CN105222918A - 一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器 - Google Patents
一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105222918A CN105222918A CN201510615729.4A CN201510615729A CN105222918A CN 105222918 A CN105222918 A CN 105222918A CN 201510615729 A CN201510615729 A CN 201510615729A CN 105222918 A CN105222918 A CN 105222918A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- codope
- quantum dot
- temperature sensor
- sensor based
- ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,包括设置有双掺杂量子点材料的半导体敏感元件,双掺杂量子点材料的制备方法如下:a、硫前驱体和锌前驱体的制备;b、在ODE溶剂中加入掺杂剂、基体材料以及表面配体,在无氧条件下加热升温去除杂质和水份得到透明溶液,表面配体为DDT和OLA;透明溶液升温,加入硫前驱体,保温生长加入锌前驱体,得到含Cu(Ag),Mn共掺杂Zn-In-S量子点的溶液;溶液冷却后经提纯得到量子点。本发明传感器灵敏度高,测试范围大,稳定性好,通过调控双掺杂离子的掺杂浓度,可以实现对双荧光发射强度的调控,性能突出。
Description
技术领域
本发明涉及一种温度传感器,特别是一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器。
背景技术
温度是物质的最基本的物理参数之一,在物理、化学及生理过程中都起着至关重要的作用。在工业生产制造过程中,实现对温度的实时监控可以优化生产过程、减少废料和降低能量损耗;在生物工程学和生物化学领域中,温度的细微差异能指示细胞的生存状态。因此,对温度进行实时和精确的监控已经在工业生产及生物医学诊断和治疗等过程中扮演重要的角色。
半导体量子点由于具有优异的光学性质和灵活的表面修饰方式,因而在温度传感方面有着重要的应用前景。根据大量的文献报道,温度的变化会改变非辐射跃迁的速率变化,进而影响量子点的荧光发射强度和半峰宽等性质。因此,人们可以利用检测纳米晶的荧光峰位、强度值等因素反馈样品所在区域的温度信息。但是在实际的应用测试中,单个荧光峰的峰位和强度会存在与环境相关的不稳定性及与温度的非线性相关等问题,给温度的测量引入巨大的误差和复杂的计算过程。如果选择适合的参比,引入双峰发射量子点,在某一特定温度范围内,双荧光峰强度比值与温度在不同的环境下都存在稳定的线性关系。这样就可以利用这种自身的参比比率特性,可以在很大程度上提高温度测试的准确度和重复性。
目前用于构建温度传感器的量子点主要围绕着CdSe基合金量子点及其相关Mn掺杂量子点,通过控制其缺陷态和Mn掺杂态中的两种发射来获取双荧光发射,而这普遍存在以下两方面的问题。(1)获得这两种分立的荧光本身在制备过程中就需要非常精细的调控才能实现。(2)表面态的发光随温度和环境的影响很大,最主要的是在测试过程中的高温可退化量子点的表面性质从而改变其表面态的发光性能,导致温度传感器直接失效。此外,这些物质中都含有重金属元素Cd,在环保意识逐渐增加的今天其应用前景也是面临的另一巨大问题。因此构建更为环保稳定的温度传感器具有重大的应用需求。
通常,采用过渡金属掺杂修饰的量子点与本征量子点相比,具有更优异的光学性能。使用两种不同发光机理的过渡金属离子,即一种分离发光中心掺杂离子,如Mn离子,另一种为复合发光中心离子,如Cu、Ag离子,将会赋予量子点双掺杂离子所对应的双峰发射的特性。这种来源于离子本征的发光,其具有更好的稳定性,更重要的是其发光的比率随环境以及测试条件的影响更少,因此相比于之前报道的基于缺陷态发光的比率温度计,本发明所设计的比率温度传感器具有更好的可靠性和更长的使用寿命。但是到目前为止,国际上尚未见采用绿色环保的无Cd的双掺杂量子点构建比率温度传感器的报道。
发明内容
为解决上述问题,本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,利用双掺杂态离子发射型量子点来构建比率温度传感器,高效,简洁,传感器稳定性好,灵敏度高,环保性好。
本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,包括设置有双掺杂量子点材料的半导体敏感元件,双掺杂量子点材料的制备方法如下:
a、硫前驱体和锌前驱体的制备;
b、量子点材料的制备:在ODE溶剂中加入掺杂剂、基体材料以及表面配体,在无氧条件下加热升温去除杂质和水份得到透明溶液,其中掺杂剂为锰盐与铜盐或者银盐中一种的混合物,基体材料为锌盐和铟盐,表面配体为DDT和OLA;铜盐为乙酸铜、氯化铜、氯化亚铜中一种;锰盐为乙酸锰、氯化锰、硬脂酸锰中的一种;铟盐为氯化铟、乙酸铟、硝酸铟中的一种;锌盐为乙酸锌、氯化锌、硝酸锌、硬脂酸锌中的一种;ODE溶剂与表面配体DDT和OLA的体积比为ODE:DDT:OLA=5:1:1。掺杂剂铜盐和锰盐的用量为(以每5mLODE溶液中添加量计)锰盐的摩尔量优选为0.001-0.1mmol,最优选为0.034-0.08mmol;铜盐的摩尔量优选为0.01-0.1mmol,最优选为0.034-0.08mmol。银盐可以为硝酸银。
透明溶液升温,加入硫前驱体,保温生长10-40min后加入锌前驱体,升温至220-250℃并保温生长10-40min,再降温至120-160℃得到含Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点的溶液;
溶液冷却后经提纯得到量子点。
本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器的一种改进,步骤a中硫前驱体为按照每1mLODE和1mL油胺OLA混合物中含硫0.1-1.2mmol制得。
本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器的一种改进,步骤a中锌前驱体为按照每1mLODE和1mL油胺OLA混合物中含锌离子0.1-0.8mmol制得。
本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器的一种改进,步骤b中无氧条件为经过抽真空、充入保护气体(可以为多次重复抽真空和充入保护气后得到)后得到的保护气环境。
本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器的一种改进,步骤b中在无氧条件下加热升温去除杂质和水份时的温度为95-110℃,保温时间为20-40min。
本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器的一种改进,步骤b中在加入硫前驱体保温生长时的溶液温度为200-240℃。
本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器的一种改进,步骤b中保护气为氩气、氮气或者氦气中的一种或几种。
本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器的一种改进,步骤b中基体材料的铟盐与锌盐的摩尔比为(1/3)-(3/1),更优选为优选为1/1。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
本方法合成条件安全简单,采用热注入的方法,通过调控双掺杂离子的掺杂浓度,可以实现对双荧光发射强度的调控;
本发明首次将双掺杂离子发射量子点引入温度传感领域,构筑了大量程高稳定性的温度传感器。该传感器绿色环保,具有重要的应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例一所制得的光学性质图片,其中图1(a)为吸收和发射光谱,图1(b)为样品在365nm紫外灯照射下的发光情况照片,图1(c)和图1(d)分别为监测量子点两个荧光峰位的荧光寿命曲线;
图2为本发明实施例一所制得的样品结构表征图片,其中图2(a)为X射线衍射图谱(XRD),图2(b)为量子点的透射电子显微镜(TEM)照片,图2(c)和图2(d)分别为高分辨透射电镜照片(HRTEM)和傅里叶变换(FFT)照片;
图3为本发明实施例一所制得的样品的X射线光电子能谱(XPS)图;其中上左(a)为XPS全谱,上中(b)为Cu离子的谱线,上右(c)为Mn离子的谱线,下左(d)为In离子的谱线,下中(e)为Zn离子谱线,下右(f)为S离子谱线。
图4为本发明实施例一中量子点温度传感器性能测试图,其中图4(a)为量子点在80-340K温度区间内的归一化光致发光图谱,图4(b)为Cu离子的发射强度ICu与整个双掺杂量子点的发射强度Itot之比ICu/Itot与温度的关系曲线;
图5为本发明实施例一中量子点在220K温度下不同时间测试下光谱强渡的变化图;
图6为本发明实施例一中量子点在160-260K之间五次循环测试的光谱强度与温度间的关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式,进一步阐明本发明,应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是,下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向,词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
实施例1
依次称量CuCl(0.01mmol),Mn(OAc)2(0.001mmol),In(Ac)3(0.2mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围(无氧,下同)。从室温升温到100℃保持20min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至220℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含19mg,0.6mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长20min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.2mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至230℃保持生长20min,再降温至150℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
图1为所不同掺杂浓度下制备的Cu,Mn双掺杂Zn-In-S量子点的光学性质图片,其中图1(a)量子点的吸收和发射光谱,表明改变两种掺杂离子的浓度,可以有效调控Cu,Mn掺杂离子的放光强渡比值;图1(b)为量子点在365nm紫外灯照射下的发光情况照片,显示器具有较高的发光效率;图1(c)和图1(d)分别为监测Cu,Mn双掺杂Zn-In-S量子点两个荧光峰位的荧光寿命曲线,表明量子点的发光来源于掺杂离子Cu和Mn。图2为Cu,Mn双掺杂Zn-In-S量子点的结构表征图片。其中图2(a)为量子点的X射线衍射图谱(XRD),表面所制备的量子点为闪锌矿ZnS相结构,图2(b)为量子点的透射电子显微镜(TEM)照片,表明所制备的量子点尺寸分布均匀,粒径约为3.7nm。图2(c)和图2(d)分别为Cu,Mn双掺杂Zn-In-S量子点的高分辨透射电镜照片(HRTEM)和傅里叶变换(FFT)照片,进一步确认了所制备的量子点为闪锌矿ZnS相结构。图3量子点的X射线光电子能谱(XPS)图,表明组成Cu,Mn双掺杂Zn-In-S量子点的元素有Cu+、Mn2+、Zn2+、In3+和S2-离子构成。
将上述制备的Cu,Mn双掺杂Zn-In-S量子点滴涂在硅片上,置于JanisVPF-800测试系统,通过Lakeshore(Model331)控温仪对量子点进行变温测量,采用Fluromax-4P光谱仪(ribaJobinYvon,France)对其进行光谱测量。图4(a)为Cu,Mn双掺杂Zn-In-S量子点在80-340k温度区间内的归一化光致发光图谱,图中表明,随温度的升高,Mn离子的荧光发射强度组件降低,而Cu离子的发射强度逐渐增强,图4(b)显示,Cu离子的发射强度ICu与整个双掺杂量子点的发射强度Itot之比ICu/Itot与温度呈线性关系,温度敏感度为~0.132%K-1,温度探测响应区间为100-320K。图5为Cu,Mn双掺杂Zn-In-S量子点在220K温度下不同时间测试下光谱强渡的变化图,表明该量子点在1个小时内具有由于的稳定性,满足实际应用的时间测试要求。图6为Cu,Mn双掺杂Zn-In-S量子点在160-260K之间五次循环测试的光谱强度与温度间的关系,表明量子点不但没有测试迟滞现象,还具有非常优异的循环稳定性。
实施例2
依次称量CuCl(0.017mmol),Mn(OAc)2(0.033mmol),In(Ac)3(0.067mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),铟盐与锌盐的摩尔比约为1/3,DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到95℃保持38min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至200℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含0.1mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长35min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.1mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至243℃保持生长40min,再降温至126℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
实施例3
依次称量CuCl(0.1mmol),Mn(OAc)2(0.062mmol),In(Ac)3(0.1mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到98℃保持35min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至240℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含1.2mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长23min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.8mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至226℃保持生长30min,再降温至124℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
实施例4
依次称量CuCl(0.034mmol),Mn(OAc)2(0.087mmol),In(Ac)3(0.12mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到110℃保持33min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至210℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含1.05mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长33min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.13mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至237℃保持生长10min,再降温至142℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
实施例5
依次称量CuCl(0.08mmol),Mn(OAc)2(0.046mmol),In(Ac)3(0.18mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到106℃保持37min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至230℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含0.93mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长27min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.22mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至248℃保持生长27min,再降温至133℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
实施例6
依次称量CuCl(0.06mmol),Mn(OAc)2(0.009mmol),In(Ac)3(0.3mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到104℃保持32min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至207℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含0.82mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长14min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.34mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至234℃保持生长16min,再降温至157℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
实施例7
依次称量CuCl(0.09mmol),Mn(OAc)2(0.08mmol),In(Ac)3(0.4mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到108℃保持28min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至212℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含0.66mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长12min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.76mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至222℃保持生长33min,再降温至160℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
实施例8
依次称量CuCl(0.073mmol),Mn(OAc)2(0.034mmol),In(Ac)3(0.6mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到103℃保持25min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至224℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含0.41mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长30min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.57mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至250℃保持生长26min,再降温至130℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
实施例9
依次称量CuCl(0.036mmol),Mn(OAc)2(0.1mmol),In(Ac)3(0.08mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到102℃保持30min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至233℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含0.26mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长40min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.64mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至240℃保持生长11min,再降温至140℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
实施例10
依次称量CuCl(0.022mmol),Mn(OAc)2(0.0017mmol),In(Ac)3(0.09mmol),Zn(Ac)2(0.2mmol),DDT(1mL),OLA(1mL)和ODE(5mL)加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到97℃保持40min以残余的水分子和低沸点有机物,得到透明溶液。然后再升温至228℃。将取硫(S)前驱体溶液(包含0.11mmolS、1mLODE和1mL油胺(OLA))快速注入三颈瓶,在注入温度下保持生长10min,在此温度下将2mL锌前驱体溶液(包含0.44mmol醋酸锌(Zn(Ac)2)和1mLODE,1mLOLA)迅速加入到反应液中,升温至220℃保持生长36min,再降温至120℃。得到Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点。最后,将溶液冷却至室温,用氯仿/乙腈萃取法纯化量子点。
与以上实施例相区别地,铜盐还可以为乙酸铜、氯化铜中一种;锰盐还可以为氯化锰、硬脂酸锰中的一种;铟盐还可以为氯化铟、硝酸铟中的一种;锌盐还可以为氯化锌、硝酸锌、硬脂酸锌中的一种;保护气还可以为为氮气、氦气、氩气与氮气的混合气(氩气:氮气的体积比为1:1、1:2、1:3、2:1、3:1以及其它任意比)、氩气与氦气的混合气(氩气:氦气的体积比为1:1、1:2、1:3、2:1、3:1以及其它任意比)、氮气与氦气的混合气(氮气:氦气体积比为1:1、1:2、1:3、2:1、3:1以及其它任意比)、氮气和氩气以及氦气三种的混合气(氮气:氩气:氦气的体积比为1:1:1:1:1:2、1:3:2、2:1:2、3:1:2以及其它任意比)。
与上述实施例相区别地,铜盐(乙酸铜、氯化铜以及氯化亚铜)还可以同等地替换为银盐如硝酸银,以作为与上述实施例的唯一区别。
鉴于本发明方案实施例众多,各实施例实验数据庞大众多,不适合于此处逐一列举说明,但是各实施例所需要验证的内容和得到的最终结论均接近,故而此处不对各个实施例的验证内容进行逐一说明,仅以实施例1作为代表说明本发明申请优异之处。
本处实施例对本发明要求保护的技术范围中点值未穷尽之处以及在实施例技术方案中对单个或者多个技术特征的同等替换所形成的新的技术方案,同样都在本发明要求保护的范围内;同时本发明方案所有列举或者未列举的实施例中,在同一实施例中的各个参数仅仅表示其技术方案的一个实例(即一种可行性方案),而各个参数之间并不存在严格的配合与限定关系,其中各参数在不违背公理以及本发明述求时可以相互替换,特别声明的除外。
本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述技术手段所公开的技术手段,还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。以上所述是本发明的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器,其特征在于,所述基于双掺杂量子点的比率温度传感器包括设置有双掺杂量子点材料的半导体敏感元件,所述双掺杂量子点材料的制备方法如下:
a、硫前驱体和锌前驱体的制备;
b、量子点材料的制备:在ODE溶剂中加入掺杂剂、基体材料以及表面配体,在无氧条件下加热升温去除杂质和水份得到透明溶液,其中掺杂剂为锰盐与铜盐或者银盐中一种的混合物,基体材料为锌盐和铟盐,表面配体为十二硫醇DDT和油胺OLA;
透明溶液升温,加入硫前驱体,保温生长10-40min后加入锌前驱体,升温至220-250℃并保温生长10-40min,再降温至120-160℃得到含Cu,Mn共掺杂Zn-In-S量子点的溶液;
溶液冷却后经提纯得到量子点。
2.根据权利要求1所述的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,其特征在于,所述步骤a中硫前驱体为按照每1mLODE和1mLOLA混合物中含硫0.1-1.2mmol制得。
3.根据权利要求1所述的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,其特征在于,所述步骤a中锌前驱体为按照每1mLODE和1mLOLA混合物中含锌离子0.1-0.8mmol制得。
4.根据权利要求1所述的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,其特征在于,所述步骤b中无氧条件为经过抽真空、充入保护气体后得到的保护气环境。
5.根据权利要求1所述的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,其特征在于,所述步骤b中在无氧条件下加热升温去除杂质和水份时的温度为95-110℃,保温时间为20-40min。
6.根据权利要求1所述的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,其特征在于,所述步骤b中在加入硫前驱体保温生长时的溶液温度为200-240℃。
7.根据权利要求4所述的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,其特征在于,所述步骤b中保护气为氩气、氮气或者氦气中的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,其特征在于,所述步骤b中基体材料的铟盐与锌盐的摩尔比为(1/3)-(3/1)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510615729.4A CN105222918B (zh) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | 一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510615729.4A CN105222918B (zh) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | 一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105222918A true CN105222918A (zh) | 2016-01-06 |
CN105222918B CN105222918B (zh) | 2021-02-23 |
Family
ID=54991997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510615729.4A Active CN105222918B (zh) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | 一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105222918B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109990915A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | Tcl集团股份有限公司 | 温度传感器 |
WO2022244716A1 (ja) * | 2021-05-19 | 2022-11-24 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 温度計測装置、および温度計測方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150047316A (ko) * | 2013-10-24 | 2015-05-04 | 한국과학기술원 | 형광 블록 공중합체가 결합된 형광공명에너지전이 수용체를 이용한 온도 센싱 플랫폼 |
CN104726098A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-06-24 | 中国石油大学(北京) | 一种具有高荧光量子产率的硫、氮双掺杂碳量子点、制备方法及其用途 |
CN104804732A (zh) * | 2015-04-11 | 2015-07-29 | 吉林大学 | 一种适用于蓝光led的热稳定白光量子点的制备方法 |
CN104830325A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-08-12 | 华南农业大学 | 荧光碳量子点/SiO2/无机荧光粉三元复合温度传感材料的制备方法 |
CN104830324A (zh) * | 2015-03-24 | 2015-08-12 | 吉林师范大学 | 一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法 |
-
2015
- 2015-09-24 CN CN201510615729.4A patent/CN105222918B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150047316A (ko) * | 2013-10-24 | 2015-05-04 | 한국과학기술원 | 형광 블록 공중합체가 결합된 형광공명에너지전이 수용체를 이용한 온도 센싱 플랫폼 |
CN104726098A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-06-24 | 中国石油大学(北京) | 一种具有高荧光量子产率的硫、氮双掺杂碳量子点、制备方法及其用途 |
CN104830324A (zh) * | 2015-03-24 | 2015-08-12 | 吉林师范大学 | 一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法 |
CN104804732A (zh) * | 2015-04-11 | 2015-07-29 | 吉林大学 | 一种适用于蓝光led的热稳定白光量子点的制备方法 |
CN104830325A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-08-12 | 华南农业大学 | 荧光碳量子点/SiO2/无机荧光粉三元复合温度传感材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
WENJIN ZHANG ETC.: "Color-Tunable Highly Bright Photoluminescence of Cadmium-Free Cu-Doped Zn−In−S Nanocrystals and Electroluminescence", 《CHEMISTRY OF MATERIALS》 * |
张蕾: "胶体PbSe量子点掺杂液芯光纤的发光性质研究", 《中国优秀博士学位论文全文数据库 基础科学辑》 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109990915A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | Tcl集团股份有限公司 | 温度传感器 |
WO2022244716A1 (ja) * | 2021-05-19 | 2022-11-24 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 温度計測装置、および温度計測方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105222918B (zh) | 2021-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Kalyani et al. | Principles and applications of organic light emitting diodes (OLEDs) | |
Kumar et al. | Rare earth doped zinc oxide nanophosphor powder: a future material for solid state lighting and solar cells | |
US10186677B2 (en) | Electroluminescent device and manufacturing method thereof and display device | |
Pinchetti et al. | Spectro-electrochemical probing of intrinsic and extrinsic processes in exciton recombination in I–III–VI2 nanocrystals | |
Mishra et al. | ZnO nanoparticles: Structural, optical and photoconductivity characteristics | |
Van Dijken et al. | The influence of particle size on the luminescence quantum efficiency of nanocrystalline ZnO particles | |
Armelao et al. | X-ray excited optical luminescence studies of ZnO and Eu-doped ZnO nanostructures | |
Ding et al. | An intense green/yellow dual-chromatic calcium chlorosilicate phosphor Ca3SiO4Cl2: Eu2+–Mn2+ for yellow and white LED | |
Guo et al. | White-emitting phosphor Ca2BO3Cl: Ce3+, Eu2+ for UV light-emitting diodes | |
CN108117870B (zh) | 一种提高锰掺钙钛矿量子点发光热稳定性的方法 | |
EP3564340A1 (en) | Quantum dot material, preparation method therefor, and semiconductor device | |
Lin et al. | Improving photoluminescence emission efficiency of nanocluster-based materials by in situ doping synthetic strategy | |
CN108251117A (zh) | 核壳量子点及其制备方法、及含其的电致发光器件 | |
Jin et al. | Photoluminescence, reddish orange long persistent luminescence and photostimulated luminescence properties of praseodymium doped CdGeO3 phosphor | |
CN105222918A (zh) | 一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器 | |
Yao et al. | CsPbBr3 quantum dots assisted crystallization of solution-processed perovskite films with preferential orientation for high performance perovskite solar cells | |
Chen et al. | Band structures and optical properties of Ag and Al co-doped ZnO by experimental and theoretic calculation | |
WO2014147555A2 (en) | Cd-based-chalcogenide/cds core-shell nanomaterial, defective/defect-free core nanocrystal, methods and applications thereof | |
Sheng et al. | The origin of enhanced photoelectrochemical activity in metal-ion-doped ZnO/CdS quantum dots | |
Kumar et al. | Influence of Sn doping on photoluminescence and photoelectrochemical properties of ZnO nanorod arrays | |
CN103887391B (zh) | 一种内含掺杂量子点的硫化锌薄膜交流电致发光器件及其制备方法 | |
Sett et al. | Toward understanding the role of VZn defect on the photoconductivity of surface-passivated ZnO NRs | |
KR102660713B1 (ko) | 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질의 제조방법 및 이를 이용하는 광전자 소자 | |
Zou et al. | Performance Study of CdS/Co‐Doped‐CdSe Quantum Dot Sensitized Solar Cells | |
Maity et al. | Efficient Si-ZnO-ZnMgO heterojunction solar cell with alignment of grown hexagonal nanopillar |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |