料的扩散阻挡层100具体为掺氮碳化硅材料，这种材料对于导电插塞具有较好的阻挡作用。但是需要说明的是，此处为现有技术，本发明对扩散阻挡层100的具体形成过程不作赘述，同时也不作限定。

参考图3，在所述扩散阻挡层100上形成粘附层，其中，所述粘附层靠扩散阻挡层100的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层100的碳含量，所述粘附层靠层间介质层(图中未示出)的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量。

在本实施例中，可以依次在所述扩散阻挡层上形成第一掺氧碳化硅层以及第二掺氧碳化硅层，所述第一掺氧碳化硅层以及第二掺氧碳化硅层共同形成所述粘附层；并使所述第一掺氧碳化硅层中的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层中的碳含量，以达到上述使粘附层靠扩散阻挡层100的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层100的碳含量、粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量的目的。

具体来说，继续参考图3，在所述扩散阻挡层100上形成第一掺氧碳化硅层210。

虽然所述第一掺氧碳化硅层210与后续将要形成的第二掺氧碳化硅层均采用掺氧碳化硅(oxygendopedSiC,ODC)材料形成，但是第一掺氧碳化硅层210中的碳含量要高于第二掺氧碳化硅层中的碳含量，为富碳(carbonrich)的掺氧碳化硅层。其原因在于，对于相邻的两个含碳层来说，两个含碳层的碳含量越接近，越有利于增加两个含碳层的粘附性。掺氮碳化硅材料的扩散阻挡层100的碳含量较大，所以碳含量较高的第一掺氧碳化硅层210与下方扩散阻挡层100之间的粘附性较强，这有利于增加整个粘附层与扩散阻挡层100之间的粘附性。

具体的，可以使所述第一掺氧碳化硅层210中碳含量在10％～30％的范围内，碳含量在此范围内的第一掺氧碳化硅层210与扩散阻挡层100之间的粘附性较强。

此外，还可以使所述第一掺氧碳化硅层210的K值在3.2～3.6范围内，碳含量较高在一定程度上有利于降低第一掺氧碳化硅层210的K值，且K值较低有利于改善互连结构的RC延迟以及寄生电容等问题。

具体的，在本实施例中，可以采用化学气相沉积的方式形成所述碳含量较高的第一掺氧碳化硅层210，具体来说，形成所述掺氧碳化硅层的反应气体中包含四甲基硅烷气体(4MS)，同时，反应气体中还包含二氧化碳气体，四甲基硅烷气体与二氧化碳气体反应以形成所述第一掺氧碳化硅层210，具体的反应式如下：

Si(CH₃)₄+CO₂→SiOC

在反应过程中，可以通过调整沉积的工艺参数来调整形成的掺氧碳化硅层210中的碳含量。

例如，在本实施例中，可以使沉积设备的沉积腔室内的压力在0.1～10托的范围内，同时，使四甲基硅烷气体的流量在100～10000标况毫升每分的范围内，沉积设备的功率在100～5000瓦的范围内，并使沉积设备的电极间距在200～600英寸的范围内；这样有利于较好的形成上述的碳含量在10％～30％的范围内，且K值在3.2～3.6范围内的第一掺氧碳化硅层210。

同时，在本实施例中，所述反应气体中还可以包含三甲基硅烷SiH(CH₃)₃、二甲基硅烷SiH₂(CH₃)₂以及一甲基硅烷SiH(CH₃)₃的一种或者多种。由于这些气体中的甲基数目各不同，加入这些气体有利于在沉积过程中调整形成的掺氧碳化硅层210中的碳含量，也就是增加对沉积工艺的控制程度。

继续参考图4，继续形成粘附层，在本实施例中为在所述第一掺氧碳化硅层210上形成第二掺氧碳化硅层220，形成的所述第二掺氧碳化硅层220以及掺氧碳化硅层210共同形成粘附层。

形成的第二掺氧碳化硅层220与之前形成的第一掺氧碳化硅层210之间化学组成相似，因而第二掺氧碳化硅层220与之前形成的第一掺氧碳化硅层210之间具有较好的粘附性；且第二掺氧碳化硅层220的碳含量相对较低，较低碳含量的第二掺氧碳化硅层220与后续形成的层间介质层之间也具有较好的粘附性。

具体的，可以使所述第二掺氧碳化硅层220中碳含量在0.01％～10％的范围内，碳含量在此范围内的第二掺氧碳化硅层220有利于与前形成的第一掺氧碳化硅层210形成较强的粘附力，同时，与后续形成的层间介质层之间也具有较好的粘附性，进而增加扩散阻挡层与层间介质层之间的粘附性，层间介质层粘附性更强，进而不容易产生裂纹。

为了形成上述的碳含量相对较低的第二掺氧碳化硅层220，在本实施例中，可以采用化学气相沉积的方式形成所述第二掺氧碳化硅层220。

具体来说，形成所述第二掺氧碳化硅层220的反应气体中包含硅烷(SiH₄)气体以及二氧化碳，具体的反应式如下：

SiH₄+CO₂→SiOC

此处需要说明的是，虽然形成第二掺氧碳化硅层220与第一掺氧碳化硅层210的反应生成物均用“SiOC”表示，但是第二掺氧碳化硅层220与第一掺氧碳化硅层210形成的“SiOC”碳含量并不相同。第二掺氧碳化硅层220碳含量小于第一掺氧碳化硅层210的碳含量。

在反应过程中，同样可以通过调整沉积的工艺参数来调整形成的第二掺氧碳化硅层220的碳含量。

例如，在本实施例中，可以使沉积设备的沉积腔室内的压力在0.1～10托的范围内，同时，使硅烷气体的流量在100～10000标况毫升每分的范围内，沉积设备的功率在100～5000瓦的范围内，并使沉积设备的电极间距在200～600英寸的范围内；这样有利于较好的形成所述碳含量相对较低的第二掺氧碳化硅层220。

此外，在本实施例中，由于形成第二掺氧碳化硅层220的反应气体中碳的含量相对较少(仅仅是由二氧化碳提供形成的第二掺氧碳化硅层220的碳元素)，形成的第二掺氧碳化硅层220的K值可能相对于第一掺氧碳化硅层210来说相对较高，例如，在本实施例中，形成的所述第二掺氧碳化硅层220的K值在4.3～4.6范围内。但是这并不影响本发明的实施。

参考图5，在本实施例中，在形成所述第一掺氧碳化硅层210与第二掺氧碳化硅层220共同组成的粘附层之后，所述粘附层还包括在所述第二掺氧碳化硅层220上形成的含碳氧化硅(SiOCH)层110。

所述含碳氧化硅层110的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层220，由于层间介质层50的碳含量低于第二掺氧碳化硅层220，所述含碳氧化硅层110可以进一步增加相邻的第二掺氧碳化硅层220与后续形成的层间介质层之间的粘附性。

形成所述含碳氧化硅层110本身为现有技术，本发明对此不作赘述，同时也不作任何限定。

参考图6，在所述含碳氧化硅层110上形成层间介质层50，并在层间介质层50中形成导电插塞(图中未示出)。

如前文所述，所述粘附层增加了含碳氧化硅层110与扩散阻挡层100之间的粘附性，而含碳氧化硅层110与层间介质层50之间本身已具有一定的粘附性，所以在整体上，形成的层间介质层50与扩散阻挡层100之间的粘附性得到增加，因而层间介质层50中不容易产生裂纹。

参考图7所示，在本实施例中，在形成了所述层间介质层50之后，可以在所述层间介质层50上继续制作互连结构的其他层，例如blackdiamond硬掩模300、四乙基原硅酸盐(TEOS)硬掩模310、氮化钛硬掩模320以及氧化物层330等。但是需要说明的是，以上仅为本实施例起示意性说明的举例，本发明对此不作任何行定。

参考图8所示为采用本发明的形成方法形成的互连结构的电镜图。从图8中可以看出，在层间介质层50中形成有导电插塞57，由于层间介质层50中没有裂纹，导电插塞57的材料也不会向层间介质层50中扩散，互连结构的性能不会因导电插塞57材料扩散而受到影响，椭圆型框55中的导电插塞57底部也比较平整。

此外，参考图9，本发明还提供一种互连结构，包括：

衬底(图中未示出)；

位于所述衬底上含碳的扩散阻挡层100`；在本实施例中，所述含碳的扩散阻挡层100`为掺氮碳化物(NitrogenDopedCarbide,NDC)材料的扩散阻挡层，具体来说为掺氮碳化硅的扩散阻挡层100`，这种材料的含碳的扩散阻挡层100`具有较好的阻挡效果。

位于所述扩散阻挡层100`上含碳的粘附层；

在本实施例中，所述粘附层包括图中所示的第一掺氧碳化硅层210`以及第二掺氧碳化硅层220`；所述第一掺氧碳化硅层210`位于所述衬底上，所述第二掺氧碳化硅层220`位于所述第一掺氧碳化硅层210`上，所述第一掺氧碳化硅层210`中的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层220`中的碳含量。

在本实施例中，所述第一掺氧碳化硅层210`的碳含量在10％～30％的范围内，碳含量在此范围内的第一掺氧碳化硅层210`与掺氮碳化硅材料的扩散阻挡层100`之间的粘附性较强。

所述第二掺氧碳化硅层220`的碳含量在0.01％～10％的范围内，碳含量在此范围内的第二掺氧碳化硅层220`有利于与前形成的第一掺氧碳化硅层210`形成较强的粘附力，同时，与层间介质层50`之间也具有较好的粘附性。

位于所述含碳氧化硅层上不含碳或者碳含量小于扩散阻挡层的层间介质层50`，所述层间介质层50`中具有导电插塞(图中未示出)；

其中，所述粘附层靠扩散阻挡层100`的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层100`的碳含量，所述粘附层靠层间介质层50`的区域碳含量大于或等于层间介质层50`的碳含量。

由于所述第一掺氧碳化硅层210`中的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层220`中的碳含量，也就是说，所述粘附层与上方的层间介质层50`相接触的区域(也就是本实施例中的第一掺氧碳化硅层210`)碳含量相对较低，而与下方扩散阻挡层100`相接触的区域(也就是本实施例中的第二掺氧碳化硅层220`)碳含量较高，这样粘附层可以同时适应不同碳含量的扩散阻挡层100`以及层间介质层50`，因为相邻的层之间碳含量相互接近有利于增加这两个层之间的粘附性，所以，粘附层上半部分含碳较少，下半部分含碳较多能够使层间介质层50`与扩散阻挡层100`之间粘附的更加紧密，层间介质层50`与扩散阻挡层100`之间的粘附性得到增加，进而层间介质层50`不容易产生裂纹，进而使整个互连结构的性能不会因层间介质层产生裂纹而受到影响，避免了形成导电插塞的导电插塞材料扩散进所述裂纹，导致导电插塞本身的电学性能发生改变，进而造成互连结构桥接的情况。

在本实施例中，在所述粘附层上还形成有含碳氧化硅层110`，所述含碳氧化硅层110`的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层220`，由于层间介质层50`的碳含量低于第二掺氧碳化硅层220`。增加碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层220`的含碳氧化硅层110`进一步有利于增加层间介质层50`与扩散阻挡层100`之间的粘附性。

在本实施例中，在所述层间介质层之间50`还形成有互连结构的其他材料层，例如blackdiamond硬掩模300`、四乙基原硅酸盐(TEOS)硬掩模310`、氮化钛硬掩模320`以及氧化物层330`等。但是需要说明的是，以上仅为本实施例起示意性说明的举例，本发明对此不作任何行定。

另外，本实施例中的互连结构可以但不限于采用上述的形成方法得到。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成含碳的扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层上形成含碳的粘附层；

在层间介质层中形成导电插塞；

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成粘附层的步骤包括，依次在所述扩散阻挡层上形成第一掺氧碳化硅层以及第二掺氧碳化硅层，所述第一掺氧碳化硅层的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层的碳含量。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成粘附层的步骤还包括，在所述第二掺氧碳化硅层上形成含碳氧化硅层。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成第一掺氧碳化硅层的步骤包括，形成碳含量在10％～30％范围内的第一掺氧碳化硅层。

5.如权利要求2或4所述的形成方法，其特征在于，形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括，形成碳含量在0.01％～10％范围内的第二掺氧碳化硅层。

6.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成粘附层的步骤包括：形成K值在3.2～3.6范围内的第一掺氧碳化硅层。

7.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成第一掺氧碳化硅层的步骤包括：

采用化学气相沉积的方式形成所述第一掺氧碳化硅层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积的方式形成所述第一掺氧碳化硅层的步骤包括：形成所述第一掺氧碳化硅层的反应气体包含四甲基硅烷气体以及二氧化碳。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述反应气体中还包含三甲基硅烷、二甲基硅烷以及一甲基硅烷中的一种或者多种。

10.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括：形成K值在4.3～4.6范围内的第二掺氧碳化硅层。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括：采用化学气相沉积的方式形成所述第二掺氧碳化硅层。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积的方式形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括：形成所述第二掺氧碳化硅层的反应气体包含硅烷以及二氧化碳。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成扩散阻挡层的步骤包括，形成掺氮碳化物材料的扩散阻挡层。

14.一种互连结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上含碳的扩散阻挡层；

位于所述扩散阻挡层上含碳的粘附层；

15.如权利要求14所述的互连结构，其特征在于，所述含碳的扩散阻挡层为掺氮碳化物材料的扩散阻挡层。

16.如权利要求14所述的互连结构，其特征在于，在所述层间介质层与粘附层之间还设有含碳氧化硅层。

17.如权利要求14所述的互连结构，其特征在于，所述粘附层包括第一掺氧碳化硅层以及第二掺氧碳化硅层；所述第一掺氧碳化硅层中的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层中的碳含量。

18.如权利要求17所述的互连结构，其特征在于，所述第一掺氧碳化硅层的碳含量在10％～30％的范围内。

19.如权利要求17或18所述的互连结构，其特征在于，所述第二掺氧碳化硅层的碳含量在0.01％～10％的范围内。