CN105191285A - 固体摄像器件、电子装置、镜头控制方法和摄像模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种固体摄像器件，其包括像素区域，所述像素区域包括以二维矩阵图案布置着的多个像素。所述多个像素之中的一些像素被构造为相位差检测像素，所述相位差检测像素包括光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被设置于半导体基板上，所述遮光膜被设置于所述光电转换部的一部分的上方。特别地，所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置随着所述相位差检测像素的位置不同而有所不同。例如，位于所述像素区域的外围部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置不同于位于所述像素区域的中心部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置。

Description

固体摄像器件、电子装置、镜头控制方法和摄像模块
技术领域
本技术涉及能够防止自动聚焦(AF：autofocus)的精度降低的固体摄像器件、电子装置、镜头控制方法和摄像模块。
相关申请的交叉参考
本申请要求2013年6月4日提交的日本优先权专利申请JP2013-117688的优先权权益，因此将该日本优先权专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
背景技术
近年来，已经开发出这样的摄像装置：其通过在摄像器件中设置有对光电转换部的一部分进行了遮光的相位差检测像素来执行相位差检测，由此执行自动聚焦(AF)(例如，参照专利文献PTL1)。
引用文献列表
专利文献
PTL1：日本未经审查的专利申请公开第2010-160313号
发明内容
本发明要解决的技术问题
诸如在形成各像素中的遮光膜和片上透镜(on-chiplens)时的光刻工艺中的未对准或在使摄像器件模块化时摄像镜头中的未对准等制造差异会导致相位差检测精度的降低。因此，相位差检测精度的降低会影响自动聚焦(AF)的精度。
根据本技术，期望的是，即使当存在着制造差异时，也能至少保持AF的精度。
解决技术问题所采取的技术方案
根据本技术的一个实施例，提供了一种固体摄像器件，其包括：多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素。各所述相位差检测像素包括片上透镜和光电转换部，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的层上。在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量。
所述相位差检测像素还可以包括遮光膜，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光。在所述预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜可以被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的所述布置对应的所述出射光瞳校正量的偏差量。
所述预定的相位差检测像素可以被布置得彼此靠近。在所述预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜可以受到基于如下校正量的出射光瞳校正：该校正量不同于与所述预定的相位差检测像素的所述布置对应的所述出射光瞳校正量。
所述预定的相位差检测像素可以被布置得彼此远离。在所述预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜可以没有受到基于校正量的出射光瞳校正。
所述多个像素包括用于生成图像的摄像像素，所述预定的相位差检测像素可以被设置于设置有所述摄像像素的图像输出区域的外侧。
所述多个像素包括用于生成图像的摄像像素，所述预定的相位差检测像素可以被设置于设置有所述摄像像素的图像输出区域的内侧。
毗邻于所述预定的相位差检测像素的像素可以具有比常规尺寸的片上透镜大的片上透镜。
毗邻于所述预定的相位差检测像素的像素可以具有比常规尺寸的片上透镜小的片上透镜。
所述相位差检测像素可以具有被分隔开地形成为所述光电转换部的光电转换部。
所述固体摄像器件还可以包括相位差检测部和相位差校正部。所述相位差检测部通过利用所述相位差检测像素的输出之间的差分来执行相位差检测，所述相位差校正部通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所检测到的相位差。
所述相位差校正部可以基于相位差特性来校正所检测到的相位差，所述相位差特性是通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出而求出的。
在一对所述相位差检测像素中，所述相位差特性可以表明与入射光的光轴的角度相应的所述相位差检测像素的输出。所述相位差校正部可以通过利用校正参数来校正所检测到的相位差，所述校正参数是通过利用在预定角度范围内所述相位差特性的所述输出的斜率而求出的。
所述相位差校正部可以通过利用与镜头的F数对应的所述校正参数来校正所检测到的相位差。
所述相位差校正部可以通过利用与图像高度对应的所述校正参数来校正所检测到的相位差。
所述相位差校正部可以通过利用与摄影环境对应的所述校正参数来校正所检测到的相位差。
根据本技术的另一实施例，提供了一种电子装置，其包括：摄像器件，所述摄像器件具有多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜、光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的层上，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量；镜头，所述镜头致使被摄对象光入射到所述摄像器件上；相位差检测部，所述相位差检测部通过利用所述相位差检测像素的输出之间的差分来执行相位差检测；相位差校正部，所述相位差校正部通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的输出来校正所检测到的相位差；以及镜头控制部，所述镜头控制部依据校正后的相位差来控制所述镜头的驱动。
所述电子装置还可以包括光源，所述光源发射呈特定图案的光。所述相位差校正部可以通过利用与所述光源的波长对应的校正参数来校正所检测到的相位差。
所述多个像素包括用于生成图像的摄像像素，所述相位差检测像素可以被设置于设置有所述摄像像素的图像输出区域的内侧。所述电子装置还可以包括缺陷校正部，所述缺陷校正部通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所述预定的相位差检测像素的所述输出。
根据本技术的又一实施例，提供了一种用于电子装置的镜头控制方法。所述电子装置包括：摄像器件，所述摄像器件具有多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜、光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的层上，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量；以及镜头，所述镜头致使被摄对象光入射到所述摄像器件上。用于所述电子装置的所述镜头控制方法包括：通过利用所述相位差检测像素的输出之间的差分来执行相位差检测；通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的输出来校正所检测到的相位差；并且依据校正后的相位差来控制所述镜头的驱动。
根据本技术的再一实施例，提供了一种摄像模块，其包括：摄像器件，所述摄像器件具有多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜、光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的层上，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量；镜头，所述镜头致使被摄对象光入射到所述摄像器件上；以及光学滤光片，所述光学滤光片被形成于所述摄像器件与所述镜头之间。所述镜头和所述光学滤光片依据相位差特性而被形成，所述相位差特性是通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的输出而求出的。
根据本技术的一个实施例，在所述相位差检测像素之中的所述多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量。
根据本技术的另外一个实施例，提供了一种固体摄像器件，其包括像素区域，所述像素区域包括以二维矩阵图案布置着的多个像素。其中，所述多个像素中的至少一些像素是相位差检测像素，所述相位差检测像素包括光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被设置于半导体基板上，所述遮光膜被设置于所述光电转换部的一部分的上方。而且其中，位于所述像素区域的外围部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置不同于位于所述像素区域的中心部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置。
根据本技术的另外一个实施例，提供了一种电子装置，其包括镜头和固体摄像器件。所述固体摄像器件包括像素区域，所述像素区域包括以二维矩阵图案布置着的多个像素。所述多个像素中的至少一些像素是相位差检测像素，所述相位差检测像素包括光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被设置于半导体基板上，所述遮光膜被设置于所述光电转换部的一部分的上方。位于所述像素区域的外围部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置不同于位于所述像素区域的中心部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置。
在某些情况下，所述中心部包括位于所述像素区域的周边部处的中心部；可替代地或此外，所述中心部包括位于所述像素区域的中央部处的中心部。
各所述相位差检测像素可以包括被设置于所述遮光膜上方的片上透镜。所述相位差检测像素可以被设置于所述像素区域的非摄像区域中。在位于所述像素区域的一侧处的一个或多个非摄像区域中可以安置有所述相位差检测像素的群组。
所述相位差检测像素之中的一些相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜可以没有受到出射光瞳校正；然而，除了这些相位差检测像素以外，所述多个像素之中的一些像素的所述片上透镜受到出射光瞳校正。
所述相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜可以受到出射光瞳校正。
第一相位差检测像素的遮光膜可以被布置成对所述第一相位差检测像素的左侧进行遮光，且第二相位差检测像素的遮光膜可以被布置成对所述第二相位差检测像素的右侧进行遮光。
特别地，与位于第一位置处的像素的透镜对应的出射光瞳校正量不同于向位于所述第一位置处的相位差检测像素的透镜应用的出射光瞳校正量。
在某些情况下，至少一个所述相位差检测像素具有多个所述光电转换部。
本发明的有益效果
根据本技术的一个实施例，即使当存在着制造差异时，也能够防止AF的精度降低。
附图说明
图1是图示了摄像器件的像素布置的图。
图2是图示了相位差检测像素的结构例子的截面图。
图3是图示了摄像器件的像素布置的图。
图4是图示了相位差检测像素的结构例子的截面图。
图5是图示了相位差检测像素的相位差特性的图。
图6是图示了相位差检测像素的相位差特性的图。
图7是图示了相关技术中的相位差检测的校正的图。
图8是图示了相对于相位差的焦点偏差量的图。
图9是图示了根据本技术的摄像器件的构造例子的图。
图10是图示了根据本技术的摄像器件的另一构造例子的图。
图11是图示了监控像素的相位差特性的图。
图12是图示了监控像素的相位差特性的实际测量数据的图。
图13是图示了片上透镜的形状的图。
图14是图示了遮光膜的遮光图案的图。
图15是图示了根据本技术的摄像器件的又一构造例子的图。
图16是图示了相位差检测像素的另一结构例子的截面图。
图17是图示了根据本技术的电子装置的构造例子的框图。
图18是图示了根据本技术的固体摄像器件的基本示意构造的图。
图19是图示了相位差AF处理的流程图。
图20是图示了校正参数的计算的图。
图21是图示了基于校正参数的相位差校正的图。
图22是图示了摄像处理的流程图。
图23是图示了摄像像素的入射角依赖特性的图。
图24是图示了根据本技术的电子装置的另一构造例子的框图。
图25是图示了根据本技术的摄像装置的外观的构造的图。
图26是图示了其中存在着差异的相位差特性的图。
图27是图示了摄像装置的相位差AF处理的流程图。
图28是图示了根据本技术的胶囊内视镜的外观的构造的图。
图29是图示了由光源发射的光的图案的例子的图。
图30是图示了胶囊内视镜的摄影处理的流程图。
图31是图示了摄像模块的构造例子的图。
图32是图示了根据本技术的3D(三维)传感器的构造例子的框图。
具体实施方式
以下，将参照附图来说明本技术的实施例。将按照下列顺序给出说明：
1.相关技术中的摄像器件及其问题；
2.关于本技术的摄像器件；以及
3.关于配备有本技术的摄像器件的电子装置。
1.相关技术中的摄像器件的问题
没有执行出射光瞳校正的摄像器件
图1图示了能够执行相位差检测的一般摄像器件的像素布置。
如图1所示，在该摄像器件中，如利用白色方块表示的多个摄像像素以二维矩阵的方式被布置着。所述摄像像素由R像素、G像素和B像素形成，且这些像素被规则地布置成拜耳图案。即，这些像素的规则布置包括将这些像素布置成拜耳图案。
而且，在以呈二维布置着的矩阵的方式而被布置着的多个摄像像素中，在这样的布置中分布有利用黑色方块表示的多个相位差检测像素。相位差检测像素通过取代摄像器件中的在特定位置处的一些摄像像素而被规则地布置成预定图案。如图1所示，用相位差检测像素P1和P2取代两个G像素。
图2图示了图1中的相位差检测像素的截面图。在图2中，相位差检测像素P1和P2被设置成彼此毗邻；然而，如图1中另外所示出的那样，有预定数量的摄像像素被插入在相位差检测像素之间。
如图2中的相位差检测像素P1和P2所示，光电二极管122或光电转换部被形成于半导体基板(Si基板)121上。在半导体基板121的上方，遮光膜123和彩色滤光片124被形成于同一层中，且片上透镜125被形成在位于遮光膜123和彩色滤光片124上方的层上。
如图2所示，相位差检测像素P1和P2被构造成使得像素P1的左侧部被遮光且像素P2的右侧部被遮光。此外，依据各像素布置，可以对像素P1的上侧部进行遮光且对像素P2的下侧部进行遮光。可替代地或此外，倾斜入射光可以被遮挡。
根据本技术的至少一些实施例，出射光瞳校正是这样的校正：其中，针对采用了要进入到光电转换区域中的光的入射角的各像素位置，改变或变动了片上透镜和/或彩色滤光片的位置(例如，诸如光电二极管等被构造用于执行光电转换的元件的位置)。换言之，出射光瞳校正使得片上透镜的光学中心偏离光电二极管122的中心；即，片上透镜的光学中心与光电二极管122的中心是偏心的。在摄像器件的外围部中，这一偏离可以大于或小于在该摄像器件的中心部中的偏离。在图2的相位差检测像素P1和P2各者中，没有执行所谓的出射光瞳校正。
执行出射光瞳校正的摄像器件
图3示出了能够执行相位差检测的一般摄像器件中的像素布置的另一例子。
如在图1中那样，在图3的摄像器件中，在以二维矩阵的方式布置着的摄像像素中，利用黑色方块表示的多个相位差检测像素依据预定的分布被布置着。在图3的例子中，用相位差检测像素P1和P2取代了在像素区域的大致中心处的两个G像素。此外，用相位差检测像素P3和P4取代了在像素区域的外围部(该图中的左侧)处的两个G像素。
图4图示了图3中的相位差检测像素的截面图。
如上所述，因为相位差检测像素P1和P2位于像素区域的大致中心处，所以在这个位置上，来自摄像镜头(该图中没有示出)的光的主射线的入射角是0度。因此，在相位差检测像素P1和P2中，没有执行出射光瞳校正。
相比之下，因为相位差检测像素P3和P4位于像素区域的外围部处，所以在这个位置上，来自摄像镜头的光的主射线的入射角是与镜头的设计相应的预定角度。因此，在相位差检测像素P3和P4中，根据入射角而执行了出射光瞳校正。
参照图5，提供了关于当与入射到相位差检测像素P1和P2上的光有关的入射角被改变且没有执行出射光瞳校正时的像素输出的说明。
如图5中的上部所示，来自五个方向的光束L1到L5入射到相位差检测像素P1和P2上。图5中的下部的图图示了此时的相位差检测像素P1和P2的像素输出。
在图5的下部的图中，水平轴表示光束L1到L5的入射角，且垂直轴表示相位差检测像素P1和P2的像素输出。此外，实线表示相位差检测像素P1的像素输出，且虚线表示相位差检测像素P2的像素输出。
如该图所示，当入射光的角度在左侧(负侧)时，左侧部被遮光的相位差检测像素P1的输出大，而当入射光的角度在右侧(正侧)时，右侧部被遮光的相位差检测像素P2的输出大。即，如在入射光L1中那样，当入射光的在负方向上的角度分量大时，相位差检测像素P1的输出大于相位差检测像素P2的输出。而且，如在入射光L5中那样，当入射光的在正方向上的角度分量大时，相位差检测像素P2的输出大于相位差检测像素P1的输出。
成一对的相位差检测像素中的与入射光的入射角相应的各相位差检测像素的这样的像素输出在下文中被称为相位差特性。
然而，由于在形成各像素的遮光膜和片上透镜时在光刻工艺中的未对准或在半导体工艺中使摄像器件模块化时在摄像镜头中的未对准，相位差检测像素P1和P2的相位差特性可能会显示出如图6所示的特性。
在图6所示的相位差特性中，与图5比较而言，相位差检测像素P1的输出与相位差检测像素P2的输出之间的交点沿正方向偏移至一个角度。即，由于上述的制造差异，甚至在位于像素区域的大致中心处的相位差检测像素P1和P2之间也出现了灵敏度偏差。
与此对照地，在例如日本未经审查的专利申请公开第2010-49209号中公开了通过向由于制造差异而导致的像素输出之间的差分应用增益来执行校正的方法。具体地，通过向从图6中所示的相位差特性获得的差分应用增益，即，通过向以0度入射角为中心的预定角度范围内的相位差检测像素P1和P2的输出的积分值之间的差分应用增益，以使得所述积分值之间的差分是相同的，可以获得图7中所示的特性。这里，预定角度范围是由摄像镜头的F数等决定的，且预定角度范围表示入射光的入射角的范围。而且，当所述角度范围内的相位差检测像素的输出被积分时，能够通过在每个角度下对输出赋予权重而执行该积分。
在图7中的上部所示的特性中，用阴影表示预定角度范围内的相位差检测像素P2的输出的积分值。在图7中的下部所示的特性中，用阴影表示预定角度范围内的相位差检测像素P1的输出的积分值。根据该方法，图7中所示的积分值相等，但是分别表示相位差检测像素P1和P2的输出的两条曲线的形状完全不同于图5中所示的形状。
在基于相位差检测而计算焦点偏差量的AF技术中，表示左侧部被遮光的像素的输出的曲线与表示右侧部被遮光的像素的输出的曲线的相位差检测特性的交点和分离状态是重要的。
例如，在散焦状态(defocusedstate)下，当入射光的沿正方向的角度分量变大时，左侧部被遮光的像素的输出与右侧部被遮光的像素的输出之间的差分依赖于所述分离状态和表示各输出的曲线的斜率而发生改变。即，像在日本未经审查的专利申请公开第2010-49209号中公开的方法那样，通过校正输出之间的差分，如图8所示，相对于相位差的焦点偏差量会以预定的比值发生。
在图8中，与常规产品比较而言，不规则产品A具有小的相对于相位差的焦点偏差量。相比之下，与常规产品比较而言，不规则产品B具有大的相对于相位差的焦点偏差量。即，在不规则产品A和不规则产品B中，即使当检测到相位差时，也能够预测聚焦量的偏移从而获得适当的聚焦。因此，在基于相位差检测的AF控制中，有必要结合如在相关技术中所说明的对照方式来执行AF控制。
而且，上述的相位差特性是通过在同一个相位差检测像素P1和P2中改变入射光的入射角而求出的。因此，在安装有摄像镜头的情形下，来自摄像镜头的光的入射角是被固定的，于是很难获得相位差特性。
因此，以下，将提供关于即使在安装有摄像镜头的情况下也能够获得相位差检测像素的相位差特性的摄像器件的说明；此外，该说明也会适用于即使在可能存在有制造差异的情况下也能够校正相位差特性的摄像器件。
2.关于本技术的摄像器件
摄像器件的构造例子
图9图示了根据本技术的摄像器件的例子。
在图9的上部中，示出了摄像器件150的像素布置的例子。
在摄像器件150中，如图所示地布置有如下像素：生成用来基于从被摄对象接收过来的光而生成图像的信号的像素(摄像像素)；以及生成被用来基于相位差的检测而执行AF的信号的像素(相位差检测像素)。
具体地，在摄像器件150中，多个摄像像素以二维矩阵的方式被布置着。各摄像像素是由被规则地布置成拜耳图案的R像素、G像素和B像素形成的。
在摄像器件150中，在以二维矩阵的方式布置着的多个摄像像素中，多个相位差检测像素根据预定的分布被布置着。即，通过取代摄像器件150中的特定摄像像素，相位差检测像素被规则地布置成特定图案。
此外，相位差检测像素可以被不规则地布置于摄像器件150中。当相位差检测像素被规则地布置着时，如稍后将要说明的那样，能够容易地执行诸如缺陷校正等信号处理。当相位差检测像素被不规则地布置着时，基于缺陷校正的伪影(artifact)也变得不规则，且因此，可能发生相位差检测像素的可视性的劣化(可能使相位差检测像素变得更不显眼)。
摄像器件150中的像素布置区域被划分成图像输出区域和非图像输出区域。被布置于图像输出区域中的像素的输出被用于生成图像，而被布置于非图像输出区域中的像素的输出不被用于生成图像。
如图9中的上部所示，在摄像器件150中的图像输出区域的上方和下方这两侧的非图像输出区域中，成对的相位差检测像素被布置于该图的水平方向上。这里，被布置于非图像输出区域中的相位差检测像素在下文中被适当地称为监控像素。
图9中的下部图示了被布置在位于图像输出区域的下方侧的非图像输出区域中的监控像素对Pa、Pb和Pc(以下，简称为监控像素Pa、Pb和Pc)的截面图。
如图9中的下部所示，在监控像素Pa、Pb和Pc中，作为光电转换部的光电二极管122被形成于半导体基板(Si基板)121上。在半导体基板121的上方，遮光膜123和彩色滤光片124被形成于同一层中，且片上透镜125被形成于在遮光膜123和彩色滤光片124上方的层中。
在监控像素Pa、Pb和Pc中，遮光膜123、彩色滤光片124和片上透镜125被形成为具有不同于与监控像素Pa、Pb和Pc的各位置对应的出射光瞳校正量的偏差量。即，片上透镜的光学中心与光电二极管122的中心彼此偏离；这一偏离不同于为与监控像素Pa、Pb和Pc的各位置对应的出射光瞳校正而预期的偏差量。具体地，在监控像素Pa、Pb和Pc中，遮光膜123、彩色滤光片124和片上透镜125不是依据出射光瞳校正而被构造的和/或不受到出射光瞳校正。
这里，当摄像镜头被安装于摄像器件150上时，具有不同入射角的入射光束入射到监控像素Pa、Pb和Pc上。即，作为监控像素Pa、Pb和Pc的输出，获得了这样的输出：该输出与当入射光束在没有执行出射光瞳校正的相位差检测像素上的入射角是如参照图5所说明的那样时的像素输出相同。
因此，根据摄像器件150，即使当摄像镜头被安装于摄像器件150上时，也可以获得如图5中的下部所示的相位差特性。
如在摄像器件150中，通过将没有执行出射光瞳校正的相位差检测像素布置在水平方向(左右方向)上，可以获得与从摄像镜头入射的光的入射角对应的相位差特性。然而，在其中入射光束在全视角下(摄像器件中的传感器的整个表面处)基本上平行(例如，入射角小于5度)的摄像镜头的情况下，可以获得在+/-5度的角度范围内的相位差特性。因此，参照图10，将会说明用来解决这个问题的摄像器件的构造。
摄像器件的另一构造例子
图10示出了根据本技术的摄像器件的另一例子。
在图10的上部中，示出了摄像器件160的像素布置的例子。
图10的上部中的摄像器件160的像素布置与图9的上部中的摄像器件150的像素布置的不同之处是，监控像素没有被设置于在图像输出区域的上方和下方这两侧的非图像输出区域中。而是，监控像素被设置于在图像输出区域的左方和右方这两侧的非图像输出区域中。
图10中的下部图示了在图像输出区域的左方这一侧的非图像输出区域中被布置得彼此靠近的监控像素Pa、Pb和Pc的截面图。
图10中的下部所示的监控像素Pa、Pb和Pc的各构造类似于图9中的下部所示的构造，因此，将省略详细说明。
同样地，在图10中的下部所示的监控像素Pa、Pb和Pc中，遮光膜123、彩色滤光片124和片上透镜125被形成为具有不同于与监控像素Pa、Pb和Pc的各位置对应的出射光瞳校正量的偏差量。即，片上透镜125的光学中心、彩色滤光片124、光电二极管122的中心彼此偏离；这一偏离不同于为与监控像素Pa、Pb和Pc的各位置对应的出射光瞳校正而预期的偏差量。例如，片上透镜125的光学中心、彩色滤光片124、光电二极管122的中心是偏心的；即，可以不共用同一中心。具体地，在监控像素Pa、Pb和Pc中，遮光膜123、彩色滤光片124和片上透镜125受到基于不同于与监控像素Pa、Pb和Pc的各布置对应的出射光瞳校正量的校正量的出射光瞳校正。
更具体地，监控像素Pb受到基于与该监控像素的布置对应的出射光瞳校正量的出射光瞳校正。监控像素Pa受到基于小于与布置对应的出射光瞳校正量的校正量的出射光瞳校正。监控像素Pc受到基于大于与布置对应的出射光瞳校正量的校正量的出射光瞳校正。
这里，当摄像镜头被安装于摄像器件160上时，具有大体上相同的入射角的入射光束分别入射到监控像素Pa、Pb和Pc上，但是受到不同校正量的出射光瞳校正；即，被应用于Pa、Pb和Pc的出射光瞳校正量彼此不同。因此，作为监控像素Pa、Pb和Pc的输出，获得了与入射光束在相位差检测像素上的入射角相应的像素输出。
图11示出了图10中的监控像素Pa、Pb和Pc的各组的相位差特性。在图11中的左侧，示出了监控像素Pa的相位差特性。在图11的中间，示出了监控像素Pb的相位差特性。在图11中的右侧，示出了监控像素Pc的相位差特性。
从图10中的监控像素Pa、Pb和Pc，能够获得仅仅预定角度(例如，30度等)下的输出以作为实际像素输出，所述预定角度在图11中所示的各组的相位差特性中是用空心箭头表示的且是取决于已被设计的摄像镜头的入射角而被确定的。因此，通过对受到基于彼此不同的校正量的出射光瞳校正的相位差检测像素的输出进行采样，能够获得像素输出的相位差特性曲线。
因此，根据摄像器件160，即使当摄像镜头被安装于摄像器件160上时，也可以获得如图5中的下部所示的相位差特性。
图12描绘了上述监控像素的相位差特性的真实测量数据。
在图12的上部中，如参照图9所说明的，示出了当具有彼此不同的入射角的入射光束入射到没有执行出射光瞳校正的相位差检测像素(监控像素)上时所获得的相位差特性。而且，在图12中的下部中，如参照图10所说明的，示出了当具有固定入射角的入射光束入射到被执行了基于彼此不同的校正量的出射光瞳校正的相位差检测像素(监控像素)上时所获得的相位差特性。
如图12所示，各组的相位差特性的曲线具有大体上相同的形状。即，预定数量的监控像素被形成得具有不同于与各个类型的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量。因此，对像素输出进行采样以便获得相位差特性。因而，可以把摄像器件中的无缺陷产品/有缺陷产品挑拣出来。
片上透镜的形状
如上所述，在图10所示的摄像器件160中，监控像素受到基于不同于与各类型的布置对应的出射光瞳校正量的校正量的出射光瞳校正。因此，在摄像器件160中，如图13中的左侧所示，在片上透镜之间、在被设置于出射光瞳校正量发生偏移的区域(出射光瞳校正量偏移区域)中的监控像素与毗邻于这些监控像素且受到基于适当校正量的出射光瞳校正的像素之间可能存在着空隙。在这样的情况下，可能存在着透镜形状的崩塌。
如上所述，存在着这样的担忧：片上透镜之间的空隙的存在和透镜形状的崩塌可能致使监控像素与所述毗邻像素之间的混色；因此，从监控像素获得的相位差特性可能劣化。
因此，在监控像素与毗邻于这些监控像素的像素之间的边界处，修改片上透镜的形状。具体地，如图13的中间所示，通过形成其中把毗邻于监控像素的像素的片上透镜和与所述毗邻于监控像素的像素相邻的像素的片上透镜组合起来而得到的大的片上透镜201，片上透镜之间的空隙就被减小和/或被防止以使得不会发生透镜形状的崩塌。而且，如图13中的右侧所示，通过在片上透镜之间的空隙中形成小的片上透镜202且进一步减小其中发生形状的崩塌的所述毗邻像素的片上透镜的尺寸，片上透镜之间的空隙就被减小和/或被防止以使得不会发生透镜形状的崩塌。
通过防止监控像素与毗邻像素之间的混色，就能够使从监控像素获得的相位差特性稳定化。
遮光膜的遮光图案
在上面的说明中以及在根据本技术的摄像器件中，如图14中的左侧所示，成对的相位差检测像素P1和P2被构造成使得在像素P1的左侧上和像素P2的右侧上被遮光。但是，依据各像素布置，可以如图14的中间所示在像素P1的上侧上和像素P2的下侧上被遮光，且可以如图14的右侧所示倾斜入射光被遮挡。
这里，例如，当监控像素Pa、Pb和Pc被构造成如图14的中间所示在上侧和下侧上被遮光时，监控像素被布置于图9的摄像器件150中的处于图像输出区域的左方和右方这两侧的非图像输出区域中，并且监控像素被布置于图10的摄像器件160中的位于图像输出区域的上方和下方这两侧的非图像输出区域的中央附近。
而且，例如，当监控像素Pa、Pb和Pc被构造成如图14中的右侧所示倾斜入射光被遮挡时，监控像素被布置于如图15所示的非图像输出区域中的作为整个像素区域的对角的位置处。
在上述说明中，所使用的相位差包括了如左侧遮光和右侧遮光情况中那样对相互不同的部分进行了遮光的像素(遮光像素)之间的在输出上的差分。然而，当一方像素是遮光像素时，获得了相位差。因此，遮光像素(例如，左侧被遮光的像素)与没有被遮光的摄像像素之间的在输出上的差分可以被用作该相位差。
相位差检测像素的另一结构例子
在本技术中，相位差检测像素可以采用除了图9中的下部和图10中的下部所示的结构以外的结构。
图16图示了根据本技术的相位差检测像素(包括监控像素)的另一结构例子的截面图。
在图16所示的相位差检测像素中，作为光电转换部的光电二极管211-1和211-2被形成于半导体基板121上。在半导体基板121的上方，遮光膜123和彩色滤光片124被形成于同一层中，且片上透镜125被形成于更上方的层上。此外，遮光膜123被形成于相邻像素之间的边界部处且没有对光电二极管211-1和211-2进行遮光。
图16中所示的各相位差检测像素都包括一个片上透镜125、彩色滤光片124以及光电二极管211-1和211-2，彩色滤光片124被形成在位于片上透镜125下方的层中。光电二极管211-1和211-2被形成得在光接收表面上是分隔开的(是被分隔开地形成的)。
当根据本技术的摄像器件包括具有图16中所示的结构的相位差检测像素时，使用所检测到的光电二极管211-1的输出与光电二极管211-2的输出之间的差分来执行相位差检测处理。
当监控像素具有如图16所示的结构时，片上透镜125被形成得具有不同于与监控像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量。即，片上透镜125的光学中心可以被形成得使该光学中心偏离监控像素的中心。
根据这样的结构，向光电二极管211-1和211-2上入射的光没有被遮挡，因此，可以减少入射光量的损失。
监控像素的布置
在上面的说明中，监控像素被布置于摄像器件的非图像输出区域中，但是也可以被布置于图像输出区域的内侧。
因此，能够使非图像输出区域变狭窄且能够减小芯片尺寸。此外，能够获得如下区域中的相位差特性：从该区域中，输出了被用来生成图像的信号。
从上述摄像器件的监控像素获得的相位差特性能够被用于在基于相位差检测来执行AF时对所检测到的相位差的校正中。
因此，下文中，将提供利用基于从监控像素获得的相位差特性的相位差检测来校正所检测到的相位差的电子装置的构造的说明。
3.关于配备有本技术的摄像器件的电子装置
电子装置的构造例子
图17是图示了根据本技术的电子装置的例子的图。电子装置300是通过执行相位差检测型AF(相位差AF)来摄取被摄对象的图像且将该被摄对象的图像作为电信号而输出的装置。电子装置300被形成为例如紧凑型数码相机、数码单反相机、诸如具有摄像功能的智能手机(多功能移动电话)等便携终端、或内视镜(endoscope)，等等。
电子装置300包括镜头301、光学滤光片302、摄像器件303、A/D转换部304、箝位部305、校正参数计算部306、存储器307、相位差检测部308、相位差校正部309、镜头控制部310、缺陷校正部311、去马赛克部312、线性矩阵(LM：linearmatrix)/白平衡(WB：whitebalance)/伽马校正部313、亮度色度信号生成部314和接口(I/F)部315。
镜头301调节入射到摄像器件303中的被摄对象光的焦距。在镜头301后面，设置有调节入射到摄像器件303中的被摄对象光的光量的孔径光阑(该图中没有示出)。镜头301的具体构造是任意的，且例如，镜头301可以由多个透镜形成。
透过镜头301传输过来的被摄对象光通过被形成为例如红外截止滤光片的光学滤光片302而入射到摄像器件303中，该红外截止滤光片用于传输除了红外光以外的光等。
摄像器件303对应于上述的根据本技术的摄像器件150或摄像器件160，且包括多个像素(摄像像素、相位差检测像素和监控像素)，所述多个像素具有诸如光电二极管等对被摄对象光进行光电转换的光电转换元件。各像素将被摄对象光转换成电信号且将该电信号提供给A/D转换部304。
摄像器件303和信号处理电路一起构成根据本技术的固体摄像器件，该信号处理电路被实施为A/D转换部304、箝位部305、相位差检测部308和相位差校正部309。如稍后所述，该固体摄像器件可以被形成为单个芯片模块，且摄像器件303和所述信号处理电路可以被形成为单独的芯片。而且，所述信号处理电路可以包括校正参数计算部306和存储器307。
根据本技术的固体摄像器件可以是例如CCD(电荷耦合器件：chargecoupleddevice)图像传感器，其通过利用被称为电荷耦合器件的电路元件来传输由光产生的电荷，以供所述光电转换元件读出该电荷。根据本技术的固体摄像器件可以是例如CMOS(互补金属氧化物半导体：complementarymetaloxidesemiconductor)图像传感器，其使用互补金属氧化物半导体且具有针对各单位单元而设的放大器。
A/D转换部304将从摄像器件303提供过来的RGB电信号(模拟信号)转换成数字数据(图像数据)。A/D转换部304将该图像数据(原始数据；RAW数据)作为数字数据提供给箝位部305。
箝位部305从该图像数据中减去黑电平，该黑电平是当判定颜色为黑色时的电平。箝位部305将已被减去了黑电平的图像数据片(像素值)之中的从监控像素输出的数据提供给校正参数计算部306。而且，箝位部305将从相位差检测像素输出的图像数据(像素值)提供给相位差检测部308，且将已被减去了黑电平的且对应于所有像素的图像数据片提供给缺陷校正部311。
即，在相位差检测中，只使用了相位差检测像素的输出。然而，当图像被生成时，使用了摄像像素的输出和相位差检测像素的输出。这里，在相位差检测像素中，如图2或图4所示，当光电转换部的一半部分被遮光膜123遮光时，该相位差检测像素的输出低于摄像像素的输出。因此，如稍后所述，执行缺陷校正。而且，在相位差检测像素中，如图16所示，当在光电转换部中没有被遮光膜123遮光时，该相位差检测像素的输出按照原样被使用。
校正参数计算部306计算校正参数，所述校正参数被用来校正相位差，该相位差是基于在摄像器件303的制造之后而被执行的测试处理中或在镜头301被安装于摄像器件303上之后而被执行的测试处理中所获得的相位差特性的数据而由相位差检测部308检测到的。
存储器307存储由校正参数计算部306计算出的校正参数。
相位差检测部308基于从箝位部305提供过来的图像数据(像素值)而执行相位差检测处理，以便判定作为要被聚焦的目标的物体(合焦目标)是否处于对焦状态。当所述物体在聚焦区域中处于对焦状态时，相位差检测部308将表示处于对焦状态的信息作为合焦判定结果提供给镜头控制部310。而且，当合焦目标散焦或未对准焦点时，相位差检测部308计算焦点偏差量(散焦量)，且将表示所计算出的散焦量的信息作为合焦判定结果提供给镜头控制部310。
相位差校正部309通过利用被存储于存储器307中的校正参数来校正由相位差检测部308检测到的相位差。即，相位差检测部308将对应于被校正的相位差的合焦判定结果提供给镜头控制部310。
镜头控制部310控制镜头301的驱动。具体地，镜头控制部310基于从相位差检测部308提供过来的合焦判定结果而计算镜头301的驱动量，且与所计算的驱动量对应地使镜头301移动。换言之，基于由相位差检测部308提供的判定结果，镜头控制部310计算出为了让所述物体处于对焦状态而要使镜头301移动的量。
例如，当焦点是适当的或是处于对焦状态时，镜头控制部310维持镜头301的当前位置。当焦点是不适当的或者是散焦或离焦时，镜头控制部310基于表示散焦量的合焦判定结果和镜头301的位置而计算出驱动量，且与所述驱动量对应地使镜头301移动。
缺陷校正部311对像素值不正确的缺陷像素(例如，相位差检测像素)执行像素值校正或缺陷校正。这样的缺陷校正是基于从箝位部305提供过来的图像数据而被执行的。缺陷校正部311将已被执行了对缺陷像素的校正的图像数据提供给去马赛克部312。
去马赛克部312对来自缺陷校正部311的RAW数据执行去马赛克处理，且通过执行颜色信息的补偿等而将该RAW数据转换成RGB数据。去马赛克部312将经过了去马赛克处理后的图像数据(RGB数据)提供给LM/WB/伽马校正部313。
LM/WB/伽马校正部313对来自去马赛克部312的RGB数据执行颜特性的校正。具体地，LM/WB/伽马校正部313通过利用用于补偿标准化的原色(RGB)的色度点与实际的相机的色度点之间的差异的矩阵系数来校正图像数据的各颜色信号，以便确保颜色再现性。而且，LM/WB/伽马校正部313通过设定相对于RGB数据的各通道的值的白增益(gainofwhite)而调节白平衡。此外，LM/WB/伽马校正部313通过调节图像数据的颜色与输出设备特征之间的相对关系而执行伽马校正。LM/WB/伽马校正部313将校正后的图像数据(RGB数据)提供给亮度色度信号生成部314。
亮度色度信号生成部314根据从LM/WB/伽马校正部313提供过来的RGB数据而生成亮度信号(Y)和色差信号(Cr和Cb)。亮度色度信号生成部314生成亮度色度信号(Y、Cr和Cb)，然后将这些亮度信号和色差信号提供给I/F部315。
I/F部315将提供过来的图像数据(亮度色度信号)输出至电子装置300的外部设备(诸如存储图像数据的存储设备或显示图像数据的图像的显示设备)。
这里，参照图18，将说明根据本技术的固体摄像器件的基本示意构造。
在第一个例子中，如图18的上部所示的固体摄像器件330被构造成包括设在单个半导体芯片331中的像素区域332、控制电路333和逻辑电路334，逻辑电路334包括上述信号处理电路。
在第二个例子中，如图18的中间所示的固体摄像器件340包括第一半导体芯片部341和第二半导体芯片部342。第一半导体芯片部341包括像素区域343和控制电路344，且第二半导体芯片部342包括逻辑电路345，逻辑电路345包括上述信号处理电路。此外，通过将第一半导体芯片部341和第二半导体芯片部342彼此电连接，固体摄像器件340可以被构造成单个半导体芯片。
在第三个例子中，如图18的下部所示的固体摄像器件350包括第一半导体芯片部351和第二半导体芯片部352。第一半导体芯片部351包括像素区域353，且第二半导体芯片部352包括控制电路354和逻辑电路355，逻辑电路355包括上述信号处理电路。此外，通过将第一半导体芯片部351和第二半导体芯片部352彼此电连接，固体摄像器件350可以被构造成单个半导体芯片。
关于相位差AF处理
参照图19中的流程图，将说明由电子装置300执行的相位差AF处理。该相位差AF处理是在当摄取被摄对象的图像时由电子装置300执行的摄像处理之前被执行的。
首先，在步骤S101中，摄像器件303对各像素的入射光进行光电转换，读取各像素信号，且将该信号提供给A/D转换部304。
在步骤S102中，A/D转换部304对从摄像器件303提供过来的各像素信号进行A/D转换，且将转换后的信号提供给箝位部305。
在步骤S103中，箝位部305从由A/D转换部304提供过来的各像素信号(像素值)中减去黑电平，该黑电平是在被设置于有效像素区域的外部的光学黑(OPB：OpticalBlack)区域中检测到的。箝位部305将已经减去黑电平的图像数据片之中的从相位差检测像素输出的图像数据(像素值)提供给相位差检测部308。
在步骤S104中，相位差校正部309读取预先被计算出的且被存储于存储器307中的校正参数。
在步骤S105中，相位差检测部308基于从箝位部305提供过来的图像数据(像素值)而执行相位差检测。
然后，在步骤S106中，相位差校正部309通过利用所读取的校正参数来校正由相位差检测部308检测到的相位差。
这里，参照图20，将说明相位差校正。
如上所述，在根据本技术的摄像器件中，即使在安装有镜头301的情况下，也能够获得相位差特性。因此，作为常规产品的相位差特性，获得了图20中的上部所示的特性。同样地，作为不规则产品的相位差特性，获得了图20中的下部所示的特性。
在图20中所示的各组相位差特性中，在常规产品与不规则产品之间在由镜头301的F数等决定的、光向摄像器件上入射的角度范围内的相位差检测像素的输出的斜率方面存在着差异。在斜率小的情形下，当因为焦点偏差而造成了入射角的偏置时，在右侧被遮光的像素的输出与左侧被遮光的像素的输出之间的差分较小。即，就像图8中的不规则产品B，与常规产品比较而言，相对于相位差的焦点偏差量大。换言之，当焦点极大地偏离时，相位差不太可能发生。
在本技术中，通过计算出校正系数β作为用来校正斜率的校正参数，对相对于焦点偏差量的相位差进行校正。
在图20中的上部所示的常规产品的相位差特性中，左侧部被遮光的像素的输出的斜率被称为斜率A，而右侧部被遮光的像素的输出的斜率被称为斜率B。同样地，在图20中的下部所示的不规则产品的相位差特性中，左侧部被遮光的像素的输出的斜率被称为斜率C，而右侧部被遮光的像素的输出的斜率被称为斜率D。
这时，利用下列表达式(1)和(2)获得校正系数β。
(数学式1)
β＝(斜率A×斜率B)/(斜率C×斜率D)(1)
(数学式2)
β＝(斜率A+斜率B)/(斜率C+斜率D)(2)
基于如上所述而被计算的校正系数β，图8中的不规则产品的相对于焦点偏差量的相位差如图21所示被校正成接近于常规产品的相对于焦点偏差量的相位差。
而且，在本技术中，基于下列表达式(3)和(4)，可以计算用于左侧部被遮光的像素的校正系数β'和用于右侧部被遮光的像素的校正系数β"，且可以使用它们的组合。
(数学式3)
β'＝斜率A/斜率C(3)
(数学式4)
β"＝斜率B/斜率D(4)
应当注意的是，各斜率可以是其原本上的值，可以是它的绝对值，且必要时可以用预定权重来加权。而且，可以根据镜头301的F数以及诸如被摄对象和光源等摄影环境来调节校正系数β。在这种情况下，通过把利用每个F数或摄影环境的相位差特性而被计算得出的每个F数或摄影环境的斜率(校正参数)预先存储于存储器307中，可以调节校正系数β。或者，通过场景判别(scenedetermination)而适应性地使用预定表达式和表格，可以调节校正系数β。
当如上所述地校正了相位差时，在步骤S107中，相位差检测部308将合焦判定结果提供给镜头控制部310。合焦判定结果对应于校正后的相位差。
在步骤S108中，镜头控制部310基于从相位差检测部308提供过来的合焦判定结果而控制镜头301的驱动。
根据上述处理，基于预先获得的相位差特性，即使当存在着制造差异时，也能够校正相位差，且能够防止AF的精度降低。
在上面的说明中，在相位差AF处理的时候，基于预先计算出的校正参数来计算校正系数β，从而校正相位差。然而，校正参数计算部306可以预先计算校正系数β，且相位差校正部309可以通过利用校正系数β来校正相位差。
此外，镜头控制部310通过除了上执行述相位差AF之外还执行对比度AF来控制镜头301的驱动。例如，当作为合焦判定结果的表示焦点偏差量(散焦量)的信息从相位差检测部308被提供过来时，镜头控制部310可以判定焦点偏差的方向(焦点在被摄对象前面或在被摄对象后面)，且可以沿该方向执行对比度AF。
而且，在图10中所示的摄像器件160中，监控像素被布置在图像输出区域的左方侧和右方侧的图像高度处。然而，基于各监控像素而被获得的校正参数可以被平均化后使用且可以被用于每个图像高度。
例如，假定基于被设置在图像输出区域左方侧的监控像素的校正参数是ω且基于被设置在图像输出区域右方侧的监控像素的校正参数是η。在这种情况下，按照从左方侧到右方侧的视角的变化量，校正参数可以从ω偏移到η。
关于摄像处理
参照图22中的流程图，将说明由电子装置300执行的摄像处理。
这里，图22的流程图中的步骤S201到S203的处理与图19的流程图中的步骤S101到S103的处理相同，因此将省略它们的说明。此外，在步骤S203中，箝位部305将已经减去黑电平的所有像素的图像数据(像素值)提供给缺陷校正部311。
在步骤S204中，缺陷校正部311对像素值不正确的缺陷像素执行像素值校正(缺陷校正)。这里，在摄像器件303中，当监控像素被布置于图像输出区域的内侧时，监控像素也受到缺陷校正。将已被执行了对缺陷像素的校正的图像数据提供给去马赛克部312。
在步骤S205中，去马赛克部312执行去马赛克处理，将RAW数据转换成RGB数据，且将该数据提供给LM/WB/伽马校正部313。
在步骤S206中，LM/WB/伽马校正部313对从去马赛克部312提供过来的RGB数据执行颜色校正、白平衡的调节和伽马校正，且将该数据提供给亮度色度信号生成部314。
在步骤S207中，亮度色度信号生成部314从RGB数据生成亮度信号和色差信号(YCrCb数据)。
然后，在步骤S208中，I/F部315将利由亮度色度信号生成部314生成的亮度信号和色差信号输出至外部存储设备或显示设备，且结束该摄像处理。
根据上述处理，能够在没有降低AF精度的前提下摄取图像，因此导致更好的图像。
摄像像素的应用
作为监控像素，上面已经说明了具有不同于与布置对应的出射光瞳校正量的偏差量的相位差检测像素。然而，这种构造可以被应用到摄像像素(以下称为常规像素)中。
在这种情况下，常规像素和监控像素一起被布置于例如参照图9和图10所说明的非图像输出区域中。
因此，例如，可以获得图23中所示的依赖于入射角的特性。此外，该依赖于入射角的特性能够以与监控像素(相位差检测像素)的相位差特性相似的方式而被获得。
当镜头301的F数被设定为例如2.4时，在图23的依赖于入射角的特性中，入射光入射的角度范围是由箭头表示的范围，且常规像素的输出是该角度范围内的积分值。
这里，通过比较常规像素的输出与在图12所示的相位差特性的上述角度范围内获得的监控像素的输出，可以判断监控像素的输出相对于常规像素的输出而减小的程度。
在被布置于图像输出区域的内侧的相位差检测像素中，光接收部的一部分被遮光，因此缺陷校正部311执行缺陷校正。这时，根据监控像素的输出相对于常规像素的输出而减小的程度，将对应于该减小量的增益应用到相位差检测像素的输出中，由此能够执行缺陷校正。
在本技术中，以与上述的校正系数β相似的方式，根据镜头301的F数和摄影环境来调节增益。具体地，当镜头301的F数或摄影环境发生改变时，根据常规像素的输出与相位差检测像素的输出之间的差分如何变化，来适应性地计算出所要应用的增益。此外，根据随相位差检测像素的输出而定的相位状态，可以调节增益。
电子装置的另一构造例子
图24是图示了根据本技术的电子装置的另一构造例子的框图。
图24中所示的电子装置400包括镜头301、光学滤光片302、AF摄像器件401、A/D转换部304、箝位部305、校正参数计算部306、存储器307、相位差检测部308、相位差校正部309、镜头控制部310、摄像器件402、A/D转换部403、箝位部404、去马赛克部312、LM/WB/伽马校正部313、亮度色度信号生成部314和I/F部315。
在图24的电子装置400中，具有与被设置于图17的电子装置300中的那些部件的功能相同的功能的部件用相同的名称、附图标记和符号来表示；因此，将适当地省略它们的说明。
在AF摄像器件401的构造中，与被设置于图17的电子装置300中的摄像器件303的构造不同的是，没有布置摄像像素，而是只布置有包括监控像素的相位差检测像素。应当注意的是，监控像素可以具有参照图9所说明的构造，也可以具有参照图10所说明的构造。
在摄像器件402的构造中，与被设置于图17的电子装置300中的摄像器件303不同的是，没有布置相位差检测像素和监控像素，而是只布置有常规摄像像素。
A/D转换部403将从摄像器件402提供过来的RGB电信号(模拟信号)转换成数字数据(图像数据)，且将该数据提供给箝位部404。
箝位部404从图像数据中减去黑电平，该黑电平是当判定颜色为黑色时的电平，且箝位部404将已经减去黑电平的且对应于所有像素的图像数据片提供给去马赛克部312。
AF摄像器件401与信号处理电路一起构成根据本技术的固体摄像器件，该信号处理电路被实施为A/D转换部304、箝位部305、相位差检测部308和相位差校正部309。如参照图18所说明的，该固体摄像器件也可以被形成为单个芯片模块，且AF摄像器件401和所述信号处理电路可以被形成为单独的芯片。而且，所述信号处理电路可以包括校正参数计算部306和存储器307。
在上述构造中，即使当存在着制造差异时，也能够校正相位差。因此，即使当存在着制造差异时，也能够防止AF的精度降低。
而且，不必在通常被用来摄取图像的摄像器件402中设置相位差检测像素。因此，不必对相位差检测像素执行缺陷校正。此外，AF摄像器件401和摄像器件402能够被单独地制造。因此，能够通过分别被优化的各处理来实施制造。
如上所述，根据本技术的包括固体摄像器件的电子装置能够被应用于紧凑型数码相机、数码单反相机、诸如智能手机等便携终端和内视镜等等。
数码单反相机的应用例
图25是图示了根据本技术的数码单反相机的外部构造的前视图。
数码单反相机500(以下简称为相机500)包括相机机身510和作为摄影镜头的可更换镜头511(以下简称为镜头511)，可更换镜头511能够从相机机身510拆卸下来。
在图25中，在相机机身510的前侧，设置有安装部521、镜头更换按钮522和握持部523。在安装部521上，可更换镜头511被安装在其前面的大致中央处。镜头更换按钮522被设置于安装部521的在水平方向上的右侧处。握持部523是可抓握住的。
而且，在相机机身510的上侧，设置有模式设定转盘524、控制值设定转盘525和快门按钮526，模式设定转盘524被设置于机身前面的左上部上，控制值设定转盘525被设置于机身前面的右上侧处，快门按钮526被设置于握持部523的上侧处。
虽然该图中没有示出，但是在相机机身510的背面上，设置有液晶显示屏(LCD：liquidcrystaldisplay)、各种各样的按钮和键、电子取景器(EVF：electronicviewfinder)，等等。
相机500具有与图17中的电子装置300的构造和功能相同的构造和功能。
在这样的相机500中，例如，通过由用户使用控制值设定转盘525执行的操作而将镜头511的F数设定为预定值。然而，如上所述，相位差检测像素的相位差特性是取决于F数而不同的。
图26描绘了当出现偏差时的相位差特性的例子。
在图26中所示的各组相位差特性中，相位差检测像素的输出是在由箭头表示的入射角的角度范围内的积分值(其中镜头特性被考虑的积分值)。然而，角度范围是依赖于镜头的F数而不同的，因此相位差的校正量也是依赖于镜头的F数而不同的。于是，在本技术中，在使用具有可变的F数的光学系统的情况下，根据F数来调节校正系数。
关于相位差AF处理
接下来，参照图27中的流程图，将给出根据F数来校正相位差的相位差AF处理的说明。图27中所示的相位差AF处理是当相机500被激活时或当用户操作控制值设定转盘525时被执行的。
应当注意的是，图27的流程图中的步骤S303到S306中的处理以与图19的流程图中的步骤S105到S108中的处理相似的方式被执行，因此将省略它们的说明。而且，在图27的流程图中，在步骤S303的处理之前，执行与图19的流程图中的步骤S101到S103的处理相同的处理。
这里，需要了解的是，针对于每个F数的斜率(校正参数)预先被存储于存储器中。
即，在步骤S301中，相位差校正部309检测当前设定的F数。
在步骤S302中，相位差校正部309读取被存储于存储器307中的针对于每个F数的校正参数。
以这样的方式，即使当F数发生改变时，也能够适当地校正相位差，且能够防止AF的精度降低。
胶囊内视镜的应用例
图28是图示了根据本技术的胶囊内视镜中的剖面构造的图。
胶囊内视镜600具有外壳610，该外壳610的两个端面是半球状且中间部分是圆筒状，胶囊内视镜600在外壳610中包括：相机(超小型相机)611，其被用来拍摄体腔(bodycavity)的图像；存储器612，其被用来存储由相机611拍摄到的图像数据；以及无线传输器613，其在胶囊内视镜600从被摄对象的身体中排出之后通过天线614将所存储的图像数据传输至外部设备。
而且，在外壳610中，设置有中央处理器(CPU)615和线圈(磁力/电流转换线圈)616。
CPU615控制下列操作：由相机611执行的摄影操作；将数据存储在存储器612中的操作；以及由无线传输器613执行的、从存储器612到外壳610外部的数据接收装置(该图中没有示出)的数据传输。线圈616将电力提供给相机611、存储器612、无线传输器613、天线614和稍后说明的光源611b。
此外，在外壳610中设置有磁性(簧片)开关617，其用来当胶囊内视镜600被放置于数据接收装置中时探测该胶囊内视镜600已被放置于该数据接收装置中。当簧片开关617探测到胶囊内视镜600被放置于数据接收装置中且能够传输数据的时候，CPU615将电力从线圈616提供给无线传输器613。
相机611具有例如摄像器件611a和多个(这里，两个)光源611b，摄像器件611a包括用于拍摄体腔内部的图像的物镜光学系统，所述光源611b用于照亮体腔内部。具体地，相机611包括具有作为光源611b的例如发光二极管(LED：lightemittingdiode)的互补金属氧化物半导体(CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor)传感器和电荷耦合器件(CCD：chargecoupleddevice)等。
而且，相机611具有与图17中的电子装置300的构造和功能类似的构造和功能。
然而，当例如在用于识别焦点偏差的处理中打算检测相位差时，被摄对象的边缘部分的模糊作为相位差的信息而被检测出来，因此，被摄对象的边缘部分的信息就变为必不可少的。
然而，当利用胶囊内视镜600拍摄体腔内部的图像时，当用作被摄对象时在人体器官的表面上存在着少许的边缘部分，因此很难适当地检测相位差。
因此，光源611b射出具有特定图案的光。具体地，光源611b射出如图29所示的具有包含边缘的图案的光630。由光源611b射出的光的波长是任意设定的，但是例如，光源611b的光可以是具有短波长的光(例如450nm)，以便把该光与其中红色相对占优势的器官颜色分离开；且光源611b的光可以是除了可见光以外的光(例如红外光)，以便不干涉对被摄对象的摄影。在这种情况下，在相位差检测像素中，彩色滤光片124被形成得适应于除了可见光以外的光。
关于内视镜摄影处理
接下来，参照图30中的流程图，将说明由胶囊内视镜600执行的摄影处理。当胶囊内视镜600到达体腔内的作为摄影目标的被摄对象(器官)时，开始图30中所示的内视镜摄影处理。
应当注意的是，图30的流程图中的步骤S403到S406中的处理是以与图19的流程图中的步骤S105到S108中的处理相似的方式被执行的，且将省略它们的说明。而且，在图30的流程图中，在步骤S403的处理之前，执行与图19的流程图中的步骤S101到S103的处理相同的处理。
这里，需要理解的是，针对于每个波长的斜率(校正参数)预先被存储于存储器中。
即，在步骤S401中，光源611b开始射出具有特定图案的光。
在步骤S402中，相位差校正部309读取被存储于存储器307中的针对于每个波长的校正参数。
以这样的方式，与所射出的光的波长对应地，能够适当地校正相位差。
在步骤S407中，终止由光源611b执行的具有特定图案的光的发射，以便防止该光影响图像。
然后，在步骤S408中，执行参照图22中的流程图所说明的摄像处理。
根据上述处理，即使是在其中存在着少许边缘部分的体腔内，也能够适当地校正相位差，且还能够防止AF的精度降低。结果，能够更精确地观察体腔内的器官的形状和血管的布置。
在上面的说明中，在胶囊内视镜中，已经应用了其中与光源的波长对应地校正相位差的构造。然而，在紧凑型数码相机、数码单反相机和具有摄像功能的诸如智能手机等一般相机中，可以与诸如光源的波长和被摄对象的颜色等摄影环境对应地校正相位差。
而且，对于全体视角也可以并非一律地校正相位差，而是可以与光源的波长和被摄对象的颜色对应地、对摄像区域(视角)中的每个位置校正相位差。
即使在这里，也能够从上述的相位差特性获得在校正相位差时要被使用的校正参数。例如，在颜色温度被设定成3000K的情况下的相位差特性和在颜色温度被设定成6000K的情况下的相位差特性预先被存储于存储器中。在实际摄影中所检测的颜色温度是4500K的情况下，通过利用被存储于存储器中的颜色温度为3000K时的校正参数与颜色温度为6000K时的校正参数之间的中间值，来执行相位差校正。
摄像模块的应用
根据本技术，例如，在制造其中集成有镜头、诸如红外截止滤光片(IRCF)等光学滤光片、及摄像器件等等的摄像模块的时候，能够通过该摄像模块的光学特性的校正来提高对从监控像素的输出获得的且出现了偏差的相位差特性的校正。
例如，由于摄像器件的制造差异，获得了图6中所示的相位差特性。
这里，在图31中的左侧所示的摄像模块700中，当摄像器件711、光学滤光片712和镜头713如所设计的那样被形成得没有偏差时，摄像模块700的相位差特性也可能具有差异。
因此，在本技术中，且根据相位差特性，通过形成光学滤光片712和镜头713，来校正摄像模块700的相位差特性。具体地，如图31中的右侧所示，通过使光学滤光片712或镜头713倾斜或通过新插入作为光学滤光片712的例如偏振滤光片，来校正摄像模块700的相位差特性。
如上所述，根据本技术，在制造摄像模块的时候，能够校正由摄像器件的差异而引起的相位差特性的偏差。换言之，即使当因为摄像器件被小型化因而难以充分地抑制正常的差异时，校正也不会局限于信号处理中的校正，且能够通过光学校正来获得所期望的特性。
在上面的说明中，一对相位差检测像素之间的各个差分被用于相位差检测中。然而，例如，如在日本未经审查的专利申请公开案第2013-42379号中所披露的，所述差分可以被用于深度检测中。
具体地，在图32中所示的3D(三维)传感器800中，深度信息校正部801通过利用被存储于存储器307中的校正参数来校正深度信息，该深度信息表示由深度信息计算部802基于相位差检测像素的各个差分而计算出的被摄对象侧的深度(距离)。因此，当生成立体图像时，通过利用基于监控像素而得到的校正参数，能够校正所述深度信息且进一步能够可靠地生成所述立体图像。
而且，本技术的实施例不局限于上述实施例，且在不脱离本技术的范围的前提下，可以把本技术的实施例修改成各种各样的形式。
此外，本技术可以采用下列技术方案。
(1)一种固体摄像器件，其包括：多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜和光电转换部，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的一层上，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量。
(2)根据(1)所述的固体摄像器件，其中，所述相位差检测像素还包括遮光膜，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的所述布置对应的所述出射光瞳校正量的偏差量。
(3)根据(2)所述的固体摄像器件，
其中，所述预定的相位差检测像素被布置得彼此靠近，并且
其中，在所述预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜受到基于如下校正量的出射光瞳校正：该校正量不同于与所述预定的相位差检测像素的所述布置对应的所述出射光瞳校正量。
(4)根据(2)所述的固体摄像器件，其中，所述预定的相位差检测像素被布置得彼此远离，并且其中，在所述预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜没有受到出射光瞳校正。
(5)根据(2)或(4)所述的固体摄像器件，其中，所述多个像素包括用于生成图像的摄像像素，所述预定的相位差检测像素被设置于设置有所述摄像像素的图像输出区域的外侧。
(6)根据(2)或(4)所述的固体摄像器件，其中，所述多个像素包括用于生成图像的摄像像素，所述预定的相位差检测像素被设置于设置有所述摄像像素的图像输出区域的内侧。
(7)根据(2)所述的体摄像器件，其中，毗邻于所述预定的相位差检测像素的像素具有尺寸比常规尺寸大的所述片上透镜。
(8)根据(2)所述的固体摄像器件，其中，毗邻于所述预定的相位差检测像素的像素具有尺寸比常规尺寸小的所述片上透镜。
(9)根据(1)所述的固体摄像器件，其中，所述相位差检测像素具有被分隔开地形成为所述光电转换部的光电转换部。
(10)根据(1)到(9)中任一者所述的固体摄像器件，其还包括：相位差检测部，所述相位差检测部通过利用所述相位差检测像素的输出之间的差分来执行相位差检测；以及相位差校正部，所述相位差校正部通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所检测到的相位差。
(11)根据(10)所述的固体摄像器件，其中，所述相位差校正部基于相位差特性来校正所检测到的相位差，所述相位差特性是通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出而求出的。
(12)根据(11)所述的固体摄像器件，其中，在一对所述相位差检测像素中，所述相位差特性表明与入射光的光轴的角度相应的所述相位差检测像素的输出，并且其中，所述相位差校正部通过利用校正参数来校正所检测到的相位差，所述校正参数是通过利用在预定角度范围内所述相位差特性的所述输出的斜率而求出的。
(13)根据(12)所述的固体摄像器件，其中，所述相位差校正部通过利用与镜头的F数对应的所述校正参数来校正所检测到的相位差。
(14)根据(12)所述的固体摄像器件，其中，所述相位差校正部通过利用与图像高度对应的所述校正参数来校正所检测到的相位差。
(15)根据(12)所述的固体摄像器件，其中，所述相位差校正部通过利用与摄影环境对应的所述校正参数来校正所检测到的相位差。
(16)一种电子装置，其包括：摄像器件，所述摄像器件具有多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜、光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的一层上，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量；镜头，所述镜头致使被摄对象光入射到所述摄像器件上；相位差检测部，所述相位差检测部通过利用所述相位差检测像素的输出之间的差分来执行相位差检测；相位差校正部，所述相位差校正部通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所检测到的相位差；以及镜头控制部，所述镜头控制部依据校正后的相位差来控制所述镜头的驱动。
(17)根据(16)所述的电子装置，其还包括光源，所述光源发射呈特定图案的光，其中，所述相位差校正部通过利用与所述光源的波长对应的校正参数来校正所检测到的相位差。
(18)根据(16)所述的电子装置，其中，所述多个像素包括用于生成图像的摄像像素，所述相位差检测像素被设置于设置有所述摄像像素的图像输出区域的内侧，并且其中，所述电子装置还包括缺陷校正部，所述缺陷校正部通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所述预定的相位差检测像素的所述输出。
(19)一种用于电子装置的镜头控制方法，所述电子装置包括摄像器件和镜头。所述摄像器件具有多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜、光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的一层上，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量。所述镜头致使被摄对象光入射到所述摄像器件上。用于所述电子装置的所述镜头控制方法包括：通过利用所述相位差检测像素的输出之间的差分来执行相位差检测；通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所检测到的相位差；并且依据校正后的相位差来控制所述镜头的驱动。
(20)一种摄像模块，其包括摄像器件、镜头和光学滤光片。所述摄像器件具有多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜、光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的一层上，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量。所述镜头致使被摄对象光入射到所述摄像器件上。所述光学滤光片被形成于所述摄像器件与所述镜头之间。所述镜头和所述光学滤光片依据相位差特性而被形成，所述相位差特性是通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的输出而求出的。
(21)一种固体摄像器件，其包括像素区域，所述像素区域包括以二维矩阵图案布置着的多个像素，
其中，所述多个像素中的至少一些像素是相位差检测像素，所述相位差检测像素包括光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被设置于半导体基板上，所述遮光膜被设置于所述光电转换部的一部分的上方，并且
其中，位于所述像素区域的外围部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置不同于位于所述像素区域的中心部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置。
(22)根据(21)所述的固体摄像器件，
其中，各所述相位差检测像素包括被设置于所述遮光膜上方的片上透镜。
(23)根据(22)所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差检测像素被设置于所述像素区域的非摄像区域中。
(24)根据(22)所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差检测像素之中的一些相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜没有受到出射光瞳校正，并且
其中，除了这些相位差检测像素以外，所述多个像素中的一些像素的所述片上透镜受到出射光瞳校正。
(25)根据(22)所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜受到出射光瞳校正。
(26)根据(22)所述的固体摄像器件，
其中，第一相位差检测像素的遮光膜被布置成对所述第一相位差检测像素的左侧进行遮光，且第二相位差检测像素的遮光膜被布置成对所述第二相位差检测像素的右侧进行遮光。
(27)根据(22)所述的固体摄像器件，
其中，与位于第一位置处的像素的透镜对应的出射光瞳校正量不同于向位于所述第一位置处的相位差检测像素的透镜应用的出射光瞳校正量。
(28)根据(22)所述的固体摄像器件，
其中，在位于所述像素区域的一侧处的一个或多个非摄像区域中安置有所述相位差检测像素的群组。
(29)根据(21)所述的固体摄像器件，
其中，至少一个所述相位差检测像素具有多个所述光电转换部。
(30)根据(21)所述的固体摄像器件，
其中，所述中心部包括位于所述像素区域的周边部处的中心部。
(31)根据(21)所述的固体摄像器件，
其中，所述中心部包括位于所述像素区域的中央部处的中心部。
(32)一种电子装置，其包括：
镜头；以及
固体摄像器件，所述固体摄像器件包括像素区域，所述像素区域包括以二维矩阵图案布置着的多个像素，
其中，所述多个像素中的至少一些像素是相位差检测像素，所述相位差检测像素包括光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被设置于半导体基板上，所述遮光膜被设置于所述光电转换部的一部分的上方，并且
其中，位于所述像素区域的外围部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置不同于位于所述像素区域的中心部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置。
(33)根据权利要求12所述的电子装置，
其中，各所述相位差检测像素包括被设置于所述遮光膜上方的片上透镜。
(34)根据权利要求13所述的电子装置，
其中，所述相位差检测像素被设置于所述像素区域的非摄像区域中。
(35)根据权利要求13所述的电子装置，
其中，所述相位差检测像素之中的一些相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜没有受到出射光瞳校正，并且
其中，除了这些相位差检测像素以外，所述多个像素中的一些像素的所述片上透镜受到出射光瞳校正。
(36)根据权利要求13所述的电子装置，
其中，所述相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜受到出射光瞳校正。
(37)根据权利要求13所述的电子装置，
其中，第一相位差检测像素的遮光膜被布置成对所述第一相位差检测像素的左侧进行遮光，且第二相位差检测像素的遮光膜被布置成对所述第二相位差检测像素的右侧进行遮光。
(38)根据权利要求13所述的电子装置，
其中，与位于第一位置处的像素的透镜对应的出射光瞳校正量不同于向位于所述第一位置处的相位差检测像素的透镜应用的出射光瞳校正量。
(39)根据权利要求13所述的电子装置，
其中，在位于所述像素区域的一侧处的一个或多个非摄像区域中安置有所述相位差检测像素的群组。
(40)根据权利要求12所述的电子装置，
其中，至少一个所述相位差检测像素具有多个所述光电转换部。
(41)根据权利要求12所述的电子装置，
其中，所述中心部包括位于所述像素区域的周边部处的中心部。
(42)根据权利要求12所述的电子装置，
其中，所述中心部包括位于所述像素区域的中央部处的中心部。
本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明随附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合以及改变。
附图标记列表
122：光电二极管
123：遮光膜
125：片上透镜
300：电子装置
301：镜头
303：摄像器件
307：存储器
308：相位差检测部
309：相位差校正部
310：镜头控制部
311：缺陷校正部
400：电子装置
500：相机
600：胶囊内视镜
700：摄像模块
800：3D传感器

Claims (42)

1.一种固体摄像器件，其包括：
多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，
其中，各所述相位差检测像素包括：
片上透镜；以及
光电转换部，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的一层上，
并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差检测像素还包括遮光膜，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且
其中，在所述预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的所述布置对应的所述出射光瞳校正量的偏差量。
3.根据权利要求2所述的固体摄像器件，
其中，所述预定的相位差检测像素被布置得彼此靠近，并且
其中，在所述预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜受到基于如下校正量的出射光瞳校正：该校正量不同于与所述相位差检测像素的所述布置对应的所述出射光瞳校正量。
4.根据权利要求2所述的固体摄像器件，
其中，所述预定的相位差检测像素被布置得彼此远离，并且
其中，在所述预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜没有受到出射光瞳校正。
5.根据权利要求2所述的固体摄像器件，
其中，所述多个像素包括用于生成图像的摄像像素，所述预定的相位差检测像素被设置于设置有所述摄像像素的图像输出区域的外侧。
6.根据权利要求2所述的固体摄像器件，
其中，所述多个像素包括用于生成图像的摄像像素，所述预定的相位差检测像素被设置于设置有所述摄像像素的图像输出区域的内侧。
7.根据权利要求2所述的固体摄像器件，
其中，毗邻于所述预定的相位差检测像素的像素具有尺寸比常规尺寸大的所述片上透镜。
8.根据权利要求2所述的固体摄像器件，
其中，毗邻于所述预定的相位差检测像素的像素具有尺寸比常规尺寸小的所述片上透镜。
9.根据权利要求1所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差检测像素具有被分隔开地形成为所述光电转换部的光电转换部。
10.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其还包括：
相位差检测部，所述相位差检测部通过利用所述相位差检测像素的输出之间的差分来执行相位差检测；以及
相位差校正部，所述相位差校正部通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所检测到的相位差。
11.根据权利要求10所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差校正部基于相位差特性来校正所检测到的相位差，所述相位差特性是通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出而求出的。
12.根据权利要求11所述的固体摄像器件，
其中，在一对所述相位差检测像素中，所述相位差特性表明与入射光的光轴的角度相应的所述相位差检测像素的输出，并且
其中，所述相位差校正部通过利用校正参数来校正所检测到的相位差，所述校正参数是通过利用在预定角度范围内所述相位差特性的所述输出的斜率而求出的。
13.根据权利要求12所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差校正部通过利用与镜头的F数对应的所述校正参数来校正所检测到的相位差。
14.根据权利要求12所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差校正部通过利用与图像高度对应的所述校正参数来校正所检测到的相位差。
15.根据权利要求12所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差校正部通过利用与摄影环境对应的所述校正参数来校正所检测到的相位差。
16.一种电子装置，其包括：
摄像器件，所述摄像器件具有多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜、光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的一层上，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量；
镜头，所述镜头致使被摄对象光入射到所述摄像器件上；
相位差检测部，所述相位差检测部通过利用所述相位差检测像素的输出之间的差分来执行相位差检测；
相位差校正部，所述相位差校正部通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所检测到的相位差；以及
镜头控制部，所述镜头控制部依据校正后的相位差来控制所述镜头的驱动。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其还包括光源，所述光源发射呈特定图案的光，
其中，所述相位差校正部通过利用与所述光源的波长对应的校正参数来校正所检测到的相位差。
18.根据权利要求16所述的电子装置，
其中，所述多个像素包括用于生成图像的摄像像素，所述相位差检测像素被设置于设置有所述摄像像素的图像输出区域的内侧，并且
其中，所述电子装置还包括缺陷校正部，所述缺陷校正部通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所述预定的相位差检测像素的所述输出。
19.一种用于电子装置的镜头控制方法，
所述电子装置包括：
摄像器件，所述摄像器件具有多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜、光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的一层上，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量；以及
镜头，所述镜头致使被摄对象光入射到所述摄像器件上；用于所述电子装置的所述镜头控制方法包括：
通过利用所述相位差检测像素的输出之间的差分来执行相位差检测；
通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的所述输出来校正所检测到的相位差；并且
依据校正后的相位差来控制所述镜头的驱动。
20.一种摄像模块，其包括：
摄像器件，所述摄像器件具有多个像素，所述多个像素包括用于通过相位差检测来执行自动聚焦(AF)的相位差检测像素，其中，各所述相位差检测像素包括片上透镜、光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被形成于比所述片上透镜低的一层上，所述遮光膜对所述光电转换部的一部分遮光，并且其中，在所述相位差检测像素之中的多个预定的相位差检测像素中，所述片上透镜和所述遮光膜被形成为具有不同于与所述预定的相位差检测像素的布置对应的出射光瞳校正量的偏差量；
镜头，所述镜头致使被摄对象光入射到所述摄像器件上；以及
光学滤光片，所述光学滤光片被形成于所述摄像器件与所述镜头之间，
其中，所述镜头和所述光学滤光片依据相位差特性而被形成，所述相位差特性是通过利用预先获得的所述预定的相位差检测像素的输出而求出的。
21.一种固体摄像器件，其包括像素区域，所述像素区域包括以二维矩阵图案布置着的多个像素，
其中，所述多个像素之中的至少一些像素是相位差检测像素，所述相位差检测像素包括光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被设置于半导体基板上，所述遮光膜被设置于所述光电转换部的一部分的上方，并且
其中，位于所述像素区域的外围部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置不同于位于所述像素区域的中心部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置。
22.根据权利要求21所述的固体摄像器件，
其中，各所述相位差检测像素包括被设置于所述遮光膜上方的片上透镜。
23.根据权利要求22所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差检测像素被设置于所述像素区域的非摄像区域中。
24.根据权利要求22所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差检测像素之中的一些相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜没有受到出射光瞳校正，并且
其中，除了这些相位差检测像素以外，所述多个像素之中的一些像素的所述片上透镜受到出射光瞳校正。
25.根据权利要求22所述的固体摄像器件，
其中，所述相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜受到出射光瞳校正。
26.根据权利要求22所述的固体摄像器件，
其中，第一相位差检测像素的遮光膜被布置成对所述第一相位差检测像素的左侧进行遮光，且第二相位差检测像素的遮光膜被布置成对所述第二相位差检测像素的右侧进行遮光。
27.根据权利要求22所述的固体摄像器件，
其中，与位于第一位置处的像素的透镜对应的出射光瞳校正量不同于向位于所述第一位置处的相位差检测像素的透镜应用的出射光瞳校正量。
28.根据权利要求22所述的固体摄像器件，
其中，在位于所述像素区域的一侧处的一个或多个非摄像区域中安置有所述相位差检测像素的群组。
29.根据权利要求21所述的固体摄像器件，
其中，至少一个所述相位差检测像素具有多个所述光电转换部。
30.根据权利要求21所述的固体摄像器件，
其中，所述中心部包括位于所述像素区域的周边部处的中心部。
31.根据权利要求21所述的固体摄像器件，
其中，所述中心部包括位于所述像素区域的中央部处的中心部。
32.一种电子装置，其包括：
镜头；以及
固体摄像器件，所述固体摄像器件包括像素区域，所述像素区域包括以二维矩阵图案布置着的多个像素，
其中，所述多个像素之中的至少一些像素是相位差检测像素，所述相位差检测像素包括光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被设置于半导体基板上，所述遮光膜被设置于所述光电转换部的一部分的上方，并且
其中，位于所述像素区域的外围部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置不同于位于所述像素区域的中心部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置。
33.根据权利要求32所述的电子装置，
其中，各所述相位差检测像素包括被设置于所述遮光膜上方的片上透镜。
34.根据权利要求33所述的电子装置，
其中，所述相位差检测像素被设置于所述像素区域的非摄像区域中。
35.根据权利要求33所述的电子装置，
其中，所述相位差检测像素之中的一些相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜没有受到出射光瞳校正，并且
其中，除了这些相位差检测像素以外，所述多个像素之中的一些像素的所述片上透镜受到出射光瞳校正。
36.根据权利要求33所述的电子装置，
其中，所述相位差检测像素的所述片上透镜和所述遮光膜受到出射光瞳校正。
37.根据权利要求33所述的电子装置，
其中，第一相位差检测像素的遮光膜被布置成对所述第一相位差检测像素的左侧进行遮光，且第二相位差检测像素的遮光膜被布置成对所述第二相位差检测像素的右侧进行遮光。
38.根据权利要求33所述的电子装置，
其中，与位于第一位置处的像素的透镜对应的出射光瞳校正量不同于向位于所述第一位置处的相位差检测像素的透镜应用的出射光瞳校正量。
39.根据权利要求33所述的电子装置，
其中，在位于所述像素区域的一侧处的一个或多个非摄像区域中安置有所述相位差检测像素的群组。
40.根据权利要求32所述的电子装置，
其中，至少一个所述相位差检测像素具有多个所述光电转换部。
41.根据权利要求32所述的电子装置，
其中，所述中心部包括位于所述像素区域的周边部处的中心部。
42.根据权利要求32所述的电子装置，
其中，所述中心部包括位于所述像素区域的中央部处的中心部。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108495115A (zh) * 2018-04-17 2018-09-04 德淮半导体有限公司 图像传感器及其像素组和像素阵列，获取图像信息的方法
CN109040704A (zh) * 2018-09-18 2018-12-18 江苏景雄科技有限公司 一种建筑智能化安防监控装置
CN109982070A (zh) * 2017-12-28 2019-07-05 半导体组件工业公司 具有校准相位检测像素的图像传感器及其操作方法
CN110164896A (zh) * 2019-06-05 2019-08-23 芯盟科技有限公司 内窥镜探头以及制造方法
CN110769162A (zh) * 2019-11-28 2020-02-07 维沃移动通信有限公司 电子设备及对焦方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5775976B2 (ja) * 2012-11-22 2015-09-09 富士フイルム株式会社 撮像装置、デフォーカス量演算方法、及び撮像光学系
JP6186900B2 (ja) * 2013-06-04 2017-08-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器、レンズ制御方法、および撮像モジュール
KR102172992B1 (ko) * 2014-07-31 2020-11-02 삼성전자주식회사 이미지 촬영 장치 및 이미지 촬영 방법
WO2016038936A1 (ja) * 2014-09-11 2016-03-17 富士フイルム株式会社 撮像装置及び合焦制御方法
CN105812624B (zh) * 2014-12-30 2019-01-11 深圳超多维科技有限公司 微透镜阵列成像装置
US9973678B2 (en) * 2015-01-14 2018-05-15 Invisage Technologies, Inc. Phase-detect autofocus
JP2017108062A (ja) * 2015-12-11 2017-06-15 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の製造方法
GB2548462B (en) 2016-01-29 2020-06-17 Canon Kk Image sensor and image capturing apparatus
KR102466856B1 (ko) * 2016-04-20 2022-11-15 에스케이하이닉스 주식회사 비정형 육각형 모양으로 배열된 위상 차 검출 픽셀들을 갖는 이미지 센서
WO2018075583A1 (en) 2016-10-20 2018-04-26 Invisage Technologies, Inc. Image sensors with crosstalk mitigation
EP3343894B1 (en) * 2016-12-28 2018-10-31 Axis AB Ir-filter arrangement
KR102375989B1 (ko) 2017-08-10 2022-03-18 삼성전자주식회사 화소 사이의 신호 차이를 보상하는 이미지 센서
WO2019065555A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 富士フイルム株式会社 撮像装置、情報取得方法及び情報取得プログラム
JP6856762B2 (ja) * 2017-09-28 2021-04-14 富士フイルム株式会社 撮像装置、情報取得方法及び情報取得プログラム
JP7375746B2 (ja) * 2018-03-26 2023-11-08 ソニーグループ株式会社 撮像素子、撮像装置、並びに、情報処理方法
JP2020053827A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、および、撮像装置
WO2020230675A1 (ja) * 2019-05-10 2020-11-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器
WO2021171813A1 (ja) 2020-02-28 2021-09-02 富士フイルム株式会社 撮像装置及び撮像センサ
KR20220144549A (ko) * 2021-04-20 2022-10-27 삼성전자주식회사 이미지 센서

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020102103A1 (en) * 2001-01-04 2002-08-01 Takeshi Kindaichi Distance measurement apparatus of camera
US20090295964A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-03 Nikon Corporation Image sensor and image-capturing device
CN101952709A (zh) * 2007-11-15 2011-01-19 爱克斯崔里斯科技有限公司 颗粒探测
CN102227665A (zh) * 2008-11-27 2011-10-26 佳能株式会社 固态摄像元件和摄像设备
WO2012018102A1 (en) * 2010-08-03 2012-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Focus detection apparatus and image pickup apparatus
JP2012098510A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Sony Corp 撮像装置、撮像方法およびプログラム。
CN102655569A (zh) * 2011-03-02 2012-09-05 索尼公司 成像器件和成像装置
CN102883093A (zh) * 2011-07-13 2013-01-16 奥林巴斯映像株式会社 摄像装置以及摄像元件

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020010210A1 (en) * 1997-04-04 2002-01-24 Nobuhiko Miwa Pharmaceutical preparation and method for treating cancer
US7119319B2 (en) * 2004-04-08 2006-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensing element and its design support method, and image sensing device
JP5458475B2 (ja) * 2007-04-18 2014-04-02 株式会社ニコン 焦点検出装置および撮像装置
JP5180795B2 (ja) * 2007-12-10 2013-04-10 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
JP2010020015A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Canon Inc 撮像装置
JP5161702B2 (ja) * 2008-08-25 2013-03-13 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、及び焦点検出方法
JP2010160313A (ja) 2009-01-08 2010-07-22 Sony Corp 撮像素子および撮像装置
JP5278165B2 (ja) * 2009-05-26 2013-09-04 ソニー株式会社 焦点検出装置、撮像素子および電子カメラ
JP5765619B2 (ja) * 2010-04-19 2015-08-19 東芝ライテック株式会社 発光装置
EP2450880A1 (en) 2010-11-05 2012-05-09 Thomson Licensing Data structure for Higher Order Ambisonics audio data
JP5895355B2 (ja) * 2011-04-25 2016-03-30 株式会社ニコン 撮像装置
JP2013037296A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Olympus Imaging Corp 撮像装置及び撮像素子
JP5929037B2 (ja) 2011-08-17 2016-06-01 株式会社リコー 撮像装置
JP5888940B2 (ja) * 2011-11-11 2016-03-22 オリンパス株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法、およびプログラム
JP5914055B2 (ja) * 2012-03-06 2016-05-11 キヤノン株式会社 撮像装置
JP6124564B2 (ja) * 2012-11-21 2017-05-10 キヤノン株式会社 焦点検出装置及び方法、及び撮像装置
JP6186900B2 (ja) * 2013-06-04 2017-08-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器、レンズ制御方法、および撮像モジュール
JP6509018B2 (ja) * 2015-04-17 2019-05-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム及び信号処理方法
US10148863B2 (en) * 2015-12-08 2018-12-04 Canon Kabushiki Kaisha Information processing apparatus and information processing method
JP6682310B2 (ja) * 2016-03-18 2020-04-15 キヤノン株式会社 焦点検出装置および方法、および撮像装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020102103A1 (en) * 2001-01-04 2002-08-01 Takeshi Kindaichi Distance measurement apparatus of camera
CN101952709A (zh) * 2007-11-15 2011-01-19 爱克斯崔里斯科技有限公司 颗粒探测
US20090295964A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-03 Nikon Corporation Image sensor and image-capturing device
CN102227665A (zh) * 2008-11-27 2011-10-26 佳能株式会社 固态摄像元件和摄像设备
WO2012018102A1 (en) * 2010-08-03 2012-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Focus detection apparatus and image pickup apparatus
JP2012098510A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Sony Corp 撮像装置、撮像方法およびプログラム。
CN102655569A (zh) * 2011-03-02 2012-09-05 索尼公司 成像器件和成像装置
CN102883093A (zh) * 2011-07-13 2013-01-16 奥林巴斯映像株式会社 摄像装置以及摄像元件

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109982070A (zh) * 2017-12-28 2019-07-05 半导体组件工业公司 具有校准相位检测像素的图像传感器及其操作方法
CN108495115A (zh) * 2018-04-17 2018-09-04 德淮半导体有限公司 图像传感器及其像素组和像素阵列，获取图像信息的方法
CN108495115B (zh) * 2018-04-17 2019-09-10 德淮半导体有限公司 图像传感器及其像素组和像素阵列，获取图像信息的方法
CN109040704A (zh) * 2018-09-18 2018-12-18 江苏景雄科技有限公司 一种建筑智能化安防监控装置
CN109040704B (zh) * 2018-09-18 2020-11-27 江苏景雄科技有限公司 一种建筑智能化安防监控装置
CN110164896A (zh) * 2019-06-05 2019-08-23 芯盟科技有限公司 内窥镜探头以及制造方法
CN110769162A (zh) * 2019-11-28 2020-02-07 维沃移动通信有限公司 电子设备及对焦方法
US11856294B2 (en) 2019-11-28 2023-12-26 Vivo Mobile Communication Co., Ltd. Electronic device and focusing method for electronic device

Also Published As

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