CN105302478B - 一种数据存储方法及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种数据存储方法及电子设备，包括：获得电子设备的运行状态参数；根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。上述方法用于解决现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题。

Description

一种数据存储方法及电子设备
技术领域
本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种数据存储方法及电子设备。
背景技术
SSD(Solid State Drives)是固态存储器(固态硬盘)的缩写，SSD控制器主要提供主机访问到闪存颗粒的访问控制。由于闪存写入特性，对于一个访问单元，必须先擦除之后才能写入。擦除操作会导致系统写入性能过低。
为了解决上述问题，在固态硬盘中加入内存作为缓存，当数据写入的时候需要先数据写入缓存中，等到系统空闲或者缓存满的时候再把数据写回到闪存中。这样可以减少写入延迟，和对闪存颗粒的写入，从而增加闪存的寿命。
然而，本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：
现有技术中，在不存在缓存时，只能将数据直接写入闪存；在存在缓存时，总是将数据写入缓存，再写入闪存。系统的数据写入方式比较固定，不够灵活。
发明内容
本发明实施例提供一种数据存储方法及电子设备，用于解决现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题。
一方面，本申请实施例提供一种数据存储方法，包括：
获得电子设备的运行状态参数；
根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；
根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
可选的，获得电子设备的运行状态参数，包括：
获得所述电子设备的电量剩余参数。
可选的，根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括：
判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。
可选的，根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括：
判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。
可选的，获得电子设备的运行状态参数，包括：
获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；
根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括：
判断所述数据特征是否满足预设条件；
在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
可选的，所述方法还包括：
获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
另一方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：
固态存储器；
所述固态存储器包括存储器件和存储控制器；
所述存储控制器用于根据接收到的所述电子设备的运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
可选的，所述电子设备还包括：
系统事件监控模块，用于获得电子设备的运行状态参数。
可选的，所述系统事件监控模块具体用于：
获得所述电子设备的电量剩余参数。
可选的，所述存储控制器具体用于：
判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。
可选的，所述存储控制器具体用于：
判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。
可选的，所述系统事件监控模块具体用于：
获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；
所述存储控制器具体用于：
判断所述数据特征是否满足预设条件；
在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
可选的，所述系统事件监控模块还用于：
获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
所述存储控制器具体用于：
对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
另一方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：
第一获得单元，用于获得电子设备的运行状态参数；
确定单元，用于根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
第二获得单元，用于根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；
存储单元，用于根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：
1、本申请实施例的方案中，通过获得电子设备的运行状态参数；根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；并根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。可见，不同的运行状态参数对应不同的数据存储策略，从而根据电子设备的状态参数灵活确定数据存数策略，将目前数据写入闪存或者缓存中，进而缓解了现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题，实现了根据电子设备的运行状态参数灵活确定数据存储策略的技术效果。
2、本申请实施例中，运行状态参数可以为电量剩余参数，并在电量剩余参数小于或者等于第一电量阈值，即系统电量低时，将缓存中的数据写入缓存，并将电子设备接下来需要写入的数据跳过缓存，直接写入闪存，从而解决了现有技术中存在的，当系统异常断电的时候，缓存中的数据没有及时写回到闪存中，导致系统数据的丢失的技术问题，实现了提高数据安全性的技术效果。
3、本申请实施例的方案中，通过获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；并判断所述数据特征是否满足预设条件；在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。本申请实施例中，可以预先设置预设条件，如：数据连续写入时间，数据格式等，并在当前写入缓存的数据的数据特征满足预设条件时，将数据直接写入闪存中。如：当系统存在大量顺序的写入操作的时，将数据跳过缓存直接写入闪存颗粒中，从而避免换出缓存中的热数据，热数据是指驻留在缓存中的电子设备频繁访问的数据。
4、本申请实施例的方案中，通过获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；并对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整，进而实现智能学习用户行为来调整存储策略的技术效果，使得数据存储策略能够更好的贴近用户的使用习惯，提升用户体验。
附图说明
图1为本申请实施例一中数据存储方法的流程示意图；
图2为本申请实施例一中S20的第一种实现方法的流程示意图；
图3为本申请实施例一中S20的第二种实现方法的流程示意图；
图4为本申请实施例一中调整数据存储策略的方法流程示意图；
图5为本申请实施例二中电子设备的结构框图；
图6为本申请实施例二中固态存储器的结构框图；
图7为本申请实施例三中电子设备的结构框图。
具体实施方式
在本申请实施例提供的技术方案中，由于不同的运行状态参数对应不同的数据存储策略，从而根据电子设备的状态参数灵活确定数据存数策略，将目前数据写入闪存或者缓存中，进而缓解了现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题，实现了根据电子设备的运行状态参数灵活确定数据存储策略的技术效果。
下面结合附图对本申请实施例技术方案的主要实现原理、具体实施方式及其对应能够达到的有益效果进行详细的阐述。
实施例一
本申请实施例中，先对电子设备的结构进行说明，如图5和图6所示，包括：
固态存储器50；
所述固态存储器50包括存储器件501和存储控制器502；
所述存储控制器502用于根据接收到的所述电子设备的运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器50的闪存或者缓存中。
所述电子设备还包括：
系统事件监控模块51，用于获得电子设备的运行状态参数。
本申请实施例中，电子设备可以为计算机，也可以为其他包括固态存储器的电子设备，本申请对此不做限制。
接下来，对本申请实施例提供的数据存储方法进行说明，如图1所示，所述方法包括：
S10：获得电子设备的运行状态参数。
S20：根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略。
S30：根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据。
S40：根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
在S10中，在操作系统中加入系统事件监控模块，监测电子设备的运行状态参数。运行状态参数可以为电子设备自身的状态参数，如：剩余电量；运行状态参数也可以为当前写入缓存的数据的数据特征，如：连续写入时间，数据格式等。
然后，系统事件监控模块将监测到的运行状态参数发送给存储控制器，即闪存的控制器。
接下来，电子设备执行S20：根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略。
本申请实施例中，运行状态参数不同，对应的数据存数策略也不同。接下来，对以下两种数据存储策略进行介绍。
第一种，运行状态参数为电量剩余参数。相应的，S10包括：获得电子设备的电量剩余参数。如图2所示，S20包括：S201：判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值。
具体来讲，在电子设备中可以预先设置第一电量阈值，第一电量阈值用于表征电子设备的剩余电量较低，如：电子设备的电量满时电量参数为100，则第一电量阈值为可以为10，也可以为15。假设电量剩余参数为9，第一电量阈值为10，则判断结果为电量剩余参数小于第一电量阈值。在具体实施过程中，还可以对电子设备的剩余使用时间等参数进行判断，本申请对此不做限制。
接下来，电子设备执行S202：在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。
具体来讲，由于在电子设备的剩余电量较低时，如果继续使用电子设备，可能会导致电子设备电量低自动关机，如果当前缓存中存储有数据，则缓存中的数据会丢失。因此，在电量剩余参数小于或者等于第一电量阈值时，表明电子设备的电量较低，则确定的数据存储策略为：将缓存中存储的数据和电子设备需要写入固态存储器中的数据写入闪存中，从而防止数据丢失。
进一步，在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，表明电子设备的电量较高，则确定所述数据存储策略为：将电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入缓存中，从而减少对闪存颗粒的写入，增加闪存的寿命。
接下来，电子设备执行S30：根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据。
本申请实施例中，目标数据可以为已经写入缓存中的数据，也可以为电子设备接下来要写入固态存储器的数据。
具体来讲，在电子设备的电量低时，数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中，则目标数据为缓存中存储的数据和电子设备需要写入固态存储器的数据。在电子设备的电量较高时，数据存储策略为将电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入缓存中，则目标数据为电子设备需要写入固态存储器的数据。
接下来，电子设备执行S40：根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
本申请实施例中，数据类别至少包括两种，一是缓存中存储的数据，二是电子设备需要写入固态存储器的数据。如果目标数据是缓存中存数的数据，则将目标数据写入闪存中，如果是电子设备需要写入固态存储器的数据，则根据数据存储策略将目标数据存储闪存或者缓存中。
第二种，运行状态参数为当前写入缓存的数据的数据特征。相应的，S10包括：获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征。
本申请实施例中，数据特征可以为连续写入时间，数据格式，以及单位时间内写入的数据量等。相应的，如图3所示，S20包括：
S203：判断所述数据特征是否满足预设条件。
本申请实施例，数据特征为连续写入时间时，预设条件可以为连续写入时间大于或者等于一时长阈值；数据特征为数据格式时，预设条件可以为数据格式为某些特定格式，如：视频格式rmvb，avi，安装包jar，sis等；数据特征为单位时间内写入的数据量时，预设条件可以为单位时间内写入的数据量大于或者等于数据量阈值。
举例来讲，预设条件为连续写入时间大于或者等于5s，假设当前连续写入数据的连续写入时间超过5s时，则确定数据特征满足预设条件；而在当前连续写入数据的连续写入时间为3s时，确定数据特征不满足预设条件。又例如：预设条件为数据格式为rmvb，假设当前写入缓存的数据格式为rmvb，则确定数据特征满足预设条件；而在当前写入缓存的数据格式为doc时，确定数据特征不满足预设条件。
接下来，在数据特征满足预设条件时，电子设备执行S204：在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。而在数据特征不满足预设条件时，将电子设备需要写入所述缓存的数据写入缓存中。
具体来讲，当数据特征满足这些预设条件中的一种或者多种时，都会出现大量数据写入缓存的情况，但由于缓存的容量有限，在大量数据写入时，如果缓存被写满，就会将缓存中的数据写入闪存颗粒。如果缓存中原本保存了一些热数据(用户频繁访问的数据，用户通常需要一直访问)，大量写入的数据会导致缓存中原本存储的热数据被写入闪存，用户再使用这些热数据时，就需要到闪存中读取，进而增加闪存的读取次数。
举例来讲，用户一直对word文档进行编辑，则电子设备会频繁读取缓存中存储的word数据，则可以将word数据确定为缓存中的热数据，假设缓存容量为200MB，当前电子设备正在下载电影，电影的大小为210MB，如果按照先将下载的数据写入缓存，则在缓存被写满时，缓存中的word数据会被写入闪存中，用户再使用这些word数据时，需要从闪存中读取，进而增加闪存的读取次数。
因此，当数据特征满足这些预设条件中的一种或者多种时，如：在数据具有连续写入时间较长，或者数据格式为某些特定格式，又或者单位时间内写入的数据量较大时，确定出的数据存储策略为：将电子设备需要写入缓存的数据直接写入闪存中，从而防止缓存中的热数据被换出。
举例来讲，预设条件为数据连续写入时长超过时长阈值，在用户下载数据的过程中，假设时长阈值为5s，如果当前连续写入数据的连续写入时长超过5s时，电子设备会采用数据存储策略(将电子设备需要写入缓存的数据直接写入闪存中)对下载数据进行存储，即，将接下来需要写入缓存的下载数据跳过缓存，直接写入闪存。
又例如：由于在下载数据的过程中，系统事件监控模块能够监测到大量顺序的写入操作。此时，单位时间内写入的数据量通常较大，因此，预设条件可以为单位时间内写入的数据量超过数据量阈值。假设数据量阈值为1MB/s，则如果单位时间内写入缓存的数据量超过1MB，电子设备会采用数据存储策略(将电子设备需要写入缓存的数据直接写入闪存中)对下载数据进行存储，即，将接下来需要写入缓存下载数据跳过缓存，直接写入闪存。
在具体实施过程中，可以根据缓存的容量对连续写入时间或者数据量阈值进行设定，本申请对此不做限制。
接下来，电子设备执行S30：根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据。
具体来讲，在数据特征满足预设条件时，目标数据为电子设备需要写入所述缓存的数据。
在确定目标数据后，电子设备执行S40，包括：将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存中。
本申请实施例中，如图4所示，所述方法还包括：
S50：获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作。
本申请实施例中，数据访问操作包括电子设备执行的数据写入操作和对缓存中的数据的访问操作，在用户使用电子设备的过程中，电子设备对缓存的写入操作和访问操作可以直接反映用户行为。举例来讲，用户通过电子设备进行视频编辑时，数据访问操作为：电子设备频繁访问缓存中的视频数据。又例如：用户通过电子设备进行文档编辑时，数据访问操作为：电子设备频繁访问缓存中的文档数据。又例如：用户通过电子设备下载数据格式为rmvb的视频，数据访问操作为：电子设备向缓存中写入数据格式为rmvb的视频数据。
接下来，电子设备执行S60：对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果。
便于本领域技术人员更加容易理解本申请的内容，以下举两个具体的例子来说明本申请中对数据访问操作进行分析的过程。
第一例，S60包括：对所述多个数据访问操作进行分析，确定热数据和冷数据，其中，热数据是指驻留在缓存中的电子设备频繁访问的数据；冷数据是指数据被写入缓存后，电子设备对这些数据的访问次数较少的数据。
举例来讲，假设数据访问操作为：电子设备频繁从缓存中读取视频数据，则可以将视频数据作为缓存中的热数据，则分析结果为：将视频数据确定为热数据。在具体实施过程中，以视频数据为例，在确定视频数据是否为热数据时，可以根据一段时间内电子设备访问视频数据的次数来确定。其中，一段时间可以为1个小时，或者2个小时。举例来讲，假设电子设备在1个小时内对视频数据进行了30次访问，则可以确定视频数据为热数据。
又例如，假设数据访问操作为：电子设备向缓存中写入文档数据，在数据写入缓存后，电子设备在一段时间内没有对文档数据进行访问或者访问次数较少，其中，一段时间可以为1个小时，或者2个小时，则可以确定文档数据为冷数据。
接下来，电子设备执行S70：根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
沿用上述视频数据为热数据，文档数据为冷数据的例子，假设当前的数据存储策略为：将电子设备需要写入缓存的视频数据跳过缓存直接写入闪存，将文档数据写入缓存，则调整后的数据存储策略为：将电子设备需要写入缓存的视频数据写入缓存，将文档数据跳过缓存直接写入闪存。
本申请实施例中，可以实时的对数据存储策略进行调整，也可以设定数据存储策略调整周期，例如：每2个小时进行一次调整，或者每天进行一次调整，本申请对此不做限制。
第二例，S60包括：对所述多个数据访问操作进行分析，确定电子设备是否执行大量顺序的写入操作。
举例来讲，在拷贝数据或者下载数据时，电子设备会执行大量顺序的写入操作，此时，如果将拷贝的数据或者下载的数据先写入缓存，再写入闪存，需要进行两次数据写入操作。假设当前的数据存储策略为：将电子设备需要写入缓存的数据写入缓存，则S70包括：根据分析结果，将数据存储策略调整为：将电子设备需要写入缓存的数据跳过缓存直接写入闪存，从而减少一次写入操作。在对数据存储策略进行调整后，电子设备会将拷贝的数据或者下载的数据跳过缓存，直接写入闪存。
实施例二
基于同一发明构思，本申请实施例提供一种电子设备，如图5和图6所示，包括：
固态存储器50；
所述固态存储器50包括存储器件501和存储控制器502；
所述存储控制器502用于根据接收到的所述电子设备的运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器50的闪存或者缓存中。
可选的，所述电子设备还包括：
系统事件监控模块51，用于获得电子设备的运行状态参数。
可选的，所述系统事件监控模块51具体用于：
获得所述电子设备的电量剩余参数。
可选的，所述存储控制器502具体用于：
判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器50的数据写入所述闪存中。
可选的，所述存储控制器502具体用于：
判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器50的数据写入所述缓存中。
可选的，所述系统事件监控模块51具体用于：
获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；
所述存储控制器502具体用于：
判断所述数据特征是否满足预设条件；
在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
可选的，所述系统事件监控模块51还用于：
获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
所述存储控制器502具体用于：
对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
实施例三
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种电子设备，如图7所示，包括：
第一获得单元60，用于获得电子设备的运行状态参数；
确定单元61，用于根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
第二获得单元62，用于根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；
存储单元63，用于根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
可选的，所述第一获得单元60具体用于：
获得所述电子设备的电量剩余参数。
可选的，所述确定单元61具体用于：
判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。
可选的，所述确定单元61具体用于：
判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。
可选的，所述第一获得单元60具体用于：
获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；
所述确定单元61具体用于：
判断所述数据特征是否满足预设条件；
在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
可选的，所述第一获得单元60具体用于获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
所述确定单元61具体用于：
对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
通过本申请实施例中的一个或多个技术方案，可以实现如下一个或多个技术效果：
1、本申请实施例的方案中，通过获得电子设备的运行状态参数；根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；并根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。可见，不同的运行状态参数对应不同的数据存储策略，从而根据电子设备的状态参数灵活确定数据存数策略，将目前数据写入闪存或者缓存中，进而缓解了现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题，实现了根据电子设备的运行状态参数灵活确定数据存储策略的技术效果。
2、本申请实施例中，运行状态参数可以为电量剩余参数，并在电量剩余参数小于或者等于第一电量阈值，即系统电量低时，将缓存中的数据写入缓存，并将电子设备接下来需要写入的数据跳过缓存，直接写入闪存，从而解决了现有技术中存在的，当系统异常断电的时候，缓存中的数据没有及时写回到闪存中，导致系统数据的丢失的技术问题，实现了提高数据安全性的技术效果。
3、本申请实施例的方案中，通过获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；并判断所述数据特征是否满足预设条件；在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。本申请实施例中，可以预先设置预设条件，如：数据连续写入时间，数据格式等，并在当前写入缓存的数据的数据特征满足预设条件时，将数据直接写入闪存中。如：当系统存在大量顺序的写入操作的时，将数据跳过缓存直接写入闪存颗粒中，从而避免换出缓存中的热数据，热数据是指驻留在缓存中的电子设备频繁访问的数据。
4、本申请实施例的方案中，通过获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；并对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整，进而实现智能学习用户行为来调整存储策略的技术效果，使得数据存储策略能够更好的贴近用户的使用习惯，提升用户体验。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
具体来讲，本申请实施例中的数据存储方法对应的计算机程序指令可以被存储在光盘，硬盘，U盘等存储介质上，当存储介质中的与数据存储方法对应的计算机程序指令被一电子设备读取或被执行时，包括如下步骤：
获得电子设备的运行状态参数；
根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；
根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
可选的，所述存储介质中存储的与步骤：获得电子设备的运行状态参数，对应的计算机指令在具体被执行过程中，具体包括如下步骤：
获得所述电子设备的电量剩余参数。
可选的，所述存储介质中存储的与步骤：根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，对应的计算机指令在具体被执行过程中，具体包括如下步骤：
判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。
可选的，所述存储介质中存储的与步骤：根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，对应的计算机指令在具体被执行过程中，具体包括如下步骤：
判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。
可选的，所述存储介质中存储的与步骤：获得电子设备的运行状态参数，对应的计算机指令在具体被执行过程中，具体包括如下步骤：
获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征。
可选的，所述存储介质中存储的与步骤：根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，对应的计算机指令在具体被执行过程中，具体包括如下步骤：
判断所述数据特征是否满足预设条件；
在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
可选的，所述存储介质中还存储有另外一些计算机指令，这些计算机指令在被执行时包括如下步骤：
获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种数据存储方法，包括：
获得电子设备的运行状态参数；其中，所述运行状态参数包括所述电子设备的电量剩余参数或所述电子设备当前写入缓存的数据的数据特征；所述数据特征为连续写入时间、数据格式或单位时间内写入的数据量；
根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
当所述运行状态参数为所述电子设备的电量剩余参数时，根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括：
判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入固态存储器的数据写入闪存中；或
当所述运行状态参数为所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征时，根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略包括：
判断所述数据特征是否满足预设条件；
在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括：
判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
4.一种电子设备，包括：
固态存储器；
所述固态存储器包括存储器件和存储控制器；
所述存储控制器用于根据接收到的所述电子设备的运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
其中，所述运行状态参数包括所述电子设备的电量剩余参数或所述电子设备当前写入缓存的数据的数据特征；所述数据特征为连续写入时间、数据格式或单位时间内写入的数据量；
当所述运行状态参数为所述电子设备的电量剩余参数时，所述存储控制器具体用于：
判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入闪存中；或
当所述运行状态参数为所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征时，所述存储控制器具体用于：
判断所述数据特征是否满足预设条件；
在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
5.如权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括：
系统事件监控模块，用于获得电子设备的运行状态参数。
6.如权利要求5所述的电子设备，其特征在于，所述系统事件监控模块具体用于：
获得所述电子设备的电量剩余参数。
7.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述存储控制器具体用于：
判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。
8.如权利要求5所述的电子设备，其特征在于，所述系统事件监控模块具体用于：
获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征。
9.如权利要求5所述的电子设备，其特征在于，所述系统事件监控模块还用于：
获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
所述存储控制器具体用于：
对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
10.一种电子设备，包括：
第一获得单元，用于获得电子设备的运行状态参数；其中，所述运行状态参数包括所述电子设备的电量剩余参数或所述电子设备当前写入缓存的数据的数据特征；所述数据特征为连续写入时间、数据格式或单位时间内写入的数据量；
确定单元，用于根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
第二获得单元，当所述运行状态参数为所述电子设备的电量剩余参数时，所述第二获得单元用于，判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；或
当所述运行状态参数为所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征时，所述第二获得单元用于，判断所述数据特征是否满足预设条件；
存储单元，当所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入固态存储器的数据写入闪存中；或
当所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
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