CN105304645B - 一种阵列基板、其静电释放方法及相应装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、其静电释放方法及相应装置，该阵列基板增加了短路环单元，这样在阵列基板的制作工艺中，蒸镀阴极产生大量的静电时，由于阴极与静电释放回路中的电源信号线相连，因此电源信号线上产生大量静电，此时电源信号线可通过短路环单元将静电快速释放到静电释放回路；而当栅线或数据线上产生静电时，栅线和数据线可通过与其相连的静电释放单元将静电释放到电荷释放信号线上，进而通过与其邻近的短路环单元快速释放到电源信号线，从而将静电快速释放，相对于现有技术需要通过路径较长的静电释放回路进行静电释放，可以避免静电释放不及时的问题，提高了静电释放的效率，提高了阵列基板的性能。

Description

一种阵列基板、其静电释放方法及相应装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其静电释放方法及相应装置。
背景技术
众所周知，平板显示器具有功耗低、体积小、重量轻、超薄屏等许多其他显示器无法比拟的优点，近年来被广泛应用于单片机控制的智能仪器、仪表和低功耗电子产品中。
现有的显示面板主要包括两大类：液晶显示面板和有机电致发光显示面板。阵列基板作为显示面板的核心器件，其性能显得尤为重要。但是，现有的阵列基板存在抗静电击伤能力差的问题，经常出现静电击伤现象，从而导致面板上多个线路之间短路。尤其对于有机电致发光显示面板而言，在阵列基板的制作工艺中，进行蒸镀阴极的工艺制程过程中，容易产生大量的静电放电，这会对阵列基板造成很严重的破坏，降低了产品良率。为了对于上述静电问题，现有技术中一般通过在阵列基板中增加静电释放回路从而实现静电释放，但其静电释放路径较长，导致静电释放不及时，容易对基板上的其他线路造成破坏，从而产生大量不可控制的显示缺陷，降低了产品良率。
因此，如何改善阵列基板抗静电击伤能力差，静电释放路径较长的问题，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、其静电释放方法及相应装置，用以解决现有技术中存在的阵列基板抗静电击伤能力差，静电释放路径较长的问题。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：多条数据线、多条栅线、电源信号线、电荷释放信号线和多个静电释放单元；其中，所述电荷释放信号线与所述电源信号线平行设置，所述电荷释放信号线与所述电源信号线之间通过两个所述静电释放单元形成静电释放回路；每条所述栅线和/或每条所述数据线通过一个所述静电释放单元与所述电荷释放信号线相连；还包括：至少一个短路环单元；
所述短路环单元的第一控制端和第一输入端与所述电荷释放信号线相连，第一输出端与所述电源信号线相连，第二控制端和第二输入端与所述电源信号线相连，第二输出端与所述电荷释放信号线相连。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，相邻两条所述栅线和/或相邻两条所述数据线对应一个所述短路环单元。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述短路环单元，具体包括：第一开关晶体管和第二开关晶体管；其中，
所述第一开关晶体管的栅极与源极均与所述电荷释放信号线相连，漏极与所述电源信号线相连；
所述第二开关晶体管的栅极与源极均与所述电源信号线相连，漏极与所述电荷释放信号线相连。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述静电释放单元，具体包括：第三开关晶体管和第四开关晶体管；其中，
所述静电释放单元用于与所述电源信号线和所述电荷释放信号线组成静电释放回路，所述第三开关晶体管的栅极与源极均与所述电源信号线相连，漏极与所述电荷释放信号线相连；所述第四开关晶体管的栅极与源极均与所述电荷释放信号线相连，漏极与所述电源信号线相连；
所述静电释放单元用于连接所述栅线与所述电荷释放信号线，所述第三开关晶体管的栅极与源极均与所述栅线相连，漏极与所述电荷释放信号线相连；所述第四开关晶体管的栅极与源极均与所述电荷释放信号线相连，漏极与所述栅线相连；
所述静电释放单元用于连接所述数据线与所述电荷释放信号线，所述第三开关晶体管的栅极与源极均与所述数据线相连，漏极与所述电荷释放信号线相连；所述第四开关晶体管的栅极与源极均与所述电荷释放信号线相连，漏极与所述数据线相连。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述静电释放单元，具体包括：第五开关晶体管、第一电容和第二电容；其中，
所述静电释放单元用于与所述电源信号线和所述电荷释放信号线组成静电释放回路，所述第五开关晶体管的栅极分别与所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相连，源极分别与所述第一电容的另一端和所述电源信号线相连，漏极分别与所述第二电容的另一端和所述电荷释放信号线相连；
所述静电释放单元用于连接所述栅线与所述电荷释放信号线，所述第五开关晶体管的栅极分别与所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相连，源极分别与所述第一电容的另一端和所述栅线相连，漏极分别与所述第二电容的另一端和所述电荷释放信号线相连；
所述静电释放单元用于连接所述数据线与所述电荷释放信号线，所述第五开关晶体管的栅极分别与所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相连，源极分别与所述第一电容的另一端和所述数据线相连，漏极分别与所述第二电容的另一端和所述电荷释放信号线相连。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：有机电致发光结构；所述电源信号线与所述有机电致发光结构的阴极相连。
本发明实施例提供了一种本发明实施例提供的上述阵列基板的静电释放方法，包括：
当所述电源信号线上产生静电时，将静电通过所述短路环单元释放到所述静电释放回路中；
当所述栅线或所述数据线产生静电时，将静电通过与该所述栅线或所述数据线相连的所述静电释放单元释放到所述电荷释放信号线，且通过邻近该所述栅线或所述数据线的所述短路环单元释放到所述电源信号线。
本发明实施例提供了一种有机电致发光显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供了一种阵列基板、其静电释放方法及相应装置，该阵列基板，包括：多条数据线、多条栅线、电源信号线、电荷释放信号线和多个静电释放单元；其中，电荷释放信号线与电源信号线平行设置，电荷释放信号线与电源信号线之间通过两个静电释放单元形成静电释放回路；每条栅线和/或每条数据线通过一个静电释放单元与电荷释放信号线相连；还包括：至少一个短路环单元；短路环单元的第一控制端和第一输入端与电荷释放信号线相连，第一输出端电源信号线相连，第二控制端和第二输入端与电源信号线相连，第二输出端与电源信号线相连。这样在阵列基板的制作工艺中，蒸镀阴极产生大量的静电时，由于阴极与静电释放回路中的电源信号线相连，因此电源信号线上产生大量静电，此时电源信号线可通过短路环单元将静电快速释放到静电释放回路；而当栅线或数据线上产生静电时，栅线和数据线可通过与其相连的静电释放单元将静电释放到电荷释放信号线上，进而通过与其邻近的短路环单元快速释放到电源信号线，从而将静电快速释放，相对于现有技术需要通过路径较长的静电释放回路进行静电释放，可以避免静电释放不及时的问题，提高了静电释放的效率，提高了阵列基板的性能。
附图说明
图1a和图1b分别为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2a为本发明实施例提供的阵列基板中短路环单元的具体结构示意图；
图2b为本发明实施例提供的阵列基板中电源信号线上的静电释放示意图；
图2c为本发明实施例提供的阵列基板中栅线上的静电释放示意图；
图3a和图3b分别为本发明实施例提供的静电释放单元的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其静电释放方法及相应装置的具体实施方式进行详细地说明。
本发明实施例提供了一种阵列基板，如图1a和图1b所示(图1a表示在相邻栅线之间设置短路环单元，图1b表示在相邻数据线之间设置短路环单元)，包括：多条数据线Dn、多条栅线Gn、电源信号线Vss、电荷释放信号线Dh和多个静电释放单元ESD；其中，电荷释放信号线Dh与电源信号线Vss平行设置，电荷释放信号线Dh与电源信号线Vss之间通过两个静电释放单元ESD形成静电释放回路；每条栅线Gn和/或每条数据线Dn通过一个静电释放单元ESD与电荷释放信号线Dh相连；还包括：至少一个短路环单元DR；
短路环单元DR的第一控制端和第一输入端与电荷释放信号线Dh相连，第一输出端与电源信号线Vss相连，第二控制端和第二输入端与电源信号线Vss相连，第二输出端与电荷释放信号线Dh相连。
本发明实施例提供的上述阵列基板中，增加了短路环单元，这样在阵列基板的制作工艺中，蒸镀阴极产生大量的静电时，由于阴极与静电释放回路中的电源信号线相连，因此电源信号线上产生大量静电，此时电源信号线可通过短路环单元将静电快速释放到静电释放回路；而当栅线或数据线上产生静电时，栅线和数据线可通过与其相连的静电释放单元将静电释放到电荷释放信号线上，进而通过与其邻近的短路环单元快速释放到电源信号线，从而将静电快速释放，相对于现有技术需要通过路径较长的静电释放回路进行静电释放，可以避免静电释放不及时的问题，提高了静电释放的效率，提高了阵列基板的性能。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1a和图1b所示，相邻两条栅线和/或相邻两条数据线对应一个短路环单元。具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板中，相邻两条栅线和/或相邻两条数据线之间可以设置一个短路环单元，这样可以保证每条栅线或每条数据线上产生静电时，都有对应的短路环单元可以将静电进行快速释放，即每条栅线或每条数据线可以通过与其最邻近的短路环单元进行静电释放，提高静电释放效率。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2a所示，短路环单元，可以具体包括：第一开关晶体管T1和第二开关晶体管T2；其中，第一开关晶体管T1的栅极与源极均与电荷释放信号线Dh相连，漏极与电源信号线Vss相连；第二开关晶体管T2的栅极与源极均与电源信号线Vss相连，漏极与电荷释放信号线Dh相连。具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板中，由第一开关晶体管和第二开关晶体管构成的上述结构，可以实现短路环单元的功能，即可以将临近线路上的静电进行快速释放，例如图2b所示，电源信号线上虚线框m标注的位置产生静电时，与虚线框m标注位置最接近的短路环单元中的开关晶体管Tn开启，因此可以将该处产生的静电通过开启的开关晶体管Tn快速释放进静电释放回路；例如图2c所示，栅线Gn上虚线框p标注的位置产生静电时，栅线Gn通过与其对应的静电释放单元ESD将静电释放到电荷释放信号线Dh上，进而与栅线Gn最接近的短路环单元中开关晶体管Tq开启，因此可以将该处产生的静电通过开启的开关晶体管Tq释到电源线号线Vss，最终将静电释放到阴极，这样通过邻近的短路环单元迅速将静电释放，可以避免静电释放不及时的问题，提高了静电释放效率。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，静电释放单元，如图3a所示，可以具体包括：第三开关晶体管T3和第四开关晶体管T4；其中，静电释放单元用于与电源信号线和电荷释放信号线组成静电释放回路，第三开关晶体管T3的栅极与源极均与电源信号线相连，漏极与电荷释放信号线相连；第四开关晶体管T4的栅极与源极均与电荷释放信号线相连，漏极与电源信号线相连；静电释放单元用于连接栅线与电荷释放信号线，第三开关晶体管T3的栅极与源极均与栅线相连，漏极与电荷释放信号线相连；第四开关晶体管T4的栅极与源极均与电荷释放信号线相连，漏极与栅线相连；静电释放单元用于连接数据线与电荷释放信号线，第三开关晶体管T3的栅极与源极均与数据线相连，漏极与电荷释放信号线相连；第四开关晶体管T4的栅极与源极均与电荷释放信号线相连，漏极与数据线相连。具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板中，由第三开关晶体管和第四开关晶体管组成的上述结构，可以实现静电释放单元的功能，其既可以与电源信号线和电荷释放信号线组成静电释放回路，也可以将临近线路例如栅线或数据线上的静电快速导入静电释放回路进行释放。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，静电释放单元，如图3b所示，可以具体包括：第五开关晶体管T5、第一电容C1和第二电容C2；其中，静电释放单元用于与电源信号线和电荷释放信号线组成静电释放回路，第五开关晶体管T5的栅极分别与第一电容C1的一端和第二电容C2的一端相连，源极分别与第一电容C1的另一端和电源信号线相连，漏极分别与第二电容C2的另一端和电荷释放信号线相连；静电释放单元用于连接栅线与电荷释放信号线，第五开关晶体管T5的栅极分别与第一电容C1的一端和第二电容C2的一端相连，源极分别与第一电容C1的另一端和栅线相连，漏极分别与第二电容C2的另一端和电荷释放信号线相连；静电释放单元用于连接数据线与电荷释放信号线，第五开关晶体管T5的栅极分别与第一电容C1的一端和第二电容C2的一端相连，源极分别与第一电容C1的另一端和数据线相连，漏极分别与第二电容C2的另一端和电荷释放信号线相连。具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板中，由第五开关晶体管、第一电容和第二电容组成的上述结构，可以实现静电释放单元的功能，其既可以与电源信号线和电荷释放信号线组成静电释放回路，也可以将临近线路例如栅线或数据线上的静电快速导入静电释放回路进行释放。
需要说明的是，本发明上述实施例中提到的开关晶体管可以是薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(MOS，Metal OxideScmiconductor)，在此不做限定，在具体实施中，这些晶体管的源极和漏极可以互换，不做具体区分。且本发明实施例提供的静电释放单元的电路结构仅简单列举了两个具体实施例，在具体实施时，静电释放单元还可以以其他可以实现其功能的电路结构实现，在此不作限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，还可以包括：有机电致发光结构；电源信号线与有机电致发光结构的阴极相连。具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板中，有机电致发光结构的阴极蒸镀工艺易产生静电，将阴极与电源信号线相连，从而可以将阴极上的静电快速释放到静电释放回路，也可以将其他线路上的静电通过短路环单元释放到静电释放回路，最终释放到阴极，使静电得到快速释放，避免静电释放不及时的问题。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种本发明实施例提供的上述阵列基板的静电释放方法，具体可以包括以下步骤：
当电源信号线上产生静电时，将静电通过短路环单元释放到静电释放回路中；
当栅线或数据线产生静电时，将静电通过与该栅线或数据线相连的静电释放单元释放到电荷释放信号线，且通过邻近该栅线或数据线的短路环单元释放到电源信号线。
在具体实施时，当电源信号线上产生大量静电时，电源信号线可通过短路环单元将静电快速释放到静电释放回路；而当栅线或数据线上产生静电时，栅线和数据线可通过与其相连的静电释放单元将静电释放到电荷释放信号线上，进而通过与其邻近的短路环单元快速释放到电源信号线，最终将静电快速释放，相对于现有技术需要通过路径较长的静电释放回路进行静电释放，可以避免静电释放不及时的问题，从而提高了静电释放的效率，提高了阵列基板的性能。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种有机电致发光显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。由于该有机电致发光显示解决问题的原理与阵列基板相似，因此该有机电致发光显示的实施可以参见上述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与有机电致发光显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述有机电致发光显示面板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供了一种阵列基板、其静电释放方法及相应装置，该阵列基板，包括：多条数据线、多条栅线、电源信号线、电荷释放信号线和多个静电释放单元；其中，电荷释放信号线与电源信号线平行设置，电荷释放信号线与电源信号线之间通过两个静电释放单元形成静电释放回路；每条栅线和/或每条数据线通过一个静电释放单元与电荷释放信号线相连；还包括：至少一个短路环单元；短路环单元的第一控制端和第一输入端与电荷释放信号线相连，第一输出端电源信号线相连，第二控制端和第二输入端与电源信号线相连，第二输出端与电源信号线相连。这样在阵列基板的制作工艺中，蒸镀阴极产生大量的静电时，由于阴极与静电释放回路中的电源信号线相连，因此电源信号线上产生大量静电，此时电源信号线可通过短路环单元将静电快速释放到静电释放回路；而当栅线或数据线上产生静电时，栅线和数据线可通过与其相连的静电释放单元将静电释放到电荷释放信号线上，进而通过与其邻近的短路环单元快速释放到电源信号线，从而将静电快速释放，相对于现有技术需要通过路径较长的静电释放回路进行静电释放，可以避免静电释放不及时的问题，提高了静电释放的效率，提高了阵列基板的性能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括：多条数据线、多条栅线、电源信号线、电荷释放信号线和多个静电释放单元；其中，所述电荷释放信号线与所述电源信号线平行设置，所述电荷释放信号线与所述电源信号线之间通过两个所述静电释放单元形成静电释放回路；每条所述栅线和/或每条所述数据线通过一个所述静电释放单元与所述电荷释放信号线相连；其特征在于，还包括：至少一个短路环单元；
所述短路环单元的第一控制端和第一输入端与所述电荷释放信号线相连，第一输出端与所述电源信号线相连，第二控制端和第二输入端与所述电源信号线相连，第二输出端与所述电荷释放信号线相连。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻两条所述栅线和/或相邻两条所述数据线对应一个所述短路环单元。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述短路环单元，具体包括：第一开关晶体管和第二开关晶体管；其中，
所述第一开关晶体管的栅极与源极均与所述电荷释放信号线相连，漏极与所述电源信号线相连；
所述第二开关晶体管的栅极与源极均与所述电源信号线相连，漏极与所述电荷释放信号线相连。
4.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述静电释放单元，具体包括：第三开关晶体管和第四开关晶体管；其中，
所述静电释放单元用于与所述电源信号线和所述电荷释放信号线组成静电释放回路，所述第三开关晶体管的栅极与源极均与所述电源信号线相连，漏极与所述电荷释放信号线相连；所述第四开关晶体管的栅极与源极均与所述电荷释放信号线相连，漏极与所述电源信号线相连；
所述静电释放单元用于连接所述栅线与所述电荷释放信号线，所述第三开关晶体管的栅极与源极均与所述栅线相连，漏极与所述电荷释放信号线相连；所述第四开关晶体管的栅极与源极均与所述电荷释放信号线相连，漏极与所述栅线相连；
所述静电释放单元用于连接所述数据线与所述电荷释放信号线，所述第三开关晶体管的栅极与源极均与所述数据线相连，漏极与所述电荷释放信号线相连；所述第四开关晶体管的栅极与源极均与所述电荷释放信号线相连，漏极与所述数据线相连。
5.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述静电释放单元，具体包括：第五开关晶体管、第一电容和第二电容；其中，
所述静电释放单元用于与所述电源信号线和所述电荷释放信号线组成静电释放回路，所述第五开关晶体管的栅极分别与所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相连，源极分别与所述第一电容的另一端和所述电源信号线相连，漏极分别与所述第二电容的另一端和所述电荷释放信号线相连；
所述静电释放单元用于连接所述栅线与所述电荷释放信号线，所述第五开关晶体管的栅极分别与所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相连，源极分别与所述第一电容的另一端和所述栅线相连，漏极分别与所述第二电容的另一端和所述电荷释放信号线相连；
所述静电释放单元用于连接所述数据线与所述电荷释放信号线，所述第五开关晶体管的栅极分别与所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相连，源极分别与所述第一电容的另一端和所述数据线相连，漏极分别与所述第二电容的另一端和所述电荷释放信号线相连。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：有机电致发光结构；所述电源信号线与所述有机电致发光结构的阴极相连。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的阵列基板的静电释放方法，其特征在于，包括：
当所述电源信号线上产生静电时，将静电通过所述短路环单元释放到所述静电释放回路中；
当所述栅线或所述数据线产生静电时，将静电通过与该所述栅线或所述数据线相连的所述静电释放单元释放到所述电荷释放信号线，且通过邻近该所述栅线或所述数据线的所述短路环单元释放到所述电源信号线。
8.一种有机电致发光显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的有机电致发光显示面板。
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