CN105249988A - 利用引线接合的电容式微机械超声换能器探头 - Google Patents

利用引线接合的电容式微机械超声换能器探头 Download PDF

Info

Publication number
CN105249988A
CN105249988A CN201510401541.XA CN201510401541A CN105249988A CN 105249988 A CN105249988 A CN 105249988A CN 201510401541 A CN201510401541 A CN 201510401541A CN 105249988 A CN105249988 A CN 105249988A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic pads
ultrasonic transducer
micromachined ultrasonic
capacitive micromachined
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201510401541.XA
Other languages
English (en)
Inventor
姜诚赞
郑秉吉
朴相河
慎炯宰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN105249988A publication Critical patent/CN105249988A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
    • A61B8/4444—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device related to the probe
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B2562/00—Details of sensors; Constructional details of sensor housings or probes; Accessories for sensors
    • A61B2562/16—Details of sensor housings or probes; Details of structural supports for sensors
    • A61B2562/166—Details of sensor housings or probes; Details of structural supports for sensors the sensor is mounted on a specially adapted printed circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
    • H01L2224/49433—Connecting portions the connecting portions being staggered outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

提供使用引线接合的电容式微机械超声换能器(CMUT)探头。CMUT探头包括：CMUT芯片，包括设置在其第一表面上的多个第一电极垫；印刷电路板(PCB)，设置在CMUT芯片的第一表面上并且配置为暴露所述多个第一电极垫；多个第二电极垫，设置在所述PCB上并且对应于所述多个第一电极垫中的各第一电极垫；以及多个引线，将所述多个第一电极垫中各第一电极垫的每个连接到所述多个第二电极垫中的相应一个。

Description

利用引线接合的电容式微机械超声换能器探头
技术领域
示例性实施方式涉及利用引线接合的电容式微机械(micromachined)超声换能器探头，在该电容式微机械超声换能器探头中，电容式微机械超声换能器芯片和印刷电路板通过引线(wire)连接微机械。
背景技术
电容式微机械超声换能器(CMUT)是将电信号转换成超声波信号或反之的装置。
为了制造超声探头，CMUT被接合到电路。该接合可以通过利用引线接合方法或倒装芯片接合方法进行。当倒装芯片接合方法被用来连接CMUT至印刷电路板(PCB)时，接合工艺可能是复杂的，并且制造成本可能相对较高。
在使用引线接合方法时，引线接合所需的面积可能增加，因此超声探头中CMUT的有效面积可能减小。结果，测量品质可能降低。
超声探头的尺寸可以根据待被测量的对象确定。例如，在用于测量心脏的超声探头的情形下，超声探头必须位于人体的肋骨之间，因而，超声探头的短小测量单元的尺寸可以被确定为低于大约20mm。因此，待被安装在超声探头中的CMUT芯片的面积受到限制。超声压力的大小和超声探头的焦距二者均取决于CMUT芯片的有效面积，因而，最大化CMUT芯片的有效面积是有益的。
发明内容
提供一种电容式微机械超声换能器模块，其中通过经由关于印刷电路板的安装工艺来引线接合CMUT芯片和印刷电路板，CMUT芯片的有效面积增加，其中CMUT芯片的电极垫被所述印刷电路板暴露。
额外的方面将在以下的描述中被部分地阐述，且部分将从该描述明显或者可以通过对所给出的示例性实施方式的实践而习知。
根据一个或多个示例性实施方式，一种电容式微机械超声换能器(CMUT)探头包括：CMUT芯片，包括设置在其第一表面上的多个第一电极垫；印刷电路板(PCB)，设置在CMUT芯片的第一表面上并且配置为暴露所述多个第一电极垫；多个第二电极垫，设置在所述PCB上并且对应于所述多个第一电极垫中的各第一电极垫；以及多个引线，将所述多个第一电极垫中各第一电极垫的每个连接到所述多个第二电极垫中的相应一个。
CMUT芯片可以包括在第一方向上设置成行的多个沟道，所述多个沟道中的每个包括在垂直于第一方向的第二方向上以预定间隙设置的至少两个第三电极垫，所述多个沟道中的每个的所述至少两个第三电极垫在第二方向上以预定间隙设置。
CMUT探头还可以包括多个第一连接引线，该多个第一连接引线将所述多个第一电极垫中各第一电极垫的每个连接到所述多个第三电极垫中的相应一个。
所述多个沟道中的每个还可以包括在第二方向上连接相应的至少两个第三电极垫的第二连接引线。
所述多个沟道中的每个沟道可以包括所述多个第一电极垫中的各第一电极垫以及所述多个第一连接引线中的各第一连接引线，各第一电极垫和各第一连接引线中的每个仅设置在沟道的一侧。
对于所述多个沟道中的每个，所述多个第一电极垫中的各第一电极垫可以设置在CMUT芯片的第一侧，所述多个第一连接引线中的各第一连接引线可以设置在CMUT芯片的第二侧，其中CMUT芯片的第一侧与CMUT芯片的第二侧相反。
所述多个第一电极垫可以在CMUT芯片的第一侧和CMUT芯片的第二侧两者上以Z字形形状设置成两行，其中CMUT芯片的第一侧与CMUT芯片的第二侧相反。
所述多个第一电极垫中的每个第一电极垫的面积可以大于所述多个第二电极垫中每个对应一个的面积。
PCB的尺寸可以小于CMUT芯片的尺寸。
CMUT探头还可以包括：声学透镜，其包括覆盖CMUT芯片的侧表面的至少一部分和前表面并且接触测量对象的凸起部件；以及壳体，其覆盖声学透镜的侧部并且暴露声学透镜的凸起部件。
附图说明
从结合附图对示例性实施方式的以下描述，这些和/或其它方面将变得明显且更易于理解，在附图中：
图1是根据一个或多个示例性实施方式的CMUT探头的示意性截面图；
图2是根据一个或多个示例性实施方式的图1的CMUT芯片的截面图；
图3是根据一个或多个示例性实施方式的图1的CMUT芯片的平面图；
图4是根据一个或多个示例性实施方式的其中图1的CMUT芯片和印刷电路板接合在一起的结构的平面图的一部分；以及
图5是根据一个或多个示例性实施方式的其中CMUT芯片和印刷电路板接合在一起的结构的平面图的一部分。
具体实施方式
现在将详细参考示例性实施方式，其示例在附图中示出。在图中，为了清晰，夸大了层和区域的厚度。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实施且不应被理解为限于在此阐述的示例性实施方式。还将理解，当一元件被称为在另一元件“上方”或“上”时，它可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在居间层。在图中相同的附图标记在整个说明书中表示相同的元件，因而将省略它们的描述。
图1是根据一个或多个示例性实施方式的电容式微机械超声换能器(CMUT)探头100的结构的示意性截面图。
参考图1，CMUT探头100包括CMUT芯片110和印刷电路板(PCB)130。CMUT芯片110包括用于电连接到在CMUT芯片110的第一表面110a上的每个元件的第一电极垫115，该第一表面110a与CMUT芯片110的其上形成隔膜112的有源表面相反。PCB130设置在CMUT芯片110的第一表面110a上。PCB130可以通过利用粘合剂诸如环氧树脂粘附到CMUT芯片110。隔膜112和作为公共电极的上电极114可以顺序地层叠在CMUT芯片110的有源表面上。
图2是根据一个或多个示例性实施方式的图1的CMUT芯片110的截面图。
参考图2，CMUT芯片110可以包括硅通孔(TSV)基板210和接合到TSV基板210的器件基板240。TSV基板210和器件基板240可以通过低共熔接合而接合。
TSV基板210可以由硅形成并且可具有穿透其的多个通孔212。CMUT芯片110包括多个元件E。每个通孔212可以形成在TSV基板210中以对应于每个元件E。绝缘层(未示出)可以形成在通孔212上和TSV基板210的表面上。
器件基板240可以由具有几十微米厚度的导电材料形成。器件基板240可具有落入从大约10μm到大约50μm范围内的厚度。器件基板240可以由用杂质高掺杂的低电阻硅形成。器件基板240可以用作下电极。
器件基板240可以邻接设置在其上的绝缘层242、形成空腔C的支撑单元250、以及在支撑单元250上覆盖空腔C的隔膜260。上电极270可以形成在隔膜260上。隔膜260可以由硅形成。支撑单元250可以由绝缘材料形成。支撑单元250可以包括氧化物或氮化物。例如，支撑单元250可以由硅氧化物形成。
在图2中，绝缘层242形成在器件基板240的上表面上。然而，当前的示例性实施方式不限于此。例如，绝缘层242可以形成在隔膜260与支撑单元250之间。
上电极270可以包括金(Au)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)或这些材料的混合物中的任一种或多种。
绝缘层242可以包括氧化物或氮化物。例如，绝缘层242可以由硅氮化物形成。
在图2中，两个空腔C形成在一个元件E中。然而，当前的示例性实施方式不限于此，在单个元件E中可以形成单个空腔C或多个空腔C。
分别连接到通孔212中的通孔金属214的接合垫220可以形成在器件基板240的下表面上。接合垫220可以由例如低共熔的金属诸如金-锡低共熔材料形成。
分别连接到通孔金属214的第三电极垫216形成在TSV基板210的下表面上。驱动信号电压可以被施加到第三电极垫216。接地电压可以被施加到上电极270。
参考图1，PCB130设置在CMUT芯片110的第一表面上从而暴露第一电极垫115。具体地，CMUT芯片110的面积大于PCB130的面积。分别对应于第一电极垫115的第二电极垫135形成在PCB130的下表面上。第二电极垫135引线接合到第一电极垫115。引线接合可以从第二电极垫135开始并从其进行到第一电极垫115。因而，连接第一电极垫115和第二电极垫135的引线140位于CMUT芯片110的第一表面110a的区域内并且不从CMUT芯片110的区域伸出到外部。第二电极垫135可以形成在比第一电极垫115小的区域上。
声学透镜150可以设置在CMUT芯片110的上电极114上。声学透镜150可以由硅橡胶形成。从声学透镜150延伸的保护构件152可以形成为围绕CMUT芯片110的侧表面。暴露声学透镜150的凸起部件154的壳体160可以形成在声学透镜150上。壳体160可以由塑料形成。
散热构件170可以形成在PCB130上并且设置为面对声学透镜150。散热构件170可以由例如具有高导电性的金属诸如铝形成。
覆盖并保护引线140的填充件180可以形成于在保护构件152与散热构件170之间的CMUT芯片110的第一表面110a和PCB130的下表面上。填充件180可以由环氧树脂形成。
凸起部件154可以以预定曲率从CMUT探头100的一侧凸起地形成。凸起部件154可具有差不多等于CMUT芯片110的相应长度的长度。CMUT芯片110的外周边形成为接触保护构件152的内周边。具体地，因为CMUT芯片110形成为填充CMUT探头100的内部区域，所以与使用引线接合的常规CMUT芯片相比，CMUT芯片110的有效面积相对较大。
图3是根据一个或多个示例性实施方式的图1的CMUT芯片110的平面图。相同的附图标记用于表示与图1和图2的实质上相同的元件，其描述被省略。
参考图3，多个第三电极垫117形成在CMUT芯片110的第一表面110a上。CMUT芯片110可以包括多个沟道，例如80至128个沟道。所述多个沟道可以被一维地设置。在下文中，将描述具有80个沟道的CMUT芯片110。
80个沟道可以在第一方向(如由箭头X表示的)上顺序地形成。在图3中，为了描述的方便，描绘了6个沟道CH1至CH6。在每个沟道中可以形成元件。每个沟道可以包括用于电力供应的一个第三电极垫117或复数个第三电极垫117。在图3中，每个沟道包括两个第三电极垫117。纵使在其中一个第三电极垫117中电气故障，在每个沟道中的复数个例如两个或三个第三电极垫117可以通过其它第三电极垫117供应电力。第三电极垫117对应于图2中的第三电极垫216。
如图3所描绘的，在单个沟道中的所述复数个第三电极垫117在可以垂直于第一方向的第二方向(如由箭头Y指示的)上均匀地分离(即，隔开相等的距离)，从而确保相邻沟道之间的空间。例如，四个相邻沟道的第三电极垫117可以在第一方向和第二方向上均匀地隔开，该布置可以重复。
每个第三电极垫117可以朝向CMUT芯片110的相应边缘延伸以连接到第一电极垫115。第三电极垫117和第一电极垫115可以经由第一连接引线116连接。第一连接引线116可以与第二方向Y平行地形成。
第一电极垫115可以以Z字形形状设置成两行。当第一电极垫115设置成单行时，可能存在相邻第一电极垫115之间的短路。
与第三电极垫117分离的至少一个电极垫(未示出)可以形成为向CMUT芯片110的上电极114施加接地电压。
图4是根据一个或多个示例性实施方式的其中图1的CMUT芯片110和PCB130接合在一起的结构的平面图的一部分。相同的附图标记用于表示与图1、2和3实质上相同的元件，因而不会重复其详细描述。
参考图4，PCB130被接合到CMUT芯片110的第一表面110a。PCB130具有比CMUT芯片110小的表面，CMUT芯片110的第一电极垫115通过PCB130暴露。分别对应于第一电极垫115的第二电极垫135形成在PCB130上。第二电极垫135可以设置成行，因为第二电极垫135比第一电极垫115相对小，但是当前的示例性实施方式不限于此。具体地，第一电极垫115和第二电极垫135可以以多种方式设置。例如，第二电极垫135也可以以Z字形设置成两行以对应于第一电极垫115。
第二电极垫135和第一电极垫115通过引线140彼此连接。如图4所示，引线140位于CMUT芯片110的第一表面110a的区域内，而不从CMUT芯片110的区域向外伸出。在利用引线接合时，引线可以从第二电极垫135连接到第一电极垫115，因而，第二电极垫135可具有比第一电极垫115小的尺寸。
在根据一个或多个示例性实施方式的CMUT探头100中，CMUT芯片110和PCB130之间的电连接被实现在CMUT芯片110的后表面上。在这点上，CMUT芯片110的有源区经由引线接合电连接同时占据壳体160的几乎所有内部区域。因而，CMUT芯片110的有效面积非常大，CMUT探头100的测量品质可以提高。
图5是根据一个或多个示例性实施方式的其中CMUT芯片210和PCB230连接在一起的结构的平面图的一部分。相同的附图标记用于表示与图1、2、3和4的元件实质上相同的元件，因而不会重复其详细描述。
参考图5，在CMUT芯片210的第一表面210a上，每个沟道的第三电极垫117经由第二连接引线219电连接。第二连接引线219可以通过图案化金属层与第三电极垫117和第一连接引线116一起形成。在每个沟道区中，仅一个第一电极垫115可以形成在PCB230的两个面对侧的其中之一上，另外，第二电极垫135可以与其对应的第一电极垫115相邻地形成。此外，如图5所示，第一电极垫115和第一连接引线116中相应的第一电极垫115和第一连接引线116可以交替地形成在CMUT芯片210的两侧。与第二电极垫135相应的第一电极垫115可以经由引线140电连接。
与关于图4的CMUT芯片110和PCB130的其相应数目相比，在图5的CMUT芯片210和PCB230中，第一电极垫115、第二电极垫135和在其间的引线140的数目减少至一半，因而，引线设计可以比图4的CMUT芯片110和PCB130更容易。
然而，当前的示例性实施方式不限于此。例如，连接每个沟道的第三电极垫117的第二连接引线219可以被进一步包括在图4中。
在根据一个或多个示例性实施方式的使用引线接合的CMUT探头中，在CMUT芯片的后表面上实现CMUT芯片和PCB之间的电连接。因而，CMUT芯片的有源区占据壳体的几乎所有的内部区域，因此CMUT芯片的有效面积增加。因此，CMUT探头的测量品质可以提高。
此外，CMUT芯片和PCB经由引线接合电连接到彼此，因而，制造工艺相对简单。
虽然已经参考附图描述了示例性实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节的各种改变而不脱离由权利要求定义的本发明构思的精神和范围。
本申请要求享有2014年7月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0086155的优先权，其公开通过全文引用合并于此。

Claims (10)

1.一种电容式微机械超声换能器(CMUT)探头，包括：
电容式微机械超声换能器芯片，包括设置在其第一表面上的多个第一电极垫；
印刷电路板(PCB)，设置在所述电容式微机械超声换能器芯片的第一表面上并且配置为暴露所述多个第一电极垫；
多个第二电极垫，设置在所述印刷电路板上并且对应于所述多个第一电极垫中的各第一电极垫；以及
多个引线，将所述多个第一电极垫中各第一电极垫的每个连接到所述多个第二电极垫中的相应一个。
2.根据权利要求1所述的电容式微机械超声换能器探头，其中所述电容式微机械超声换能器芯片包括在第一方向上设置成行的多个沟道，所述多个沟道中的每个包括在垂直于所述第一方向的第二方向上以预定间隙设置的至少两个第三电极垫，所述多个沟道中的每个的所述至少两个第三电极垫在所述第二方向上以预定间隙设置。
3.根据权利要求2所述的电容式微机械超声换能器探头，还包括多个第一连接引线，所述多个第一连接引线将所述多个第一电极垫中各第一电极垫的每个连接到所述多个第三电极垫中的相应一个。
4.根据权利要求2所述的电容式微机械超声换能器探头，其中所述多个沟道中的每个还包括在所述第二方向上连接相应的所述至少两个第三电极垫的第二连接引线。
5.根据权利要求4所述的电容式微机械超声换能器探头，其中所述多个沟道中的每个沟道包括所述多个第一电极垫中的各第一电极垫以及所述多个第一连接引线中的各第一连接引线，各第一电极垫和各第一连接引线中的每个仅设置在沟道的一侧。
6.根据权利要求5所述的电容式微机械超声换能器探头，其中对于所述多个沟道中的每个，所述多个第一电极垫中的各第一电极垫设置在所述电容式微机械超声换能器芯片的第一侧，所述多个第一连接引线中的各第一连接引线设置在所述电容式微机械超声换能器芯片的第二侧，其中所述电容式微机械超声换能器芯片的所述第一侧与所述电容式微机械超声换能器芯片的所述第二侧相反。
7.根据权利要求1所述的电容式微机械超声换能器探头，其中所述多个第一电极垫在所述电容式微机械超声换能器芯片的第一侧和所述电容式微机械超声换能器芯片的第二侧两者上以Z字形形状设置成两行，其中所述电容式微机械超声换能器芯片的所述第一侧与所述电容式微机械超声换能器芯片的所述第二侧相反。
8.根据权利要求1所述的电容式微机械超声换能器探头，其中所述多个第一电极垫中的各第一电极垫的每个的面积大于所述多个第二电极垫中每个对应的一个第二电极垫的面积。
9.根据权利要求1所述的电容式微机械超声换能器探头，其中所述印刷电路板的尺寸小于所述电容式微机械超声换能器芯片的尺寸。
10.根据权利要求1所述的电容式微机械超声换能器探头，还包括：
声学透镜，其包括凸起部件，所述凸起部件覆盖所述电容式微机械超声换能器芯片的侧表面的至少一部分和前表面并且接触测量对象；以及
壳体，其覆盖所述声学透镜的侧部并且暴露所述声学透镜的所述凸起部件。
CN201510401541.XA 2014-07-09 2015-07-09 利用引线接合的电容式微机械超声换能器探头 Withdrawn CN105249988A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0086155 2014-07-09
KR1020140086155A KR20160006494A (ko) 2014-07-09 2014-07-09 와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 프로브

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105249988A true CN105249988A (zh) 2016-01-20

Family

ID=53525114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510401541.XA Withdrawn CN105249988A (zh) 2014-07-09 2015-07-09 利用引线接合的电容式微机械超声换能器探头

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9955948B2 (zh)
EP (1) EP2965828A1 (zh)
KR (1) KR20160006494A (zh)
CN (1) CN105249988A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114379260A (zh) * 2021-09-02 2022-04-22 苏州清听声学科技有限公司 一种定向发声屏绝缘凸点丝印制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160006494A (ko) * 2014-07-09 2016-01-19 삼성전자주식회사 와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 프로브

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2682531Y (zh) * 2004-02-12 2005-03-02 北京航空航天大学 声学聚焦换能器
CN101018428A (zh) * 2006-02-09 2007-08-15 通用电气公司 电容微机械超声换能器及其制造方法
CN101636112A (zh) * 2007-03-20 2010-01-27 株式会社日立医药 超声波探头及其制造方法及超声波诊断装置
US8378436B2 (en) * 2009-11-17 2013-02-19 Canon Kabushiki Kaisha Electromechanical transducer and method of manufacturing the same
CN103418542A (zh) * 2012-05-09 2013-12-04 科隆科技公司 具有声窗的cmut组件
US20140070669A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Micromachined ultrasonic transducer array
CN104066520A (zh) * 2012-01-27 2014-09-24 皇家飞利浦有限公司 电容式微机械换能器及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6848173B2 (en) 1994-07-07 2005-02-01 Tessera, Inc. Microelectric packages having deformed bonded leads and methods therefor
US7427825B2 (en) 2004-03-12 2008-09-23 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Electrical interconnections and methods for membrane ultrasound transducers
US20060138626A1 (en) 2004-12-29 2006-06-29 Tessera, Inc. Microelectronic packages using a ceramic substrate having a window and a conductive surface region
SG135066A1 (en) 2006-02-20 2007-09-28 Micron Technology Inc Semiconductor device assemblies including face-to-face semiconductor dice, systems including such assemblies, and methods for fabricating such assemblies
US7432601B2 (en) 2006-10-10 2008-10-07 Powertech Technology Inc. Semiconductor package and fabrication process thereof
US7687976B2 (en) * 2007-01-31 2010-03-30 General Electric Company Ultrasound imaging system
JP4961224B2 (ja) 2007-02-02 2012-06-27 株式会社日立メディコ 超音波探触子
US20080296717A1 (en) 2007-06-01 2008-12-04 Tessera, Inc. Packages and assemblies including lidded chips
JP5375555B2 (ja) 2009-11-25 2013-12-25 株式会社リコー 液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置
ITTO20110577A1 (it) 2011-06-30 2012-12-31 Stmicroelectronics Malta Ltd Incapsulamento per un sensore mems e relativo procedimento di fabbricazione
KR101330733B1 (ko) 2012-04-30 2013-11-20 삼성전자주식회사 초음파 프로브
KR20160006494A (ko) * 2014-07-09 2016-01-19 삼성전자주식회사 와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 프로브

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2682531Y (zh) * 2004-02-12 2005-03-02 北京航空航天大学 声学聚焦换能器
CN101018428A (zh) * 2006-02-09 2007-08-15 通用电气公司 电容微机械超声换能器及其制造方法
CN101636112A (zh) * 2007-03-20 2010-01-27 株式会社日立医药 超声波探头及其制造方法及超声波诊断装置
US8378436B2 (en) * 2009-11-17 2013-02-19 Canon Kabushiki Kaisha Electromechanical transducer and method of manufacturing the same
CN104066520A (zh) * 2012-01-27 2014-09-24 皇家飞利浦有限公司 电容式微机械换能器及其制造方法
CN103418542A (zh) * 2012-05-09 2013-12-04 科隆科技公司 具有声窗的cmut组件
US20140070669A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Micromachined ultrasonic transducer array

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114379260A (zh) * 2021-09-02 2022-04-22 苏州清听声学科技有限公司 一种定向发声屏绝缘凸点丝印制作方法
CN114379260B (zh) * 2021-09-02 2023-09-26 苏州清听声学科技有限公司 一种定向发声屏绝缘凸点丝印制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9955948B2 (en) 2018-05-01
US20160007959A1 (en) 2016-01-14
EP2965828A1 (en) 2016-01-13
KR20160006494A (ko) 2016-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6798059B1 (en) Multilayer electronic part, its manufacturing method, two-dimensionally arrayed element packaging structure, and its manufacturing method
JP5108100B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2019522449A5 (zh)
US20150230029A1 (en) Electro acoustic transducer
US9318421B2 (en) Power semiconductor chip with a metallic moulded body for contacting thick wires or strips and method for the production thereof
JP2008016729A (ja) 両面電極構造の半導体装置の製造方法
CN104701452A (zh) 电容式微加工超声换能器及其制造方法
JP5126002B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US11179748B2 (en) Mounting structure, ultrasonic device, ultrasonic probe, ultrasonic apparatus, and electronic apparatus
JP5439683B2 (ja) ３ｄ電子モジュール
US9643212B2 (en) Capacitive micromachined ultrasonic transducer module using wire-bonding
CN105249988A (zh) 利用引线接合的电容式微机械超声换能器探头
US11917922B2 (en) Mounting structure, ultrasonic device, ultrasonic probe, ultrasonic apparatus, and electronic apparatus
EP3364194B1 (en) Kelvin test probe, kelvin test probe module, and manufacturing method therefor
US9476913B2 (en) Probe card
US20230066356A1 (en) Chip-on-array with interposer for a multidimensional transducer array
JP5454890B2 (ja) 超音波プローブ及び超音波プローブの製造方法
US11581478B2 (en) Mounting structure, ultrasonic device, ultrasonic probe, ultrasonic apparatus, and electronic apparatus
US11895776B2 (en) Flexible printed wiring board, joined body, pressure sensor and mass flow controller
JP2018114042A (ja) 超音波探触子、超音波診断装置、半導体センサ
JP2015524318A5 (zh)
CN113809223A (zh) 热电换能器和热电换能器模块
US10978364B2 (en) Semiconductor module
CN113948505A (zh) 用于多维换能器阵列的直接阵列上芯片
US7816176B2 (en) Method of manufacturing electronic component package

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20160120

WW01 Invention patent application withdrawn after publication