CN105183661A - 一种控制方法及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种信息处理方法及电子设备，检测获取到对于所述电子设备的第一操作的操作参数；再基于所述操作参数来确定操作类型；根据所确定的操作类型生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式，以对所述第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，从而改变二者存储空间的比例关系。

Description

一种控制方法及电子设备
技术领域
本发明涉及电子调控技术，尤其涉及一种控制方法及电子设备。
背景技术
目前的固态硬盘(SolidStateDrive，SSD)中大多有动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)，用来缓存数据、存放映射表和其他重要数据。所述DRAM主要用作数据缓存区(Cache)，可以吸收负载中实时产生的数据更新操作，通过直接的内存操作以减少闪存的访问次数。
然而，通常所述数据缓存区划分为读取区域和写区域两部分，且所述读区域和写区域的大小是固定分配的，很大程度上限制了所述数据缓存区的使用效率和命中率。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例为解决现有技术中存在的问题而提供一种控制方法和电子设备。
本发明实施例的技术方案是这样实现的：
本发明实施例提供一种控制方法，应用于电子设备，所述方法包括：
检测对于所述电子设备的第一操作；
获取对应所述第一操作的操作参数；
基于所述操作参数，确定操作类型；
基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式；
基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，以改变二者存储空间的比例关系。
上述方案中，所述第一缓存区域用于第一数据操作，所述第二缓存区域用于第二数据操作；所述第一数据操作不同于所述第二数据操作。
上述方案中，所述基于所述操作参数，确定操作类型，包括：
若所述操作参数表征所述第一操作为读取数据操作，则确定所述操作类型为所述第一数据操作；
若所述操作参数表征所述第一操作为写数据操作，则确定所述操作类型为所述第二数据操作。
上述方案中，所述基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式，包括：
所述操作类型为第一数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式；
相应的，基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，包括：
通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值。
上述方案中，所述操作类型为第一数据操作时，所述方法还包括：
检测所述第一数据操作是否达到预设读取阈值，得到第一检测结果；
所述第一检测结果为所述第一数据操作达到预设读取阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式。
上述方案中，所述基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式，包括：
所述操作类型为第二数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式；
相应的，基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，包括：
通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值。
上述方案中，所述操作类型为第二数据操作时，所述方法还包括：
检测所述第二数据操作是否达到预设写阈值，得到第二检测结果；
所述第二检测结果为所述第二数据操作达到预设写阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式。
本发明实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括检测单元、获取单元、确定单元、生成单元和调整单元；
所述检测单元，用于检测对于所述电子设备的第一操作；
所述获取单元，用于获取对应所述第一操作的操作参数；
所述确定单元，用于基于所述操作参数，确定操作类型；
所述生成单元，用于基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式；
所述调整单元，用于基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，以改变二者存储空间的比例关系。
上述方案中，所述第一缓存区域用于第一数据操作，所述第二缓存区域用于第二数据操作；所述第一数据操作不同于所述第二数据操作。
上述方案中，所述确定单元包括第一子确定单元和第二子确定单元；
所述第一子确定单元，用于当所述操作参数表征所述第一操作为读取数据操作，则确定所述操作类型为所述第一数据操作；
所述第二子确定单元，用于当所述操作参数表征所述第一操作为写数据操作，则确定所述操作类型为所述第二数据操作。
上述方案中，所述生成单元，用于所述操作类型为第一数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式；
相应的，所述调整单元，用于通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值。
上述方案中，所述检测单元，还用于当所述操作类型为第一数据操作时，检测所述第一数据操作是否达到预设读取阈值，得到第一检测结果；
所述生成单元，还用于当所述第一检测结果为所述第一数据操作达到预设读取阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式。
上述方案中，所述生成单元，用于所述操作类型为第二数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式；
相应的，所述调整单元，用于通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值。
上述方案中，所述检测单元，还用于当所述操作类型为第二数据操作时，检测所述第二数据操作是否达到预设写阈值，得到第二检测结果；
所述生成单元，还用于当所述第二检测结果为所述第二数据操作达到预设写阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式。
上述方案中，所述存储单元为动态随机存取存储器。
上述方案中，所述动态随机存取存储器位于固体硬盘中。
本发明实施例中，电子设备检测获取到对于所述电子设备的第一操作的操作参数；再基于所述操作参数来确定操作类型；根据所确定的操作类型生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式，以对所述第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，从而改变二者存储空间的比例关系。如此，通过本发明实施例所述控制方法，能够解决存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小固定的问题，有效增加缓存区域的命中率，提高存储单元的使用效率，进而提升用户体验。
附图说明
图1为本发明实施例控制方法的实现流程示意图一；
图2为本发明实施例控制方法的实现流程示意图二；
图3为现有技术中位于固体硬盘中的动态随机存取存储器的分布效果图；
图4-1～4-3为本发明实施例通过所述第一调整方式调整所述动态随机存取存储器后的分布效果图；
图5为本发明实施例控制方法的实现流程示意图三；
图6-1～6-3为本发明实施例通过所述第二调整方式调整所述动态随机存取存储器后的分布效果图；
图7为本发明实施例控制方法的实现流程示意图四；
图8为本发明实施例控制方法的实现流程示意图五；
图9为本发明实施例电子设备的组成结构示意图；
图10为本发明实施例所述确定单元的组成结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。
方法实施例一：
图1为本发明实施例控制方法的实现流程示意图一，如图1所示，所述控制方法可以应用于电子设备中，所述方法包括：
步骤S101～S102：检测对于所述电子设备的第一操作；获取对应所述第一操作的操作参数；
其中，所述第一操作可以是用户通过键盘、鼠标或触摸屏等执行的物理按键操作或虚拟按键操作。所述第一操作可以包括诸如观看视频、听音乐、查看资料等读取数据操作；所述第一操作还可以包括修改文档、更新图表等写数据操作。这里，所述视频、音乐、资料、文档、图表等均属于预先存储至存储单元的数据信息。
具体地，所述电子设备检测由用户通过键盘、鼠标或触摸屏等执行的物理按键操作或虚拟按键操作，以获取对应所述第一操作的操作参数。
所述操作参数可以包括观看、听、查看、修改、更新等；其中，所述观看、听、查看等操作参数可以用于表征所述第一操作为读取数据操作；所述修改、更新等操作参数可以用于表征所述第一操作为写数据操作。
这里，所述电子设备可以为应用于通用领域的手机、PC机、平板电脑、个人数字助理等；所述电子设备还可以为应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、及导航等领域的智能设备。
步骤S103：基于所述操作参数，确定操作类型；
具体地，所述电子设备基于所述操作参数来确定操作类型包括：若所述操作参数表征所述第一操作为读取数据操作，则确定所述操作类型为第一数据操作；若所述操作参数表征所述第一操作为写数据操作，则确定所述操作类型为第二数据操作。所述第一数据操作不同于所述第二数据操作。
步骤S104：基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式；
其中，所述第一缓存区域用于第一数据操作，所述第二缓存区域用于第二数据操作。
这里，所述存储单元通常为动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器可以位于固体硬盘中。所述固体硬盘可以内置于所述电子设备中，还可以通过通用接口与所述电子设备外连。为了最大限度地发挥固体硬盘的读写速度快的优点，通常优选地将所述固体硬盘内置于所述电子设备中。
具体地，电子设备基于所述操作类型的不同，可以生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的不同的调整方式。
步骤S105：基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，以改变二者存储空间的比例关系。
具体地，电子设备基于操作类型所生成的调整方式，来针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，以改变所述第一缓存区域和第二缓存区域对应存储空间的比例关系。
在一示例中，当所述操作类型为第一数据操作，即所述操作参数表征所述第一操作为读取数据操作，此时，可以通过增大用于第一数据操作的第一缓存区域的比例和/或减小用于第二数据操作的第二缓存区域的比例，来改变所述第一缓存区域和第二缓存区域对应存储空间的比例关系。
在另一示例中，当所述操作类型为第二数据操作，即所述操作参数表征所述第一操作为写数据操作，此时，可以通过减小用于第一数据操作的第一缓存区域的比例和/或增大用于第二数据操作的第二缓存区域的比例，来改变所述第一缓存区域和第二缓存区域对应存储空间的比例关系。
通过本发明实施例所述控制方法，电子设备检测获取到对于所述电子设备的第一操作的操作参数；再基于所述操作参数来确定操作类型；根据所确定的操作类型生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式，以对所述第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，从而改变二者存储空间的比例关系。如此，能够解决存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小固定的问题，有效增加缓存区域的命中率，提高存储单元的使用效率，进而提升用户体验。
方法实施例二
图2为本发明实施例控制方法的实现流程示意图二，如图2所示，所述控制方法可以应用于电子设备中，所述方法包括：
步骤S101～S102：检测对于所述电子设备的第一操作；获取对应所述第一操作的操作参数；
步骤S103：基于所述操作参数，确定操作类型；
本发明实施例二所述步骤S101～S103的具体实现过程与本发明实施例一所述步骤S101～S103的实现过程相类似，这里不再赘述。
步骤S201：所述操作类型为第一数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式；
这里，由于当所述操作参数用于表征所述第一操作为读取数据操作时，确定出所述操作类型为第一数据操作。因此，当所述操作类型为第一数据操作时，即所述存储单元的使用场景为第一数据操作所对应的读取数据状态。此时，电子设备生成将所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值的第一调整方式。
步骤S202：通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值。
具体地，所述电子设备可以通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值；也可以通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第二缓存区域减少第二预设值；还可以通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值的同时，所述第二缓存区域减少第二预设值。
在一示例中，如图3所示，对于现有技术中位于固体硬盘中的动态随机存取存储器(DRAM)30而言，所述动态随机存取存储器用来作为数据缓存区(Cache)时，所述数据缓存区(Cache)中用于第一数据操作(读数据操作)的第一缓存区域31和用于第二数据操作(写数据操作)的第二缓存区域32的比例大小是固定的。需要补充说明的是，图3中的除缓存区域(Cache)之外的其他区域(Other)主要用于存放映射表和其他重要数据。此时，通过本发明实施例所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值a，和/或第二缓存区域减少第二预设值b后的动态随机存取存储器的分布效果图，如图4-1～4-3所示。这样，如图4-1～4-3所示，当所述操作类型为第一数据操作时，即所述存储单元的使用场景为第一数据操作所对应的读取数据状态时，由于所述用于第一数据操作的第一缓存区域31的比例大于所述用于第二数据操作的第二缓存区域32的比例，使得在所述存储单元用于缓存数据时，能够增加从第一缓存区域31读取数据的概率，减少向第二缓存区域32写数据的概率，从而增加命中率。
通过本发明实施例所述控制方法，电子设备基于所述操作参数确定出操作类型为第一数据操作的基础上，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式；通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值，从而改变二者存储空间的比例关系。如此，能够解决存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小固定的问题，有效增加缓存区域的命中率，提高存储单元的使用效率，进而提升用户体验。
方法实施例三
图5为本发明实施例控制方法的实现流程示意图三，如图5所示，所述控制方法可以应用于电子设备中，所述方法包括：
步骤S101～S102：检测对于所述电子设备的第一操作；获取对应所述第一操作的操作参数；
步骤S103：基于所述操作参数，确定操作类型；
本发明实施例三所述步骤S101～S103的具体实现过程与本发明实施例一所述步骤S101～S103的实现过程相类似，这里不再赘述。
步骤S501：所述操作类型为第二数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式；
这里，由于当所述操作参数用于表征所述第一操作为写数据操作时，确定出所述操作类型为第二数据操作。因此，当所述操作类型为第二数据操作时，即所述存储单元的使用场景为第二数据操作所对应的写数据状态。此时，电子设备生成将所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值的第二调整方式。
步骤S502：通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值。
具体地，所述电子设备可以通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值；也可以通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第二缓存区域增加第四预设值；还可以通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值的同时，所述第二缓存区域增加第四预设值。
在一示例中，如图3所示，对于现有技术中位于固体硬盘中的动态随机存取存储器(DRAM)30而言，所述动态随机存取存储器用来作为数据缓存区(Cache)时，所述数据缓存区中用于第一数据操作(读数据操作)的第一缓存区域31和用于第二数据操作(写数据操作)的第二缓存区域32的比例大小是固定的。需要补充说明的是，图3中的除缓存区域(Cache)之外的其他区域(Other)主要用于存放映射表和其他重要数据。此时，通过本发明实施例所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值c，和/或第二缓存区域增加第四预设值d后的动态随机存取存储器的分布效果图，如图6-1～6-3所示。这样，如图6-1～6-3所示，当所述操作类型为第二数据操作时，即所述存储单元的使用场景为第二数据操作所对应的写数据状态时，由于所述用于第一数据操作的第一缓存区域31的比例小于所述用于第二数据操作的第二缓存区域32的比例，使得在所述存储单元用于缓存数据时，能够减少从第一缓存区域31读取数据的概率，增加向第二缓存区域32写数据的概率，从而增加命中率。
通过本发明实施例所述控制方法，电子设备基于所述操作参数确定出操作类型为第二数据操作的基础上，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式；通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值，从而改变二者存储空间的比例关系。如此，能够解决存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小固定的问题，有效增加缓存区域的命中率，提高存储单元的使用效率，进而提升用户体验。
方法实施例四
图7为本发明实施例控制方法的实现流程示意图四，如图7所示，所述控制方法可以应用于电子设备中，所述方法包括：
步骤S101～S102：检测对于所述电子设备的第一操作；获取对应所述第一操作的操作参数；
步骤S103：基于所述操作参数，确定操作类型；
本发明实施例四所述步骤S101～S103的具体实现过程与本发明实施例一所述步骤S101～S103的实现过程相类似，这里不再赘述。
步骤S701：所述操作类型为第一数据操作时，检测所述第一数据操作是否达到预设读取阈值，得到第一检测结果；
这里，由于当所述操作参数用于表征所述第一操作为读取数据操作时，确定出所述操作类型为第一数据操作。因此，当所述操作类型为第一数据操作时，即所述存储单元的使用场景为第一数据操作所对应的读取数据状态。
其中，所述预设读取阈值是指所述存储单元的使用场景为第一数据操作所对应的读取数据状态时所需要的读取速率阈值。所述预设读取阈值的确定通常可以综合所述存储单元所属固态硬盘的性能及用户对所述电子设备的读取速率要求等因素。
具体地，所述电子设备在确定所述操作类型为第一数据操作时，进一步检测确定所述第一数据操作是否达到预设读取阈值，得到第一检测结果。当所述第一检测结果为所述第一数据操作达到预设读取阈值时，可以确定需要对第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小进行调整，故继续执行后续步骤S702；当所述第一检测结果为所述第一数据操作未达到预设读取阈值，即低于预设读取阈值时，可以确定所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小能够满足所述存储单元用来作为数据缓存区的基本要求，故不需要对第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小进行调整，故直接结束本次操作流程。
步骤S702：所述第一检测结果为所述第一数据操作达到预设读取阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式；
具体地，所述电子设备在得到所述第一数据操作达到预设读取阈值的第一检测结果后，生成将所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值的第一调整方式。
步骤S703：通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值。
本发明实施例四所述步骤S703的具体实现过程与本发明实施例二所述步骤S202的实现过程相类似，这里不再赘述。
通过本发明实施例所述控制方法，电子设备基于所述操作参数确定出操作类型为第一数据操作的基础上，进一步检测所述第一数据操作是否达到预设读取阈值，得到第一检测结果；当所述第一检测结果为所述第一数据操作达到预设读取阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式；通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值，从而改变二者存储空间的比例关系。如此，通过检测所述第一数据操作是否达到预设读取阈值作为生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式的必要条件，在解决存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小固定的问题的基础上，能够有效控制调整第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小的时机，增加缓存区域的命中率，提高存储单元的使用效率，进而提升用户体验。
方法实施例五
图8为本发明实施例控制方法的实现流程示意图五，如图8所示，所述控制方法可以应用于电子设备中，所述方法包括：
步骤S101～S102：检测对于所述电子设备的第一操作；获取对应所述第一操作的操作参数；
步骤S103：基于所述操作参数，确定操作类型；
本发明实施例五所述步骤S101～S103的具体实现过程与本发明实施例一所述步骤S101～S103的实现过程相类似，这里不再赘述。
步骤S801：所述操作类型为第二数据操作时，检测所述第二数据操作是否达到预设写阈值，得到第二检测结果；
这里，由于当所述操作参数用于表征所述第一操作为写数据操作时，确定出所述操作类型为第二数据操作。因此，当所述操作类型为第二数据操作时，即所述存储单元的使用场景为第二数据操作所对应的写数据状态。
其中，所述预设写阈值是指所述存储单元的使用场景为第二数据操作所对应的写数据状态时所需要的写速率阈值。所述预设写阈值的确定通常可以综合所述存储单元所属固态硬盘的性能及用户对所述电子设备的写速率要求等因素。
具体地，所述电子设备在确定所述操作类型为第二数据操作时，进一步检测确定所述第二数据操作是否达到预设写阈值，得到第二检测结果。当所述第二检测结果为所述第二数据操作达到预设写阈值时，可以确定需要对第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小进行调整，故继续执行后续步骤S802；当所述第二检测结果为所述第二数据操作未达到预设写阈值，即低于预设写阈值时，可以确定所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小能够满足所述存储单元用来作为数据缓存区的基本要求，故不需要对第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小进行调整，故直接结束本次操作流程。
步骤S802：所述第二检测结果为所述第二数据操作达到预设写阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式；
具体地，所述电子设备在得到所述第二数据操作达到预设写阈值的第二检测结果后，生成将所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值的第二调整方式。
步骤S803：通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值。
本发明实施例五所述步骤S803的具体实现过程与本发明实施例三所述步骤S502的实现过程相类似，这里不再赘述。
通过本发明实施例所述控制方法，电子设备基于所述操作参数确定出操作类型为第二数据操作的基础上，进一步检测所述第二数据操作是否达到预设写阈值，得到第二检测结果；当所述第二检测结果为所述第二数据操作达到预设写阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式；通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值，从而改变二者存储空间的比例关系。如此，通过检测所述第一数据操作是否达到预设读取阈值作为生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式的必要条件，在解决存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小固定的问题的基础上，能够有效控制调整第一缓存区域和/或第二缓存区域的比例大小的时机，增加缓存区域的命中率，提高存储单元的使用效率，进而提升用户体验。
产品实施例：
图9为本发明实施例电子设备的组成结构示意图，如图9所示，所述电子设备包括检测单元901、获取单元902、确定单元903、生成单元904和调整单元905；
所述检测单元901，用于检测对于所述电子设备的第一操作；
所述获取单元902，用于获取对应所述第一操作的操作参数；
所述确定单元903，用于基于所述操作参数，确定操作类型；
所述生成单元904，用于基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式；
其中，所述第一缓存区域用于第一数据操作，所述第二缓存区域用于第二数据操作；所述第一数据操作不同于所述第二数据操作。
这里，所述存储单元通常为动态随机存取存储器。在实际应用中，所述动态随机存取存储器可以位于固体硬盘中。
所述调整单元905，用于基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，以改变二者存储空间的比例关系。
在一实施例中，如图10所示，所述确定单元903包括第一子确定单元9031和第二子确定单元9032；
所述第一子确定单元9031，用于当所述操作参数表征所述第一操作为读取数据操作，则确定所述操作类型为所述第一数据操作；
所述第二子确定单元9032，用于当所述操作参数表征所述第一操作为写数据操作，则确定所述操作类型为所述第二数据操作。
在一实施例中，所述生成单元904，用于所述操作类型为第一数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式；
相应的，所述调整单元905，用于通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值。
在一实施例中，所述检测单元901，还用于当所述操作类型为第一数据操作时，检测所述第一数据操作是否达到预设读取阈值，得到第一检测结果；
所述生成单元904，还用于当所述第一检测结果为所述第一数据操作达到预设读取阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式。
在一实施例中，所述生成单元904，用于所述操作类型为第二数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式；
相应的，所述调整单元905，用于通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值。
在一实施例中，所述检测单元901，还用于当所述操作类型为第二数据操作时，检测所述第二数据操作是否达到预设写阈值，得到第二检测结果；
所述生成单元904，还用于当所述第二检测结果为所述第二数据操作达到预设写阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式。
本发明实施例所述电子设备中的检测单元901、获取单元902、确定单元903、生成单元904和调整单元905及其所述确定单元903中所包括的第一子确定单元9031和第二子确定单元9032均可以通过电子设备中的处理器实现，也可以通过具体的逻辑电路实现；比如，在实际应用中，可由位于所述电子设备中的中央处理器(CPU)、微处理器(MPU)、数字信号处理器(DSP)、或现场可编程门阵列(FPGA)等实现。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccessMemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
或者，本发明上述集成的单元如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机、服务器、或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分。而前述的存储介质包括：移动存储设备、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种控制方法，应用于电子设备，其特征在于，所述方法包括：
检测对于所述电子设备的第一操作；
获取对应所述第一操作的操作参数；
基于所述操作参数，确定操作类型；
基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式；
基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，以改变二者存储空间的比例关系。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一缓存区域用于第一数据操作，所述第二缓存区域用于第二数据操作；所述第一数据操作不同于所述第二数据操作。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述操作参数，确定操作类型，包括：
若所述操作参数表征所述第一操作为读取数据操作，则确定所述操作类型为所述第一数据操作；
若所述操作参数表征所述第一操作为写数据操作，则确定所述操作类型为所述第二数据操作。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式，包括：
所述操作类型为第一数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式；
相应的，基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，包括：
通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述操作类型为第一数据操作时，所述方法还包括：
检测所述第一数据操作是否达到预设读取阈值，得到第一检测结果；
所述第一检测结果为所述第一数据操作达到预设读取阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式，包括：
所述操作类型为第二数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式；
相应的，基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，包括：
通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述操作类型为第二数据操作时，所述方法还包括：
检测所述第二数据操作是否达到预设写阈值，得到第二检测结果；
所述第二检测结果为所述第二数据操作达到预设写阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式。
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括检测单元、获取单元、确定单元、生成单元和调整单元；
所述检测单元，用于检测对于所述电子设备的第一操作；
所述获取单元，用于获取对应所述第一操作的操作参数；
所述确定单元，用于基于所述操作参数，确定操作类型；
所述生成单元，用于基于所述操作类型，生成针对存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式；
所述调整单元，用于基于所述调整方式对第一缓存区域和/或第二缓存区域进行调整，以改变二者存储空间的比例关系。
9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述第一缓存区域用于第一数据操作，所述第二缓存区域用于第二数据操作；所述第一数据操作不同于所述第二数据操作。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述确定单元包括第一子确定单元和第二子确定单元；
所述第一子确定单元，用于当所述操作参数表征所述第一操作为读取数据操作，则确定所述操作类型为所述第一数据操作；
所述第二子确定单元，用于当所述操作参数表征所述第一操作为写数据操作，则确定所述操作类型为所述第二数据操作。
11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，
所述生成单元，用于所述操作类型为第一数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式；
相应的，所述调整单元，用于通过所述第一调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域增加第一预设值，和/或第二缓存区域减少第二预设值。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，
所述检测单元，还用于当所述操作类型为第一数据操作时，检测所述第一数据操作是否达到预设读取阈值，得到第一检测结果；
所述生成单元，还用于当所述第一检测结果为所述第一数据操作达到预设读取阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第一调整方式。
13.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，
所述生成单元，用于所述操作类型为第二数据操作时，生成所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式；
相应的，所述调整单元，用于通过所述第二调整方式控制所述存储单元中的第一缓存区域减少第三预设值，和/或第二缓存区域增加第四预设值。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，
所述检测单元，还用于当所述操作类型为第二数据操作时，检测所述第二数据操作是否达到预设写阈值，得到第二检测结果；
所述生成单元，还用于当所述第二检测结果为所述第二数据操作达到预设写阈值时，生成针对所述存储单元中第一缓存区域和/或第二缓存区域的调整方式为第二调整方式。
15.根据权利要求8至14任一项所述的电子设备，其特征在于，所述存储单元为动态随机存取存储器。
16.根据权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述动态随机存取存储器位于固体硬盘中。
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