CN105321959A - 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板、制作阵列基板的方法、液晶显示面板、和显示装置。该阵列基板，包括：位于衬底基板上的公共电极和像素电极；位于公共电极与像素电极之间的钝化层；其中像素电极为包括多条子像素电极的栅状结构，子像素电极包括在第一方向上延伸的主体结构，以及在其至少一端的端部处形成的向第二方向延伸的弯折结构，在主体结构和弯折结构的连接处具有凸起。采用这样的阵列基板，在驱动电压升高、或驱动条件变化、或手指按压液晶屏幕的情况下，由于阵列基板的结构已经稳定，在像素电极的边缘没有发生液晶分子的旋转位移或者反扭曲，防止了压痕现象的产生。

Description

阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，具体涉及使用高级超维电场转换技术（AdvancedSuperDimensionSwitch，简称ADS转换）的液晶显示领域。
背景技术
高级超维电场转换技术是以宽视角技术为代表的核心技术，其核心技术描述为：由像素电极边缘间产生的电场及像素电极与公共电极间产生的电场构成多维电场，使液晶盒内像素电极之间以及像素电极上方所有取向的液晶分子均可以发生旋转，从而大幅提高显示画面的可视角度。高级超维电场转换技术具有的主要四大特点为：硬屏、超宽视角、超高速运动画面处理、和至臻色彩。
但是在现有的使用高级超维电场转换技术的液晶显示领域中，在透明导电薄膜电极例如公共电极和像素电极上施加的驱动电压升高、或驱动条件变化例如高温、或手指按压液晶屏幕的情况下，将导致透明导电薄膜电极特别是像素电极的边缘发生旋转位移（Disclination）或者是反扭曲（ReverseTilt）。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板、制作阵列基板的方法、液晶显示面板、和显示装置，其能够解决或者至少缓解现有技术中存在的至少一部分缺陷。
根据本发明的第一个方面，提供一种阵列基板，包括：位于衬底基板上的公共电极和像素电极；位于公共电极与像素电极之间的钝化层；其特征在于，像素电极为包括多条子像素电极的栅状结构，子像素电极包括在第一方向上延伸的主体结构，以及在其至少一端的端部处形成的向第二方向延伸的弯折结构，在主体结构和弯折结构的连接处具有凸起。
在子像素电极的主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起，这些形成凸起的区域常常对应于附近存在有薄膜晶体管的区域，这样在阵列基板的驱动电压升高、或驱动条件变化例如高温、或手指按压液晶屏幕的情况下，由于阵列基板的结构已经稳定，在子像素电极的边缘没有发生液晶分子的旋转位移或者反扭曲，从而在包含像素电极和公共电极的像素区域内液晶层中的液晶分子没有因液晶分子的旋转位移或者反扭曲导致的压痕现象，保证了阵列基板和液晶面板的显示效果。
在本发明的一个实施例中，多条子像素电极是相互平行的。
在本发明的另一个实施例中，弯折结构包括在主体结构的一端端部处形成的向第二方向延伸的第一弯折结构，和在主体结构的另一端端部处形成的向第二方向延伸的第二弯折结构，凸起设置于至少一个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧，和/或凸起设置于至少一个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧，主体结构和弯折结构的连接处的外侧为连接处与弯折结构的弯折方向相反的一侧。
在本发明的再一个实施例中，凸起设置于每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧，以及每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧。
在本发明的一个实施例中，设置于每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着一个方向，设置于每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着另一方向，且子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起，与子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着相反的方向。
在本发明的另一个实施例中，凸起的轮廓是Λ字形或者是弧形。
可选的，公共电极位于像素电极的下方。
可选的，公共电极和像素电极都是透明导电薄膜电极。
根据本发明的第二个方面，提供一种制作阵列基板的方法，包括下面的步骤：在衬底基板上形成公共电极和像素电极，位于公共电极与像素电极之间的钝化层，其中像素电极为包括多条子像素电极的栅状结构，子像素电极包括在第一方向上延伸的主体结构，以及在其至少一端的端部处形成的向第二方向延伸的弯折结构；在主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起。
在子像素电极的主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起，这些形成凸起的区域常常对应于附近存在有薄膜晶体管的区域，这样在阵列基板的驱动电压升高、或驱动条件变化例如高温、或手指按压液晶屏幕的情况下，由于阵列基板的结构已经稳定，在子像素电极的边缘没有发生液晶分子的旋转位移或者反扭曲，从而在包含像素电极和公共电极的像素区域内液晶层中的液晶分子没有因液晶分子的旋转位移或者反扭曲导致的压痕现象，保证了阵列基板和液晶面板的显示效果。
在本发明的一个实施例中，其中多条子像素电极是相互平行的。
在本发明的另一个实施例中，其中弯折结构包括在主体结构的一端端部处形成的向第二方向延伸的第一弯折结构，和在主体结构的另一端端部处形成的向第二方向延伸的第二弯折结构，其中在主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起的步骤包括：
在至少一个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧形成凸起，和/或在至少一个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧形成凸起，主体结构和弯折结构的连接处的外侧为连接处与弯折结构的弯折方向相反的一侧。
在本发明的再一个实施例中，其中在主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起的步骤包括：
在每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧以及在每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧都形成凸起。
在本发明的一个实施例中，其中设置于每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着一个方向，设置于每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着另一方向，且子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起，与子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着相反的方向。
备选的，凸起的轮廓是Λ字形或者是弧形。
备选的，其中在衬底基板上形成公共电极和像素电极的步骤包括：在衬底基板上形成公共电极以及在公共电极上方形成像素电极。
备选的，其中公共电极和像素电极都是透明导电薄膜电极。
根据本发明的第三个方面，提供一种液晶显示面板，包括如上的阵列基板，还包括对向基板以及位于阵列基板和对向基板之间的液晶层，像素电极和公共电极用于形成电场驱动液晶层的液晶分子旋转。
根据本发明的第四个方面，提供一种显示装置，包括上述的液晶显示面板。
附图说明
图1A示意性示出了一种阵列基板中使用的公共电极；图1B示意性示出了一种阵列基板中使用的像素电极；图1C示意性示出了一种阵列基板的结构图。
图2示意性示出了对于如图1所示电极布置情况下，在使用3V、4V、5V和6V驱动电压进行模拟的情况下，液晶层的液晶分子状态图。
图3A示意性示出了根据本发明一个实施例的阵列基板中使用的公共电极；图3B示意性示出了根据本发明一个实施例的阵列基板中使用的改进的像素电极；图3C示意性示出了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构图。
图4A示意性示出了根据本发明一个实施例的改进的像素电极；图4B示意性示出了根据本发明另一个实施例的改进的像素电极。
图5示意性示出了根据本发明再一个实施例的改进的像素电极。
图6示意性示出了对于如图4A中改进的像素电极布置情况下，在使用3V、4V、5V和6V驱动电压进行驱动的情况下，液晶层的液晶分子状态图。
具体实施方式
下面将结合全部附图详细地描述本发明的各个实施例。
在本发明的后面描述中提到的术语“上方”、“左下”、“左上”、“右上”、“右下”等方向性的术语是以附图所示的方向作为参照的，这些方向性的术语在其他的情况下也应当具有相对应的含义，并不具有限制性的意义。
图1A示意性示出了使用高级超维电场转换技术的一种阵列基板中使用的公共电极4。图1B示意性示出了使用高级超维电场转换技术的一种阵列基板中使用的像素电极8。在高级超维电场转换技术的液晶显示领域中，氧化铟锡像素电极可以设计成如图1B中的形状，在像素电极8的每个子像素电极之间是以间隙16隔开的，图1B中仅仅示意性示出了两个间隙16。如图所示，像素电极8的各个子像素电极之间基本是相互平行的，并且以规则的间隙间隔开，例如以图1B中的间隙16间隔开。图1C示意性示出了一种使用高级超维电场转换技术的阵列基板10的结构图。在图1C所示的阵列基板10的结构图中示出了衬底基板2、位于衬底基板2上的公共电极4、位于公共电极4上方的像素电极8、位于公共电极4与像素电极8之间的钝化层6、位于像素电极8之间和上方的液晶层12、位于液晶层12上方的彩色滤光片14。图2示意性示出了对于如图1B中像素电极布置情况下，在使用3V、4V、5V和6V驱动电压进行模拟的情况下，液晶层的液晶分子状态图。在施加的驱动电压为3V时，还没有出现反扭曲区域或者说是旋转位移区域，但是随着驱动电压的增大，在施加的驱动电压为4V、5V和6V时，出现了反扭曲区域或者说是旋转位移区域，如在图4的椭圆形部分IA、IIA、IIIA所示的。这些产生旋转位移或反扭曲的区域导致显示特性变动形成压痕（TraceMura）。
在公共电极4与像素电极8上未施加驱动电压时（图1C中示出），液晶层12中的液晶分子整齐排列，液晶分子的取向状态是连续稳定的。当施加的驱动电压超过阈值电压后，液晶层12中的液晶分子开始沿着电场方向转动，这时液晶分子取向的状态还是连续的。但当电压进一步加大后，液晶分子继续沿着电场方向转动，这时某些区域的液晶分子取向出现了不连续的状态，即产生了旋转位移或反扭曲。例如，图2示意性示出了在图1C所示电极布置情况下，在使用3V、4V、5V和6V驱动电压进行模拟时，液晶层的液晶分子状态图。在施加的电压为4V、5V和6V时，出现了旋转位移或反扭曲区域，如在图2的椭圆形部分IA、IIA、IIIA部分所示的。这些产生旋转位移或反扭曲的区域导致显示特性变动从而形成压痕，影响了液晶面板的显示效果。
为解决上述技术问题，根据本发明的第一个方面，提供了一种阵列基板30，如在如3C中示出的，图3C示意性示出了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构图，该阵列基板30可以包括：位于衬底基板2上的公共电极4和像素电极28；位于公共电极4与像素电极28之间的钝化层6，像素电极28为包括多条子像素电极的栅状结构，子像素电极包括在第一方向上延伸的主体结构26，以及在其至少一端的端部处形成的向第二方向延伸的弯折结构，在主体结构26和弯折结构的连接处具有凸起24a、24b。
备选的，弯折结构可以包括在主体结构26的一端端部处形成的向第二方向延伸的第一弯折结构例如上弯折结构27＇，和在主体结构26的另一端端部处形成的向第二方向延伸的第二弯折结构例如下弯折结构27，如在后面参考图4B进一步描述的。
图3A示意性示出了根据本发明一个实施例的阵列基板30中使用的公共电极4。图3B示意性示出了根据本发明一个实施例的阵列基板30中使用的改进的像素电极28。为了描述的方便，图3B所示的像素电极28的每个子像素电极之间的间隙用25表示。在图3B中仅仅示出了相当于三个子像素电极之间的两个间隙25。每两个相邻的子像素电极通过一个间隙25隔开。即，多个子像素电极构成了像素电极28。图3B中示出的三个子像素电极仅仅是示意性的，根据需要，像素电极28可以包括多个子像素电极。像素电极28的各个子像素电极之间可以基本是相互平行的，并且以规则的间隙隔开，例如以图3B中的间隙25隔开。图3B中还示出了在主体结构26和弯折结构的连接处形成的凸起24a、24b。在图3B中将上弯折结构与主体结构26的连接处形成的凸起称为24a（在图4B中示出了上弯折结构27＇），将下弯折结构27与主体结构26的连接处形成的凸起称为24b。在这里，之所以将像素电极28的每个子像素电极的弯折结构划分为上弯折结构27＇和下弯折结构27是为了描述的方便。在图5B中所示的沿着第二方向延伸的上弯折结构27＇和下弯折结构27基本上也是相互平行的。
图3B中所示的凸起的轮廓是Λ字形凸起24a、24b。这些凸起是与像素电极28的每个子像素电极即子像素电极在同一平面内，只是挤占了间隙25所占的空间。换句话说，好像是间隙25在端部存在有三角形的缺口一样。在图3B中示出了两个Λ字形凸起24a、和两个Λ字形凸起24b。换句话说，每个间隙25在上端和下端各存在有一个三角形的缺口。图3B中示出了四个三角形的缺口。在本发明的一个实施例中，在凸起的轮廓是Λ字形凸起24a、24b的情况下，优选的Λ字形凸起24a、24b的顶部夹角在30°以上。
备选的，所示的凸起24a、24b也可以是弧形凸起。在图3B、4A、4B中所示的凸起的轮廓都是Λ字形凸起。在图5中所示的凸起都是弧形凸起24a＇、24b＇。备选的，弧形凸起24a＇、24b＇也可以是圆形的一部分即圆弧形凸起。类似的，这些弧形凸起24a＇、24b＇或者圆弧形凸起是与像素电极28的每个子像素电极在同一平面内，只是挤占了间隙25所占的空间。换句话说，好像是间隙25在端部存在有弧形缺口一样。在图5中示出了两个弧形凸起24a＇、和两个弧形凸起24b＇。换句话说，每个间隙25在上端和下端各存在有一个弧形的缺口。图5中示出了四个弧形的缺口。关于弧形凸起24a＇、24b＇，还将在下面详细描述。
在图4A中示意性示出了根据本发明一个实施例的改进的像素电极28，可以在每个子像素电极的主体结构26和上弯折结构的连接处的外侧具有凸起，也可以在每个子像素电极的主体结构26和下弯折结构的连接处的外侧具有凸起24b，主体结构26和上或下弯折结构的连接处的外侧是连接处与弯折结构的弯折方向相反的一侧。图4A示意性示出的是仅仅在其中一个子像素电极的主体结构26和下弯折结构的连接处的外侧具有凸起24b的情形。
这里需要指出的是，术语“外侧”指的是主体结构26和上或下弯折结构的连接处与弯折结构的弯折方向相反的一侧。以图4B所示的三个子像素电极为例，其下弯折结构27相对于主体结构26与弯折结构27的连接处向图示的右下方向弯折，所述凸起24b形成在与右下弯折方向相反的一侧，即为主体结构26与弯折结构27的连接处的左上方向。类似的，以图4B所示的三个子像素电极为例，其上弯折结构27＇相对于主体结构26与弯折结构27＇的连接处向左上方向弯折，所述凸起24a形成在与左上弯折方向相反的一侧，即为主体结构26与弯折结构27＇的连接处的右下方向。需要说明的是，上述“左上”、“右下”等方向均是相对附图中所示的主体结构和弯折结构的连接处的方向，只是针对附图4B所示的实施例，实际设计时，还可以设置为“左下”、“右上”以及其他方向等。所谓“连接处”，是指主体结构和弯折结构延伸方向转变处。另外，附图中所示主体部分延伸方向为竖直方向逆时针旋转一个小于90度的角，所示上弯折部分和下弯折部分的延伸方向为相对主体部分进一步逆时针旋转一个小于90度的角，实际设置时所述主体部分和弯折部分的延伸方向还可以有其他设置形式，如主体部分延伸方向为竖直方向顺时针旋转一个小于90度的角度，其上弯折部分和下弯折部分的延伸方向为相对主体部分进一步旋转一个小于90度的角，或者主体结构的延伸方向为相对水平方向旋转一定角度，旋转角度、旋转方向还可以有其他变化形式，本发明实施例不做限定。以上角度、方向等，均是为了更加清楚地描述本发明的实施例，并不是对本发明的限定。
同样，图4A示出的凸起的轮廓不限于Λ字形凸起24b，也可以是弧形凸起或者圆弧形凸起，当然也可以为其他形状如条形、圆形、以及异型凸起等，本发明实施例不做限定。
备选的，Λ字形凸起也可以仅仅设置于像素电极28其中一个子像素电极的主体结构26和上弯折结构27＇的连接处的外侧（图4A未示出）。备选的，Λ字形凸起也可以设置于像素电极28的每个子像素电极的主体结构26和上弯折结构27＇、下弯折结构27的连接处的外侧。在图4B中示出了在像素电极28的三个子像素电极的中间那个子像素电极的上部和下部，即主体结构26和上弯折结构27＇和下弯折结构27的连接处的外侧均形成有凸起，即24a和24b。即，在主体结构26和上弯折结构27＇的连接处的外侧以及在主体结构26和下弯折结构27的连接处的外侧都具有凸起，位于主体结构26和上弯折结构27＇的连接处外侧的所有凸起朝着一个方向，位于主体结构26和下弯折结构27的连接处外侧的所有凸起朝着相反的方向。例如如图4B所示，其中子像素电极的主体结构26和上弯折结构27＇的连接处的外侧的凸起即子像素电极上部的凸起均朝向主体结构26的右侧，主体结构26和下弯折结构27的连接处的外侧的凸起即子像素电极下部的凸起均朝向主体结构26的左侧。所谓“朝向”是指Λ字形凸起的尖端或者弧形凸起的弧面所指向的方向。需要说明的是，上述为了描述方便定义了主体结构的左侧和右侧方向，这并不是对其具体方向的限定，只要是整体方向包括朝向左侧的方向例如左上或者左下都可以认为是左侧的方向，类似的，只要是整体方向包括朝向右侧的方向例如右上或者右下都可以认为是右侧的方向。
图5示意性示出了根据本发明再一个实施例的改进的像素电极28，其中示意了示出了在像素电极28的每个子像素电极主体结构26的一端具有一个弯折结构，例如上弯折结构27＇，在主体结构26的另一端具有另一个弯折结构，例如下弯折结构27，并且在主体结构26和每个上弯折结构27＇、下弯折结构27的连接处外侧都具有弧形凸起，例如位于上弯折结构27＇的连接处外侧的弧形凸起24a＇，位于下弯折结构27的连接处外侧的弧形凸起24b＇。图7中仅仅示意性画出了两个弧形凸起24a＇和两个弧形凸起24b＇。根据需要，显然这些弧形凸起的数量是没有限制的。
在图4B和图5所示的附图中，位于主体结构26和一个弯折结构例如下弯折结构27的连接处外侧的凸起朝着一个方向，例如图4B中的Λ字形凸起24b和图5中的弧形凸起24b＇都可以认为是朝着左侧的方向。位于主体结构26和另一个弯折结构例如上弯折结构27＇的连接处外侧的凸起朝着相反的方向，例如图4B中的Λ字形凸起24a和图5中的弧形凸起24a＇都是朝着右侧的方向。即，像素电极28的每个子像素电极的上端和下端的凸起朝向是相反的，不管这个凸起的轮廓是Λ字形凸起还是弧形凸起或者圆弧形凸起。例如，图4B和图5示出像素电极28的三个子像素电极中中间那个子像素电极的上端和下端形成的凸起朝向是相反的。
可选的，公共电极4位于像素电极28的下方。
可选的，公共电极4和像素电极28都是透明导电薄膜电极。
本发明的发明人在进行了像素电极28的上述设计之后，针对图4A中在像素电极28的一个子像素电极的下端形成Λ字形凸起的设计结构，在阵列基板的公共电极4和像素电极28上施加驱动电压进行模拟实验，在施加的驱动电压分别为3V、4V、5V和6V时，观察液晶层12的液晶分子状态。在图6中示出了这样的模拟结果。根据图6的结果可见，在施加的驱动电压为3V时，没有出现反扭曲区域或者旋转位移区域，随着驱动电压的增大，在施加的驱动电压增大到4V、5V和6V时，仍然没有出现反扭曲区域或者旋转位移区域。在椭圆形部分IB、IIB、IIIB所示的区域内液晶层12的液晶分子其指向矢（Director）没有变化，或者说液晶层12的液晶分子基本上都是朝着液晶分子的头部方向站立起来。即，在液晶层12中并没有出现一个区域液晶分子的指向矢朝着一个方向，另一区域液晶分子的指向矢朝着另一方向的情况。采用本发明图4A中的设计方案，在施加的驱动电压为3V、4V、5V和6V时，没有出现液晶分子的反扭曲区域或者旋转位移区域，在阵列基板的图像显示上没有出现压痕，从而保证了阵列基板的显示效果。
本发明的发明人认为，在像素电极的主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起，特别是在存在薄膜晶体管的附近区域形成有凸起，有助于抑制液晶层中液晶分子的旋转位移。
在上面的各个实施例中使用的公共电极4和像素电极28可以都是透明导电薄膜电极，例如氧化铟锡（ITO）电极、或铝掺杂氧化锌(AZO)电极等。
根据本发明的第二个方面，提供一种制作阵列基板的流程图，可以包括下面的步骤：在衬底基板上形成公共电极和像素电极，和位于公共电极与像素电极之间的钝化层，其中像素电极为包括多条子像素电极的栅状结构，子像素电极包括在第一方向上延伸的主体结构，以及在其至少一端的端部处形成的向第二方向延伸的弯折结构，其中在衬底基板上形成公共电极和像素电极包括在主体结构和弯折结构的连接处形成凸起。
在本发明的一个实施例中，其中多条子像素电极是相互平行的。
在本发明的另一个实施例中，其中弯折结构包括在主体结构的一端端部处形成的向第二方向延伸的第一弯折结构，和在主体结构的另一端端部处形成的向第二方向延伸的第二弯折结构。
在本发明的再一个实施例中，其中在主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起的步骤包括：
在至少一个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧形成凸起，和/或在至少一个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧形成凸起，主体结构和弯折结构的连接处的外侧为连接处与弯折结构的弯折方向相反的一侧。
备选的，其中在主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起的步骤包括：
在每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧以及在每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧都形成凸起。
备选的，其中设置于每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着一个方向，设置于每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着另一方向，且子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起，与子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着相反的方向。其具体结构和前述实施例类似，此处不再赘述。
备选的，其中凸起的轮廓是Λ字形或者是弧形。
备选的，其中在衬底基板上形成公共电极和像素电极的步骤包括：在衬底基板上形成公共电极以及在公共电极上方形成像素电极。
备选的，公共电极和像素电极都是由透明导电薄膜材料制成，例如氧化铟锡（ITO）电极、或铝掺杂氧化锌(AZO)电极等。
根据本发明的第三个方面，提供一种液晶显示面板，包括如上的阵列基板，还包括对向基板以及位于阵列基板和对向基板之间的液晶层12，像素电极28和公共电极4用于形成电场驱动液晶层的液晶分子旋转。
根据本发明的第四个方面，提供一种显示装置，其可以包括上述的液晶面板。
虽然已经参考目前考虑到的实施例描述了本发明，但是应该理解本发明不限于所公开的实施例。相反，本发明旨在涵盖所附权利要求的精神和范围之内所包括的各种修改和等同布置。以下权利要求的范围符合最广泛解释，以便包含每个这样的修改及等同结构和功能。

Claims (18)

1.一种阵列基板，包括：
位于衬底基板上的公共电极和像素电极；
位于所述公共电极与像素电极之间的钝化层；
其特征在于，所述像素电极为包括多条子像素电极的栅状结构，所述子像素电极包括在第一方向上延伸的主体结构，以及在其至少一端的端部处形成的向第二方向延伸的弯折结构，在所述主体结构和弯折结构的连接处具有凸起。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多条子像素电极是相互平行的。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述弯折结构包括在主体结构的一端端部处形成的向第二方向延伸的第一弯折结构，和在主体结构的另一端端部处形成的向第二方向延伸的第二弯折结构，所述凸起设置于至少一个所述子像素电极的所述主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧，和/或所述凸起设置于至少一个所述子像素电极的所述主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧，所述主体结构和所述弯折结构的连接处的外侧为所述连接处与所述弯折结构的弯折方向相反的一侧。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起设置于每个所述子像素电极的所述主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧，以及每个所述子像素电极的所述主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，设置于每个所述子像素电极的所述主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的所述凸起朝着一个方向，设置于每个所述子像素电极的所述主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的所述凸起朝着另一方向，且所述子像素电极的所述主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的所述凸起，与所述子像素电极的所述主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的所述凸起朝着相反的方向。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起的轮廓是Λ字形或者是弧形。
7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极位于所述像素电极的下方。
8.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极和像素电极都是透明导电薄膜电极。
9.一种制作阵列基板的方法，包括下面的步骤：
在衬底基板上形成公共电极和像素电极，以及位于所述公共电极与像素电极之间的钝化层，其中所述像素电极为包括多条子像素电极的栅状结构，所述子像素电极包括在第一方向上延伸的主体结构，以及在其至少一端的端部处形成的向第二方向延伸的弯折结构；
在所述主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起。
10.根据权利要求9所述的制作阵列基板的方法，其中所述多条子像素电极是相互平行的。
11.根据权利要求10所述的制作阵列基板的方法，其中所述弯折结构包括在主体结构的一端端部处形成的向第二方向延伸的第一弯折结构，和在主体结构的另一端端部处形成的向第二方向延伸的第二弯折结构，其中在所述主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起的步骤包括：
在至少一个所述子像素电极的所述主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧形成凸起，和/或在至少一个所述子像素电极的所述主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧形成凸起，所述主体结构和所述弯折结构的连接处的外侧为所述连接处与弯折结构的弯折方向相反的一侧。
12.根据权利要求11所述的制作阵列基板的方法，其中在所述主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起的步骤包括：
在每个所述子像素电极的所述主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧以及在每个所述子像素电极的所述主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧都形成凸起。
13.根据权利要求12所述的制作阵列基板的方法，其中设置于每个所述子像素电极的所述主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的所述凸起朝着一个方向，设置于每个所述子像素电极的所述主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的所述凸起朝着另一方向，且所述子像素电极的所述主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的所述凸起，与所述子像素电极的所述主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的所述凸起朝着相反的方向。
14.根据权利要求9-13任一项所述的制作阵列基板的方法，其中所述凸起的轮廓是Λ字形或者是弧形。
15.根据权利要求9-13任一项所述的制作阵列基板的方法，其中在衬底基板上形成公共电极和像素电极的步骤包括：
在衬底基板上形成公共电极以及在所述公共电极上方形成像素电极。
16.根据权利要求9-13任一项所述的制作阵列基板的方法，其中所述公共电极和像素电极都是透明导电薄膜电极。
17.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板，还包括对向基板以及位于所述阵列基板和所述对向基板之间的液晶层，所述像素电极和公共电极用于形成电场驱动液晶层的液晶分子旋转。
18.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求17所述的液晶显示面板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017041448A1 (zh) * 2015-09-10 2017-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置
TWI647524B (zh) * 2017-05-09 2019-01-11 友達光電股份有限公司 陣列基板及液晶顯示面板
CN113467138A (zh) * 2021-07-20 2021-10-01 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示组件及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110824721B (zh) * 2019-09-24 2021-11-23 杭州驭光光电科技有限公司 衍射光学组件的设计方法及衍射光学组件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101101418A (zh) * 2006-07-07 2008-01-09 株式会社日立显示器 光学上具有各向同性性质的液晶材料、使用了该液晶材料的液晶显示面板以及液晶显示装置
CN101246289A (zh) * 2007-02-16 2008-08-20 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
US20100060838A1 (en) * 2008-09-09 2010-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method thereof
CN102213872A (zh) * 2010-04-02 2011-10-12 三星电子株式会社 像素电极面板、液晶显示面板组件及其制造方法
CN103941485A (zh) * 2013-02-26 2014-07-23 厦门天马微电子有限公司 边缘场开关模式液晶显示装置的像素单元和阵列基板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100935670B1 (ko) * 2003-04-04 2010-01-07 삼성전자주식회사 액정표시장치, 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR101230304B1 (ko) * 2005-09-07 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101430526B1 (ko) 2006-12-28 2014-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 갖는 표시 장치
US8865274B2 (en) 2010-04-02 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device, alignment film, and methods for manufacturing the same
CN104317123B (zh) * 2014-10-10 2017-05-03 上海中航光电子有限公司 像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置
CN105321959B (zh) 2015-09-10 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101101418A (zh) * 2006-07-07 2008-01-09 株式会社日立显示器 光学上具有各向同性性质的液晶材料、使用了该液晶材料的液晶显示面板以及液晶显示装置
CN101246289A (zh) * 2007-02-16 2008-08-20 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
US20100060838A1 (en) * 2008-09-09 2010-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method thereof
CN102213872A (zh) * 2010-04-02 2011-10-12 三星电子株式会社 像素电极面板、液晶显示面板组件及其制造方法
CN103941485A (zh) * 2013-02-26 2014-07-23 厦门天马微电子有限公司 边缘场开关模式液晶显示装置的像素单元和阵列基板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017041448A1 (zh) * 2015-09-10 2017-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置
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