CN105334695B - 提高通孔opc模型的适用面的方法 - Google Patents

提高通孔opc模型的适用面的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105334695B
CN105334695B CN201410349884.1A CN201410349884A CN105334695B CN 105334695 B CN105334695 B CN 105334695B CN 201410349884 A CN201410349884 A CN 201410349884A CN 105334695 B CN105334695 B CN 105334695B
Authority
CN
China
Prior art keywords
test pattern
pattern
opc model
units
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410349884.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105334695A (zh
Inventor
黄宜斌
王辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN201410349884.1A priority Critical patent/CN105334695B/zh
Publication of CN105334695A publication Critical patent/CN105334695A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105334695B publication Critical patent/CN105334695B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明提供一种提高通孔OPC模型的适用面的方法,包括:第一步,提供对称设计的一测试图形,测试图形上包括多个排成阵列的图形单元,每一图形单元代表实际晶圆上的一通孔;测试图形的中心为基准点,多个图形单元以基准点呈轴对称和中心对称;第二步,以基准点为轴心,旋转图形单元的位置至某一角度而图形单元本身不旋转,形成新的测试图形,或者将图形单元分为多个列,各列之间交错地向上或者向下移动某一距离,使移动后的某一列与旁边的另一列之间形成某一参差角度,形成新的测试图形。本发明突破了现有的通孔OPC模型覆盖能力的局限,使得其测试图形能够涵盖更多实际的复杂设计情形。

Description

提高通孔OPC模型的适用面的方法
技术领域
本发明涉及光学邻近修正(OPC)技术领域,具体来说,本发明涉及一种提高通孔OPC模型的适用面的方法。
背景技术
一般来说,通孔(Contact/Via)的OPC测试图形都是对称设计的(包括上下对称、左右对称和中心对称)规则图形,其非常受限于涵盖各种实际的设计。
图1-a至图1-d为现有技术中的四种传统的通孔OPC测试图形的示意图;而图2-a至图2-b为现有技术中的两种复杂的实际通孔的生产设计示意图。比较图1-a至图1-d和图2-a至图2-b,可以发现,掩模版(mask)上实际通孔的设计情况远比理想的图形复杂。因此,这会导致现有的OPC模型在对称设计(理想状态)的时候非常精确,但是在面对实际的复杂设计时往往并不可靠,不能涵盖各种实际的设计。
在实践中,仅是对实际设计的OPC模型进行验证(verify),但是不能在建立OPC模型的伊始就使得模型尽可能地涵盖更多的设计图形。另外,不断地事后验证也导致了整个过程的循环时间过长。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种提高通孔OPC模型的适用面的方法,突破现有的通孔OPC模型覆盖能力的局限,使得其测试图形能够涵盖更多实际的复杂设计情形。
为解决上述技术问题,本发明提供一种提高通孔OPC模型的适用面的方法,包括步骤:
提供对称设计的一测试图形,所述测试图形上包括多个排成阵列的图形单元,每一所述图形单元代表实际晶圆上的一通孔;所述测试图形的中心为基准点,多个所述图形单元中的一个位于所述基准点上,其余所述图形单元以所述基准点呈轴对称和中心对称;
以所述基准点为轴心,旋转所述图形单元的位置至某一角度而所述图形单元本身不旋转,形成新的所述测试图形。
可选地,所述图形单元的位置围绕所述基准点旋转的角度为15度、30度或者45度。
可选地,所述图形单元的大小都是相同的。
可选地,所述图形单元的大小不是相同的。
为解决上述技术问题,本发明还提供一种提高通孔OPC模型的适用面的方法,包括步骤:
提供对称设计的一测试图形,所述测试图形上包括多个排成阵列的图形单元,每一所述图形单元代表实际晶圆上的一通孔;所述测试图形的中心为基准点,所有所述图形单元以所述基准点呈轴对称和中心对称;
将所述图形单元分为多个列,各列之间交错地向上或者向下移动某一距离,使移动后的某一列与旁边的另一列之间形成某一参差角度,形成新的所述测试图形。
可选地,所述图形单元的各列交错移动后的某一列与旁边的另一列之间形成的参差角度为15度、30度或者45度。
可选地,所述图形单元的大小都是相同的。
可选地,所述图形单元的大小不是相同的。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
本发明通过开发两种规则(旋转和交错偏移)来在OPC测试图形中产生非对称的设计,提高了通孔OPC模型的适用面(coverage),突破了现有的通孔OPC模型覆盖能力的局限,使得其测试图形能够涵盖更多实际的复杂设计情形。
本发明除了在建立OPC模型的初始阶段就增加了OPC模型的适用面外,还改善了OPC模型的精度和可靠度,缩短了验证的循环时间。
附图说明
本发明的上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变得更加明显,其中:
图1-a至图1-d为现有技术中的四种传统的通孔OPC测试图形的示意图;
图2-a至图2-b为现有技术中的两种复杂的实际通孔的生产设计示意图;
图3-a为本发明一个实施例的提高通孔OPC模型的适用面的方法流程示意图;
图3-b为本发明另一个实施例的提高通孔OPC模型的适用面的方法流程示意图;
图4-a为本发明一个实施例的通孔OPC模型中对称设计的一个测试图形的示意图;
图4-b至图4-d分别为本发明一个实施例的通孔OPC模型中图形单元的位置旋转了15度、30度以及45度的测试图形的示意图;
图5-a为本发明另一个实施例的通孔OPC模型中对称设计的一个测试图形的示意图;
图5-b至图5-d分别为本发明另一个实施例的通孔OPC模型中各列图形单元之间交错地移动后,相邻两列之间形成的参差角度为15度、30度以及45度的测试图形的示意图;
图6为本发明一个实施例的提高通孔OPC模型的适用面的方法可应用于很多实际的复杂设计中的示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明,在以下的描述中阐述了更多的细节以便于充分理解本发明,但是本发明显然能够以多种不同于此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下根据实际应用情况作类似推广、演绎,因此不应以此具体实施例的内容限制本发明的保护范围。
提高通孔OPC模型的适用面的方法的第一实施例
图3-a为本发明一个实施例的提高通孔OPC模型的适用面的方法流程示意图。如图3-a所示,该方法主要包括:
执行步骤S301,提供对称设计的一测试图形。图4-a为本发明一个实施例的通孔OPC模型中对称设计的一个测试图形的示意图。需要注意的是,这个以及后续其他的附图均仅作为示例,其并非是按照等比例的条件绘制的,并且不应该以此作为对本发明实际要求的保护范围构成限制。该测试图形400上包括多个排成阵列的图形单元401,每一图形单元401代表实际晶圆上的一通孔。该测试图形400的中心为基准点(未标示),多个图形单元401中的一个位于该基准点上,其余图形单元401以该基准点呈轴对称和中心对称。
执行步骤S302,以该基准点为轴心,旋转图形单元401的位置至某一角度,但图形单元401本身不旋转,形成新的测试图形400’。其中,图形单元401的位置围绕该基准点旋转的角度可以为15度、30度或者45度。图4-b至图4-d分别为本发明一个实施例的通孔OPC模型中图形单元的位置旋转了15度、30度以及45度的测试图形的示意图。
在本实施例中,该图形单元401的大小可以都是相同的。但是,它们的大小也可以不是相同的,只是需要满足它们是对称的要求(包括上下对称、左右对称和中心对称)。
提高通孔OPC模型的适用面的方法的第二实施例
图3-b为本发明另一个实施例的提高通孔OPC模型的适用面的方法流程示意图。如图3-b所示,该方法主要包括:
执行步骤S311,提供对称设计的一测试图形。图5-a为本发明另一个实施例的通孔OPC模型中对称设计的一个测试图形的示意图。需要注意的是,这个以及后续其他的附图均仅作为示例,其并非是按照等比例的条件绘制的,并且不应该以此作为对本发明实际要求的保护范围构成限制。该测试图形500上包括多个排成阵列的图形单元501,每一图形单元501代表实际晶圆上的一通孔。该测试图形500的中心为基准点(未标示),所有图形单元501以该基准点呈轴对称和中心对称。
执行步骤S312,将该图形单元501分为多个列,各列之间交错地向上或者向下移动某一距离,使移动后的某一列502与旁边的另一列503之间形成某一参差角度,形成新的测试图形500’。其中,该图形单元501的各列交错移动后的某一列502与旁边的另一列503之间形成的参差角度可以为15度、30度或者45度。图5-b至图5-d分别为本发明另一个实施例的通孔OPC模型中各列图形单元之间交错地移动后,相邻两列之间形成的参差角度为15度、30度以及45度的测试图形的示意图。
在本实施例中,该图形单元401的大小可以都是相同的。但是,它们的大小也可以不是相同的,只是需要满足它们是对称的要求(包括上下对称、左右对称和中心对称)。
图6为本发明一个实施例的提高通孔OPC模型的适用面的方法可应用于很多实际的复杂设计中的示意图。在实际中,很多复杂的通孔设计都可以被分成这两种设计情形,如图6中的第一区域601就可以适用交错偏移图形单元的方式来实现更好地覆盖;而图6中的第二区域602就可以使用旋转图形单元的方式来实现更好的覆盖。
通过在图形亮度空间(Image Intensity Space)作的图形适用面(coverage)检测,检测指标包括最大亮度(Imax)、最小亮度(Imin)和亮度曲线的斜率(slop),本发明已经被证实通过引入了非对称设计之后,OPC模型的适用面得到了有效的扩大,能够涵盖更多实际的复杂设计情形。
本发明通过开发两种规则(旋转和交错偏移)来在OPC测试图形中产生非对称的设计,提高了通孔OPC模型的适用面(coverage),突破了现有的通孔OPC模型覆盖能力的局限,使得其测试图形能够涵盖更多实际的复杂设计情形。
本发明除了在建立OPC模型的初始阶段就增加了OPC模型的适用面外,还改善了OPC模型的精度和可靠度,缩短了验证的循环时间。
本发明虽然以较佳实施例公开如上,但其并不是用来限定本发明,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以做出可能的变动和修改。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化及修饰,均落入本发明权利要求所界定的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种提高通孔OPC模型的适用面的方法,包括步骤:
提供对称设计的一测试图形(400),所述测试图形(400)上包括多个排成阵列的图形单元(401),每一所述图形单元(401)代表实际晶圆上的一通孔;所述测试图形(400)的中心为基准点,多个所述图形单元(401)中的一个位于所述基准点上,其余所述图形单元(401)以所述基准点呈轴对称和中心对称;
以所述基准点为轴心,旋转所述图形单元(401)的位置至某一角度而所述图形单元(401)本身不旋转,形成新的所述测试图形(400’),所述新的测试图形中的图形单元为非对称。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述图形单元(401)的位置围绕所述基准点旋转的角度为15度、30度或者45度。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述图形单元(401)的大小都是相同的。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述图形单元(401)的大小不是相同的。
CN201410349884.1A 2014-07-22 2014-07-22 提高通孔opc模型的适用面的方法 Active CN105334695B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410349884.1A CN105334695B (zh) 2014-07-22 2014-07-22 提高通孔opc模型的适用面的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410349884.1A CN105334695B (zh) 2014-07-22 2014-07-22 提高通孔opc模型的适用面的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105334695A CN105334695A (zh) 2016-02-17
CN105334695B true CN105334695B (zh) 2020-01-14

Family

ID=55285314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410349884.1A Active CN105334695B (zh) 2014-07-22 2014-07-22 提高通孔opc模型的适用面的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105334695B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106599388B (zh) * 2016-11-22 2019-08-20 上海华力微电子有限公司 一种用于产生二维opc测试图形的方法
CN117826524B (zh) * 2024-03-05 2024-05-28 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种opc修正方法、装置及掩膜版结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001281836A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Sony Corp フォトマスクパターンの補正方法、フォトマスクの製造方法および記録媒体
CN101957556A (zh) * 2009-07-16 2011-01-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩模版图修正方法、掩模版制作方法和光学邻近校正方法
CN102799061A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 联华电子股份有限公司 双重曝光制作工艺的光掩模组及其形成方法
CN103309149A (zh) * 2013-06-08 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 光学临近效应修正方法
CN103309150A (zh) * 2013-06-26 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 版图数据的处理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001281836A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Sony Corp フォトマスクパターンの補正方法、フォトマスクの製造方法および記録媒体
CN101957556A (zh) * 2009-07-16 2011-01-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩模版图修正方法、掩模版制作方法和光学邻近校正方法
CN102799061A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 联华电子股份有限公司 双重曝光制作工艺的光掩模组及其形成方法
CN103309149A (zh) * 2013-06-08 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 光学临近效应修正方法
CN103309150A (zh) * 2013-06-26 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 版图数据的处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105334695A (zh) 2016-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101821460B1 (ko) 레이아웃 설계를 형성하기 위한 방법 및 시스템
JP6744366B2 (ja) エッチング効果予測方法及び入力パラメーター決定方法
JP2016009118A5 (zh)
AU699084B2 (en) Golf ball dimple configuration method and product
CN105988307B (zh) 用于预估曝光工艺的焦点和剂量的方法和装置
CN105334695B (zh) 提高通孔opc模型的适用面的方法
US9176396B2 (en) Overlay sampling methodology
US9698157B2 (en) Microstructure device and method for manufacturing the same
US20150331310A1 (en) Mask plate and a method for producing a substrate mark
US10707175B2 (en) Asymmetric overlay mark for overlay measurement
KR101714616B1 (ko) 세 개 층의 오버레이를 측정하는 방법
US10120494B2 (en) Touch panel, touch point detection method, and display device
CN107272326B (zh) 一种光掩模和利用其制造用于滤色器的柱状间隔件的方法
JP2009527926A (ja) 集積回路製造時に方向性を表示するための方法と装置
CN102799061B (zh) 双重曝光制作工艺的光掩模组及其形成方法
CN111192324A (zh) 线段交点位置的确定方法、装置及可读存储介质
CN107037692B (zh) 掩膜组件及对准量测方法
KR102525873B1 (ko) 반도체 공정 시뮬레이션 장치 및 그것의 시뮬레이션 방법
CN105278234B (zh) 增强opc模型在图形偏移上精度的方法
CN106067025A (zh) 一种实物象棋开局的识别方法
US8383299B2 (en) Double patterning mask set and method of forming thereof
US10933283B2 (en) Dimple patterns for golf balls
US8729716B2 (en) Alignment accuracy mark
US8487644B2 (en) Method and pattern carrier for optimizing inspection recipe of defect inspection tool
KR101794545B1 (ko) 3차원 프로세스 윈도우 조건의 생성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant