CN202794786U - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板包括：显示区域和位于所述显示区域周边的非显示区域，所述非显示区域包括金属引线，所述金属引线之间设置有第一BM。本实用新型通过在非显示区域的金属引线之间设置BM，能够有效地避免甚至消除由于断差产生的各种Mura，以及在液晶取向工艺(Rubbing)中由于阵列基板的Pad区的Test Pad放置而产生的Rubbing Mura问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示器领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的周边通常会布置有周边电路、封条(Seal)、无效黑矩阵(DummyBlack Matrix，Dummy BM)等等，其中，所述BM主要用于遮挡LCD上像素电极之外区域光线的透过；而Dummy BM是指位于彩膜基板上的LCD周边的BM，其中，所述LCD周边是指Dummy区域，如非显示区域。
通常Dummy BM会比彩膜薄，这样便会造成Dummy区域对应的阵列基板和彩膜基板之间的间距大于显示区域的间距，进而会造成多余的液晶选择向周边阻力较小的Dummy区域流动，使得较多液晶在LCD边缘聚集，造成液晶显示器显示不均匀(Mura)的问题；而且，在阵列基板的Pad区，如图1所示，栅极线引线2上设置有栅绝缘(GI)层3、钝化(PVX)层4，但是相邻的栅极线引线2之间仍然存在较大的薄膜断差，由于该断差会进一步加重液晶的聚集，如此，Mura的问题更为严重。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种阵列基板及显示装置，能够消除阵列基板的Mura问题。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域周边的非显示区域，所述非显示区域包括金属引线，所述金属引线之间设置有第一黑矩阵BM。
其中，所述金属引线为栅极线引线。
其中，所述金属引线为数据线引线。
其中，所述第一BM的厚度与所述金属引线的厚度相同。
进一步地，所述显示区域包括栅极线、与所述栅极线交叉设置的数据线、薄膜晶体管TFT；其中，
所述栅极线和所述数据线围设形成像素区域，紧邻所述栅极线和/或所述数据线设置有第二BM。
进一步地，所述TFT区域的上方或者下方设置有第二BM。
进一步地，所述第二BM和所述像素区域不相互重叠。
一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的阵列基板。
本实用新型通过在非显示区域的金属引线之间设置BM，能够有效地避免甚至消除由于断差产生的各种Mura，以及在液晶取向工艺(Rubbing)中由于阵列基板的Pad区的测试点(Test Pad)放置而产生的Rubbing Mura问题。
附图说明
图1为现有的阵列基板Pad区的栅极线引线结构示意图；
图2为本实用新型阵列基板pad区金属引线部分的俯视图；
图3为本实用新型阵列基板Pad区的金属引线结构示意图。
附图标记说明：
1-玻璃基板；2-栅极线引线；3-GI层；4-PVX层；5-金属引线；6-BM。
具体实施方式
本实用新型提供一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域周边的非显示区域，所述非显示区域包括金属引线，所述金属引线之间设置有第一黑矩阵BM6。
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下举实施例并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。
目前传统的制造工艺是将BM、彩膜(CF)、隔垫物(PS)做在彩膜基板上；栅极线、数据线、金属电极等做在阵列基板上，本实用新型则是将彩膜基板上的BM做在阵列基板上，如此并不需要增加工艺过程中的总掩膜板的数量。本实用新型既可以适用于边缘场开关显示技术(FFS)产品，还可以适用于扭转型(Twist Nematic，TN)产品，鉴于FFS产品对于Rubbing更敏感，更容易由于断差的问题导致Mura产生，因此，下面以FFS产品工艺为例进行具体工艺说明，FFS产品的工艺包括以下步骤：
步骤1、按照传统BM的设计要求先在阵列基板上形成一层BM花样，同时BM的厚度与阵列基板的非显示区域的金属引线的厚度尽量相当；
步骤2、进行栅金属掩膜：与传统工艺相同，在阵列基板上沉积栅金属薄膜；添加的BM掩膜(Mask)填补了原有工艺中阵列基板pad区栅极线引线之间的空隙；
步骤3、有源层Mask：与传统工艺相同，在阵列基板上沉积有源层；
步骤4、沉积有源层后进行第一次氧化铟锡(ITO)Mask形成公共电极，然后依次形成数据线，绝缘层；这里，添加的BM掩膜(Mask)填补了原有工艺中阵列基板pad区数据线引线之间的空隙；
步骤5、第二次ITO Mask：与传统工艺一致，最后沉积ITO像素电极。
通过上述工艺，可以消除断差的影响，有效地避免甚至消除由于断差产生的各种Mura，以及Rubbing中由于阵列基板的Pad区的Test Pad放置而产生的Rubbing Mura等影响。
图2为根据上述工艺步骤得到的本实用新型阵列基板pad区金属引线部分的俯视图，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的非显示区域，所述非显示区域包括金属引线5，如图2所示，所述非显示区域的金属引线5之间设置有第一黑矩阵BM 6。
具体可以参考图3，图3示出了本实用新型阵列基板Pad区的金属引线结构，由图3可知，所述BM的厚度与栅极线引线2的厚度相同。
进一步地，所述BM 6的形状与所述栅极线之间空隙的形状相同。
进一步地，所述金属引线5具体可以为栅极线引线或数据线引线。
进一步地，所述BM 6的厚度与所述金属引线5的厚度相同。
进一步地，所述阵列基板的显示区域包括栅极线、与所述栅极线交叉设置的数据线、薄膜晶体管(TFT)；其中，
所述栅极线和所述数据线围设形成像素区域，紧邻所述栅极线和/或所述数据线还可以设置第二黑矩阵BM。将黑矩阵设置在阵列基板上，相比较设置在彩膜基板上，提高了对位精度。
进一步地，所述TFT区域的上方或者下方可以进一步设置有BM。
其中，所述BM和所述像素区域不相互重叠。
本实用新型实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板，所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
本实用新型通过在非显示区域的金属引线之间设置BM，能够有效地避免甚至消除由于断差产生的各种Mura，以及Rubbing中由于阵列基板的Pad区的Test Pad放置而产生的Rubbing Mura；并且由于BM位于阵列基板，可以不用考虑对位精度的影响，而只考虑各层之间的覆盖(Overlay)精度影响，通常来说目前对位精度±6.5um，Overlay精度为±1.5um，如此能够有效地提高TFT的开口率。
以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域周边的非显示区域，所述非显示区域包括金属引线，其特征在于，所述金属引线之间设置有第一黑矩阵BM。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属引线为栅极线引线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属引线为数据线引线。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一BM的厚度与所述金属引线的厚度相同。
5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域包括栅极线、与所述栅极线交叉设置的数据线、薄膜晶体管TFT；其中，
所述栅极线和所述数据线围设形成像素区域，紧邻所述栅极线和/或所述数据线设置有第二BM。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区域的上方或者下方设置有第二BM。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二BM和所述像素区域不相互重叠。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104280939A (zh) * | 2014-09-16 | 2015-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示装置 |
| CN104765214A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft基板及其制造方法、显示装置 |
| WO2016074413A1 (zh) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
| CN105824162A (zh) * | 2016-06-01 | 2016-08-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN106990618A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
| CN109085949A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-25 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104280939A (zh) * | 2014-09-16 | 2015-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示装置 |
| WO2016074413A1 (zh) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
| US9798192B2 (en) | 2014-11-14 | 2017-10-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device |
| CN104765214A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft基板及其制造方法、显示装置 |
| CN105824162A (zh) * | 2016-06-01 | 2016-08-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN106990618A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
| WO2018223953A1 (zh) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
| CN106990618B (zh) * | 2017-06-05 | 2019-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
| US11314115B2 (en) | 2017-06-05 | 2022-04-26 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method therefor, display panel and display device |
| CN109085949A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-25 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
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