CN105264577A - 验证设备和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可操作为确定聚合物膜的真实性的验证设备，其包括基于光学的光折射率测量布置，所述布置可操作为从包括与所述膜的平面所成的非垂直角的第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个来测量受所述膜的双折射率特性影响的第一效应；并且其中所述设备可操作为：将表示如从所述第一角度测得的所述第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对所述第一角度的预定双折射率特性；将表示如从所述第二角度和所述第三角度中的所述至少一个测得的所述第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号。还提供了确定聚合物膜的真实性的一种或多种方法。

Description

验证设备和方法

本发明涉及一种验证设备和方法，特别但不完全涉及一种用于验证聚合物膜的验证设备和方法。

在安全性、验证、识别和防伪至关重要的领域中，聚合物膜正越来越多地用作衬底。此类领域中的基于聚合物的产品包含(例如)钞票、重要文件(例如，ID材料，例如(例如)护照和地契、股票和学历证书)、出于防伪目的用于包装高价值商品的膜和安全卡。

基于聚合物的安全材料在安全性、功能性、耐久性、成本有效性、清洁度、加工性和环境因素方面具有优势。在这些因素当中最值得注意的也许是安全优势。纸质钞票(例如)可能相对容易复制，且在具有基于聚合物的钞票的国家中假币的出现率要低于具有纸质钞票的国家。基于聚合物的钞票也更为持久且不大容易撕破。

基于聚合物膜的安全材料有助于融入多种可见的和隐藏的安全特征。由于第一代聚合物钞票的引入大致是在30年前，所以安全特征已包含了光学可变图像(OVD)、混浊特征、印刷安全特征安全线、压花、透明窗和衍射光栅。除复杂的安全特征之外，还存在更为直接的优势：如果假币制造者仅仅是使用复印机来试图复制安全材料(例如，钞票)，那么此类机器所用的高温将常常导致聚合物基材料熔化或变形。

可将多种聚合物用作安全衬底。其中包含聚丙烯膜。制造聚丙烯膜的三种主要方法是拉幅法、铸造法和气泡法。

在铸造法和拉幅法中，通常将聚合物切片放置在挤压机中并加热，使得将挤出物从缝模中赶到冷硬轧辊上以形成膜(在铸造法的情况下)或厚实聚合物条带(在拉幅法的情况下)。在拉幅法中，接着重新加热所述厚实聚合物条带，且接着在长度方向(称为“机器方向”)和宽度方向(称为“横向方向”上进行拉伸以形成膜。一般来说，机器方向和横向方向上的拉伸是顺序地发生且大体上是不均匀的(即，与机器方向相比，横向方向上的拉伸程度更大)。

在气泡法中，聚合物被挤出穿过环形模而不是穿过缝模，以形成相对厚实的挤出物，所述挤出物呈让空气吹过的空心圆柱体或“排水管”形状。环形模位于设备顶部，所述设备通常相当于几层楼高(例如，40到50米)。挤出物向下移动且顺序地加热，使得其膨胀而形成气泡。气泡接着被分成两个半泡，每个半泡可个别地用作“单网”模；或替代地，两个半部可捏合和层压在一起以形成两倍厚度的膜(或气泡可溃灭以形成两倍厚度的膜)。通常，在模处存在三个同心环，使得空心圆柱体是三个层的挤出物。举例来说，可存在聚丙烯的核心层以及位于一侧上的三元共聚物表层和位于另一侧上的另一个三元共聚物表层。在这种情况下，单网将由三个层组成(其中聚丙烯在中间)，且双网将由五个层组成，因为中间的层将是每个半泡的同一个表层(三元共聚物)。许多其它可能的布置和部件是有可能的(例如，就环的数目、表层恶毒类型、核心层的类型等来说)。

因此，气泡法是通过形成气泡来产生薄膜(例如，厚度为10到100微米)，而拉幅法是通过在扁平框架上拉伸材料来产生薄膜。在气泡法中，在机器方向和横向方向两个方向上同时发生拉伸，且两个方向上的拉伸程度大体上是相同的。因此，气泡法产生被均匀地拉伸的膜，这与拉幅膜不同并且出于一些目的而胜过拉幅膜。双轴取向聚丙烯(BOPP)膜由英诺薄膜公司(Wigton，UK)通过气泡工艺制成。除聚丙烯之外，还可使用气泡工艺将其它聚合物(例如，LLDPE、聚丙烯/丁烯共聚物)形成为薄膜。

众所周知，将特征引入被用作安全文件、身份证明文件或有价值的文件和物品的衬底的膜中，所述特征不容易为潜在非授权用户或假币制造者所显而易见且即使在被识别的情况下其仍无法轻易再现。此类安全特征的引入也可适用于需要对验证进行确认的其它标记或物品(例如，入场文件和票券)。

先前的验证设备和方法使用已知的安全文件衬底薄片，其允许电磁辐射通过(例如，在电磁谱的可见区域中呈透明)。众所周知，通过将不透明墨印刷到透明塑料衬底材料薄片上而留下透明窗，产生了安全文件。所得窗提供公开的安全特征，所述安全特征对于人眼来说是显而易见。众所周知，将额外光学安全特征(例如，由衍射光栅形成的光学可变图像)印刷、蚀刻或嵌入到所得透明窗之上或之中，以提供额外公开的安全特征。众所周知，提供可以从这些额外光学安全特征的存在或不存在来确定真实性的自动验证设备，但此类设备通常复杂且昂贵。

WO2009/133390公开了一种验证聚合物膜的方法，其包括测量其中的核心层的双折射率。图1到图3示出用于观测双折射率的不同方法的设备的部件，如WO2009/133390中所公开。

双折射率或重折射率是由材料针对两种不同偏振(s偏振和p偏振)及在其表面平面的两轴之间的折射率差异所引起的材料性质。

双折射材料在面对偏振光(例如，由穿过第一偏振器的光形成)时将光分裂成寻常O射线和非常E射线，这两种射线因透射穿过双折射材料而延迟，但受延迟的程度不同。在透射穿过相对于偏振光处于90°的第二偏振器(例如，关于第一偏振器的偏振取向处于90°)之后，两种射线(即，寻常射线和非常射线)重组合且彼此相消或相长干涉。所产生的效应是呈正弦波形式的可变透射，因为双折射材料从最小值(相对于偏振器处于0°)旋转到最大值(相对于偏振动器处于45°)。发生这种现象是因为，在0°和90°，双折射材料确实与和其成一直线的那些偏振器相同，而在45°，发生第二偏振事件。穿过第一偏振器的光从双折射材料的E平面和O平面旋转正好45°；因此，双折射材料将此光分裂成从入射偏振光旋转45°的O射线和E射线。在到达第二偏振器(其自身现在从新的O射线和E射线旋转45°)之后，两种射线即刻组合以便穿过第二偏振器。

如果辅以初始强制部分旋转步骤，那么偏振光能够有效地旋转90°。如果使双折射材料以其它角度旋转，那么这将影响双折射材料中可以变成O射线或E射线的这部分偏振光，且将因此还影响最终由第二偏振器透射的这部分光。如上所述，中心偏振器的旋转在实践中允许光具有正弦强度对超过90°的旋转角度。

O射线和E射线以不同速度(由于在双折射材料中的折射率不同)在双折射材料中传播。如果这种差异足够大且穿过双折射材料的路径长度足够长，那么光在不同波长下将变得完全异相。在第二偏振器处进行重组合之后，一些色彩即刻将相消干涉从而导致所透射的光具有色彩。

双折射率由方程式(1)来描述：

Δn＝n_x–n_y(1)

其中Δn＝双折射率，n_x＝非常平面中的折射率，且n_y＝寻常平面中的折射率。

双折射率的效应是偏振光的“旋转”和干涉，这是双折射率和穿过材料的路径长度的产物。

AMichel-Lévy干涉色图定义来自不同阶次的双折射率的干涉色。实验员可以使用这个图来估计材料的双折射率，而且可以从透射光色彩与图上色彩的比较来估计材料的延迟。图12中说明了此类图，以仅供参考。所述图是黑白色，且应查看图的全彩色版本以了解透射的色彩。

延迟的程度可以由方程式(2)来描述：

r＝dΔn(2)

其中：r＝延迟(m)，Δn＝双折射率，且d＝路径长度(m)。

对于厚度大致一致的材料来说，路径长度d保持相同。因此，穿过材料的光的测量结果将指示材料的双折射率如何及因此材料在一个方向上的取向与另一方向相比多了多少。

以三种方式在聚合物膜中诱发双折射率：晶体取向、聚合物链取向和晶格变形。

折射率与材料密度成比例；聚合材料以结晶和非晶两种形式存在，这两种形式以已知比例存在于特定聚合物类型内—聚丙烯可以取决于其分子量范围和其立体化学而在35％和50％结晶之间。在气泡工艺期间，当使用冷冻水来淬火熔融铸管(厚度为1mm)时，发生结晶；冷却迅速且跨越膜的厚度出现温度梯度，从而给予结晶某种方向性。在铸管各处形成结晶区，随后在拉伸工艺期间所述结晶区被拉成其在成品聚合物内的最终形状。双折射率是由结晶区域的各种维度的长度差及其在聚合物内的取向引起；当在机器方向和横向方向两个方向上同等地拉伸气泡聚合物时，预期这将最终得到平衡从而产生低的双折射率；但是，结晶区的分布不均导致双折射率在1到3mm的距离内有差异。

折射率还受材料内聚合物链的取向影响；这对整体双折射率具有最大影响，整体双折射率是与在拉伸期间机器方向应力和横向方向应力之间的比率成比例。

最后，晶格变形理论上是双折射率的原因，但在软质、低熔点材料(例如，聚丙烯)中未必是重要的。

材料的双折射率的所得效应使其自身显现为透射穿过材料的光的偏振角旋转；所述效应是经由界面相互作用来起始并且经由双折射材料来传播；所观测到的双折射度是初始界面相互作用(即，入射角)和穿过材料的后续路径长度的产物。

如上所述，双折射效应是膜厚度和折射率在两轴之间相差的程度的产物。如果膜放置于交叉偏振器之间并在最小值(相当于从交叉偏振器的透射无变化)到处于45°的最大值(其中潜在地，穿过单个偏振器的光将悉数被透射)之间旋转90°，那么所述效应是看得见的。

膜中的双折射率由机器方向和横向方向之间产生的取向差诱发；所得膜使两轴彼此成90°，在所述点处双折射率处于其最小值，从任一轴的45°是最大值。由于卷材和薄片中膜处理的性质，由每种已知工艺制造的每种材料将具有相同性质(包含偏振器)。

由于聚合物的取向的普遍性，对处于45°的双折射率的单次测量就足以确定任何膜的最大值和来自那种膜的任何印刷品。偏振器自身也将符合此；因此，在装置(例如，此装置)制造中，偏振器的规格应是其应以45°从主偏振器薄片切割。

WO2009/133390中公开的方法和设备涉及使用定向为彼此成90°的一对自旋偏振动器。所述偏振器可操作为按相同速率旋转，且设备可操作为测量穿过放置在所述偏振器之间的样本的光的强度。

为了区分指定的真膜和其它膜，可采用WO2009/1333390中公开的双折射率测量方法以允许用户排除其它类型的膜(即，指定的伪造膜)：由拉幅工艺制成的BOPP膜在横向方向上的取向多于在机器方向上的取向，且因此双折射率显著大于由双气泡工艺制成的BOPP膜。双折射率可以使用双气泡工艺来精确地控制，且因此可以提供能够排除膜的唯一签名(signature)。

WO2009/133390的方法允许将膜安全化为原样。使用所公开的方法来观测膜的特定固有特性，且无需添加任何另外的安全或识别特征。这种识别允许验证以达到安全目的，并且还允许确定膜的来源。

本文所引用的膜大体上是薄片状材料，且可被提供为个别薄片或网材料，网材料随后可经处理(例如，通过模具)以提供薄片或物品状材料。当这个说明书中引用“膜”时，除非另有明确规定，否则其意欲包含薄片、物品或网状膜。

如上所述，WO2009/133390的方法适合于验证含有由气泡工艺制成的膜的物品。气泡工艺产生具有平衡的取向、明确定义且均匀的厚度以及其它性质(高抗张强度、低伸长率、高光泽度和清晰度、良好穿刺性和抗挠裂性、耐油耐脂性、良好不透水性)的膜，所述性质定义膜的“签名”从而指示其已由气泡工艺制得。

为了区分膜(例如，BOPP膜和其它膜)，可测量膜的整体厚度以及个别层(例如，层压层)的厚度。这允许确定取决于特定工艺(例如，气泡工艺)的特定特性。额外地或替代地，可评估膜的独特双折射签名，并将其用于确定膜是是否由特定工艺制成及因此其是(例如)真钞还是假币。双折射率取决于材料的各向异性，且由气泡工艺制成的膜具有与由其它工艺制成的膜不同的各向异性及因此不同的双折射性质。此外，气泡工艺中所使用的精密条件将影响双折射签名。

WO2009/133390认识到，由特定工艺(例如，气泡工艺)制成的膜的固有性质是独特的并且充当签名，而不是需要添加安全或识别特征。

实际的伪造膜更有可能被买到而不是由假币制造者制成。存在几个来源，可以将这些来源分成三个主要群组：

1.铸膜或吹膜—铸膜是通过将聚合物挤出穿过模到冷硬轧辊上而制成。吹膜是通过将聚合物挤出穿过圆模并在半熔融状态使气泡膨胀而制成。铸膜&吹膜通常是无取向的或经略微取向，且因此具有内部尺寸稳定性(即，其可以容易拉伸)、拙劣的光学和厚度控制。

2.单取向膜—单取向膜是通过挤出穿过模并在机械方向上拉伸而制成。单取向膜被高度取向；其具有拙劣的光学和拙劣的横向方向尺寸稳定性。

3.双轴取向膜—双轴取向膜可购自InnoviaFilmsLimited和许多其它供应商。来自许多供应商的商品级BOPP大体上由拉幅工艺制成，其中PP被挤出穿过槽模到冷硬轧辊上、在机器方向上在加热轧辊上面拉伸PP且在横向方向上在拉幅机中拉伸PP。不同于由双气泡工艺制成的在所有方向上被均匀地取向的BOPP，这些膜本质上是各向异性的。

虽然WO2009/133390的方法和设备已令人满意且相信对于某些操作条件来说将持续令人满意，但申请人已认识到，将需要增大操作条件的范围以允许在特定应用和/或环境中使用所述方法和设备，且潜在地用于指示由其它工艺制造的膜类型的真实性(例如，由拉幅工艺形成的真膜)。申请人还认识到，将需要增加辨别具有相似的可测量性质的不同膜类型并顾及在设备中不对准的膜的能力。申请人还认识到，将需要顾及真实膜的品质变化以禁止BOPP气泡工艺膜有机会出现假阴性，在假阴性中对那些膜的制造工艺控制不佳(或实际上对于任何其它类型的指定的真膜来说，不管制造所述真膜的工艺如何)。

基于上述考虑，已设计出本发明。

根据本发明的方面，提供了一种可操作为确定聚合物膜的真实性的验证设备，其包括基于光学的光折射率测量布置，所述布置可操作为从包括与膜平面所成的非垂直角的第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个来测量受膜的双折射率特性影响的第一效应；并且其中所述设备可操作为：将表示如从第一角度测得的第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对第一角度的预定双折射率特性；将表示如从第二角度和第三角度中的所述至少一个测得的第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及基于所述比较来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号。

本发明允许将膜安全化为原样。在本发明中观测膜的特定固有特性，且无需添加任何另外的安全或识别特征。这种识别允许验证以达到安全目的，并且还允许确定膜的来源。另外，所述设备可适合于区别由第一种工艺形成膜和由其它工艺形成的膜。举例来说，在其中真品包括由气泡工艺形成的衬底且一般来说赝品包括由拉幅或铸造工艺形成的衬底的情况下。

任选地，第二角度可包括与膜平面所成的非垂直角，且第三角度可包括与膜平面所成的垂直角。

任选地，所述设备可可操作为区分由气泡工艺制成的膜和由不同种工艺制成的膜。

任选地，基于光学的双折射率测量布置可包括：发射器，其被定位成且可操作为使用电磁辐射来照明定位在设备的测量区域中的膜第一侧；第一偏振器，其定位在第一发射器和膜第一侧之间，使得由第一发射器发射的电磁辐射的至少一部分从中穿过；第一检测器，其定位在膜第二侧上，且可操作为接收来自发射器的透射穿过膜并以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个从膜第二侧透射的电磁辐射；第二偏振器，其定位在膜第二侧和第一检测器之间，使得透射穿过膜的电磁辐射的至少一部分从中穿过，其中第一检测器可操作为输出信号，所述信号表示如基于以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个从膜第二侧透射的电磁辐射所测得的第一效应。

任选地，第一检测器可相对于膜第二侧移动成定位在第一位置处，以接收来自发射器的透射穿过膜并以第一角度从膜第二侧透射的电磁辐射，且可进一步移动到第二位置和/或第三位置，以接收来自发射器的透射穿过膜并以相应的第二角度和/或第三角度从膜第二侧透射的电磁辐射。

任选地，所述设备可进一步包括：第二检测器，其定位在膜第二侧上，且可操作为接收来自发射器的透射穿过膜并以第二角度从膜第二侧透射的电磁辐射；和/或第三检测器，其定位在膜第二侧上，且可操作为接收来自发射器的透射穿过膜并以第三角度从膜第二侧透射的电磁辐射；其中：

第二检测器可操作为输出信号，所述信号表示如基于以第二角度从膜第二侧透射的电磁辐射所测得的第一效应；和/或第三检测器可操作为输出信号，所述信号表示如基于以第三角度从膜第二侧透射的电磁辐射所测得的第一效应。

任选地，第一角度可包括以下各项中的一个：(i)由关于膜的向量[101]所描述的角度；和(ii)由关于膜的向量[111]所描述的角度。进一步任选地，第二角度可包括以下各项中的另一个：(i)由关于膜的向量[101]所描述的角度；和(ii)由关于膜的向量[111]所描述的角度。

任选地，由第一检测器输出的输出信号可与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。进一步任选地，由第二检测器和/或第三检测器(在存在的情况下)输出的输出信号可与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。

任选地，第一检测器可可操作为将输出信号传达给处理器，所述处理器可操作为将表示如从第一角度测得的第一效应的输出信号值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对第一角度的预定双折射率特性。进一步任选地，第二检测器可可操作为将输出信号传达给处理器，所述处理器可操作为将表示如从第二角度测得的第一效应的输出信号值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对第二角度的相应预定双折射率特性；和/或第三检测器可可操作为将输出信号传达给处理器，所述处理器可操作为将表示如从第三角度测得的第一效应的输出信号值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对第三角度的相应预定双折射率特性。又进一步任选地，所述值或值范围可包括至少一个预期的第一检测器输出信号值，所述输出信号值表示以第一角度从膜第二侧透射且在真实膜定位在测量区域中的情况下由第一检测器接收的电磁辐射。仍进一步任选地，

所述值或值范围可包括至少一个预期的第二检测器输出信号值，所述输出信号值表示从膜第二侧透射且在真实膜定位在测量区域中的情况下由第二检测器接收的电磁辐射；和/或所述值或值范围可包括至少一个预期的第三检测器输出信号值，所述输出信号值表示从膜第二侧透射且在真实膜定位在测量区域中的情况下由第三检测器接收的电磁辐射。

任选地，所述设备可进一步包括基于光学的测量布置，所述布置可操作为以包括与膜平面所成的非垂直角的第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个来测量受膜的至少一个其它光学特性(例如，透射率)影响的第二效应，并且其中所述设备可操作为：将表示如以包括与膜表面所成的非垂直角的第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个测得的第二效应的值或值范围与表示指定的第二效应的值或值范围相比较，所述指定的第二效应对应于真实聚合物膜针对相应的第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定其它光学特性，及基于以下各项来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号：如上文和下文所述的双折射率测量结果比较；和/或如以包括与膜平面所成的非垂直角的第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个测得的第二效应的值或值范围与表示指定的第二效应的相应的值或值范围的比较，所述指定的第二效应对应于真实聚合物膜针对相应的第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定其它光学特性。

任选地，第二偏振器可进行可控取向，以便实现在以下各方向中的一个方向上的偏振：横向于第一偏振器的方向的第一方向；以及与第一偏振器的方向相同的第二方向；其中第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可操作为：当对第二偏振器取向以便实现在横向于第一偏振器的方向的第一方向上的偏振时，测量受膜的双折射率特性影响的第一效应；以及当对第二偏振器取向以便实现在与第一偏振器的方向相同的第二方向上的偏振时，测量受膜的其它光学特性影响的第二效应。

任选地，第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可可操作为：输出表示如测得的第一效应的第一信号；以及输出表示如测得的第二效应的第二信号。进一步任选地，由第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器输出的第一输出信号和第二输出信号可与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。又进一步任选地，第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可可操作为将第一输出信号和第二输出信号传达给处理器，所述处理器可操作为：将第一输出信号的值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较；以及将第二输出信号的值与表示指定的第二效应的值或值范围相比较，所述指定的第二效应对应于预定膜透射率。

任选地，如果第一输出信号值或值范围具有可与表示受背景条件影响的效应的第一输出信号值或值范围区别开的水平，那么处理器可可操作为基于第二输出信号的值或值范围与表示指定的第二效应的值或值范围的比较来输出真实性信号。

也就是说，如果由处理器所做的第一输出信号的值与表示指定的第一效应(对应于真实聚合物膜的预定双折射率特性)的值或值范围的比较导致处理器做出不确凿的真实性确定(因为第一输出信号值(例如)非常低或可与背景噪音区别开)，那么处理器可可操作为基于第二输出信号的值与表示指定的第二效应(例如，预定膜透射率)的值或值范围的比较来提供真实性确定指示。

任选地，所述值或值范围可包括至少一个预期的第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器输出信号值，所述输出信号值表示从膜第二侧透射且在真实膜定位在测量区域中的情况下当对第二偏振器取向以便实现分别在第一方向上和在第二方向上的偏振时由第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器接收的电磁辐射。

任选地，处理器可进一步可操作为：计算第一输出信号的值和第二输出信号的值之间的差值；通过将差值二等分来计算经修改的差值；通过从第二输出信号值减去经修改的差值来计算双折射率表示值；将双折射率表示值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较；以及基于所述比较来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号。

任选地，基于光学的双折射率测量布置可进一步可操作为测量在电磁谱的至少一部分内和以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个受膜的双折射率特性影响的第三效应，并且其中所述设备可操作为：将表示如以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个测得的第三效应的值或值范围与表示指定的第三效应的相应的值或值范围相比较，所述指定的第三效应对应于真实聚合物膜针对电磁谱的相同的至少一部分以相应的第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及基于所述比较来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号。

任选地，对第三效应的测量可包括单色测量(例如，其中使用特定色彩的照明灯的色彩测量)。

任选地，第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可被配置成用于选择性地响应于电磁谱的所述至少一部分。

任选地，第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可为可控制型，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的所述至少一部分。

任选地，第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可经预选，以检测来自电磁谱的所述至少一部分的电磁辐射。

任选地，第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器中的每个可包括至少两个子检测器的阵列，所述至少两个子检测器中的第一个可操作为检测来自电磁谱的第一部分的电磁辐射，且所述至少两个子检测器中的第二个可操作为检测来自电磁谱的第二部分的电磁辐射。

任选地，第一子检测器可为可控型，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的第一部分，且第二子检测器可为可控型，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的第二部分。

任选地，第一子检测器可经预选以检测来自电磁谱的第一部分的电磁辐射，且第二子检测器可经预选以检测来自电磁谱的第二部分的电磁辐射。

任选地，所述设备可进一步包括至少一个滤波器，所述滤波器被布置成遮蔽电磁谱的至少另一部分并使电磁谱的所述至少一部分透射以供由第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器接收。

任选地，所述发射器或任选地数个发射器可为可控型，以发射在电磁谱的所述至少一部分中的电磁辐射。

任选地，所述发射器或任选地数个发射器可经预选，以发射在电磁谱的所述至少一部分中的电磁辐射。

任选地，所述发射器或任选地数个发射器可在第一模式中可操作为发射白光，且在第二模式中可操作为发射彩色光。

任选地，所述设备可在第一模式中可操作为控制第一发射器以发射白光，且在第二模式中可操作为控制第二发射器以发射彩色光。

任选地，在第一模式中，所述设备可可操作为基于第一检测器的输出信号来指示测试中的聚合物膜是包括第一真类型还是至少第二真类型的聚合物膜，并且进一步其中，响应于输出信号指示测试中的聚合物是不同于第一真类型的类型，所述设备可操作为实施第二模式并基于第一检测器在第一和第二两种模式中的输出信号来指示测试中的聚合物膜是包括所述至少第二真类型还是其它类型的聚合物膜。

任选地，在第一模式中，所述设备可可操作为：将表示如以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个测得的第三效应的值或值范围与表示指定的第三效应的值或值范围相比较，所述指定的第三效应对应于第一真类型的聚合物膜以相应的第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及基于所述比较来输出指示膜包括第一真类型或其它类型的分类信号。

任选地，所述设备可可操作为：在表示如以第一、第二或第三角度测得的第三效应的值低于针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第一阈值的情况下，输出指示膜包括第一真类型的分类信号，所述对应第一模式第一阈值表示第一真类型的膜的指定的第一效应的上限。

任选地，所述设备可可操作为：在表示如以第一、第二或第三角度测得的第三效应的值既高于针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第一阈值又不在某个值范围内的情况下，输出指示膜包括非真类型的分类信号，所述值范围是在针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第二阈值和针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第三阈值之间。

任选地，所述设备可可操作为：在表示如在第一模式中以第一、第二或第三角度测得的第三效应的值是在针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第二阈值和针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第三阈值之间的情况下，实施第二模式。

任选地，所述设备可可操作为：在表示如以第一、第二或第三角度测得的第三效应的值是在某个值范围内的情况下，输出指示膜包括第二真类型的分类信号，所述值范围是在针对第一、第二或第三角度的对应第二模式第一阈值和针对第一、第二或第三角度的对应第二模式第二阈值之间，所述值范围表示针对第二真类型的膜的指定的第三效应。

任选地，所述设备可进一步包括基于光学的双折射率成像布置，所述布置用于以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个使膜的双折射图案成像，并且其中所述设备可操作为：将双折射图案的图像与相应的图像相比较，所述相应的图像表示真实聚合物膜以相应的第一角度以及相应的第二角度和第三角度的预定双折射图案；以及基于所述比较来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号。

任选地，基于光学的双折射率成像布置可包括：发射器，其被定位成且可操作为使用电磁辐射来照明定位在设备的测量区域中的膜第一侧；第一偏振器，其定位在第一发射器和膜第一侧之间，使得由第一发射器发射的电磁辐射的至少一部分从中穿过；成像装置，其定位在膜第二侧上且可操作为接收来自发射器的透射穿过膜并从膜第二侧透射的电磁辐射；第二偏振器，其定位在膜第二侧和成像装置之间，使得透射穿过膜的电磁辐射的至少一部分从中穿过，其中成像装置可操作为：基于从膜第二侧透射并在成像装置处接收的电磁辐射来输出表示经成像的双折射图案的数据。

任选地，成像装置可可操作为将表示经成像的双折射图案的数据输出到处理器，所述处理器可操作为将输出数据与表示预定双折射图案的数据集相比较。

任选地，发射器、第一偏振器和第二偏振器中的至少一个可与基于光学的双折射率测量布置和/或基于光学的测量布置的那个/那些有共同之处。

任选地，发射器可包括白光源。

任选地，成像装置可包括光敏阵列。

任选地，所述设备可进一步包括光学响应修改器，所述光学响应修改器被布置成修改第一效应以将预定量的偏移引入到表示如测得的效应的值或值范围，其中基于光学的双折射率测量布置可操作为测量如所修改的第一效应。

任选地，光学响应修改器可定位在位于发射器与第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器之间的电磁辐射光束路径中，并且进一步其中第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可可操作为测量第一效应。

任选地，第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可可操作为输出表示如所修改的第一效应的信号。

任选地，第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可可操作为将输出信号传达给处理器，所述处理器可可操作为将表示如所修改的第一效应的输出信号的值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜的预定双折射率特性且如由相同的光学响应修改器所修改。

任选地，所述设备可可操作为接收包括聚合物膜的物品，所述聚合物膜形成所述物品的衬底的至少一部分。

根据本发明的另一方面，提供了验钞设备，其包括包含上述特征中的任何一个或多个的设备，其中所述设备可操作为确定包括聚合物膜的钞票的真实性，所述聚合物膜形成所述钞票的衬底的至少一部分。

包括如上所述的特征中的任何一个或多个的设备可用来确定聚合物膜的真实性。

根据本发明的另一方面，提供了一种确定聚合物膜的真实性的方法，其包括：从包括与膜平面所成的非垂直角的第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个来测量受膜的双折射率特性影响的第一效应；将表示如从第一角度测得的第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对第一角度的预定双折射率特性；将表示如从第二角度和第三角度中的所述至少一个测得的第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及基于所述比较来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号。

任选地，第二角度可为与膜平面所成的非垂直角，且第三角度可为与膜平面所成的垂直角。

任选地，所述方法可进一步包括指示聚合物膜是由气泡工艺还是由不同种工艺制成。

任选地，所述方法可进一步包括：用受第一偏振器偏振的电磁辐射来照明定位在设备的测量区域中的膜第一侧，所述第一偏振器定位在第一发射器和膜第一侧之间，使得由第一发射器发射的电磁辐射的至少一部分从中穿过；在定位于膜第二侧上的第一检测器处接收来自发射器的以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个透射穿过膜并受第二偏振器偏振的电磁辐射，所述第二偏振器定位在膜第二侧和第一检测器之间；以及输出信号，所述信号表示如基于以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个从膜第二侧透射的电磁辐射所测得的第一效应。

任选地，所述方法可进一步包括：将第一检测器定位在第一位置处，以接收来自发射器的透射穿过膜并以第一角度从膜第二侧透射的电磁辐射；以及将第一检测器移动到第二位置和/或第三位置，以接收来自发射器的透射穿过膜并以相应的第二角度和/或第三角度从膜第二侧透射的电磁辐射。

任选地，所述方法可进一步包括：提供位于膜第二侧上的第二检测器，以用于接收来自发射器的透射穿过膜并以第二角度从膜第二侧透射的电磁辐射；和/或提供定位在膜第二侧上的第三检测器，以用于接收来自发射器的透射穿过膜并以第三角度从膜第二侧透射的电磁辐射；以及从第二检测器输出信号，所述信号表示如基于以第二角度从膜第二侧透射的电磁辐射所测得的第一效应；和/或从第三检测器输出信号，所述信号表示如基于以第三角度从膜第二侧透射的电磁辐射所测得的第一效应。

任选地，第一角度可包括以下各项中的一个：(i)由关于膜的向量[101]所描述的角度；和(ii)由关于膜的向量[111]所描述的角度。进一步任选地，第二角度可包括以下各项中的另一个：(i)由关于膜的向量[101]所描述的角度；和(ii)由关于膜的向量[111]所描述的角度。

任选地，所述方法可进一步包括：将输出信号传达给处理器；将表示如从第一角度测得的第一效应的输出信号值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对第一角度的预定双折射率特性。

任选地，所述值或值范围可包括至少一个预期的第一检测器输出信号值，所述输出信号值表示以第一角度从膜第二侧透射且在真实膜定位在测量区域中的情况下由第一检测器接收的电磁辐射。

任选地，由第二检测器和/或第三检测器输出的输出信号可与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。

任选地，所述方法可进一步包括：将输出信号从第二检测器传达给处理器；将表示如从第二角度测得的第一效应的输出信号值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对第二角度的相应预定双折射率特性；和/或将输出信号从第三检测器传达给处理器；将表示如从第三角度测得的第一效应的输出信号值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对第三角度的相应预定双折射率特性。

任选地：所述值或值范围可包括至少一个预期的第二检测器输出信号值，所述输出信号值表示从膜第二侧透射且在真实膜定位在测量区域中的情况下由第二检测器接收的电磁辐射；和/或所述值或值范围可包括至少一个预期的第三检测器输出信号值，所述输出信号值表示从膜第二侧透射且在真实膜定位在测量区域中的情况下由第三检测器接收的电磁辐射。

任选地，所述方法可进一步包括：以包括与膜平面所成的非垂直角的第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个来测量受膜的至少一个其它光学特性影响的第二效应；将表示如以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个测得的第二效应的值或值范围与表示指定的第二效应的值或值范围相比较，所述指定的第二效应对应于真实聚合物膜以相应的第一角度和相应的第二角度和/或第三角度的预定其它光学特性；以及基于以下各项来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号：如上文和下文所述的双折射率测量结果比较；和/或如以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个测得的第二效应的值或值范围与表示指定的第二效应的相应的值或值范围的比较，所述指定的第二效应对应于处于相应的第一角度和相应的第二角度和/或第三角度的预定其它光学特性。

任选地，所述方法可进一步包括：对第二偏振器取向，以便实现在以下各方向中的一个方向上的偏振：横向于第一偏振器的方向的第一方向；以及与第一偏振器的方向相同的第二方向；当对第二偏振器取向以便实现在横向于第一偏振器的方向的第一方向上的偏振时，测量受膜的双折射率特性影响的第一效应，并且当对第二偏振器取向以便实现在与第一偏振器的方向相同的第二方向上的偏振时，测量受膜的其它光学特性影响的第二效应。

任选地，所述方法可进一步包括：输出表示如测得的第一效应的第一信号；以及输出表示如测得的第二效应的第二信号。

任选地，由第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器输出的第一输出信号和第二输出信号可与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。

任选地，所述方法可进一步包括：将第一输出信号和第二输出信号传达给处理器；将第一输出信号的值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较；以及将第二输出信号的值与表示指定的第二效应的值或值范围相比较，所述指定的第二效应对应于预定膜透射率。

任选地，如果第一输出信号值或值范围具有可与表示受背景条件影响的效应的第一输出信号值或值范围区别开的水平，那么处理器可操作为基于第二输出信号的值或值范围与表示指定的第二效应的值或值范围的比较来输出真实性信号。

任选地，所述值或值范围可包括至少一个预期的第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器输出信号值，所述输出信号值表示从膜第二侧透射且在真实膜定位在测量区域中的情况下当对第二偏振器取向以便实现分别在第一方向上和在第二方向上的偏振时由第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器接收的电磁辐射。

任选地，所述方法可进一步包括：计算第一输出信号的值和第二输出信号的值之间的差值；通过将差值二等分来计算经修改的差值；通过从第二输出信号值减去经修改的差值来计算双折射率表示值；将双折射率表示值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较；以及基于所述比较来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号。

任选地，所述方法可进一步包括：测量在电磁谱的至少一部分内和以第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个受膜的双折射率特性影响的第三效应；将表示如以第一角度以及第二角度和/或第三角度测得的第三效应的值或值范围与表示指定的第三效应的相应的值或值范围相比较，所述指定的第三效应对应于真实聚合物膜针对电磁谱的相同的至少一部分以相应的第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及基于所述比较来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号。

任选地，对第三效应的测量可包括单色测量。

任选地，所述方法可进一步包括：配置第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器以选择性地响应于电磁谱的所述至少一部分。

任选地，所述方法可进一步包括：控制第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的所述至少一部分。

任选地，所述方法可进一步包括：预选第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器，以检测来自电磁谱的所述至少一部分的电磁辐射。

任选地，所述方法可进一步包括：将至少两个子检测器的阵列提供为第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器中的每个；以及在所述至少两个子检测器中的第一个处检测来自电磁谱的第一部分的电磁辐射；在所述至少两个子检测器中的第二个处检测来自电磁谱的第二部分的电磁辐射。

任选地，所述方法可进一步包括：控制第一子检测器，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的第一部分；以及控制第二子检测器，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的第二部分。

任选地，所述方法可进一步包括：预选第一子检测器，以检测来自电磁谱的第一部分的电磁辐射；以及预选第二子检测器，以检测来自电磁谱的第二部分的电磁辐射。

任选地，所述方法可进一步包括：遮蔽电磁谱的至少另一部分以使电磁谱的所述至少一部分透射以供由第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器接收。

任选地，所述方法可进一步包括：控制所述发射器或任选地数个发射器，以发射在电磁谱的所述至少一部分中的电磁辐射。

任选地，所述方法可进一步包括：预选所述发射器或任选地数个发射器，以发射在电磁谱的所述至少一部分中的电磁辐射。

任选地，所述方法可进一步包括：在第一模式中操作所述发射器或任选地数个发射器，以发射白光；以及在第二模式中操作所述发射器或任选地数个发射器，以发射彩色光。

任选地，所述方法可进一步包括：在第一模式中控制第一发射器，以发射白光；以及在第二模式中控制第二发射器，以发射彩色光。

任选地，所述方法可包括：在第一模式中，基于第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器的输出信号来指示测试中的聚合物膜是包括第一真类型还是至少第二真类型的聚合物膜，并且进一步其中，响应于输出信号指示测试中的聚合物是不同于第一真类型的类型，实施第二模式并基于第一检测器在第一和第二两种模式中的输出信号和/或任选地第二检测器和/或第三检测器在第一和第二两种模式中的输出信号来指示测试中的聚合物膜是包括所述至少第二真类型还是其它类型的聚合物膜。

任选地，在第一模式中，所述方法可进一步包括以下步骤：将表示如以第一角度以及第二角度和/或第三角度测得的第三效应的值或值范围与表示指定的第三效应的值或值范围相比较，所述指定的第三效应对应于第一真类型的聚合物膜以相应的第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及基于所述比较来输出指示膜包括第一真类型或其它类型的分类信号。

任选地，所述方法可进一步包括：在表示如以第一角度以及第二角度和/或第三角度测得的第三效应的值低于针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第一阈值的情况下，输出指示膜包括第一真类型的分类信号，所述对应第一模式第一阈值表示第一真类型的膜的指定的第一效应的上限。

任选地，所述方法可进一步包括：在表示如以第一角度以及第二角度和/或第三角度测得的第三效应的值既高于针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第一阈值又不在某个值范围内的情况下，输出指示膜包括非真类型的分类信号，所述值范围是在针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第二阈值和针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第三阈值之间。

任选地，所述方法可进一步包括：在表示如在第一模式中以第一角度以及第二角度和/或第三角度测得的第三效应的值是在针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第二阈值和针对第一、第二或第三角度的对应第一模式第三阈值之间的情况下，实施第二模式。

任选地，所述方法可进一步包括：在表示如以第一、第二或第三角度测得的第三效应的值是在某个值范围内的情况下，输出指示膜包括第二真类型的分类信号，所述值范围是在针对第一、第二或第三角度的对应第二模式第一阈值和针对第一、第二或第三角度的对应第二模式第二阈值之间，所述值范围表示针对第二真类型的膜的指定的第三效应。

任选地，所述方法可进一步包括：以第一角度以及第二角度和/或第三角度中的至少一个使膜的双折射图案成像；将处于第一、第二或第三角度的双折射图案的图像与相应的图像相比较，所述相应的图像表示真实聚合物膜以对应的第一、第二角度和第三角度的预定双折射图案；以及基于所述比较来输出指示膜的真实性或其它方面的真实性信号。

任选地，所述方法可进一步包括：将表示经成像的双折射图案的数据从成像装置输出到处理器；以及将输出数据与表示预定双折射图案的数据集相比较。

任选地，所述方法可进一步包括：使用包括白光源的发射器来照明膜。

任选地，所述方法可进一步包括：提供光敏阵列以实施成像步骤。

任选地，所述方法可进一步包括：修改第一效应，以将预定量的偏移引入到表示如以第一角度以及第二角度和/或第三角度测得的第一效应的值或值范围；以及测量如所修改的第一效应。

任选地，所述方法可进一步包括：将输出信号从第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器传达给处理器；以及将表示如所修改的第一效应的输出信号的值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜的预定双折射率特性且如由相同的光学响应修改器所修改。

根据本发明的另一方面，提供了包括计算机程序元素的计算机程序，所述计算机程序元素在计算机处理器中可操作为实施如上文和下文所述的验证设备的一个或多个方面。

根据本发明的另一方面，提供了包括计算机程序元素的计算机程序，所述计算机程序元素在计算机处理器中可操作为实施如上文和下文所述的方法的一个或多个方面。

根据本发明的另一方面，提供了一种携载如上所述的计算机程序的计算机可读媒体。

将仅通过举例并参考以下图式来描述根据本发明的各方面的一个或多个特定实施例。

图1到图3示意性地说明用于实施观测双折射率的不同方法的已知设备的部件；

图4a到图4d示意性地说明根据本发明的一个或多个实施例的验证设备的透视图、顶部平面图、侧视图和端视图；

图5示意性地说明处于任选布置的图4a到图4d的验证设备的透视图；

图6示意性地说明处于另一任选布置的图4a到图4d的验证设备的透视图；

图7a和图7b示意性地说明根据本发明的一个或多个实施例的另一验证设备的透视图；

图8示意性地说明根据本发明的一个或多个实施例的另外的验证设备的透视图；

图9示意性地说明根据本发明的一个或多个实施例的又另一个验证设备的透视图；

图10示意性地说明根据本发明的一个或多个实施例的又另一个验证设备的透视图；

图11说明60μmBOPP膜的双折射率对透射百分率的图；以及

图12说明Michel-Levy图表；

图13示意性地说明图10中所说明的设备的任选布置的透视图；

图14说明当在第一模式中操作时如由图13的设备的检测器测得的延迟对强度的图；

图15说明当在第二模式中操作时如由图13的设备的检测器测得的延迟对强度的图；以及

图16说明图14和图15的图的组合图。

图4a到图4b说明验证设备100，其包括双折射率测量设备102、处理器104和警报系统106。

验证设备100可操作为测量物品108(例如，钞票)的双折射率特性。特别来说，验证设备100可操作为测量定位在验证设备100的测量区域中的物品108的双折射率。

处理器104(任选地，微处理器)可操作为控制双折射率测量设备102。双折射率测量设备102的输入端联接到处理器104并可由处理器104来控制。双折射率测量设备102的输出端联接到处理器104。处理器104可操作为基于从双折射率测量设备102接收到的输出信号来确定验证设备中的物品108是否为真货。此类确定的结果经由警报系统106来指示(例如，向设备操作员)。警报系统106联接到处理器104并可操作为基于从所述处理器104接收到的信号来输出真实性或其它方面的指示。

双折射率测量设备102包括发射器110(任选地，LED)、第一偏振器112、第二偏振器114和检测器116(任选地，光电二极管)。偏振器112、114被间隔开且经取向以便实质上平行。偏振器112、114之间的区域限定测量区域。

双折射率测量设备102的元件经布置，使得发射器110和第一偏振器112定位在双折射率测量设备102的测量区域的第一侧上，且第一检测器116和第二偏振器114定位在测量区域的第二侧上(即，与第一发射器110和第一偏振器112相对)。

发射器110可操作为使用电磁辐射(在图中由箭头IL表示)来照明第一偏振器112。这种照明用电磁辐射IL在其穿过第一偏振器112时受第一偏振器112偏振，且作为受偏振的照明用电磁辐射(在图中由箭头PIL表示)而继续前进，以照射定位在测量区域中的物品108的一部分。透射穿过物品108的一部分的受偏振的照明用电磁辐射(由箭头TL表示)的一部分朝第二偏振器114继续前进。这种透射电磁辐射TL在其穿过第二偏振器114时受第二偏振器114偏振，且作为受偏振的透射电磁辐射(由箭头PTL1、PTL2、PTL3表示)朝检测器116继续前进。检测器116被定位、取向成且可操作为接收受偏振的透射电磁辐射PTL1、PTL2或PTL3。

测量区域大体上限定被隔开的偏振器112、114之间的平面。第一偏振器112与此第一平面隔开且定位在位于测量区域的第一“上游”侧上的第二平面中。第二平面实质上平行于第一平面。类似地，第二偏振器114与第一平面隔开且定位在位于测量区域的第二“下游”侧上的第三平面中。其定位成与第一偏振器112相对，且第三平面实质上平行于第一和第二平面。第一偏振器112和第二偏振器114的透射取向的布置是如此以至于它们包括交叉偏振器。也就是说，第一偏振器112经布置，使得其透射取向与定位在测量区域中的物品108的所述部分的透射取向成约+45°。第二偏振器114经布置，使得其透射取向与定位在测量区域中的物品108的所述部分的透射取向成约-45°。替代地，第一偏振器112的透射取向可为如此以至于其与定位在测量区域中的物品108的所述部分的透射取向成约-45°，且第二偏振器114的透射取向可为如此以至于其与定位在测量区域中的物品108的所述部分的透射取向成约+45°。

因此，在所说明的布置中，由发射器110发射的照明用电磁辐射IL将受第一偏振器112偏振，且将作为受偏振的照明用电磁辐射PIL来照射定位在测量区域中的物品108的所述部分。这种受偏振的照明用电磁辐射PIL穿过物品108，且作为透射电磁辐射TL继续前进到第二偏振器114(即，交叉偏振器)。透射电磁辐射TL穿过第二偏振器114，且作为受偏振的透射电磁辐射PTL1、PTL2或PTL3继续前进以供由检测器116接收。响应于检测到入射于其上的受偏振的透射电磁辐射PTL1或PTL2或PTL3，检测器116将分别与受偏振的透射电磁辐射PTL1或PTL2或PTL3的强度成比例的信号输出到处理器104。

检测器116安装在平移装置(未示出)上。平移装置可由处理器106控制，以更改检测器116相对于第二偏振器114的位置。这可以使得检测器116以不同角度来测量从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射。

图4a到图4d中使用惯例来说明此类布置，在惯例中，当检测器被定位成以第一角度θ来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射(即，由所述偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射由虚箭头PTL1来表示)时，使用虚线(及参考数字116’)来表示检测器。当检测器被定位成以第二角度Ф来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射(即，由所述偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射由虚箭头PTL2来表示)时，使用虚线(及参考数字116”)来表示检测器。当检测器被定位成以第三角度来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射(即，由所述偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射由实箭头PTL3来表示)时，使用实线(及参考数字116)来表示检测器。

在所说明的布置中，检测器116可操作为以三个不同角度来测量接收到的从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射，这三个角度即：以与第二偏振器114的平面垂直的第一角度θ(任选地，45°)；以在水平和垂直方向两个方向上与第二偏振器114的平面垂直的第二角度Ф(任选地，45°)；以及以与第二偏振器114的平面垂直的第三角度(及因此以与物品108中的膜的平面垂直的角度)。因此，检测器116将把三个测量信号输出到处理器104。

在接收到来自第一检测器116的三个输出测量信号之后，处理器104即刻可操作为：将接收到的信号中的第一个的值与存储在数据库(未示出)中的第一组预定义值相比较；将接收到的信号中的第二个的值与存储在数据库中的第二组预定义值相比较；以及将接收到的信号中的第三个的值与存储在数据库中的第三组预定义值相比较。这些预定义值对应于当真实物品(例如，真实膜)定位在测量区域中时预期的受偏振的透射电磁辐射值。

在实施比较之后，处理器104可操作为命令警报系统106指示膜/物品为真实的或为非真实的。如果比较的结果是肯定的(即，膜是真实的)，那么处理器可操作为将含有发布膜/物品是真实的指示的命令的信号发送给警报系统106。否则，处理器可操作为将含有发布膜/物品为非真实的指示的命令的信号发送给警报系统106。

验证设备100无需以所有三个角度来测量受偏振的透射电磁辐射以便确定定位在其中的物品的真实性。实际上，在任选布置中，验证设备100可测量两个角度，以仅作为验证练习的部分。

当以与膜平面垂直的角度来测量从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(PTL3)时，包括高度取向膜的物品108将从检测器116产生高读数(因为大量电磁辐射将被透射，即从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(PTL3)将相对较高)。但是，当以与膜平面垂直的角度来测量从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(PTL3)时，由于穿过第一和第二交叉偏振器的电磁辐射的行为将在很大程度上不变，所以平衡膜将从检测器116产生零值或低读数。

当以与膜平面垂直的角度来测量从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(PTL3)时，铸膜和泡膜(例如，BOPP膜)将在检测器116处产生相对较低的双折射率信号。另一方面，当拉幅膜定位在测量区域中时，当以与膜平面垂直的角度来测量从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(PTL3)时，检测器116将产生高双折射率信号，所述信号将不同于铸膜和泡膜的双折射率信号。当处理器104将来自检测器116的输出信号与指示真实膜的预定义值(即，表示被认为是真品的特定膜类型的双折射率的值)相比较时，处理器104发现了拉幅膜的双折射率信号与预期信号(在膜为泡膜的情况下)相比这两者之间的这种差异。在实施比较之后，处理器104可操作为命令警报系统106指示膜/物品为非真实的。

例如，在其中真品包括由气泡工艺形成的衬底且一般来说赝品包括由拉幅工艺形成的衬底的情况下，所述设备可为合适的。但是，在其中真品包括由拉幅工艺形成的衬底的例子中，可能需要进一步处理步骤以便提供关于具有拉幅型膜衬底的物品是真的还是其它方面的指示。

当针对铸膜或泡膜以与膜平面垂直的角度来测量从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(PTL3)时，来自检测器116的输出信号的差异相对较小。因此，当仅仅依赖于以与膜平面垂直的角度来测量从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(PTL3)时，验证设备100可能难以区别这两种类型的膜。在这个例子中或在其中从非垂直角进行测量的替代性例子中，设备100可可操作为以第一角度θ和第二角度Ф中的一个或两个来测量从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射。当检测器116被定位成以第一和/或第二角度来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射(PTL1、PTL2)时，可由处理器104将来自检测器116的输出信号用作针对对比工艺的进一步参数(或替代性参数)以确定定位在测量区域中的膜/物品的真实性或其它方面。

使用平面几何，可以方便地描述检测器116被定位在数个位置处以便以不同角度来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射。平面被定义为与坐标[xyz]的向量垂直的表面。与向量(001)垂直的平面被定义为(001)平面。因此，在上述且如图4a到图4d中所说明的布置中，当检测器116被定位成以与膜平面垂直的角度来测量从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(即，(PTL3))时，可以通过由向量(001)描述的几何方向来定义其相对于膜平面(假设膜平面是x-y平面)的位置。检测器116沿z轴(即，由向量(001)定义)来有效地观测膜的x-y平面(即，(001)平面)。

类似地，对于当检测器116被定位成以第一角度θ来测量从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(即，(PTL1))时的情形来说，所述第一角度θ可与第二偏振器114的平面的法线成45°。使用平面几何向量惯例，可以(在一个例子中)通过由向量(110)描述的几何方向来定义检测器116相对于膜平面的位置。因此，检测器116沿由向量(110)定义的方向来观测膜的(110)平面。

对于当检测器116被定位成以第二角度Ф来测量从第二偏振器透射的受偏振的透射电磁辐射(即，(PTL2))时的情形来说，所述第二角度Ф可在水平和垂直方向两个方向上与第二偏振器114的平面的法线成45°。使用平面几何向量惯例，可以通过由向量(111)描述的几何方向来定义检测器116相对于膜平面的位置。因此，检测器116沿由向量(111)定义的方向来观测膜的(111)平面。

以第一角度θ和第二角度Ф进行的测量可为合适的，以允许设备100区别泡膜和铸膜。以与此类膜的平面垂直的角度对此类膜进行的测量可为相对类似的，且因此以第一和第二角度进行的进一步测量(当由处理器用于比较时)可以用来区别这两种类型。

在任选布置中，验证设备100可包括路径，可沿所述路径来输送物品。测量区域形成这个路径的部分。因此，在这个特定布置中，物品可沿所述路径从验证设备100的一侧输送到另一侧，且在其运送期间穿过测量区域。也就是说，在这个任选布置中，可使待验证的物品相对于验证设备100移动，或反之亦然。在另一任选布置中，当物品静止时，可进行验证测量。也就是说，可将物品引入到验证设备100的物品定位区域(测量区域形成所述物品定位区域的部分)，物品被保持在所述物品定位区域处直到验证测量已进行为止。

例如，可在钞票验证系统中实施这个设备100。

可如下概括图4a到图4d中所说明的验证设备100的操作。对定位在测量区域中的物品/膜执行双折射率测量。使用检测器116以相对于膜平面的至少一个非垂直角来执行至少一个双折射率测量。处理器将由双折射率测量产生的信号的值与对应于真实膜的值相比较。如果测量值与对应于真实膜的值匹配(或在被认为真实的值的合适范围内)，那么处理器可操作为命令警报系统提供膜是真实的指示。但是，如果测量值中的一个(任选地，测量值中的两个；进一步任选地，测量值中的三个)与对应于真实膜的值(或数个值)不匹配(或在被认为是真实的值的合适范围外)，那么处理器可操作为命令警报系统提供膜是不真实的指示。

图5说明图4a到图4d中所说明且如上所述的验证设备100的任选布置。

除用两个固定式检测器116a、116b来代替可移动式检测器116之外，所述布置类似于图4a到图4d中所说明且如上所述的布置。第一固定式检测器116a被定位成以第一角度θ来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射(由箭头PTL1来表示)。第二固定式检测器116b被定位成以第二角度来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射(由箭头PTL2来表示)。

在这个布置中，第一和第二固定式检测器116a、116b可同时测量从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射的相应部分(即，PTL1、PTL2)。

在接收到来自第一固定式检测器116a和第二固定式检测器116b的输出测量信号之后，处理器104即刻可操作为：将从第一固定式检测器116a接收到的信号的值与存储在数据库(未示出)中的第一组预定义值相比较；以及将从第二固定式检测器116b接收到的信号的值与存储在数据库中的第二组预定义值相比较。这些预定义值对应于当真实物品(例如，真实膜)定位在测量区域中时预期的受偏振的透射电磁辐射值。

在实施比较之后，处理器104可操作为命令警报系统106指示膜/物品为真实的或为非真实的。如果比较的结果是肯定的(即，膜是真实的)，那么处理器可操作为将含有发布膜/物品是真实的指示的命令的信号发送给警报系统106。否则，处理器可操作为将含有发布膜/物品为非真实的指示的命令的信号发送给警报系统106。

图6说明图4a到图4d中所说明且如上所述的验证设备100的又另一任选布置。

除采用三个固定式检测器(116a、116b、116c)而非两个固定式检测器之外，所述布置类似于图5中所说明的布置。第一固定式检测器116a被定位成以第一角度θ来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射(由箭头PTL1来表示)。第二固定式检测器116b被定位成以第二角度Ф来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射(由箭头PTL2来表示)。第三固定式检测器116c被定位成以第三角度来接收从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射(由箭头PTL3来表示)

在这个布置中，第一、第二和第三固定式检测器116a、116b、116c可同时测量从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射的相应部分(即，PTL1、PTL2、PTL3)。

在接收到来自第一固定式检测器116a、第二固定式检测器116b和第三固定式检测器116c的输出测量信号之后，处理器104即刻可操作为：将从第一固定式检测器116a接收到的信号的值与存储在数据库(未示出)中的第一组预定义值相比较；将从第二固定式检测器116b接收到的信号的值与存储在数据库中的第二组预定义值相比较；以及将从第三固定式检测器116c接收到的信号的值与存储在数据库中的第三组预定义值相比较。如先前所述，这些预定义值对应于当真实物品(例如，真实膜)定位在测量区域中时预期的受偏振的透射电磁辐射值。

如上所述，在实施比较之后，处理器104可操作为命令警报系统106指示膜/物品为真实的或为非真实的。如果比较的结果是肯定的(即，膜是真实的)，那么处理器可操作为将含有发布膜/物品是真实的指示的命令的信号发送给警报系统106。否则，处理器可操作为将含有发布膜/物品为非真实的指示的命令的信号发送给警报系统106。

在任一任选布置中，验证设备100可采用固定式检测器和可移动式检测器两者的布置，和/或可被布置成以四个或四个以上角度来测量从第二偏振器114透射的受偏振的透射电磁辐射。

图7a和图7b说明根据本发明的一个或多个实施例的另一验证设备。

图7a和图7b中也说明了与图4a到图4d、图5或图6中所说明的特征类似的特征。在图7a和图7b中，使用类型2XX而非1XX的参考数字来指定与图4a到图4d、图5或图6的特征有共同之处的特征。因此，在图7a和图7b中，由参考数字200(而非100)来表示验证设备，由参考数字202(而非102)来表示双折射率测量设备，等等。

图7a和图7b中所说明的验证设备200与先前所描述(及如图4a到图4d、图5或图6中所说明)的验证设备100的不同之处在于：第二偏振器214可在偏振取向(如图7a中所说明)和非偏振取向或垂直透射取向(如图7b中所说明)之间旋转。当在偏振取向上取向时，第二偏振器214以与如先前所描述的第二偏振器114相同的方式起作用。也就是说，第二偏振器214的透射取向垂直于第一偏振器212的透射取向，使得第一偏振器212和第二偏振器214包括交叉偏振器。因此，且和先前所描述的第一偏振器112和第二偏振器114的透射取向的布置一样，第一偏振器212经布置使得其透射取向与定位在测量区域中的物品208的所述部分的透射取向成约+45°。第二偏振器214(处在偏振取向上)经布置，使得其透射取向与定位在测量区域中的物品208的所述部分的透射取向成约-45°。替代地，第一偏振器212的透射取向可为如此以至于其与定位在测量区域中的物品208的所述部分的透射取向成约-45°，且第二偏振器214的透射取向可为如此以至于其与定位在测量区域中的物品208的所述部分的透射取向成约+45°。

当在非偏振取向上取向时，第二偏振器214的透射取向与第一偏振器212的透射取向相同(即，其与第一偏振器212的透射取向平行)。在这个例子中，第一偏振器212和第二偏振器214经布置，使得其透射取向与定位在测量区域中的物品208的所述部分的透射取向成约+45°。替代地，第一偏振器212和第二偏振器214的透射取向可为如此以至于其与定位在测量区域中的物品208的所述部分的透射取向成约-45°。

验证设备200包含致动器(未示出)，所述致动器可操作为实现使第二偏振器214从偏振取向旋转到非偏振取向，且反之亦然。处理器204可操作为控制致动器。

在操作中，检测器216可操作为当第二偏振器214在偏振取向上取向时测量接收到的从第二偏振器214透射的受偏振的透射电磁辐射(在图7a中由箭头PTL来表示)。第一测量信号被传达给处理器204。

检测器216进一步可操作为当第二偏振器214在非偏振取向上取向时测量接收到的从第二偏振器透射的透射电磁辐射(在图7b中由箭头TL来表示)。第二测量信号被传达给处理器204。

在接收到来自检测器216的第一和第二测量信号之后，处理器204即刻可操作为：将接收到的第一测量信号的值与存储在数据库(未示出)中的第一组预定义值相比较；和/或将接收到的第二测量信号的值与存储在数据库中的第二组预定义值相比较。第一组预定义值对应于当真实物品(例如，真实膜)定位在测量区域中时预期的受偏振的透射电磁辐射值。第二组预定义值对应于当真实物品/膜定位在测量区域中时预期的直接透射电磁辐射值(例如，指示直接由真实物品/膜透射的电磁辐射的强度的值)。

在任选布置中，处理器204可可操作为从预定义值减去接收到的第二测量信号的值，所述预定义值指示不存在定位在测量区域中的物品/膜。处理器204随后可操作为将减法的所得值与不同的第二组预定义值相比较，所述第二组预定义值对应于当真实物品/膜定位在测量区域中时预期的透射电磁辐射值(双折射率值)。

在这个任选布置中，在第二偏振器214处在非偏振取向上的情况下，由物品/膜208透射到检测器216的电磁辐射的强度具有值I_NP。如果测量区域中不存在物品/膜208，那么照明辐射仅仅穿过测量区域中的空气，且在偏振器214处在非偏振取向上的情况下在检测器216处接收到的电磁辐射的强度具有值I_AIR。为了获得上述所得值(I_RV)，从强度值I_AIR减去强度值I_NP。因此，I_AIR-I_NP＝I_RV。所得值I_RV有效地为膜的双折射率的度量。处理器204将这个所得值I_RV与不同的第二组预定义值相比较，从而允许处理器204做出验证确定。

如先前已描述，在包括两个交叉偏振器且双折射材料定位于其间的布置中，双折射率是由寻常射线和非常射线在由第二交叉偏振器透射之后即刻重组合所引起的干涉产生。双折射电磁辐射被建构为一种偏振并穿过第二偏振器，而其余部分以相反偏振来建构并被第二偏振器反射或吸收。如果第二偏振器经旋转使得其平行于第一个偏振器而非与其交叉，那么可以使非透射电磁辐射透射。在上述布置中采用这种效应。

具有相对较低的双折射率水平的膜或包括膜的物品无法与空气区分，且在交叉偏振器的情况下在印刷环境附近可能看不见。先前所描述和稍后所描述的布置依赖于这样的现象，即双折射率有效地重定向电磁辐射并使用交叉偏振器来查看所述电磁辐射以允许观测到经重定向的辐射的一个部分。当偏振器平行时，可以看到另一部分(即，上文所指的“非透射”部分)。采用平行偏振器的设备的行为是高强度的电磁辐射被透射且此电磁辐射的强度将随双折射率而降低(例如，当将双折射膜引入到设备中而位于偏振器之间时)。在这个平行偏振器例子中，空设备将导致在检测器处接收到高强度的电磁辐射，而定位在设备的测量区域中的膜将导致在检测器处接收到更低强度的电磁辐射。高强度(设备是空的)的电磁辐射的测量结果与稍微更低强度(存在膜)的电磁辐射的测量结果之间的差异提供了膜的双折射率的度量。

因此，上文所述且如图7a和图7b中所说明的验证设备200可适合于确定展现相对较低的双折射率水平的膜的真实性。实际上，由于高度取向膜(例如(例如)BOPP膜)具有相对较低的双折射率水平(在一些例子中可能为零)，所以使用其中偏振器呈交叉配置的设备所进行的对这个特性的任何“测量”可给出可能难以与背景噪音区别开的结果。使用其中偏振器非呈交叉配置的设备所进行的测量可允许进行表示“逆”双折射率的测量(即，在设备为空时接收到的电磁辐射的强度(I_AIR)减去在膜定位在设备的测量区域中时接收到的电磁辐射的强度(I_NP)等于I_RV，且I_RV与膜的“逆”双折射率(即，膜透射率)成比例)。

在以上布置(及任选布置)中，在实施比较之后，处理器204可操作为命令警报系统206指示膜/物品为真实的或为非真实的。如果比较的结果是肯定的(即，膜是真实的)，那么处理器可操作为将含有发布膜/物品是真实的指示的命令的信号发送给警报系统206。否则，处理器可操作为将含有发布膜/物品为非真实的指示的命令的信号发送给警报系统206。

这个布置还可适合于这样的设备，即所述设备可操作为确定具有聚合物膜衬底的钞票的真实性且其中对钞票的“窗”区域(即，钞票上暴露膜衬底的区域)(例如，没有印刷物上覆在所述区域上或没有公开的安全特征上覆在所述区域上)实施真实性测量。如将了解，钞票随着时间的推移变得磨损，且钞票的一个磨损方面可使其自身显现为钞票的窗区域损坏。此类损坏可包括(例如)窗表面有划痕和/或油腻物质转移到窗表面，这些均可导致窗具有模糊外观。这些类型的“损坏”可以有效地在物理上阻止(或部分阻止)光透射穿过钞票的窗区域。这会影响在验证过程期间所进行的测量。

在上文关于图7a和图7b所描述的布置中，对钞票的窗区域的物理性阻止(例如，经由损坏)在交叉偏振器操作模式中可观测为双折射率的有效减小。但是，对钞票的窗区域的物理性阻止在非交叉偏振操作模式中可观测为双折射率的有效增大。在两种情况下，物理性阻止不是更改膜衬底自身的双折射率，而是影响由检测器进行的测量且因此被感知为是不同于实际上的确如此的折射率。

通过使用在交叉偏振器操作模式(即，偏振模式)和非交叉偏振器操作模式(即，非偏振模式)中获得的强度值，可获得对受损/模糊膜的双折射率的更准确测量。如上所述，当第二偏振器处在非偏振取向上时(即，非交叉偏振器操作模式)在检测器处接收到的电磁辐射的强度由I_NP来表示。当第二偏振器处在偏振取向上时(即，交叉偏振器操作模式)在检测器处接收到的电磁辐射的强度由I_P来表示。为了确定在膜的窗区域未受损(或未模糊)的情况下可预期到的强度及因此膜的双折射率的度量，可获得两个强度值之间的差异且随后将这个差值二等分。要么从I_NP减去所得结果，要么将所得结果加到I_P，以获得对膜的双折射率的更准确测量(I_未受损(I_UNDAMAGED))。即

(I_NP–I_P)/2+I_P＝I_未受损

或

I_NP–(I_NP–I_P)/2＝I_未受损

处理器204可以将这个双折射率表示值(即，I_未受损)与预定义值相比较，以确定真实性。

图8说明根据本发明的一个或多个实施例的另一验证设备。

再次，图8中也说明了与图4a到图4d、图5、图6、图7a或图7b中所说明的特征类似的特征。在图8中，使用类型3XX而非1XX或2XX的参考数字来指定与图4a到图4d、图5、图6、图7a或图7b的特征有共同之处的特征。因此，在图8中，由参考数字300(而非100或200)来表示验证设备，由参考数字302(而非102或202)来表示双折射率测量设备，等等。

图8中所说明的验证设备300与先前所描述(及如图4a到图4d中所说明)的验证设备100的不同之处在于：检测器116被成像阵列320(例如，光敏阵列)所代替(或在未说明的任选布置中，辅以成像阵列320(例如，光敏阵列))。

和先前所描述的第一偏振器112和第二偏振器114的透射取向的布置一样，第一偏振器312经布置使得其透射取向与定位在测量区域中的物品308的所述部分的透射取向成约+45°。第二偏振器314(处在偏振取向上)经布置，使得其透射取向与定位在测量区域中的物品308的所述部分的透射取向成约-45°。替代地，第一偏振器312的透射取向可为如此以至于其与定位在测量区域中的物品308的所述部分的透射取向成约-45°，且第二偏振器314的透射取向可为如此以至于其与定位在测量区域中的物品308的所述部分的透射取向成约+45°。

成像阵列320可操作为经由第二偏振器314使如从成像阵列320的位置观测到的所述膜的至少一部分成像。也就是说，成像阵列320被定位成接收从第二偏振器314透射的受偏振的透射电磁辐射(在图8中由箭头PTL来表示)。成像阵列320(单独地或结合处理器304)可操作为由从第二偏振器314透射并由成像阵列320接收的受偏振的透射电磁辐射来编译物品308的膜的特定部分或区域的图像。

处理器304可操作为将对应于编译图像的数据集与存储在数据库(未示出)中的预定义值的数据集相比较。预定义值数据集对应于当真实物品(例如，真实膜)定位在测量区域中时将观测到的预期图像。

在实施比较之后，处理器304可操作为命令警报系统306指示膜/物品为真实的或为非真实的。如果比较的结果是肯定的(即，编译图像数据集与对应于真实膜/物品的预期图像的预定义值数据集匹配)，那么膜被认为是真实的且处理器可操作为将含有发布膜/物品是真实的指示的命令的信号发送给警报系统306。否则，处理器可操作为将含有发布膜/物品为非真实的指示的命令的信号发送给警报系统306。

通过此布置的设备300实施的验证方法可适合于实施膜/物品的区域观测而非如由上述其它布置所实施的点观测。采用这种“区域观测”技术可允许基于膜的固有双折射图案来验证膜，所述固有双折射图案将可使用图8的设备300观测到。因此，将在编译图像中捕获到双折射图案(如果存在)，且可以将此观测到的双折射图案与将预期在设备300中存在真实膜的情况下观测到的预定义图像(即，双折射图案)相比较。

在上述一个或多个实施例的任选布置中且如图8中所说明，发射器310可包括白光源(例如，灯箱)，和/或成像阵列320可包括CCD相机。在另一任选布置中，成像阵列320可包括平板扫描仪。

图9说明根据本发明的一个或多个实施例的另一验证设备。

再次，图9中也说明了与先前诸图中所说明的特征类似的特征。在图9中，使用类型4XX而非1XX、2XX或3XX的参考数字来指定与先前诸图的特征有共同之处的特征。因此，在图9中，由参考数字400(而非100、200或300)来表示验证设备，由参考数字402(而非102、202或302)来表示双折射率测量设备，等等。

图9中所说明的验证设备400与先前所描述(及如图4a到图4d、图5、图6中所说明)的验证设备的不同之处在于存在单个固定式检测器414，以及在于其进一步包括光学响应修改器418。

光学响应修改器418定位(就像第一偏振器412、第二偏振器414以及物品408)在发射器410和检测器416之间的电磁辐射光束路径中。

光学响应修改器418可操作为修改定位在测量区域中的物品408的可观测到的光学响应。光学响应修改器418的修改效应是修改定位在测量区域中的物品408的观测到的双折射率特性。提供光学响应修改器418，以有效地将预定量的偏移引入到表示如在检测器416处接收到且如由检测器416所测量的受偏振的透射电磁辐射的强度的值。

光学响应修改器418任选地包括适合于充当半波或四分之一波延迟板的材料。光学响应修改器418(例如，双折射材料)通过提供加法或减法延迟来控制响应，所述延迟可以进一步通过使光学响应修改器418相对于物品408的旋转对线而旋转来更改。可以使用下式来计算延迟的更改程度：

Δr＝lΔncos(2θ)

其中r是延迟变化，Δn是光学响应修改器418的双折射率，l是光学响应修改器418的厚度且θ是相对于物品408测量角度的旋转角度。

因此在操作中，由所述物品408透射的透射电磁辐射TL在其穿过第二偏振器414时受第二偏振器414偏振，且由所述物品408透射的透射电磁辐射TL的一部分作为受偏振的透射电磁辐射(由箭头PTL表示)朝检测器416继续前进。在到达检测器416之前，受偏振的透射电磁辐射PTL入射于光学响应修改器418上。入射的受偏振的透射电磁辐射PTL的一部分未被透射(例如，被反射或吸收)，且剩余部分由光学响应修改器418透射。这个剩余部分(下文为“经光学修改的透射辐射”OMTL)继续前进到检测器416且在那里被接收。

响应于检测到入射于检测器416上的经光学修改的透射辐射OMTL，检测器416将与经光学修改的透射辐射OMTL的强度成比例的信号输出到处理器404。

在接收到来自检测器416的输出测量信号之后，处理器404即刻可操作为：将接收到的信号的值与存储在数据库(未示出)中的一组预定义值相比较。这些预定义值对应于当真实物品(例如，真实膜)定位在测量区域中时预期的经光学修改的透射辐射OMTL值。

在实施比较之后，处理器404可操作为命令警报系统406指示膜/物品为真实的或为非真实的。如果比较的结果是肯定的(即，膜是真实的)，那么处理器可操作为将含有发布膜/物品是真实的指示的命令的信号发送给警报系统406。否则，处理器可操作为将含有发布膜/物品为非真实的指示的命令的信号发送给警报系统406。

在现有技术系统中，使用具有白光发射器的装备且接着综合(基本上是求平均值)在检测器处接收到的光的强度来测量双折射率。也就是说，跨越白谱的测量结果被综合。这意味着，针对拉幅膜进行的测量可与针对BOPP气泡工艺膜进行的测量非常类似，其中对那些膜的制造工艺控制不佳。

已使用0到1等级来标准化双折射率的测量结果，其中值0表示没有双折射率(即，一对交叉偏振器，不存在物品)。值1表示当存在具有“半波”性质(大约275nm延迟)的物品时的双折射率。在与先前测量系统一起使用的标准化(即，0到1)双折射率测量等级中，BOPP气泡工艺膜将通常产生在标准化双折射率测量等级中约0.3的测量结果读数。但是，通常可针对拉幅膜看到标准化双折射率测量等级中约0.4到约0.6的测量结果读数。

在任选布置中，光学响应修改器418可由处理器404和致动器(未示出)进行可控旋转，以更改光学响应修改器418的x和y双折射轴的取向。

由于双折射率为加法，所以有可能通过要么加上正双折射率要么减去负双折射率来改变标准化双折射率测量等级的零点。因此，具有相同双折射率的两个膜将加起来，以产生两倍多的延迟(及因此两倍多的双折射率)。当相对于彼此的取向被定位成90°时，相同的两个膜将有效地彼此抵消。

如果提供在与装备将要测量的物品的轴线相对的轴线中具有0.3单色双折射率的光学响应修改器418(例如，膜)，那么当测量区域中不存在物品时，在检测器416处接收到的经光学修改的透射辐射OMTL的测量值将是0.3。当在检测器416处接收到的经光学修改的透射辐射OMTL的测量值将是0时，放置样本以使相对轴线中的延迟增加，这将减小此值直到样本(即，插入的物品)双折射率是0.3为止。进一步增加相对轴线中的延迟将增大在检测器416处接收到底饿经光学修改的透射辐射OMTL的测量值。使用这种技术意味着0到0.6的双折射率有效地变为被二等分成0.3。

针对白光系统采用上述技术的结果是，BOPP气泡工艺膜的检测器测量值(处在此类型膜的预期值的高端)和拉幅膜的检测器测量值(处在此类型膜的预期值的低端)之间的差距变宽。

如上所述的图9的布置可适合有助于能够区别具有在与BOPP气泡工艺膜的双折射率值类似的范围中的双折射率值的拉幅膜和BOPP气泡工艺膜自身。因此，设备可适合于识别真的气泡工艺膜、真的非气泡工艺膜(例如，使用拉幅工艺制成的真实膜)或非真的非气泡工艺膜。

图10说明根据本发明的一个或多个实施例的另一验证设备。

再次，图10中也说明了与先前诸图中所说明的特征类似的特征。在图10中，使用类型5XX而非1XX、2XX、3XX或4XX的参考数字来指定与先前诸图的特征有共同之处的特征。因此，在图10中，由参考数字500(而非100、200、300或400)来表示验证设备，由参考数字502(而非102、202、302或402)来表示双折射率测量设备，等等。

在更详细地描述图10的验证设备500之前，如WO2009/133390中所公开的双折射率测量系统将被描述为背景技术信息。

WO2009/133390中所公开的系统包括发射器->第一偏振器->第二(交叉)偏振器->检测器系统，其中待验证的膜定位在第一和第二偏振器之间。

所述系统的发射器可操作为发射白光。穿过系统的这种白光包括不止一种波长而是某个完整波长范围的电磁辐射。所述范围中的每个波长将在第二偏振器处根据其与其波长之间的关系以不同方式干涉。方程式(3)可以用来计算相位差p，其描述波长λ和延迟之间的关系：

$p=\frac{2\mathrm{\π}}{\mathrm{\λ}}r=\frac{2\mathrm{\π}d(n_x-n_y)}{\mathrm{\λ}}---\left(3\right)$

可以通过使用方程式(4)来计算由相位差为p的两个波长的干涉形成的波形的振幅A：

$A=\sin \left(\frac{\mathrm{\π}+p}{2}\right)=\sin (\frac{\mathrm{\π}}{2}+\frac{\mathrm{\π}d(n_x-n_y)}{\mathrm{\λ}})---\left(4\right)$

对于透射光的任何射线来说，可以使用方程式(5)来计算强度I：

$I=1-A^2=1-{\[\sin (\frac{\mathrm{\π}}{2}+\frac{\mathrm{\π}d(n_x-n_y)}{\mathrm{\λ}})\]}^2---\left(5\right)$

方程式(5)允许计算在特定波长下的波的强度并可以用来建置展示透射光将显现成何样的谱。但是，其为透射光跨越待测量的范围的整体强度T，且因此必须将这个方程式(5)如下修改成方程式(6)：

$T={\∫}_{\mathrm{\λ}\min }^{\mathrm{\λ}\max }Id\mathrm{\λ}={\∫}_{\mathrm{\λ}\min }^{\mathrm{\λ}\max }1-{\[\sin (\frac{\mathrm{\π}}{2}+\frac{\mathrm{\π}d(n_x-n_y)}{\mathrm{\λ}})\]}^{2}d\mathrm{\λ}---\left(6\right)$

图11示出如针对60μm膜在0到0.05双折射率的范围内所计算的方程式(6)的结果。如先前所指示，图11示出膜的透射强度对双折射率水平。如可以看到，达到峰值，接着振荡强度落下又升起。图11示出集成检测器将看到的现象；双折射率几倍于由气泡工艺产生的膜有可能达到的双折射率的膜根据这一等级将具有小达30％的透射值，例如由方框A表示的区域(其被模型化，因此强度可能并不精确)。如可了解，这些透射值与处在由气泡工艺产生的膜的透射值范围(由方框B表示)上端的透射值类似。

通常通过从Michel-Levy图表(本文仅在图12以黑白说明)中进行读取来识别双折射率。底部x轴是延迟(mm)，且取决于其行为而被划分成不同阶次。第一阶次的第一半(0到300nm)由黑到白的过渡组成，表示零透射到白光宽带。这个第一阶次对应于图11中所说明的图中的第一峰值(0到0.004)。应注意，在第一阶次的第一半之后，强度落下到最大值的明显30％的值。这与第一阶次结束对应，且在实践中可以通过使用全波膜来测量。测量到的值与所计算的值(更接近最大值的50％)不同，这有可能是由于由上述方程式限定的模型被简化和实际装备发生变化。

WO2009/133390中所公开的类型的白光单检测器集成系统在系统的检测器端处实现测量，这实际上是将来自白光源的所有光的透射综合成单值。因此，无法解决在高于第一阶次的延迟处发现的色彩变化(出于更多细节，见图12处所说明的Michel-Levy图表的全色版本)。因此，在由这种类型的系统进行的测量中损失了一些信息。

为进一步说明，再次参考图11。图11中所显示的透射水平可映射到图12中所说明的Michel-Levy图表。图11中所说明的第一周期对应于Michel-Levy图表的第一阶次的黑到白过渡。图11中所说明的中间周期对应于图12中所说明的Michel-Levy图表的更高阶次上的色带(图12中仅以黑白示出)。如果引用全色Michel-Levy图表，那么可以看到在更高阶次处色彩被透射。

如果获得Michel-Levy图表并将其转换为灰阶且接着获得跨越其的强度线，那么所得轮廓将大致具有与图1中所说明的形状相同的形状。

从图11中可以看出，双折射率处在这个图上的0.01(由点P表示)处的膜与处在0.002(由Q表示)处的膜具有大约相同的综合透射值，且仍(如可以通过交叉引用图12的Michel-Levy图表看到)具有五倍延迟。

泡膜和拉幅膜之间的关系甚至更为极端。60μm拉幅膜的延迟值将在800与1200之间，而泡膜的延迟值将小于约200。但是，将这些值转换成图11的图产生了大致类似为约40％的透射(200nm延迟(Michel-Levy图表)对应于图11中的约0.002到0.003的双折射率；800到1000nm延迟对应于图11中的约0.015到0.025的双折射率)。

因此，这种测量技术传回表示极为不同的膜的双折射率的类似值。透射水平的原因极为不同。泡膜将具有接近平坦的谱，其在观测者的眼睛看来是白色，且拉幅膜将使特定色彩透射，结果是将损失可见谱的部分。可见谱的部分的这种损失恰是使综合强度减小的原因。

允许区分波长的测量将暴露这种差异。图10的布置可操作为采用此类技术来试图避免上文所引用的这种信息损失。另外，图10的布置被设计成适合可被透射的色彩信息(即，对应于Michel-Levy图表的更高阶次)。为进行此，图10的布置可采用其描述双折射率的更高阶次的1到20等级，以补充上文所引用的0到1等级。当处理器进行操作以实施用于将谱转换成单值的过程(稍后更详细地描述)时，可由处理器采用此类等级。一般来说，所述过程允许将波长信息(基本上是“色彩”信息)保持于任何测量中并有效地将一组所测量的强度值的方差加到值自身。

可通过处理器504中的过程来实施的“彩色”测量可减小系统对未对准的样本的灵敏度。举例来说，高度双折射的拉幅膜将使可见电磁谱的红色部分中的光透射。也就是说，检测器将接收到处于对应于电磁谱的红色部分的波长下的电磁辐射。拉幅膜在其旋转时将仍使红色光透射，但所测量的强度在膜旋转时将减小。白光单检测器集成系统将把在膜旋转时强度的这种减小解译为双折射率的减小。色彩测量系统示出情况并非如此。双折射率/延迟在膜旋转时保持相同，但所透射的延迟光的量减少。这是由于两个独立的效应所致。对于延迟到第一阶次(参考全色Michel-Levy图表)的膜来说，其中透射实际上是黑->灰->白，对于使红色光透射的膜来说，这并不明显：如果延迟的程度改变，那么观测到的色彩将改变。但是，其并未改变，且观测到的红色的强度将仅减小。色彩测量系统将登记强度的整体减小但一致的谱形状。

使用图10的验证设备，已插入测量区域中以便处于不对准的“红色”1000nm延迟膜(即，使红光透射的膜)将仍可检测为非泡膜(即，相对较高双折射率膜)，即使其极为不成一直线且透射水平更低也是如此。这是因为使用由处理器504中的平均化模块(且稍后进一步论述)执行的“线形”确定过程与线的平均强度比起来更侧重于其平坦度。因此，如图10中所说明的色彩测量系统除能够解译强度信息之外还能够解译色彩信息，以避免在白光单检测器集成系统中可能发生的信息损失。可由处理器504在此布置中基于两组信息来做出验证确定。

意识到基于在白光条件下测量双折射率来确定真实性的系统局限性，假币制造者仅试图产生伪安全文件，其中使具有相对较高双折射率的非聚合物膜衬底的机械和横向方向相对于衬底的边缘而倾斜。也就是说，衬底的机器和横向方向可能不平行于衬底的边缘。因此，当将这种类型的伪安全文件引入到基于使用白光发射器、单集成检测器技术测量双折射率来确定真实性的系统中时，伪安全文件在肉眼看来可呈现为被恰当地对准。但是，实际上，衬底的机器和横向方向将相对于设备不对准，且可模仿在存在具有更低双折射率的膜衬底的情况下将观测到的效应。也就是说，未对准导致观测到这样的双折射率，即其低于在具有非真、更高双折射率的膜已配置成使得在机器和横向方向被对准的情况下将原本观测到的双折射率。

上文关于图10所描述的设备可适合于检测形成在非气泡工艺膜衬底(即，具有相对较高双折射率的那些膜衬底，例如拉幅膜)上的伪安全文件，其中当置于设备中时，聚合物膜衬底的机器方向和横向方向经刻意地布置以便不对准。

图10中所说明的验证设备500与先前所描述的一些验证设备的不同之处在于存在单个固定式检测器514，且在于其进一步包括至少一个波长滤波元件518。

所述至少一个波长滤波元件518可操作为定位于在发射器510与检测器516之间行进的电磁辐射光束路径中。

在所说明的布置中，波长滤波元件518可操作为在由检测器516接收之前使一部分波长的受偏振的透射电磁辐射透射。在其中提供多个波长滤波元件518的任选布置中，所述多个波长滤波元件518中的每个可起到使受偏振的透射电磁辐射的谱的不同部分(即，不同波长范围)透射的作用。可通过受处理器504控制的致动器(未示出)来实现将多个波长滤波元件518中的一个放置在光束路径中。在这个任选布置中，设备可操作为选择受偏振的透射电磁辐射的谱的不同部分，之后即刻在检测器516处执行检测测量。

因此在操作中，由所述物品508透射的透射电磁辐射TL在其穿过第二偏振器514时受第二偏振器514偏振，且由所述物品508透射的透射电磁辐射TL的一部分作为受偏振的透射电磁辐射(由箭头PTL表示)朝检测器516继续前进。在到达检测器516之前，受偏振的透射电磁辐射PTL入射于波长滤波元件518上。入射的受偏振的透射电磁辐射PTL的某些波长未被透射(例如，被反射或吸收)，且波长的剩余部分由波长滤波元件518透射。这个剩余部分(下文为“经滤波的透射辐射”FTL)继续前进到检测器516且在那里被接收。

响应于检测到入射于检测器516上的经滤波的透射辐射FTL，检测器516将与经滤波的透射辐射FTL的强度成比例的信号输出到处理器504。

处理器504可操作为实施用于将谱转换成单值的过程。下文更详细地描述所述过程。这个单值是基于平均值加上描述谱的平坦度的因子。平谱将传回大致等于谱的平均值(或综合强度)的值：泡膜将落入这个类别。当双折射率增大时，谱变得倾斜且最终变得复杂得多，因此方差值部分增加而变得占优势—因此，高度双折射材料将获得大得多的值。上述类型的白光单检测器集成系统采用0到1标准化测量等级，其将给出“0”(当设备为空时)和“1”(当“半波”膜定位在系统中时)的读数。这粗略对应于图11的图上的等级。

为了校准验证设备500，操作员可在开始验证过程之前执行校准过程。

可获得“深色”读数(即，在发射器510切断的情况下设备的空测量区域的谱)。还获得了“浅”读数(即，在发射器510接通的情况下空测量区域的谱)。处理器504可操作为使用指示这些读数是“深色”和“浅色”读数的表示来标记从这些读数获得测量值。处理器503进一步可操作为将测量值传达给合适的存储构件以供在某个其它时间点检索。

一旦完成校准过程，验证设备500便准备好验证样本。

当样本物品/膜508定位在验证设备500的测量区域中时，获得样本读数(即，在样本定位在测量区域中且灯接通的情况下所述测量区域的谱)。

处理器操作由检测器516输出到处理器504的测量值的范围，以计算所得谱。处理器504可操作为实施以下计算以计算出所得谱：

所得谱＝(样本读数-深色读数)/(浅色读数-深色读数)

处理器504可操作为使用平均化模块(未示出)来“平滑”计算出的所得谱。通过平均化模块实现的过程如下：

temp[j]＝(所得谱[j-3]+所得谱[j-2]+所得谱[j-1]+resultSpectrum[j]+所得谱[j+1]+所得谱[j+2]+所得谱[j+3])/7

这种“平滑”函数可减小随机噪音对样本方差的影响。

对每个结果(temp[j])求平均值，使得在整个谱中在所述结果的任一侧具有+/-3结果。

处理器504可操作为使用平均化模块来接着计算谱的平均值和谱的统计方差。

处理器504接着可操作为使用平均化模块从理论理想形状(使用实际谱的平均值来定位其强度)来计算第一阶次(即，黑到白)延迟谱的多项式。

处理器504接着可操作为使用平均化模块从多项式的一般形状来计算这个所得谱的方差。

处理器504可操作为做出以下决定：如果方差高于某个水平，那么应用多项式校正。这样做的原因是，对于低水平的双折射率来说，所计算的谱线朝谱的红色端倾斜。校正这使低双折射率线变平，由此减小这种倾斜对方差的影响。但是，如果将这种倾斜应用到接近第一阶次末尾的双折射率结果(见Michel-Levy图表)，那么其可要么减小最终方差要么不公平地增大边界膜的方差。

如果处理器504确定已应用了多项式校正，那么其重新计算已变平的线的方差。

所计算的方差描述线的平坦度(如上所述)。线越平，方差越低。当所有低双折射率线根据理论多项式均已变平时，第一阶次的双折射率将相当于平均强度。公式用于描述线：

结果＝平均值+100*方差

使用这种技术，结果对线平坦度的变化极为灵敏，获得以下结果：

·0到0.8＝与当前白光单检测器集成系统0到1(半波板)等级密切一致。

·0.8到1.2＝当线开始倾斜时，这个区域中的准确度损失，从而约略对应于白光单检测器集成系统0到1等级的0.8到1。

·1.2到30＝当线变成彩色时，方差急剧增大。拉幅膜得至少9分且常常高得多。这相当于0到1等级的0.5到1：由白光单检测器集成系统引发的情形。

在实施上述过程之后，处理器可操作为将使用所述过程计算出的值(或谱)(其表示接收到的信号)与存储在数据库(未示出)中的一组预定义值相比较。这些预定义值(或预定义谱)对应于当真实物品(例如，真实膜)定位在测量区域中时预期的经滤波的透射辐射FTL值(当采用特定波长滤波元件518时)或预定义谱。

在实施比较之后，处理器504可操作为命令警报系统506指示膜/物品为真实的或为非真实的。如果比较的结果是肯定的(即，膜是真实的)，那么处理器可操作为将含有发布膜/物品是真实的指示的命令的信号发送给警报系统506。否则，处理器可操作为将含有发布膜/物品为非真实的指示的命令的信号发送给警报系统506。

在图7a和图7b中所说明的布置的任选布置中，代替单个第二偏振器可在其中偏振方向相对于第一偏振器的方向被交叉的取向和其中偏振方向与第一偏振器的方向相同的取向之间旋转的做法是，第二偏振器实际上可包括具有不同取向的两个单独的第二偏振器，所述第二偏振器可以取决于需要哪种类型的透射而被放置在光束路径中(即，与第一偏振器比较而言的交叉偏振，或与第一偏振器比较而言的平行偏振)。

在图10中所说明的布置的任选布置中，可结合光谱仪来使用白光发射器源以作为检测器516。在此类布置中，不需要波长滤波元件518。

在图10中所说明的布置的另一任选布置中，发射器510可包括白光源，且检测器516可包括光电二极管阵列，所述光电二极管阵列具有波长滤波元件518(任选地，不同彩色滤光片)的对应阵列。举例来说，设备500可包括白色LED以作为发射器510，且包括三个光电二极管以有效作为检测器516。三个光电二极管中的第一个可具有对应蓝色滤波器以作为其关联的波长滤波元件518，三个光电二极管中的第二个可具有对应绿色滤波器以作为其关联的波长滤波元件518，且三个光电二极管中的第三个可具有对应红色滤波器以作为其关联的波长滤波元件518。

在图10中所说明的布置的另一任选布置中，发射器510可包括发射器的阵列，每个发射器可操作为发射不同色彩的光。检测器516可包括对应检测器的阵列，每个检测器响应于由所述发射器阵列中的关联一个发射的特定色彩的光。

在图10中所说明的布置的另一任选布置中，发射器510可包括电磁发射器源或源的阵列，其为可控型以发射白光、特定色彩的光(即，在可见电磁谱的特定波长范围中的光)和/或混合色彩(但非全部色彩)的光。这可使用一种类型的白光LED来实施，所述白光LED包括定位在白光LED外壳中的红色、绿色和蓝色LED。红色、绿色和蓝色LED可以一起被照明以产生白光。但是，通过调适白光LED使得红色、绿色和蓝色LED中的每个为个别可控型，可通过控制哪些LED(或LED的组合)被照明来获得白光、彩色光(例如，仅红色、仅蓝色或仅绿色)或混合色彩光(例如，红光与绿光、蓝光与绿光、蓝光与红光)。

图10中所说明的布置的这个任选布置可适合于确定所测试的膜是第一类型还是其它类型或是至少第二类型还是其它类型。第一类型的膜可为(例如)使用气泡工艺形成的膜。至少第二类型的膜可为(例如)使用拉幅工艺形成的膜。可采用所述设备来识别第一类型的真膜、至少第二类型的真膜和非真膜。

将进一步参考图13到图16来描述所述布置。

图13示意性地说明图10中所说明的设备的任选布置的透视图。在这个任选布置中，发射器510包括电磁发射器源，所述电磁发射器源为可控型，以取决于操作模式来发射白光(WL)或特定色彩的光(CL)。

不同发射器源将产生不同强度对延迟曲线。因此，其中发射器源发射白光的强度对延迟曲线将不同于其中发射器源发射彩色光的强度对延迟曲线。

图14说明当图13的设备500在第一模式中操作使得发射器510发射白光且检测器516接收到白光(PTL)时如由所述设备的检测器516测得的延迟对强度的图。图15说明当图13的设备500在第二模式中操作使得发射器510发射彩色光且检测器516接收到彩色光(PTL)时如由所述设备的检测器516测得的延迟对强度的图。图16说明图14和图15的图的组合图。

图14中所说明的强度曲线对应于当发射器510以第一模式操作以发射白光时由检测器516针对不同膜类型(即，不同延迟值)接收到的电磁辐射的强度。使用气泡工艺制造的聚合物膜将大体上具有在范围0到120nm(在图14中由方框R表示)中的延迟值。如从图14中所说明的曲线可以看到，相比于具有更高延迟值的膜，具有在此范围内的延迟值的聚合物膜的强度信号将相对较低。

因此，可使用所述布置以在由检测器接收到的白光电磁辐射的强度值小于0.2的情况下确定测试中的膜是否为使用气泡工艺制造的膜(即，具有低延迟值的膜)。因此，在第一操作模式中，如果强度值小于0.2，那么设备500可以将测试中的膜分类为第一类型(即，如使用气泡工艺制成)，或如果强度值大于0.2，那么设备500可以将测试中的膜分类为至少第二类型或某种其它类型。

在一些例子中，可能需要确定包括已通过非气泡工艺形成的聚合物衬底(例如，拉幅膜)的物品的真实性。如果将以此方式来使用设备500，那么彼此使用第一模式测量结果和第二模式测量结果来做出真实性确定。

使用拉幅工艺制造的很常见的聚合物膜将大体上具有在范围900到1100nm(由方框S₁)中的延迟值。再次参考图14，可以看到，具有在这个范围中的延迟值的膜将在检测器516处产生白光的接收强度(当设备以第一模式操作时)，其中所述接收强度的值在0.5和0.6之间。但是且如从图可以看到，在更高的延迟值和更低的延迟值两者下，0.5到0.6的强度值在整个谱中极为常见。实际上，也可出现此类强度值，其中测试中的膜具有在以下各项之间的延迟：约1400nm到约1700nm(由方框S₂表示)；约2100nm到约2400nm(由方框S₃表示)；约2800nm到约3200nm(由方框S₄表示)；以及约3500nm到约3900nm(由方框S₅表示)。

因此，如将了解，使用在0.5和0.6之间的强度值将不准许确定测试中的膜的延迟值，因为处于在此范围中的值的接收白光电磁辐射对应于多个可能的膜延迟值。

虽然可以使用0.5和0.6的强度值范围来排除产生在这个范围外的强度值(如上所提到)，但需要另外的步骤以便确定测试中的膜是否具有在所需范围内的延迟值。

总结迄今为止的过程，如果检测器516接收到的白光的强度值小于0.2(即，第一模式第一阈值)，那么设备500指示测试中的膜是第一类型(即，气泡工艺膜)。如果检测器516接收到的白光的强度值是在0.5和0.6之间(即，高于第一阈值但在第一模式第二阈值和第一模式第三阈值之间)，那么设备500必须继续进行到第二操作模式(下文进一步描述)以便对延迟值(及因此膜是否为第二类型)做出确定。如果检测器516接收到的白光的强度值既大于第一模式第一阈值(即，0.2)又在第一模式第二阈值(即，0.5)和第一模式第三阈值(即，0.6)之间的值范围外，那么设备500可操作为指示测试中的膜为非真类型。

将关于图15来描述第二操作模式。在这个操作模式中，发射器510进行操作以使用两个光源(发射在490nm下的光的源和发射在540nm下的光的源)来发射彩色光。当然，在其它布置中，可使用可操作为发射在不同波长下的光的不同源。

因此，图15中的强度曲线对应于将上述源用作发射器510从而在检测器516处接收到的彩色光。再次，在此图中由方框R来表示使用气泡工艺制造并具有在范围0到120nm中的延迟值的聚合物膜。

使用拉幅工艺制造并具有在范围900到1100nm中的延迟值(在此图中由方框T₁来表示)的聚合物膜将在检测器516处产生约0.1到0.2的强度值。如从图15可以看到，存在两个其它膜延迟值范围，这些延迟值范围将在检测器516处产生0.1到0.2的约略相当的强度值。这些是：在范围50到120nm中(即，在对应于气泡工艺膜的方框R内)的延迟值；以及在范围约450nm到约600nm中(即，在此图中由方框T₂来表示)的延迟值。但是，当也考虑来自第一操作模式的强度值测量结果时，处理器504可以排除在方框R内和方框T₂内的范围中的延迟值。通过将图14的强度曲线上覆在图15的强度曲线上，可以看到这些处理步骤，如图16中所说明。

在图16中，方框S₁&T₁表示来自第一操作模式和第二操作模式两者的参数的组合。也就是说，如果测试中的膜产生满足第一操作模式和第二操作模式两者的边界参数的强度值，那么设备确定测试中的膜是第二类型(即，在这个例子中，真拉幅膜)。

因此，如果在第一操作模式中检测器516接收到的白光的强度值是在0.5和0.6之间(即，高于第一阈值但在第一模式第二阈值和第一模式第三阈值之间)，那么设备500继续进行以实施第二操作模式。如果在第二操作模式中检测器516接收到的彩色光的强度值是在约0.1(第二模式第一阈值)和约0.2(第二模式第二阈值)之间，那么设备500可操作为确定测试中的膜是第二真类型(例如，真拉幅膜)。但是，如果在实施第二操作模式之后，检测器516接收到的彩色光的强度值在第二模式第一阈值(即，0.1)和第二模式第二阈值(即，0.2)之间的值范围外，那么设备500可操作为指示测试中的膜是真类型。

可如下概括由处理器504实施的上述算法：

模式1(白光)

a)如果检测器处的强度值小于约0.2，那么设备可操作为提供膜是真品且为第一类型的指示；或

b)如果检测器处的强度值是在约0.5和约0.6之间，那么设备可操作为实施模式2；或

c)如果检测器处的强度值大于约0.2且不在约0.5和0.6之间，那么设备可操作为提供膜为非真品的指示；

模式2(彩色光)

a)如果检测器处的强度值是在约0.1和约0.2之间，那么设备可操作为提供膜是真品且为第二类型的指示；或

b)如果检测器处的强度值不在约0.1和约0.2之间，那么设备可操作为提供膜为非真品的指示。

应了解，设备500可被配置成仅通过更改第一和/或第二操作模式中的阈值来检测其它真膜类型。也就是说，设备500所采用的技术可用于确定具有任何范围的延迟值的膜的真实性。

另外，设备500可被配置成使用不同色彩光源组合来照明测试中的样本膜。因此，代替第一模式中的白光源和第二模式中的彩色光源的做法是，设备可在第一模式中采用第一彩色光源且在第二模式中采用第二彩色光源。任选地，可存在多于两种的操作模式，例如第一彩色光源可在第一模式中操作，第二彩色光源可在第二模式中操作，第三彩色光源可在第三模式中操作，等等。

在上述实施例的一个或多个中，验证设备可进一步包括：数据存储元件(例如，ROM)，其用于存储预定双折射率特性数据和其它光学特性数据；以及工作存储器或高速缓冲存储器(例如，RAM)。

在又另外的任选布置中，可以不同组合来采用上述一个或多个实施例(如图4a到图4b、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图13中所说明)的特征中的一个或多个，以形成验证设备的其它实施例。

在所说明的一个或多个实施例中，示出了点型电磁辐射发射源和点型检测器。但是，在任选布置中，可使用线性电磁辐射发射源和/或线性检测器。

在又另外的任选布置中，可使用点型源、线性源、点型检测器和/或线性检测器的组合。

在以上描述中，对“光”任何引用意欲不仅包含在电磁谱的“可见”部分中的电磁辐射，而且包含在电磁谱的“非可见”部分中的电磁辐射。另外，对电磁谱的“可见”部分的任何引用意欲包含红外线光和紫外线光。

在可至少部分地使用软件控制型可编程处理装置(例如，通用处理器或专用处理器、数字信号处理器、微处理器或其它处理装置、数据处理设备或计算机系统)来实施上述本发明的实施例的范围内，将了解，用于配置可编程装置、设备或系统以实施方法和设备的计算机程序被设想为本发明的方面。计算机程序可体现为任何合适类型的代码，例如源代码、目标代码、编译代码、解译代码、可执行代码、静态代码、动态代码等等。可使用任何合适的高阶、低阶、面向对象、视觉、编译和/或解译编程语言(例如，Liberate、OCAP、MHP、Flash、HTML和关联语言、JavaScript、PHP、C、C++、Java、BASIC、Perl、Matlab、Pascal、VisualBASIC、JAVA、ActiveX、汇编语言、机器代码等等)来实施指令。技术人员将不难理解，术语“计算机”在其最一般的意义上涵盖可编程装置(例如，上文所指的可编程装置)以及数据处理设备和计算机系统。

合适地，计算机程序以机器可读形式存储在载体媒体上，例如载体媒体可包括存储器、抽取式或非抽取式媒体、可擦除或非可擦除媒体、可写或可重写媒体、数字或模拟媒体、硬盘、软盘、压缩光盘只读存储器(CD-ROM)、可记录压缩光盘(CD-R)、可重写压缩光盘(CD-RW)、光碟、磁碟、磁光媒体、抽取式存储卡或盘、各种类型的数字多用途光源(DVD)用户身份模块、磁带、盒式固态存储器。

如本文所使用，对“一个实施例”或“一实施例”的任何引用意指结合所述实施例描述的特定元件、特征、结构或特性被包含在至少一个实施例中。在说明书各处短语“在一个实施例中”的出现未必皆指代同一实施例。

如本文所使用，术语“包括”、“包含”、“具有”或其任何其它变化意欲涵盖非排他性包含。举例来说，包括元件列表的工艺、方法、物品或设备未必仅限于那些元件，而是可包含未明确列出或为此类工艺、方法、物品或设备所固有的其它元件。另外，除非明确陈述为相反，否则“或”指包含性或而非排他性或。举例来说，以下各项中的任一个满足条件A或B：A为真(或存在)且B为假(或不存在)；A为假(或不存在)且B为真(或存在)；以及A和B两者为真(或存在)。

另外，采用“一”的用法来描述本发明的元件和部件。仅仅是出于方便且为了给出本发明的一般意义才这么做。应将这种描述理解为包含一个或至少一个，并且除非明确意指相反情况，否则单数也包含复数。

鉴于以上描述，所属领域的技术人员将显而易见，可在本发明的范围内进行各种修改。

本公开的范围包含其中明确地或隐含地公开的任何新颖特征或特征组合或其任何一般化，不论其是否与所要求的本发明有关或缓和由本发明解决的任何或所有问题。申请人据此通知，在本申请或由此得到的任何此类另外申请的起诉期间，可为此类特征制订新的权利要求。特别来说，参考所附权利要求，来自附属权利要求的特征可与来自独立权利要求的特征组合，且来自相应的独立权利要求的特征可以任何合适方式而不仅仅是以权利要求中所列举的特定组合来组合。

Claims (105)

1.一种可操作为确定聚合物膜的真实性的验证设备，包括基于光学的双折射率测量布置，所述基于光学的双折射率测量布置可操作为从包括与所述膜的平面所成的非垂直角的第一角度、以及第二角度和第三角度中的至少一个来测量受所述膜的双折射率特性影响的第一效应；并且其中所述设备可操作为：

将表示从所述第一角度测得的所述第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，该指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对所述第一角度的预定双折射率特性；

将表示从所述第二角度和所述第三角度中的所述至少一个测得的所述第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，该指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及

基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二角度包括与所述膜的平面所成的非垂直角，且所述第三角度包括与所述膜的平面所成的垂直角。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述设备可操作为区分由气泡工艺制成的膜和由不同种工艺制成的膜。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中所述基于光学的双折射率测量布置包括：发射器，被定位成且可操作为使用电磁辐射来照明定位在所述设备的测量区域中的所述膜的第一侧；第一偏振器，定位在所述第一发射器和所述膜的所述第一侧之间，使得由所述第一发射器发射的电磁辐射的至少一部分从中穿过；第一检测器，定位在所述膜的第二侧上，且可操作为接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射；第二偏振器，定位在所述膜的所述第二侧和所述第一检测器之间，使得透射穿过所述膜的电磁辐射的至少一部分从中穿过，其中所述第一检测器可操作为输出信号，所述信号表示基于以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射所测得的所述第一效应。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第一检测器可相对于所述膜的所述第二侧移动成定位在第一位置处，以接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第一角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射，且可进一步移动到第二位置和/或第三位置，以接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以相应的所述第二角度和/或所述第三角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射。

6.根据权利要求4所述的设备，进一步包括：

第二检测器，定位在所述膜的第二侧上，且可操作为接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第二角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射；和/或

第三检测器，定位在所述膜的第二侧上，且可操作为接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第三角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射；

其中：

所述第二检测器可操作为输出信号，所述信号表示基于以所述第二角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射所测得的所述第一效应；和/或

所述第三检测器可操作为输出信号，所述信号表示基于以所述第三角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射所测得的所述第一效应。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中所述第一角度包括以下各项中的一个：(i)由关于所述膜的向量[101]所描述的角度；和(ii)由关于所述膜的向量[111]所描述的角度。

8.根据权利要求7、前述权利要求中的任一项所述的设备，其中所述第二角度包括以下各项中的另一个：(i)由关于所述膜的向量[101]所描述的角度；和(ii)由关于所述膜的向量[111]所描述的角度。

9.根据权利要求4到8中的任一项所述的设备，其中由所述第一检测器输出的输出信号与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一检测器可操作为将所述输出信号传达给处理器，所述处理器可操作为将表示从所述第一角度测得的所述第一效应的所述输出信号的值与表示指定的第一效应的所述值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对所述第一角度的预定双折射率特性。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述值或值范围包括至少一个预期的第一检测器输出信号值，所述输出信号值表示以所述第一角度从所述膜的所述第二侧透射且在真实膜定位在所述测量区域中的情况下由所述第一检测器接收的电磁辐射。

12.根据权利要求6或权利要求7到11中的任一项所述的设备，当直接地或独立地取决于权利要求6时，其中由所述第二检测器和/或所述第三检测器输出的输出信号与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。

13.根据权利要求12所述的设备，其中：

所述第二检测器可操作为将所述输出信号传达给处理器，所述处理器可操作为将表示从所述第二角度测得的所述第一效应的所述输出信号的值与表示指定的第一效应的所述值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对所述第二角度的相应预定双折射率特性；和/或

所述第三检测器可操作为将所述输出信号传达给处理器，所述处理器可操作为将表示从所述第三角度测得的所述第一效应的所述输出信号的值与表示指定的第一效应的所述值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对所述第三角度的相应预定双折射率特性。

14.根据权利要求13所述的设备，其中：

所述值或值范围包括至少一个预期的第二检测器输出信号值，所述第二检测器输出信号值表示从所述膜的所述第二侧透射且在真实膜定位在所述测量区域中的情况下由所述第二检测器接收的电磁辐射；和/或

所述值或值范围包括至少一个预期的第三检测器输出信号值，所述第三检测器输出信号值表示从所述膜的所述第二侧透射且在真实膜定位在所述测量区域中的情况下由所述第三检测器接收的电磁辐射。

15.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，进一步包括基于光学的测量布置，所述布置可操作为以包括与所述膜的平面所成的非垂直角的所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个来测量受所述膜的至少一个其它光学特性影响的第二效应，并且其中所述设备可操作为：

将表示如以包括与所述膜的表面所成的非垂直角的所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个测得的所述第二效应的值或值范围与表示指定的第二效应的值或值范围相比较，所述指定的第二效应对应于真实聚合物膜针对相应的所述第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定其它光学特性，及

基于以下各项来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号：

根据前述权利要求中的任一项所述的双折射率测量结果比较；和/或

如以包括与所述膜的平面所成的非垂直角的所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个测得的所述第二效应的所述值或值范围与表示所述指定的第二效应的相应值或值范围的所述比较，所述指定的第二效应对应于真实聚合物膜针对相应的所述第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定其它光学特性。

16.根据权利要求15所述的设备，当直接地或独立地取决于权利要求4时，其中所述第二偏振动器进行可控取向，以实现在以下各方向中的一个方向上的偏振：横向于所述第一偏振器的方向的第一方向；以及与所述第一偏振器的方向相同的第二方向；其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可操作为：当对所述第二偏振器取向以实现在横向于所述第一偏振器的方向的所述第一方向上的偏振时，测量受所述膜的所述双折射率特性影响的所述第一效应；以及当对所述第二偏振器取向以实现在与所述第一偏振器的方向相同的所述第二方向上的偏振时，测量受所述膜的所述其它光学特性影响的所述第二效应。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可操作为：输出表示如测得的所述第一效应的第一信号；以及输出表示如测得的所述第二效应的第二信号。

18.根据权利要求17所述的设备，其中由所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器输出的所述第一输出信号和第二输出信号与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。

19.根据权利要求17或18所述的设备，其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可操作为将所述第一输出信号和第二输出信号传达给处理器，所述处理器可操作为：

将所述第一输出信号的值与表示所述指定的第一效应的值或值范围相比较；以及

将所述第二输出信号的值与表示所述指定的第二效应的值或值范围相比较，所述指定的第二效应对应于预定膜透射率。

20.根据权利要求19所述的设备，其中如果所述第一输出信号值或值范围具有可与表示受背景条件影响的效应的第一输出信号值或值范围区别开的水平，那么所述处理器可操作为基于所述第二输出信号的所述值或值范围与表示所述指定的第二效应的所述值或值范围的比较来输出所述真实性信号。

21.根据权利要求19或20所述的设备，其中所述值或值范围包括至少一个预期的第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器输出信号值，所述输出信号值表示从所述膜的所述第二侧透射且在真实膜定位在所述测量区域中的情况下当对所述第二偏振器取向以实现分别在所述第一方向上和在所述第二方向上的偏振时由所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器接收的电磁辐射。

22.根据权利要求19到21中的任一项所述的设备，其中所述处理器可操作为：

计算所述第一输出信号的值和所述第二输出信号的值之间的差值；

通过将所述差值二等分来计算经修改的差值；

通过从所述第二输出信号值减去所述经修改的差值来计算双折射率表示值；

将所述双折射率表示值与表示所述指定的第一效应的所述值或值范围相比较；以及

基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的所述真实性信号。

23.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中所述基于光学的双折射率测量布置进一步可操作为测量在电磁谱的至少一部分内和以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个受所述膜的所述双折射率特性影响的第三效应，并且其中所述设备可操作为：

将表示如以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个测得的所述第三效应的值或值范围与表示指定的第三效应的相应的值或值范围相比较，所述指定的第三效应对应于真实聚合物膜针对电磁谱的相同的至少一部分以相应的所述第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及

基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号。

24.根据权利要求23所述的验证设备，其中对所述第三效应的测量包括单色测量。

25.根据权利要求23或24所述的设备，当直接地或独立地取决于权利要求4时，其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器被配置成用于选择性地响应于电磁谱的所述至少一部分。

26.根据权利要求25所述的设备，其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器为可控制型，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的所述至少一部分。

27.根据权利要求25所述的设备，其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器经预选，以检测来自电磁谱的所述至少一部分的电磁辐射。

28.根据权利要求23到27中的任一项所述的设备，当直接地或独立地取决于权利要求4时，其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器中的每个包括至少两个子检测器的阵列，所述至少两个子检测器中的第一个可操作为检测来自电磁谱的第一部分的电磁辐射，且所述至少两个子检测器中的第二个可操作为检测来自所述电磁谱的第二部分的电磁辐射。

29.根据权利要求28所述的设备，其中所述第一子检测器为可控型，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的所述第一部分，且所述第二子检测器为可控型，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的所述第二部分。

30.根据权利要求28所述的设备，其中所述第一子检测器经预选以检测来自电磁谱的所述第一部分的电磁辐射，且所述第二子检测器经预选以检测来自电磁谱的所述第二部分的电磁辐射。

31.根据权利要求23到27中的任一项所述的设备，当直接地或独立地取决于权利要求4时，其进一步包括至少一个滤波器，所述滤波器被布置成遮蔽所述电磁谱的至少另一部分并使电磁谱的所述至少一部分透射以供由所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器接收。

32.根据权利要求23到31中的任一项所述的设备，当直接地或独立地取决于权利要求4时，其中所述发射器或任选地数个发射器为可控型，以发射在电磁谱的所述至少一部分中的电磁辐射。

33.根据权利要求23到31中的任一项所述的设备，当直接地或独立地取决于权利要求5时，其中所述发射器或任选地数个发射器经预选，以发射在电磁谱的所述至少一部分中的电磁辐射。

34.根据权利要求32或33所述的设备，其中所述发射器或任选地数个发射器在第一模式中可操作为发射白光，且在第二模式中可操作为发射彩色光。

35.根据权利要求32或33所述的设备，其中所述设备在第一模式中可操作为控制第一发射器以发射白光，且在第二模式中可操作为控制第二发射器以发射彩色光。

36.根据权利要求34或35所述的设备，其中在所述第一模式中，所述设备可操作为基于所述第一检测器的输出信号来指示测试中的所述聚合物膜是包括第一真类型还是至少第二真类型的聚合物膜，并且进一步其中，响应于输出信号指示测试中的所述聚合物是不同于所述第一真类型的类型，所述设备可操作为实施所述第二模式并基于所述第一检测器在所述第一和第二两种模式中的所述输出信号来指示测试中的所述聚合物膜是包括所述至少第二真类型还是其它类型的聚合物膜。

37.根据权利要求36所述的设备，其中在所述第一模式中，所述设备可操作为：

将表示如以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个测得的所述第三效应的所述值或值范围与表示指定的第三效应的所述值或值范围相比较，所述指定的第三效应对应于第一真类型的聚合物膜以相应的所述第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及

基于所述比较来输出指示所述膜包括第一真类型或其它类型的分类信号。

38.根据权利要求37所述的设备，其中所述设备可操作为：在表示如以所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度测得的所述第三效应的所述值低于针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第一模式第一阈值的情况下，输出指示所述膜包括第一真类型的分类信号，所述对应第一模式第一阈值表示针对所述第一真类型的膜的所述指定的第一效应的上限。

39.根据权利要求38所述的设备，其中所述设备可操作为：在表示如以所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度测得的所述第三效应的所述值既高于针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的所述对应第一模式第一阈值又不在某个值范围内的情况下，输出指示所述膜包括非真类型的分类信号，所述值范围是在针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第一模式第二阈值和针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第一模式第三阈值之间。

40.根据权利要求39所述的设备，其中所述设备可操作为：在表示如在所述第一模式中以所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度测得的所述第三效应的所述值是在针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的所述对应第一模式第二阈值和针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的所述对应第一模式第三阈值之间的情况下，实施所述第二模式。

41.根据权利要求40所述的设备，其中所述设备可操作为：在表示如以所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度测得的所述第三效应的所述值是在某个值范围内的情况下，输出指示所述膜包括第二真类型的分类信号，所述值范围是在针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第二模式第一阈值和针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第二模式第二阈值之间，所述值范围表示针对所述第二真类型的膜的指定的第三效应。

42.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其进一步包括基于光学的双折射率成像布置，所述布置用于以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个使所述膜的双折射图案成像，并且其中所述设备可操作为：

将所述双折射图案的图像与相应的图像相比较，所述相应的图像表示真实聚合物膜以相应的所述第一角度以及相应的所述第二角度和所述第三角度的预定双折射图案；以及

基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号。

43.根据权利要求42所述的设备，其中所述基于光学的双折射率成像布置包括：发射器，被定位成且可操作为使用电磁辐射来照明定位在所述设备的测量区域中的所述膜的所述第一侧；第一偏振器，定位在所述第一发射器和所述膜的所述第一侧之间，使得由所述第一发射器发射的电磁辐射的至少一部分从中穿过；成像装置，定位在所述膜的第二侧上且可操作为接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射；第二偏振器，定位在所述膜的所述第二侧和所述成像装置之间，使得透射穿过所述膜的电磁辐射的至少一部分从中穿过，其中所述成像装置可操作为：基于从所述膜的所述第二侧透射并在所述成像装置处接收的电磁辐射来输出表示经成像的双折射图案的数据。

44.根据权利要求43所述的设备，其中所述成像装置可操作为将表示经成像的双折射图案的所述数据输出到处理器，所述处理器可操作为将所述输出数据与表示预定双折射图案的数据集相比较。

45.根据权利要求43或44所述的设备，其中所述发射器、所述第一偏振器和所述第二偏振器中的至少一个与所述基于光学的双折射率测量布置和/或所述基于光学的测量布置的那个/那些有共同之处。

46.根据权利要求43到45中的任一项所述的设备，其中所述发射器包括白光源。

47.根据权利要求43到46中的任一项所述的设备，其中所述成像装置包括光敏阵列。

48.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其进一步包括光学响应修改器，所述光学响应修改器被布置成修改所述第一效应以将预定量的偏移引入到表示如测得的所述效应的所述值或值范围，其中所述基于光学的双折射率测量布置可操作为测量如所修改的所述第一效应。

49.根据权利要求48所述的设备，当直接地或独立地取决于权利要求4时，其中所述光学响应修改器定位在位于所述发射器与所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器之间的电磁辐射光束路径中，并且进一步其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可操作为测量所述第一效应。

50.根据权利要求49所述的设备，其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可操作为输出表示如所修改的所述第一效应的信号。

51.根据权利要求49或50所述的设备，其中所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器可操作为将所述输出信号传达给处理器，所述处理器可操作为将表示如所修改的所述第一效应的所述输出信号的值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜的预定双折射率特性且如由相同的光学响应修改器所修改。

52.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中所述设备可操作为接收包括聚合物膜的物品，所述聚合物膜形成所述物品的衬底的至少一部分。

53.一种验钞设备，包括根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中所述设备可操作为确定包括聚合物膜的钞票的真实性，所述聚合物膜形成所述钞票的衬底的至少一部分。

54.根据权利要求1到52中的任一项所述的设备的用途，被用来确定聚合物膜的真实性。

55.一种确定聚合物膜的真实性的方法，包括：

从包括与所述膜的平面所成的非垂直角的第一角度、以及第二角度和第三角度中的至少一个来测量受所述膜的双折射率特性影响的第一效应；

将表示从所述第一角度测得的所述第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，该指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对所述第一角度的预定双折射率特性；

将表示从所述第二角度和所述第三角度中的所述至少一个测得的所述第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，该指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及

基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号。

56.根据权利要求55所述的方法，其中所述第二角度包括与所述膜的平面所成的非垂直角，且所述第三角度包括与所述膜的平面所成的垂直角。

57.根据权利要求55或56所述的方法，进一步包括指示所述聚合物膜是由气泡工艺还是由不同种工艺制成。

58.根据权利要求55到57中的任一项所述的方法，进一步包括：

用受第一偏振器偏振的电磁辐射来照明定位在所述设备的测量区域中的所述膜的第一侧，所述第一偏振器定位在第一发射器和所述膜的所述第一侧之间，使得由所述第一发射器发射的电磁辐射的至少一部分从中穿过；

在定位于所述膜的第二侧上的第一检测器处接收来自所述发射器的以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个透射穿过所述膜并受第二偏振器偏振的电磁辐射，所述第二偏振器定位在所述膜的所述第二侧和所述第一检测器之间；以及

输出信号，所述信号表示如基于以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射所测得的第一效应。

59.根据权利要求58所述的方法，进一步包括：将所述第一检测器定位在第一位置处，以接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第一角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射；以及将所述第一检测器移动到第二位置和/或第三位置，以接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以相应的所述第二角度和/或所述第三角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射。

60.根据权利要求58所述的方法，进一步包括：

提供位于所述膜的第二侧上的第二检测器，以用于接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第二角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射；和/或提供定位在所述膜的第二侧上的第三检测器，以用于接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第三角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射；以及

从所述第二检测器输出信号，所述信号表示如基于以所述第二角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射所测得的所述第一效应；和/或

从所述第三检测器输出信号，所述信号表示如基于以所述第三角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射所测得的所述第一效应。

61.根据权利要求55到60中的任一项所述的方法，其中所述第一角度包括以下各项中的一个：(i)由关于所述膜的向量[101]所描述的角度；和(ii)由关于所述膜的向量[111]所描述的角度。

62.根据权利要求61所述的方法，其中所述第二角度包括以下各项中的另一个：(i)由关于所述膜的向量[101]所描述的角度；和(ii)由关于所述膜的向量[111]所描述的角度。

63.根据权利要求55到62中的任一项所述的方法，进一步包括：

将所述输出信号传达给处理器；

将表示如从所述第一角度测得的所述第一效应的所述输出信号的值与表示指定的第一效应的所述值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对所述第一角度的预定双折射率特性。

64.根据权利要求63所述的方法，其中所述值或值范围包括至少一个预期的第一检测器输出信号值，所述输出信号值表示以所述第一角度从所述膜的所述第二侧透射且在真实膜定位在所述测量区域中的情况下由所述第一检测器接收的电磁辐射。

65.根据权利要求60或权利要求61到64中的任一项所述的方法，当直接地或独立地取决于权利要求60时，其中由所述第二检测器和/或所述第三检测器输出的输出信号与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。

66.根据权利要求65所述的方法，进一步包括：

将所述输出信号从所述第二检测器传达给所述处理器；

将表示如从所述第二角度测得的所述第一效应的所述输出信号的值与表示指定的第一效应的所述值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对所述第二角度的相应预定双折射率特性；和/或

将所述输出信号从所述第三检测器传达给所述处理器；

将表示如从所述第三角度测得的所述第一效应的所述输出信号的值与表示指定的第一效应的所述值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜针对所述第三角度的相应预定双折射率特性。

67.根据权利要求66所述的方法，其中：

所述值或值范围包括至少一个预期的第二检测器输出信号值，所述输出信号值表示从所述膜的所述第二侧透射且在真实膜定位在所述测量区域中的情况下由所述第二检测器接收的电磁辐射；和/或

所述值或值范围包括至少一个预期的第三检测器输出信号值，所述输出信号值表示从所述膜的所述第二侧透射且在真实膜定位在所述测量区域中的情况下由所述第三检测器接收的电磁辐射。

68.根据权利要求55到67中的任一项所述的方法，其进一步包括：

以包括与所述膜的平面所成的非垂直角的所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个来测量受所述膜的至少一个其它光学特性影响的第二效应；

将表示如以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个测得的所述第二效应的值或值范围与表示指定的第二效应的值或值范围相比较，所述指定的第二效应对应于真实聚合物膜以相应的所述第一角度和相应的所述第二角度和/或所述第三角度的预定其它光学特性；以及

基于以下各项来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号：

根据前述权利要求中的任一项所述的双折射率测量结果比较；和/或

如以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个测得的所述第二效应的所述值或值范围与表示所述指定的第二效应的相应值或值范围的所述比较，所述指定的第二效应对应于以相应的所述第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定其它光学特性。

69.根据权利要求68所述的方法，当直接地或独立地取决于权利要求58时，进一步包括：

对所述第二偏振器取向，以实现在以下各方向中的一个方向上的偏振：横向于所述第一偏振器的方向的第一方向；以及与所述第一偏振器的方向相同的第二方向；

当对所述第二偏振器取向以实现在横向于所述第一偏振器的方向的所述第一方向上的偏振时，测量受所述膜的所述双折射率特性影响的所述第一效应，并且当对所述第二偏振器取向以实现在与所述第一偏振器的方向相同的所述第二方向上的偏振时，测量受所述膜的所述其它光学特性影响的所述第二效应。

70.根据权利要求69所述的方法，其进一步包括：输出表示如测得的所述第一效应的第一信号；以及输出表示如测得的所述第二效应的第二信号。

71.根据权利要求70所述的方法，其中由所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器输出的所述第一输出信号和第二输出信号与接收到的透射电磁辐射的强度成比例。

72.根据权利要求70或71所述的方法，其进一步包括：将所述第一输出信号和第二输出信号传达给处理器，并且：

将所述第一输出信号的值与表示所述指定的第一效应的值或值范围相比较；以及

将所述第二输出信号的值与表示所述指定的第二效应的值或值范围相比较，所述指定的第二效应对应于预定膜透射率。

73.根据权利要求72所述的方法，其中如果所述第一输出信号值或值范围具有可与表示受背景条件影响的效应的第一输出信号值或值范围区别开的水平，那么所述处理器可操作为基于所述第二输出信号的所述值或值范围与表示所述指定的第二效应的所述值或值范围的比较来输出所述真实性信号。

74.根据权利要求72或73所述的方法，其中所述值或值范围包括至少一个预期的第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器输出信号值，所述输出信号值表示从所述膜的所述第二侧透射且在真实膜定位在所述测量区域中的情况下当对所述第二偏振器取向以实现分别在所述第一方向上和在所述第二方向上的偏振时由所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器接收的电磁辐射。

75.根据权利要求72到74中的任一项所述的方法，其进一步包括：

计算所述第一输出信号的值和所述第二输出信号的值之间的差值；

通过将所述差值二等分来计算经修改的差值；

通过从所述第二输出信号值减去所述经修改的差值来计算双折射率表示值；

将所述双折射率表示值与表示所述指定的第一效应的所述值或值范围相比较；以及

基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的所述真实性信号。

76.根据权利要求55到75中的任一项所述的方法，进一步包括：

测量在电磁谱的至少一部分内和以所述第一角度以及所述第二角度和所述第三角度中的至少一个受所述膜的所述双折射率特性影响的第三效应；

将表示如以所述第一角度以及所述第二角度和/或所述第三角度测得的所述第三效应的值或值范围与表示指定的第三效应的相应的值或值范围相比较，所述指定的第三效应对应于真实聚合物膜针对电磁谱的相同的至少一部分以相应的所述第一角度以及相应的所述第二角度和/或所述第三角度的预定双折射率特性；以及

基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号。

77.根据权利要求76所述的方法，其中对所述第三效应的测量包括单色测量。

78.根据权利要求76或77所述的方法，当直接地或独立地取决于权利要求58时，进一步包括配置所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器以选择性地响应于电磁谱的所述至少一部分。

79.根据权利要求78所述的方法，进一步包括：控制所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的所述至少一部分。

80.根据权利要求78所述的方法，进一步包括：预选所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器，以检测来自电磁谱的所述至少一部分的电磁辐射。

81.根据权利要求76到80中的任一项所述的方法，当直接地或独立地取决于权利要求58时，进一步包括：将至少两个子检测器的阵列提供为所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器中的每个；以及

在所述至少两个子检测器中的第一个处检测来自电磁谱的第一部分的电磁辐射；

在所述至少两个子检测器中的第二个处检测来自所述电磁谱的第二部分的电磁辐射。

82.根据权利要求81所述的方法，进一步包括：控制所述第一子检测器，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的所述第一部分；以及控制所述第二子检测器，以更改其检测范围从而对应于电磁谱的所述第二部分。

83.根据权利要求80所述的方法，进一步包括：预选所述第一子检测器，以检测来自电磁谱的所述第一部分的电磁辐射；以及预选所述第二子检测器，以检测来自电磁谱的所述第二部分的电磁辐射。

84.根据权利要求76到83中的任一项所述的方法，当直接地或独立地取决于权利要求58时，进一步包括：遮蔽所述电磁谱的至少另一部分以使电磁谱的所述至少一部分透射以供由所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器接收。

85.根据权利要求76到84中的任一项所述的方法，当直接地或独立地取决于权利要求58时，进一步包括：控制所述发射器或任选地数个发射器，以发射在电磁谱的所述至少一部分中的电磁辐射。

86.根据权利要求76到84中的任一项所述的方法，当直接地或独立地取决于权利要求58时，进一步包括：预选所述发射器或任选地数个发射器，以发射在电磁谱的所述至少一部分中的电磁辐射。

87.根据权利要求85或86所述的方法，进一步包括：在第一模式中操作所述发射器或任选地数个发射器，以发射白光；以及在第二模式中操作所述发射器或任选地数个发射器，以发射彩色光。

88.根据权利要求85或86所述的方法，进一步包括：

在第一模式中控制第一发射器，以发射白光；以及

在第二模式中控制第二发射器，以发射彩色光。

89.根据权利要求87或88所述的方法，其中在所述第一模式中，基于所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器的输出信号来指示测试中的所述聚合物膜是包括第一真类型还是至少第二真类型的聚合物膜，并且进一步其中，响应于输出信号指示测试中的所述聚合物是不同于所述第一真类型的类型，实施所述第二模式并基于所述第一检测器在所述第一和第二两种模式中的所述输出信号和/或任选地所述第二检测器和/或第三检测器在所述第一和第二两种模式中的输出信号来指示测试中的所述聚合物膜是包括所述至少第二真类型还是其它类型的聚合物膜。

90.根据权利要求89所述的方法，其中在所述第一模式中，所述方法进一步包括以下步骤：

将表示如以所述第一角度以及所述第二角度和/或所述第三角度测得的所述第三效应的所述值或值范围与表示指定的第三效应的所述值或值范围相比较，所述指定的第三效应对应于第一真类型的聚合物膜以相应的所述第一角度以及相应的第二角度和/或第三角度的预定双折射率特性；以及

基于所述比较来输出指示所述膜包括第一真类型或其它类型的分类信号。

91.根据权利要求90所述的方法，进一步包括：在表示如以所述第一角度以及所述第二角度和/或所述第三角度测得的所述第三效应的所述值低于针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第一模式第一阈值的情况下，输出指示所述膜包括第一真类型的分类信号，所述对应第一模式第一阈值表示针对所述第一真类型的膜的所述指定的第一效应的上限。

92.根据权利要求91所述的方法，进一步包括：在表示如以所述第一角度以及所述第二角度和/或所述第三角度测得的所述第三效应的所述值既高于针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的所述对应第一模式第一阈值又不在某个值范围内的情况下，输出指示所述膜包括非真类型的分类信号，所述值范围是在针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第一模式第二阈值和针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第一模式第三阈值之间。

93.根据权利要求92所述的方法，进一步包括：在表示如在所述第一模式中以所述第一角度以及所述第二角度和/或所述第三角度测得的所述第三效应的所述值是在针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的所述对应第一模式第二阈值和针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的所述对应第一模式第三阈值之间的情况下，实施所述第二模式。

94.根据权利要求93所述的方法，进一步包括：在表示如以所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度测得的所述第三效应的所述值是在某个值范围内的情况下，输出指示所述膜包括第二真类型的分类信号，所述值范围是在针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第二模式第一阈值和针对所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的对应第二模式第二阈值之间，所述值范围表示针对所述第二真类型的膜的指定的第三效应。

95.根据权利要求55到94中的任一项所述的方法，进一步包括：

以所述第一角度以及所述第二角度和/或所述第三角度中的至少一个使所述膜的双折射图案成像；

将处于所述第一角度、所述第二角度或所述第三角度的所述双折射图案的图像与相应的图像相比较，所述相应的图像表示真实聚合物膜以对应的第一、第二角度和第三角度的预定双折射图案；以及

基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号。

96.根据权利要求95所述的方法，进一步包括：将表示经成像的双折射图案的数据从成像装置输出到处理器；以及将所述输出数据与表示预定双折射图案的数据集相比较。

97.根据权利要求95或96所述的方法，进一步包括使用包括白光源的发射器来照明所述膜。

98.根据权利要求95到97中的任一项所述的方法，进一步包括提供光敏阵列以实施所述成像步骤。

99.根据权利要求55到98中的任一项所述的方法，进一步包括：修改所述第一效应，以将预定量的偏移引入到表示如以所述第一角度以及所述第二角度和/或所述第三角度测得的所述第一效应的所述值或值范围；以及测量如所修改的所述第一效应。

100.根据权利要求99所述的方法，进一步包括：将所述输出信号从所述第一检测器和/或任选地第二检测器和/或第三检测器传达给处理器；以及将表示如所修改的所述第一效应的所述输出信号的值与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜的预定双折射率特性且如由相同的光学响应修改器所修改。

101.一种包括计算机程序元素的计算机程序，所述计算机程序元素在计算机处理器中可操作为实施根据权利要求1到54中的任一项所述的设备的一个或多个方面。

102.一种包括计算机程序元素的计算机程序，所述计算机程序元素在计算机处理器中可操作为实施根据权利要求55到100中的任一项所述的方法的一个或多个方面。

103.一种计算机可读媒体，其携载根据权利要求101或102所述的计算机程序。

104.一种验证设备，其实体上是如前文参考附图中的图4a到图4b、图5、图6、图7a、图7b、图8、图9、图10和图13中的任何一个或多个图所描述且如在上述任何一个或多个图中所说明。

105.一种确定聚合物膜的真实性的方法，其实体上是如前文参考附图中的图4a到图4b、图5、图6、图7a、图7b、图8、图9、图10和图13中的任何一个或多个图所描述且如在上述任何一个或多个图中所说明。