CN105302363A - 一种触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置，先在彩膜基板上形成触控电极，再在形成有触控电极的彩膜基板上形成配向膜，最后将上述彩膜基板与预先形成的阵列基板对盒。即在形成配向膜与灌注液晶之前就形成触控电极，因此不管形成触控电极的工艺需要采用多高的温度都并不会影响之后形成的配向膜和液晶分子的特性，从而能够实现在保证触控电极性能的基础上避免对液晶分子和配向膜产生影响。

Description

一种触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置

技术领域

本发明涉及触控显示技术领域，尤指一种触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，触摸屏(TouchScreenPanel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为：外挂式触摸屏(AddonModeTouchPanel)、覆盖表面式触摸屏(OnCellTouchPanel)、以及内嵌式触摸屏(InCellTouchPanel)。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(LiquidCrystalDisplay，LCD)分开生产，然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。

OnCell触摸屏由于容易在显示面板上形成触控电极，因此是目前很多触摸屏厂家的首选。目前在制作应用于液晶显示面板的OnCell触摸屏时，如图1所示，一般是在对盒以后的液晶显示面板的彩膜基板1上形成触控电极2，为了保证透过率，一般均采用ITO(铟锡氧化物)材料制备触控电极，但是形成在彩膜基板1上的ITO触控电极2为了达到要求的透过率和电阻值，需要在沉积ITO材料以后，对ITO材料进行温度在200度以上的高温退火处理，但是温度高会对影响液晶显示面板中的液晶分子3以及配向膜4的特性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置，用以在保证触控电极性能的基础上避免对液晶显示面板中的液晶分子和配向膜产生影响。

本发明实施例提供的一种触摸屏的制备方法，包括：

在彩膜基板上形成触控电极；

在形成有所述触控电极的彩膜基板面向阵列基板一侧形成配向膜；

将上述彩膜基板与预先形成的阵列基板对盒。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在形成触控电极之后，在形成配向膜之前，还包括：

在所述彩膜基板面向阵列基板一侧形成彩色滤光层和黑矩阵。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，所述触控电极的材料为金属，所述黑矩阵在所述彩膜基板的正投影覆盖所述触控电极在所述彩膜基板的正投影。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，所述触控电极的材料为透明导电氧化物材料；在彩膜基板上形成触控电极，具体包括：

在所述彩膜基板上形成透明导电氧化物膜层；

对所述透明导电氧化物膜层进行构图形成初始触控电极的图形；

对所述初始触控电极进行退火处理形成触控电极。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在形成所述触控电极之后，形成所述彩色滤光层和黑矩阵之前，还包括：

在所述彩膜基板上形成覆盖所述触控电极的绝缘层。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，所述透明导电氧化物材料为铟锡氧化物。

相应地，本发明实施例还提供了一种触摸屏，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，位于所述彩膜基板和阵列基板之间的彩色滤光层和黑矩阵，还包括：位于所述彩膜基板背离所述阵列基板一侧的触控电极；其中，

所述触控电极的材料为金属，所述黑矩阵在所述彩膜基板的正投影覆盖所述触控电极在所述彩膜基板的正投影。

较佳地，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，所述彩色滤光层位于所述彩膜基板面向所述阵列基板一侧；和/或

所述黑矩阵位于所述所述彩膜基板面向所述阵列基板一侧。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种触摸屏。

本发明实施例提供的上述触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置，先在彩膜基板上形成触控电极，再在形成有触控电极的彩膜基板上形成配向膜，最后将上述彩膜基板与预先形成的阵列基板对盒。即在形成配向膜与灌注液晶之前就形成触控电极，因此不管形成触控电极的工艺需要采用多高的温度都并不会影响之后形成的配向膜和液晶分子的特性，从而能够实现在保证触控电极性能的基础上避免对液晶分子和配向膜产生影响。

附图说明

图1为现有的OnCell触摸屏的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的触摸屏的制备方法的流程示意图；

图3a至图4b分别为本发明实施例提供的制备方法在执行各步骤后对应的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的触摸屏的结构示意图之一；

图6a为本发明实施例提供的触摸屏的结构示意图之二；

图6b为本发明实施例提供的触摸屏的结构示意图之三。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各膜层的厚度和形状不反映触摸屏的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种触摸屏的制备方法，如图2所示，可以包括以下步骤：

S201、在彩膜基板02上形成触控电极03，如图3a；

S202、在形成有触控电极03的彩膜基板02面向阵列基板01一侧形成配向膜04，如图3b和图4a所示；

S203、将上述彩膜基板02与预先形成的阵列基板01对盒，如图3c和图4b所示。

本发明实施例提供的上述触摸屏的制备方法，先在彩膜基板上形成触控电极，再在形成有触控电极的彩膜基板上形成配向膜，最后将上述彩膜基板与预先形成的阵列基板对盒。即在形成配向膜与灌注液晶之前就形成触控电极，因此不管形成触控电极的工艺需要采用多高的温度都并不会影响之后形成的配向膜和液晶分子的特性，从而能够实现在保证触控电极性能的基础上避免对液晶分子和配向膜产生影响。

进一步地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在形成触控电极之后，在形成配向膜之前，一般还包括：

在彩膜基板面向阵列基板一侧形成彩色滤光层和黑矩阵。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，触控电极的材料可以为金属材料，也可以为透明导电氧化物材料，在此不作限定。

具体地，当触控电极的材料为金属材料时，可以在彩膜基板面向阵列一侧形成触控电极，这样可以防止异物对触控电极造成不良；当然也可以在彩膜基板背离阵列基板一侧形成触控电极，在此不作限定。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，当触控电极的材料为金属时，为了避免触控电极占用显示区域面积，将触控电极形成在将要形成的黑矩阵所覆盖的区域内，即黑矩阵在彩膜基板的正投影覆盖触控电极在彩膜基板的正投影。

具体地，当触控电极的材料为透明导电氧化物材料时，可以在彩膜基板面向阵列一侧形成触控电极，也可以在彩膜基板背离阵列基板一侧形成触控电极，在此不作限定。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，当触控电极的材料为透明导电氧化物材料时；在彩膜基板上形成触控电极，具体包括：

在彩膜基板上形成透明导电氧化物膜层；

对透明导电氧化物膜层进行构图形成初始触控电极的图形；

对初始触控电极进行退火处理形成触控电极。

由于对初始触控电极进行退火处理是在形成配向膜之前进行的，因此可以采用任何能够使触控电极的透过率和电阻值达到要求的温度进行退火，从而解决了现有技术中触控电极性能和显示面板性能不能兼顾的问题。并且，由于触控电极的性能不受温度限制，因此与现有技术相比还可以将触控电极的厚度做的更薄，从而降低触摸屏的整体厚度。

进一步地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，透明导电氧化物一般为铟锡氧化物(ITO)，在此不作限定。

进一步地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，当触控电极位于彩膜基板面向阵列基板一侧时，在形成触控电极之后，形成彩色滤光层和黑矩阵之前，还包括：在彩膜基板上形成覆盖触控电极的绝缘层。这样当触控电极在后续工艺中发生断裂时，可以将形成有触控电极的彩膜基板通过绝缘层与上面的彩色滤光层和黑矩阵等膜层进行分离。

需要说明的是，本发明实施例仅是限定的配向膜和触控电极在彩膜基板上的制备顺序，对于实现液晶显示功能还需要在彩膜基板上和阵列基板上形成的其它膜层的工艺与现有技术一样，在此不作详述。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种触摸屏，如图5所示，包括：相对设置的阵列基板01和彩膜基板02，位于彩膜基板02和阵列基板01之间的彩色滤光层05和黑矩阵06，还包括：位于彩膜基板02背离阵列基板01一侧的触控电极03；其中，

触控电极03的材料为金属，黑矩阵06在彩膜基板02的正投影覆盖触控电极03在彩膜基板02的正投影。

本发明实施例提供的上述触摸屏，由于触控电极的材料为金属材料，因此制作金属材料的触控电极时不需要进行热工艺，因此触控电极的制作并不会影响触摸屏中配向膜和液晶分子的特性，并且金属材料的电阻值较低，完全符合触控电极的电阻要求；另外将触控电极设置于黑矩阵所覆盖的区域，避免触控电极占用显示区域的面积，从而保证了触摸屏的开口率。并且，由于触控电极不占用显示区域面积，还可以保证触摸屏的光透过率。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，彩色滤光层可以位于彩膜基板面向阵列基板一侧，当然也可以位于阵列基板面向彩膜基板一侧，在此不作限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，黑矩阵可以位于彩膜基板面向阵列基板一侧，当然也可以位于阵列基板面向彩膜基板一侧，在此不作限定。

进一步地，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，如图5所示，彩色滤光层05和黑矩阵06均位于彩膜基板02面向阵列基板01一侧。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种触摸屏，如图6a和图6b所示，包括：相对设置的阵列基板01和彩膜基板02，位于彩膜基板02面向阵列基板01一侧的配向膜04，还包括：位于彩膜基板02面向阵列基板01一侧的触控电极03；其中，触控电极03的材料为透明导电氧化物。

本发明实施例提供的上述触摸屏，由于触控电极位于配向膜与彩膜基板之间，因此在制备时是先形成触控电极后形成配向膜，因此触控电极的形成并不会影响配向膜和后期液晶的特性，从而可以使触控电极的透过率和电阻值均达到需要的要求。

进一步地，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，如图6a和图6b所示，还包括位于彩膜基板02与阵列基板之间的彩色滤光层05和黑矩阵06。

较佳地，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，如图6b所示，在彩色滤光层05与触控电极03之间还包括覆盖触控电极03的绝缘层07，这样当触控电极在后续工艺中发生断裂时，可以将形成有触控电极的彩膜基板通过绝缘层与上面的彩色滤光层和黑矩阵等膜层进行分离。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述内嵌式触摸屏的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的一种触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置，先在彩膜基板上形成触控电极，再在形成有触控电极的彩膜基板上形成配向膜，最后将上述彩膜基板与预先形成的阵列基板对盒。即在形成配向膜与灌注液晶之前就形成触控电极，因此不管形成触控电极的工艺需要采用多高的温度都并不会影响之后形成的配向膜和液晶分子的特性，从而能够实现在保证触控电极性能的基础上避免对液晶分子和配向膜产生影响。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种触摸屏的制备方法，其特征在于，包括：

在彩膜基板上形成触控电极；

在形成有所述触控电极的彩膜基板面向阵列基板一侧形成配向膜；

将上述彩膜基板与预先形成的阵列基板对盒。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成触控电极之后，在形成配向膜之前，还包括：

在所述彩膜基板面向阵列基板一侧形成彩色滤光层和黑矩阵。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述触控电极的材料为金属，所述黑矩阵在所述彩膜基板的正投影覆盖所述触控电极在所述彩膜基板的正投影。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述触控电极的材料为透明导电氧化物材料；在彩膜基板上形成触控电极，具体包括：

在所述彩膜基板上形成透明导电氧化物膜层；

对所述透明导电氧化物膜层进行构图形成初始触控电极的图形；

对所述初始触控电极进行退火处理形成触控电极。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在形成所述触控电极之后，形成所述彩色滤光层和黑矩阵之前，还包括：

在所述彩膜基板上形成覆盖所述触控电极的绝缘层。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电氧化物材料为铟锡氧化物。

7.一种触摸屏，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，位于所述彩膜基板和阵列基板之间的彩色滤光层和黑矩阵，其特征在于，还包括：位于所述彩膜基板背离所述阵列基板一侧的触控电极；其中，

所述触控电极的材料为金属，所述黑矩阵在所述彩膜基板的正投影覆盖所述触控电极在所述彩膜基板的正投影。

8.如权利要求7所述的触摸屏，其特征在于，所述彩色滤光层位于所述彩膜基板面向所述阵列基板一侧；和/或

所述黑矩阵位于所述所述彩膜基板面向所述阵列基板一侧。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的触摸屏。