CN105223213A - 一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台 - Google Patents

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Abstract

一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台属于纳米材料力学性能-显微结构原位表征领域。该平台主要由粘接区、支撑梁、承载梁、样品载台与微型压头组成,整体结构通过半导体微细加工技术制备。原位纳米压痕实验可采用热双金属片、V型电热梁、压电、静电、电磁、记忆合金等方式进行驱动,样品通过聚焦离子束块体取样技术获得。该一体化平台可置于透射电镜(TEM)样品杆前端的狭小空间内,在双轴倾转条件下,驱动装置驱动微型压头,在透射电镜中对材料进行原位纳米压痕、原位压缩和原位弯曲等实验。可以在亚埃、原子和纳米尺度下对材料的变形过程进行原位观察,研究其变形机制,揭示其显微结构与力学性能的关系。

Description

一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台
技术领域
本发明涉及一种在透射电镜中,在双轴倾转条件下对材料进行原位纳米压痕、压缩、弯曲等实验的平台。通过透射电镜实现对样品变形过程中显微结构演变的亚埃、纳米、原子尺度观测。属于透射电镜中纳米材料力学性能-显微结构原位表征领域。
背景技术
当材料特征尺寸降至纳米、原子级别时,利用传统的理论无法解释纳米材料的各种性能。纳米材料的力学性能、显微结构及其之间的相关性具有区别于块体材料的独特性。例如,Kiritan等在《Anomalousproductionofvacancyclustersandthepossibilityofplasticdeformationofcrystallinemetalswithoutdislocations》中发现面心结构块体材料的变形机制主要为位错滑移,而在纳米尺度的面心结构薄膜中,变形与材料内部大量的空位密切相关;Zheng等在《discreteplasticityinsub-10-nm-sizedgoldcrystals》中发现10nm以下的单晶金中,主导塑形变形的机制为不全位错形核,区别于金的体材料中由Frank-Read源主导的塑形变形机制;Yu等在《strongcrystalsizeeffectondeformationtwinning》中发现微米尺寸TiAl合金柱在压缩时的塑性变形以孪生变形为主,与宏观材料相同。而当尺寸减小到亚微米量级时,变形则以位错滑移为主。可见,研究材料微观变形机制及其对力学性能的影响对于提高纳米材料制备和应用水平具有很大的理论和实际意义。
透射电子显微镜(TEM)可以在亚埃、纳米、原子尺度研究材料的微观结构,最新的球差透射电子显微镜已可以实现在空间分辨率小于0.1nm的条件下研究材料的显微结构。除基本的显微结构表征外,国际上研究者和仪器厂家亦发展了各种结合TEM的原位表征技术,用于研究材料的显微结构和各种性能的相关性,包括材料的力学、热学、电学、光学以及多种耦合性能,极大丰富了对材料各种物理机制揭示的表征手段。这些原位表征技术主要有纳米材料的原位电学性能测试技术、原位热学性能测试技术和原位力学性能测试技术。其中纳米材料的原位力学测试方法和设备的发展受到了广泛的关注。这是由于材料的力学性能决定了材料服役的稳定性和使用寿命,研究材料在外力条件下的显微结构演变对于理解材料的弹/塑性变形机理,发展高性能材料具有十分重要的指导意义。
目前透射电镜原位力学实验中施加的载荷通常为拉伸和压缩载荷。相比于拉伸载荷,压缩载荷条件更适用于脆性材料(如陶瓷)的研究,这是由于在拉伸载荷下,材料在屈服点后即发生断裂,不能实现对其塑形变形过程的原位观察,影响对材料变形机制的精确分析。
在TEM中进行原位纳米压痕/压缩实验与载荷卸载后再进行观察分析的TEM后位实验相比具有明显的优势。后位实验中无法观察到压头压入时材料微观结构的变化过程,难以通过片段的显微结构推导材料显微结构-力学性能的相关性。原位纳米压痕实验可以实时观察分析材料在压头压入-停留-撤出的整个过程中的变化过程,可以直观地从亚埃、原子、纳米尺度揭示材料显微结构-力学性能的关系。
目前研究中的原位纳米压缩/压痕实验主要是通过商业化的原位纳米压缩/压痕样品杆进行。1998年Wall和Dahmen在《anin-situnanoindentationspecimenholderforahigh-voltagetransmissionelectronmicroscope》一文中设计了第一代适用于高压透射电镜的原位纳米压痕样品杆,采用可拆卸的样品搭载台和压电驱动压头,通过齿轮电机粗调机构将压头调整到距样品一定范围内,再用压电陶瓷驱动使压头进一步靠近并压入样品。2001年Stach和Freeman等在《developmentofananoindenterforinsitutransmissionelectronmicroscopy》一文中将这一样品杆应用于低压电镜,同时改进了压头的位移分辨率,使压入过程更加稳定可控。作者使用这种样品杆对金属和非金属薄膜材料进行了压痕实验。2003年Svensson和Jompol等在《compactdesignofatransmissionelectronmicroscope-scanningtunnelingmicroscopeholderwiththree-dimensionalcoarsemotion》一文中通过使用压电陶瓷位移积累方式进行粗调,消除了早期样品杆由于粗调电机工作引入的振动。2006年Bobji和Ramanujan等在《aminiaturizedTEMnanoindenterforstudyingmaterialdeformationinsitu》一文中进一步提高了对压入轨迹的控制,同时加入了可控的柔性铰链力信号传感器,可以获得压入过程的力-位移曲线。上述原位纳米压痕实验中压头形状为曲率半径几十到几百纳米的锥形,样品薄区为几十到几百纳米厚的电子束透明区,在透射电镜中无法观察到二者的“高度”关系。上述原位纳米压痕实验中通过外部驱动电机或压电陶瓷靠近样品非常耗时。2010年Lockwood和Wedekind等在《advancedtransmissionelectronmicroscopetriboprobewithautomatedclosed-loopnanopositioning》一文中发展了一种图像反馈系统,可以自动完成透射原位实验中的纳米级精确定位,解决了压头样品难以对正的问题。
上述样品杆已经由Hysitron和Nanofactory等公司推出商业化的产品并大量应用于原位纳米压痕、压缩等实验中,研究材料在压力状态下的力学性能并取得了突出的成果。上述样品杆均利用压电效应进行驱动,压电陶瓷块体积较大,只能放置在样品杆中前部,因而无法实现样品的双轴倾转,导致实验过程中很难获得理想的衍射条件,从而难以实现在原子和亚埃尺度下原位观察材料的显微结构演化。北京工业大学的韩晓东等在专利《透射电镜用原位双轴倾转纳米压痕仪》(专利申请号:201320574347.8)中设计了一种可以在透射电镜中实现双轴倾转条件下的原位纳米压痕的平台,设计简单,成本低廉;但难以将压头精确定位到样品上合适位置。
本发明设计了一种工艺简单、可批量化生产的透射电镜中双轴倾转条件下原位纳米压痕实验平台,可以实现对样品进行纳米压痕、压缩和弯曲,同时通过透射电镜原位记录变形过程中的显微结构演变,为揭示材料的变形机理提供有利工具。
发明内容
针对现有透射电镜原位纳米压痕/压缩平台中存在的各种问题,本发明设计了一种工艺简单、可批量化生产的透射电镜中双轴倾转条件下原位纳米压痕实验平台,可以实现对样品进行纳米压痕、压缩和弯曲实验,同时通过透射电镜原位记录变形过程中的显微结构演变,为揭示材料的变形机理提供有利工具。
该透射电镜双倾原位纳米压痕/压缩平台通过半导体微细加工技术制得。压缩/压痕实验所用驱动方式可采用热双金属片、V型电热梁、压电、静电、电磁、记忆合金等。用于压痕/压缩的样品通过聚焦离子束加工及块体取样技术制得。
以热双金属片驱动为例,将一体化平台粘接在热双金属片上,整体置于双轴倾转加热样品杆前端的载台上,通电后样品杆上的加热坩埚对驱动部分加热,驱动压头逐渐压入/压缩样品,同时在双轴倾转条件下,实现对材料显微结构演化的亚埃、原子和纳米尺度的原位观察。
本发明解决了现有透射电镜原位纳米压痕、压缩实验无法同时实现样品双轴倾转的缺限。同时压头与样品载台位置固定,实现在一维方向上控制压头即可准确压入样品的目的,减小了操作困难,极大提高了成功率。同时在亚埃、原子和纳米尺度下观察材料内显微结构的演化过程,有助于揭示压力作用下材料的变形机制和建立对应的原子模型。
本发明中实现上述目的的途径如下所述:
一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台,其特征在于:包括粘接区、支撑梁、承载梁、样品载台和微型压头五部分;其中,粘接区为位于两侧呈对称分布的矩形平板区;支撑梁为2~4根矩形固支梁,连接两侧的粘接区;承载梁为两根对称设计的悬臂梁,每根悬臂梁一侧分别与粘接区相连,另一侧伸向器件中心;样品载台为一块平板,尾端与其中一根承载梁的末端相连,靠近微型压头一侧切有缺口作为电子束透过区;微型压头为一块矩形平板,尾端与另一根承载梁相连,在靠近样品载台一侧有一个三角形尖头。
进一步,所述的粘接区厚度为5~100μm,长和宽分别为50~200μm和50~200μm,用于与驱动器粘接。
进一步,所述的支撑梁厚度为5~100μm,长度和宽度分别为30~200μm和5~50μm,用于连接两侧粘接区。
进一步,所述的承载梁厚度为5~100μm,长度和宽度分别为10~100μm和5~100μm,自由端分别承载微型压头和样品载台。
进一步,所述的微型压头与一根承载梁的自由端相连,厚度为1~10μm。
进一步,所述的样品载台与另一根承载梁的自由端相连,厚度为1~10μm,与微型压头间隙为2~20μm,用于搭载样品。
进一步,所述平台采用半导体微细加工技术一体化成形制备,可一次成形,选用硅、碳化硅、金刚石、砷化镓、石英晶体等微电子机械系统常用材料。
进一步,平台可选用热双金属片、V型电热梁、压电、静电、电磁、记忆合金等方式进行驱动。
本发明所述的透射电镜双轴倾转原位纳米压痕/压缩实验平台包括粘接区、支撑梁、承载梁、样品载台和微型压头五部分。所述的粘接区为两侧用于与驱动器粘接的区域;所述的支撑梁与两侧粘接区连接,用于在粘接过程中保证压头和载台的相对位置不变;所述的承载梁位于器件上沿,与粘接区相连;所述的压头和样品载台分别位于两根承载梁的自由端。粘接区和支撑梁的厚度需根据一体化平台使用过程中所承受的机械应力进行调整,保证结构坚固。承载梁厚度需足以稳固地承载样品载台和微型压头。微型压头和样品载台的厚度较薄,以减小双轴倾转时对电子束的遮挡。当粘接区、支撑梁和承载梁厚度超过10μm时,需要对样品载台和微型压头单独进行减薄,减至10μm以下。
具体地说,当平台整体厚度小于10μm时,其加工工艺包括二次光刻:第一次为正面机械结构刻蚀,向下刻蚀出器件整体外形;第二次从背面刻蚀,释放窗口,形成一体化平台。当平台整体厚度超过10μm时,加工工艺包括三次光刻:第一次为正面微型压头和样品载台区域减薄,从上向下刻蚀出一定高度的台阶,保证最终厚度小于10μm;第二次与第三次光刻过程与平台整体厚度小于10μm时相同。
所述的粘接区为分布于器件左右两侧对称的平板区,长度为50~200μm,宽度为50~200μm,厚度为5~100μm。以热双金属驱动方式为例,使用时,先将两个双金属片平行固定于外径为3mm的铜支撑环上,热膨胀系数较小的金属处于内侧,加热时两根金属片自由端相互靠近。用AB胶将两个粘接区对称地固定在两侧的热双金属片上,使器件前端与双金属片自由端平齐。所述的支撑梁有2~4根,连接左右粘接区,长度为30~200μm,宽度为5~50μm,厚度为5~100μm。粘接牢固后,将所有支撑梁切断。所述的两根承载梁为悬臂梁,长度为10~100μm,宽度为5~100μm,厚度为5~100μm,位于器件上沿,一端与同侧的粘接区相连,另一端伸向器件中间,为自由端,分别用于承载微型压头和样品载台。所述的微型压头与一根承载梁的自由端相连,厚度为1~10μm。所述的样品载台与另一根承载梁的自由端相连,厚度为1~10μm。微型压头与样品载台间距2~20μm。用聚焦离子束技术将样品焊接于样品载台上。
通过改变加热杆的加热电流,控制双金属片驱动器的温度;双金属片在升温过程中由于两种金属热膨胀系数不同导致自由端发生弯曲,相互靠近,驱动压痕/压缩压头和样品载台相互靠近,直至压头压入薄区。通过控制升温速率可以调节压头压入深度和速度。通过透射电镜观察屏或CCD相机实时观察、记录薄区在压入过程中显微结构的变化。
通过改变压头和样品的尺寸和形状,可实现原位压缩和原位弯曲等其它透射电镜原位力学实验。用于压痕实验的压头前端设计为劈尖状,对应的样品形状设计为薄片状;用于压缩或弯曲的压头设计为平头状,可为正方或长方形。对应的样品设计为柱状,其截面积小于平头压头的截面积。
改变驱动双金属片的粘接方向,使加热时两自由端相互远离,即可在此平台上进行样品的原位拉伸实验。
本发明有如下优点:
1.本发明提供了一种可以实现透射电镜双倾条件下的原位纳米压痕实验的平台,填补了透射电镜中无法实现双倾原位压痕实验的空白。
2.本发明中涉及的透射电镜原位纳米压痕平台可通过多种方式进行驱动。选择热双金属驱动时,驱动和控制方法简单。搭建的原位纳米压痕系统可以直接与商业化透射电镜加热杆配合使用,操作便捷。
3.本发明中涉及的透射电镜原位纳米压痕平台本身提供了压头和样品合适的位置关系,仅需控制驱动系统在一维方向上驱动压头和样品即可实现压痕、压缩、弯曲实验,提高了工作效率和实验的成功率。
4.本发明中涉及的原位纳米压痕平台可以在用聚焦离子束搭载样品时预设实验温度范围,可以一定程度上满足力热耦合实验的要求。
附图说明
图1透射电镜双倾原位纳米压痕平台示意图。
图中图面说明如下
1粘接区2支撑梁3承载梁4微型压头5样品载台
图2透射电镜双倾原位纳米压痕平台与双金属片驱动器组装图。
图中图面说明如下
6铜支撑环7双金属片
图3原位纳米压痕实验照片(a)压头压入前;(b)压头压入过程中;(c)压头退出后。
具体实施方式:
下面结合图1、图2对本发明做进一步说明:
制备具体方法:利用半导体微细加工技术,当平台整体厚度超过10μm时,分三次光刻:第一次光刻使用干法刻蚀,先从正面将样品载台和微型压头所在区域向下刻蚀一定深度,使该区域最终厚度小于10μm;第二次光刻使用干法刻蚀,从正面向下刻蚀出一体化平台整体结构;第三次光刻使用湿法刻蚀,从背面向上释放窗口,刻蚀至整个器件悬空。当平台整体厚度小于10μm时,只需进行后两步光刻。
使用具体方法:以双金属片驱动为例,将器件功能区朝上,粘在被动端向内的双金属片驱动器前端;粘接牢固后切断支撑梁,使压头和样品载台两侧完全分离;用聚焦离子束块体取样技术将样品取出、粘在载台并减薄。
实验具体方法:将上述搭载有样品的的透射电镜原位纳米压痕平台装入透射电镜双倾加热样品杆中,插入透射电镜,将样品倾转至理想的角度,可选择在明场、暗场或者衍射模式下对驱动部分进行加热,实时观察记录样品在压头作用下的变形过程。

Claims (8)

1.一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台,其特征在于:包括粘接区、支撑梁、承载梁、样品载台和微型压头五部分;其中,粘接区为位于两侧呈对称分布的矩形平板区;支撑梁为2~4根矩形固支梁,连接两侧的粘接区;承载梁为两根对称设计的悬臂梁,每根悬臂梁一侧分别与粘接区相连,另一侧伸向器件中心;样品载台为一块平板,尾端与其中一根承载梁的末端相连,靠近微型压头一侧切有缺口作为电子束透过区;微型压头为一块矩形平板,尾端与另一根承载梁相连,在靠近样品载台一侧有一个三角形尖头。
2.根据权利要求1所述的一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台,其特征在于:所述的粘接区厚度为5~100μm,长和宽分别为50~200μm和50~200μm,用于与驱动器粘接。
3.根据权利要求1所述的一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台,其特征在于:所述的支撑梁厚度为5~100μm,长度和宽度分别为30~200μm和5~50μm。
4.根据权利要求1所述的一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台,其特征在于:所述的承载梁厚度为5~100μm,长度和宽度分别为10~100μm和5~100μm。
5.根据权利要求1所述的一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台,其特征在于:所述的微型压头厚度为1~10μm。
6.根据权利要求1所述的一种透射电镜双轴倾原位纳米压痕平台,其特征在于:所述的样品载台与另一根承载梁的自由端相连,厚度为1~10μm,与微型压头间隙为2~20μm。
7.根据权利要求1所述的一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台,其特征在于:平台采用半导体微细加工技术一体制备成形,选用硅、碳化硅、金刚石、砷化镓或石英晶体。
8.根据权利要求1所述的一种透射电镜双轴倾原位纳米压痕平台,其特征在于:平台选用热双金属片、V型电热梁、压电、静电、电磁或记忆合金方式进行驱动。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106525584A (zh) * 2016-11-11 2017-03-22 西安交通大学 一种用于透射电子显微镜下原位力学加载工具的制备方法
WO2017054782A1 (zh) * 2015-09-28 2017-04-06 北京工业大学 一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台
CN106872228A (zh) * 2017-01-18 2017-06-20 燕山大学 一种极薄带表面制备精细坐标网格的方法
CN107621471A (zh) * 2017-08-28 2018-01-23 大连理工大学 微米合金含有等长单个纳米孪晶的透射电镜原位纳米压痕方法
CN109708944A (zh) * 2019-02-19 2019-05-03 大连理工大学 一种硅的损伤层透射电镜原位纳米压痕方法
CN110760924A (zh) * 2019-11-29 2020-02-07 北京北方华创微电子装备有限公司 进气装置及半导体处理设备
CN114682158A (zh) * 2020-12-28 2022-07-01 北京高压科学研究中心 一种电化学纳米压腔
WO2022161216A1 (zh) * 2021-01-28 2022-08-04 清华大学 一种基于柔性纳米伺服运动系统的扫描电镜直写光刻系统
CN114965002A (zh) * 2021-02-25 2022-08-30 胜科纳米(苏州)有限公司 用于器件级纳米膜层的压痕测试方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110261221B (zh) * 2019-05-22 2023-12-29 北京工业大学 一种原位拉伸装置及其制备方法
CN110243679B (zh) * 2019-05-29 2024-01-09 北京工业大学 一种热双金属拉伸驱动器及其制备方法
CN112014214B (zh) * 2020-09-03 2022-03-11 山东大学 一种水泥石微观单边劈裂测试装置与方法
CN112229752A (zh) * 2020-10-26 2021-01-15 北京理工大学 一种超高温水氧环境下原位微纳米压痕测试系统及其方法
CN116046825B (zh) * 2023-04-03 2023-06-27 中国核动力研究设计院 辐照后弥散燃料纳米压痕试样及其制备方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005509864A (ja) * 2001-11-12 2005-04-14 ナノファクトリー インストルメンツ アーベー 電子顕微鏡用測定デバイス
CN1963985A (zh) * 2006-11-24 2007-05-16 北京工业大学 一种热双金属片驱动的透射电子显微镜载网
US20070180924A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Warren Oden L Actuatable capacitive transducer for quantitative nanoindentation combined with transmission electron microscopy
CN101221105A (zh) * 2008-01-25 2008-07-16 北京工业大学 透射电镜用纳米材料应力测试载网
US20080276727A1 (en) * 2004-01-26 2008-11-13 Nanofactory Instruments Ab Mems Nanoindenter
US20100281963A1 (en) * 2006-12-22 2010-11-11 California Institute Of Technology. Nanoindenter tip for uniaxial tension and compression testing
CN102262996A (zh) * 2011-05-31 2011-11-30 北京工业大学 透射电镜用双轴倾转的原位力、电性能综合测试样品杆
CN102288501A (zh) * 2011-07-25 2011-12-21 吉林大学 精密纳米压痕测试装置
CN203443871U (zh) * 2013-08-28 2014-02-19 吉林大学 面向自由面的超精密纳米压痕划痕加工系统
CN203534987U (zh) * 2013-09-17 2014-04-09 北京工业大学 透射电镜用原位双轴倾转纳米压痕仪
CN104198663A (zh) * 2014-09-17 2014-12-10 北京航空航天大学 一种材料全温度段多场耦合性能的压痕系统及方法
CN104634660A (zh) * 2015-02-04 2015-05-20 北京工业大学 透射电镜中原位双倾单轴拉伸纳米线、二维层状薄膜装置及方法
CN204558415U (zh) * 2015-02-15 2015-08-12 北京工业大学 一种透射电子显微镜用双轴倾转样品台

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6817255B2 (en) * 2001-09-12 2004-11-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Apparatus and method for testing of microscale to nanoscale thin films
DE102007005293A1 (de) * 2007-01-29 2008-08-07 Technische Universität Ilmenau Vorrichtung und Verfahren zum mikromechanischen Positionieren und Manipulieren eines Objektes
WO2008123908A1 (en) * 2007-02-21 2008-10-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stress micro mechanical test cell, device, system and methods
US7752916B2 (en) * 2007-08-31 2010-07-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Apparatus and method for material testing of microscale and nanoscale samples
US9335240B2 (en) * 2008-07-03 2016-05-10 Hysitron Incorporated Method of measuring an interaction force
WO2010003149A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Hysitron Incorporated Micromachined comb drive for quantitative nanoindentation
US8434370B2 (en) * 2008-10-07 2013-05-07 Hysitron Incorporated Micro/nano-mechanical test system employing tensile test holder with push-to-pull transformer
US8089053B1 (en) * 2009-11-10 2012-01-03 Dudley Finch Dynamically tilting specimen holder for stereo and tomographic imaging in a transmission electron microscope using a combination of micro electro mechanical systems (MEMS) and piezoelectric transducers (PZTs)
US8351053B2 (en) * 2010-06-25 2013-01-08 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Apparatus and method for in situ testing of microscale and nanoscale samples
CN103645199B (zh) * 2013-09-17 2015-10-28 北京工业大学 透射电镜用原位双轴倾转纳米压痕仪
US9535086B2 (en) * 2014-06-24 2017-01-03 Femtotools Ag Interface of a microfabricated scanning force sensor for combined force and position sensing
EP3038131A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-29 FEI Company Improved specimen holder for a charged particle microscope
US9921128B2 (en) * 2015-03-27 2018-03-20 Exponential Business And Technologies Company Method and apparatus for residual stress measurement through indentation with in-situ generated reference
CN105223213B (zh) * 2015-09-28 2017-12-15 北京工业大学 一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005509864A (ja) * 2001-11-12 2005-04-14 ナノファクトリー インストルメンツ アーベー 電子顕微鏡用測定デバイス
US20080276727A1 (en) * 2004-01-26 2008-11-13 Nanofactory Instruments Ab Mems Nanoindenter
US20070180924A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Warren Oden L Actuatable capacitive transducer for quantitative nanoindentation combined with transmission electron microscopy
CN1963985A (zh) * 2006-11-24 2007-05-16 北京工业大学 一种热双金属片驱动的透射电子显微镜载网
US20100281963A1 (en) * 2006-12-22 2010-11-11 California Institute Of Technology. Nanoindenter tip for uniaxial tension and compression testing
CN101221105A (zh) * 2008-01-25 2008-07-16 北京工业大学 透射电镜用纳米材料应力测试载网
CN102262996A (zh) * 2011-05-31 2011-11-30 北京工业大学 透射电镜用双轴倾转的原位力、电性能综合测试样品杆
CN102288501A (zh) * 2011-07-25 2011-12-21 吉林大学 精密纳米压痕测试装置
CN203443871U (zh) * 2013-08-28 2014-02-19 吉林大学 面向自由面的超精密纳米压痕划痕加工系统
CN203534987U (zh) * 2013-09-17 2014-04-09 北京工业大学 透射电镜用原位双轴倾转纳米压痕仪
CN104198663A (zh) * 2014-09-17 2014-12-10 北京航空航天大学 一种材料全温度段多场耦合性能的压痕系统及方法
CN104634660A (zh) * 2015-02-04 2015-05-20 北京工业大学 透射电镜中原位双倾单轴拉伸纳米线、二维层状薄膜装置及方法
CN204558415U (zh) * 2015-02-15 2015-08-12 北京工业大学 一种透射电子显微镜用双轴倾转样品台

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017054782A1 (zh) * 2015-09-28 2017-04-06 北京工业大学 一种透射电镜双倾原位纳米压痕平台
US10410822B2 (en) 2015-09-28 2019-09-10 Beijing University Of Technology Double-tilt in-situ nanoindentation platform for transmission electron microscope
CN106525584B (zh) * 2016-11-11 2019-07-02 西安交通大学 一种用于透射电子显微镜下原位力学加载工具的制备方法
CN106525584A (zh) * 2016-11-11 2017-03-22 西安交通大学 一种用于透射电子显微镜下原位力学加载工具的制备方法
CN106872228A (zh) * 2017-01-18 2017-06-20 燕山大学 一种极薄带表面制备精细坐标网格的方法
CN107621471A (zh) * 2017-08-28 2018-01-23 大连理工大学 微米合金含有等长单个纳米孪晶的透射电镜原位纳米压痕方法
CN109708944A (zh) * 2019-02-19 2019-05-03 大连理工大学 一种硅的损伤层透射电镜原位纳米压痕方法
CN109708944B (zh) * 2019-02-19 2021-03-26 大连理工大学 一种硅的损伤层透射电镜原位纳米压痕方法
CN110760924A (zh) * 2019-11-29 2020-02-07 北京北方华创微电子装备有限公司 进气装置及半导体处理设备
CN114682158A (zh) * 2020-12-28 2022-07-01 北京高压科学研究中心 一种电化学纳米压腔
CN114682158B (zh) * 2020-12-28 2023-01-10 北京高压科学研究中心 一种电化学纳米压腔
WO2022161216A1 (zh) * 2021-01-28 2022-08-04 清华大学 一种基于柔性纳米伺服运动系统的扫描电镜直写光刻系统
CN114965002A (zh) * 2021-02-25 2022-08-30 胜科纳米(苏州)有限公司 用于器件级纳米膜层的压痕测试方法

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US10410822B2 (en) 2019-09-10
CN105223213B (zh) 2017-12-15
WO2017054782A1 (zh) 2017-04-06
US20180053625A1 (en) 2018-02-22

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