CN110968524B - 数据存储控制方法、装置、存储介质及电子装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种数据存储控制方法、装置、存储介质及电子装置;方法包括:检测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据的第一数据量;将第一数据量与SLC的最大存储量进行比对;当第一数据量达到SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中;通过该存储控制方法,可以控制SLC中存储的数据量达到一定的限度后再进行搬移至TLC中。如此可以提高高性能、高稳定性的TLC的利用率;另一方面由于数据存储在TLC中可以更快地进行调用,从而该方法也提高了设备的读写性能。
Description
技术领域
本发明属于数据存储技术领域,尤其涉及一种数据存储控制方法、装置、存储介质及电子装置。
背景技术
电子设备中写输入的过程一般是先将写输入的内容存储至读写性能好、稳定性高的存储器中,再将存储的内容搬移至性能及稳定性相对较差但存储容量更大的存储器中。目前写输入时的存储内容搬移方法存在读写性能高、稳定性高的存储器的利用率不高的问题,影响电子设备的读写性能。
发明内容
本发明提供一种数据存储控制方法、装置、存储介质及电子装置,用以解决现有技术中电子设备在写输入时存储内容从SLC搬移到TLC时存在的SLC利用率不高,影响电子设备读写性能的技术问题。
本申请实施例第一方面提供一种数据存储控制方法,方法包括:
检测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据的第一数据量;
将所述第一数据量与SLC的最大存储量进行比对;
当所述第一数据量达到所述SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
本申请实施例第二方面提供了一种数据存储控制装置,装置包括:
获取模块,用于检测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据的数据量;
比对模块,用于将所述数据量与SLC的最大存储量进行比对;
搬移模块,用于当所述数据量达到所述SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
本申请实施例第三方面提供了一种存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时,实现第一方面提供的方法中的各个步骤。
本申请实施例第四方面提供了一种电子装置,包括:存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时,实现第一方面提供的存储控制方法中的步骤。
从上述本申请实施例可知,本申请提供的存储控制方法,包括:检测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据的数据量;将数据量与SLC的最大存储量进行比对;当数据量达到SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中。通过该存储控制方法,可以控制SLC中存储的数据量达到SLC的最大存储量后再进行搬移至TLC中。如此可以提高高性能、高稳定性的SLC的利用率。数据存储在SLC中可以更快地进行调用,提高了设备的读写性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中一种电子设备的结构框图;
图2为本申请实施例提供的数据存储控制方法的一种流程示意图;
图3为本申请实施例提供的数据存储控制方法的另一种流程示意图;
图4为本申请实施例提供的UFS的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的数据存储控制装置的结构示意图。
具体实施方式
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而非全部实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1示出了一种电子设备的结构框图,本申请实施例提供的数据存储控制方法可应用于如图1所示的电子设备10中,该电子设备10可以但不限于包括:需要依靠电池维持正常运行且支持图像及视频拍摄功能的智能手机、平板电脑等。
如图1所示,电子设备10包括数据输入组件101、处理器102(可以是多个,图中仅示出一个)、单层式存储103以及三层式存储104。这些组件通过一条或多条通讯总线/信号线106相互通讯。可以理解的是,单层式存储与三层式存储同属于电子设备的存储器。图1中为对二者进行区分而进行分别绘出,二者属于电子设备的同一模块。
可以理解,图1所示的结构仅为示意,其并不对电子设备的结构造成限定。电子设备10还可以包括比图1所示更多或者更少的组件,或者具有与图1所示不同的配置。图1所示的各组件可以采用硬件、软件或者其组合实现。
数据输入组件101用于接收操作人员或用户的操作指令。操作指令可以通过电子计算机的键盘鼠标等方式输入,也可以通过触控显示屏的触摸操作输入,还可以通过电子设备的功能按键进行输入。
处理器102用于将通过数据输入组件输入的数据进行处理以及将处理器中存储的数据进行调用。包括但不限于按照数据输入的时间顺序对输入的数据进行存储与记录、按照一定的规则对存储于SLC中的数据进行搬移等。
单层式存储103用于对经处理器102处理后的数据进行缓存,单层式存储103具有较高的稳定性和较良好的读写性能,处理器102对单层式存储103中存储的数据可以高效地调用。但单层式存储103的存储容量较小,因此为完成对数据的长期存储处理器102控制单层式存储103按照一定的规律将存储于单层式存储103中的数据搬移至三层式存储104中。
基于上述电子设备10,为了解决在这类电子设备中在写输入中存储内容从SLC搬移到TLC时存在的SLC利用率不高,影响电子设备读写性能的技术问题。本申请实施例提供了一种存储控制方法,如图2所示为本申请实施例提供的数据存储控制方法的流程示意图,该数据存储控制方法包括以下步骤:
步骤201,检测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据的第一数据量。
NAND 闪存(NAND flash)是目前运用比较普遍的flash存储器。NAND flash存储器具有容量大、改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因此在业界也得到越来越广泛的运用。NAND flash根据存储原理可以分为多种:单层式存储(Single Level Cell,SLC)、多层式存储(Multi Level Cell,MLC)以及延伸出的三层式存储(Triple Level Cell,TLC)等。
需要理解的是,根据NAND的物理结构,NAND flash是通过绝缘层存储数据的,当需要写入数据时,需要对NAND flash施加电压形成一个电场,如此电子即可以通过绝缘体进入到存储单元,从而完成写入数据。如果需要删除数据,则需要再次施加电压让电子穿过绝缘层离开存储单元,从而完成数据删除。因此在重新写入新数据之前就必须删除原来的数据。以SLC为例,当数据持续写入时,达到SLC存储上线时,数据便无法写入,此时需要将存储于SLC中的数据进行搬移。即将SLC中存储的数据写入至其他存储器并将SLC中相应的数据予以删除。
在SLC中,一个存储单元可以存放一比特的数据,而在TLC中一个存储单元可以存放三比特的数据,即TLC中单位容量的存储器可以存储更多数据。
SLC在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存一个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取。由于数据写入到TLC中需要多种不同电压状态,而施加不同的电压状态,尤其是相对较高的电压,需要更长的时间才能得以实现。所以,在TLC中数据所需访问时间更长,因此传输速度更慢。即SLC相对于TLC拥有更好的读写性能。
鉴于SLC与TLC的优劣势,目前多数商家采用SLC与TLC集合的存储方式,以充分利用SLC的高稳定性、高读写性能以及TLC的高存储空间和低成本。设备将用户写入的数据存储在SLC中以满足高读写性能的要求,再将SLC中存储的数据搬移至TLC中以实现更大的数据存储。但目前SLC中存储的数据向TLC中搬运的机制为在每次系统进入休眠时,或无数据输入时即进行数据的搬移,这导致多数时候SLC中存储很少的数据都需进行搬移。导致SLC的利用率不高,且多次搬运也会导致设备的功耗增加。因此本申请实施例提供一种存储控制方法以在一定程度上解决上述至少一个技术问题。
在本申请实施例中,为避免SLC在存储少量数据的情况下就进行数据的搬移,需要先对SLC中存储的数据量进行评估。即首先对SLC中存储的数据的数据量大小进行获取,获取SLC中存储的数据的数据量大小的方法有多种,将在下文进行分别论述。
步骤202,将第一数据量与SLC的最大存储量进行比对。
在本申请实施例中,在每次检测到SLC中有数据写入时,都对SLC中已经存储的数据的数据量进行确定。确定了SLC中的实际存储的数据的数据量后,将SLC中实际存储的数据的数据量即上述第一数据量与SLC的最大存储进行比对。
步骤203,当第一数据量达到SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
在本申请实施例中,当SLC中的存储的数据的数据量达到SLC的最大存储量时,开始将SLC中存储的数据写入TLC中,并将SLC中与已经写入TLC中的数据对应的数据进行删除。可以理解的是,当SLC中存储的数据达到SLC最大存储量时,SLC中无更多存储空间,此时控制处理器向主控端发送通知信息以提示主控端关闭写输入功能,停止数据输入。
本申请实施例提供的数据存储控制方法,方法包括:检测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据量;将SLC存储的数据量与SLC的最大存储量进行比对;当SLC存储的数据量达到SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中。通过该存储控制方法,可以控制SLC中存储的数据量达到SLC的最大存储量后再进行搬移至TLC中。如此可以避免高性能、高稳定性的TLC在存储较少数据的情况下就进行数据搬移。从而提高了SLC的利用率,存储在TLC中数据可以更快地进行调用,一定程度上提高了设备的读写性能。
进一步地,获取SLC中存储的数据的第一数据量,包括:
向数据量监控器发送数据量信息获取请求,数据量监控器用于监测SLC中存储的数据的数据量;
根据数据量监控器返回的数据量信息确定SLC中存储的数据的第一数据量。
在本申请实施例中,独立于处理器之外可以单独设置一个用于监控SLC中存储数据量的数据量监控器。该数据量监控器可以采用上述累计方法监控SLC中存储的数据量,也可以采用其他方法对SLC中存储的数据量进行监控。可以理解的是,该数据量监控器对SLC中存储的数据量的监控是实时的。当处理器检测到SLC中有数据写入时,处理器向数据量监控器发送数据量信息获取请求,数据量监控器接收到处理器发送的数据量信息获取请求后,向处理器发送监控到的SLC中的数据量信息,处理器根据该数据量信息确定SLC中存储的数据量。
进一步地,获取SLC中存储的数据的第一数据量,包括:
获取当次写入的数据的数据量以及数据写入前SLC中存储的数据的数据量;
利用当次写入的数据的数据量以及数据写入前SLC中存储的数据的数据量确定SLC中存储的数据的第一数据量。
在本申请实施例中,对数据存储进行控制的可以是处理器,也可以是存储器本身带有的处理模块。以处理器对数据存储进行控制为例进行进一步介绍对SLC中存储的数据量的获取方法。从SLC中未存储任何数据开始,在检测到SLC中有数据写入时,获取本次写入的数据量的大小,对数据量大小进行存储。在后续再次检测到SLC中有数据写入时,再次获取写入的数据量的大小并对本次输入及之前输入的数据量进行累计得到累计存储的数据量。可以理解的是,累计存储的数据量就是前述SLC中存储的数据的第一数据量。
在本申请实施例中,可以理解的是,当SLC中存储的数据量达到SLC的最大存储量时会将SLC中的数据搬移至TLC中。即将数据写入至TLC并将SLC中与已经写入至TLC中的数据相应的数据进行删除。在删除时,处理器还可以获取每次删除的数据量的大小,并相应计算删除后SLC中剩余的数据量的大小。如此以便后续再有数据写入至TLC中时,可利用剩余的数据量与写入的数据量计算得出SLC中存储的数据的数据量。
进一步地,将SLC中存储的数据搬移至TLC中,包括:
获取SLC中存储的数据的写入时间;
根据数据的写入时间的先后顺序将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
在本申请实施例中,当SLC中存储的数据的数据量达到第一预设数据量时,将SLC中的数据搬移至TLC中。可以理解的是,一般情况下系统对较近写入的数据的调用更为频繁,写入时间较久的数据调用频率相对较低。因此可以先行获取存储于SLC中的数据的写入时间,再根据数据写入时间的先后顺序将写入时间较久的数据先行搬移至TLC中。当然,按照数据写入的时间顺序进行搬移只是一种可选的方案。也可以对SLC中存储的数据进行分类,可以分为调用频率较高的数据以及调用频率较低的数据。优先将调用频率较低的数据进行搬移。
进一步地,如图3所示,为本申请实施例提供的数据存储控制方法的另一流程示意图,方法包括:
步骤301,监测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据量。
步骤302,将SLC中存储的数据量与SLC的最大存储量进行比对。
步骤303,当SLC存储的数据量达到SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中,并持续获取SLC中存储的第二数据量;
步骤304,将所述SLC中存储的第二数据量与预设数据量进行比对;
步骤305,当所述SLC中存储的第二数据量达到预设数据量时,停止将SLC中存储的数据搬运至TLC中。
可以理解的是,步骤301、步骤302以及步骤303 的内容与步骤201、202以及步骤203的内容相同,此处不予赘述。
在本申请实施例中,在将SLC中的数据搬移至TLC的过程中,会将SLC中已搬移至TLC中的数据进行擦除, SLC中存储的数据量逐渐减少。此时持续对SLC中剩余的数据量进行监控,当SLC中剩余存储的数据量达到一个预定的下限(即第二预设数据量)时,停止将SLC中的数据搬运至TLC中。可以理解的是,这个预定的下限可以设置为0,即将SLC中的数据完全搬运至TLC中才停止搬运。也可以根据SLC的实际存储空间设定一个下限值,以便将部分数据保留存储在SLC中,提升这部分数据后续的调取速率。
以下通过一个实际的实施例对本方案的内容进行进一步的介绍:
如图4所示,为本申请实施例提供的Unix文件系统(Unix File System,UFS)的结构示意图。UFS包括主控端410以及器件端420,器件端包括SLC422以及TLC423,主控端与器件端通过接口411以及接口421相连。主控端410还设置有对SLC422存储量进行监控的程序,当SLC422中存储满或者是空的时候,器件端420发送指令给主控端410。
主控端410在初始化时打开写输入功能,用户可通过主控端410对SLC422进行写输入以将数据存储至SLC422。当SLC422满了时,器件端420发送指令给主控端410。主控端410接收到器件端420发送的指令后,关闭写输入功能,并向器件端420发送指令以控制器件端420将存储于SLC422中的数据搬移至TLC423中。当SLC422中的数据完全搬移至TLC423中后,器件端420向主控端410发送指令以提示SLC422中数据已经搬移空。此时主控端410再控制打开写输入功能,如此循环。
进一步地,方法还包括:
响应于检测到的息屏指令,记录息屏状态的持续时间,息屏指令用于控制具有显示屏的电子设备进入息屏状态;
当息屏状态持续时间达到预设时间时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
在本申请实施例中,电子设备可以为具有屏幕的电子设备,在上述步骤的任一步骤的实施过程中,如果电子设备检测到用户输入的息屏指令,则开始记录电子设备的息屏状态的持续时间。当息屏状态的持续时间达到预设时间时,预设时间可以根据需要进行设定,比如1min或30s,则控制将SLC中存储的数据搬移至TLC中。本实施例提供的数据存储控制方法,在电子设备处于休眠状态时,自动将SLC中存储的数据转移至TLC中存储,如此进一步降低了在电子设备使用中搬移的频率,从而进一步提高了电子设备的读写性能和工作效率。
进一步地,方法还包括:
响应于接收到的清理缓存指令,确定SLC中的数据存储量是否为0;
若SLC中的数据存储量不为0,则将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
在本申请实施例中,在电子设备实际使用过程中,会存在SLC中的存储数据的数据量未达到第一预设数据量,但用户感觉使用比较卡顿的情况。部分用户会选择在电子设备上装载例如手机管家等清理缓存的软件。当电子设备检测到用户使用此类清理缓存的软件输入的清理缓存指令时,对SLC中存储的数据的数据量进行检测,当SLC中存储的数据量不为0时,则控制将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
本申请实施例第二方面提供了一种数据存储控制装置,如图5所示,为本申请实施例提供的数据存储控制装置的结构示意图,装置包括:
获取模块501,用于检测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据的第一数据量;
比对模块502,用于将第一数据量与SLC的最大存储量进行比对;
搬移模块503,用于当第一数据量达到SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
可以理解的是,本申请实施例提供的数据存储控制装置的各模块的功能与图2实施例中提供的数据存储控制方法中各步骤的内容相同,此处不再予以赘述。
本申请实施例提供的数据存储控制装置,对SLC中存储的数据量进行监控,当SLC中存储的数据量达到SLC的最大存储量时,再控制将SLC中的数据搬移至TLC中。相对于在UFS每次进入休眠时都将SLC中存储的数据搬移至TLC中,本申请实施例提供的数据存储控制装置,可以在一定程度上降低数据从SLC中搬移至TLC中的搬移次数,从而提升了SLC的利用率。而且数据搬移次数的减少即减少了数据在SLC及TLC上擦写次数,从而在一定程度上提升了SLC及TLC的寿命。另外,由于SLC相对于TLC具有更优的读写性能,更多数据保存在SLC中也可以有效地降低系统对于存储的内容的调用时间,从而进一步地提升电子设备的操作运行速度,使得电子设备操作更为流畅。
本申请实施例第三方面还提供了一种存储介质,该存储介质可以是设置于上述个实施例中的电子装置中,该存储介质可以是存储器。该存储介质上存储有计算机程序,该程序被处理器执行时实现前述实施例中的指纹识别控制方法。进一步的,该计算机可存储介质还可以是U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本申请实施例第四方面提供了一种电子装置,装置包括:
存储器、处理器以及存储在储存器上并可在处理器上运行的计算机程序,处理器执行计算机程序时,实现上述数据存储控制方法的各个步骤。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,模块的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的,作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中,也可以是各个模块单独物理存在,也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。
集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个可读存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的可读存储介质包括:U盘、移动硬盘、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简便描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本申请并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本申请,某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定都是本申请所必须的。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
以上为对本申请所提供的数据存储控制方法、装置、存储介质及电子装置的描述,对于本领域的技术人员,依据本申请实施例的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种数据存储控制方法,其特征在于,所述方法包括:
检测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据的第一数据量;
将所述第一数据量与SLC的最大存储量进行比对;
当所述第一数据量达到所述SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中,并持续获取SLC中存储的数据的第二数据量;
将所述第二数据量与预设数据量进行比对,所述预设数据量根据SLC的实际存储空间设定,所述预设数据量大于0;
当所述第二数据量达到所述预设数据量时,停止将SLC中存储的数据搬运至TLC中。
2.根据权利要求1所述的数据存储控制方法,其特征在于,所述获取SLC中存储的数据的第一数据量,包括:
向数据量监控器发送数据量信息获取请求,所述数据量监控器用于监测SLC中存储的数据的数据量;
根据所述数据量监控器返回的数据量信息确定SLC中存储的数据的第一数据量。
3.根据权利要求1所述的数据存储控制方法,其特征在于,所述获取SLC中存储的数据的第一数据量,包括:
获取当次写入的数据的数据量以及数据写入前SLC中存储的数据的数据量;
利用当次写入的数据的数据量以及数据写入前SLC中存储的数据的数据量确定SLC中存储的数据的第一数据量。
4.根据权利要求1中所述的数据存储控制方法,其特征在于,所述将SLC中存储的数据搬移至TLC中,包括:
获取SLC中存储的数据的写入时间;
根据所述数据的写入时间的先后顺序将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
5.根据权利要求1所述的数据存储控制方法,其特征在于,所述方法还包括:
响应于检测到的息屏指令,记录息屏状态的持续时间,所述息屏指令用于控制具有显示屏的电子设备进入息屏状态;
当息屏状态持续时间达到预设时间时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
6.根据权利要求1所述的数据存储控制方法,其特征在于,所述方法还包括:
响应于接收到的清理缓存指令,确定SLC中的数据存储量是否为0;
若SLC中的数据存储量不为0,则将SLC中存储的数据搬移至TLC中。
7.一种数据存储控制装置,其特征在于,所述装置包括:
获取模块,用于检测到SLC中有数据写入时,获取SLC中存储的数据的数据量;
比对模块,用于将所述数据量与SLC的最大存储量进行比对;
搬移模块,用于当所述数据量达到所述SLC的最大存储量时,将SLC中存储的数据搬移至TLC中,并持续获取SLC中存储的数据的第二数据量;将所述第二数据量与预设数据量进行比对,所述预设数据量根据SLC的实际存储空间设定,所述预设数据量大于0;当所述第二数据量达到所述预设数据量时,停止将SLC中存储的数据搬运至TLC中。
8.一种存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时,实现权利要求1~6中的任意一项所述的数据存储控制方法中的步骤。
9.一种电子装置,包括:存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时,实现权利要求1~6中的任意一项所述的数据存储控制方法中的步骤。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112764678A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-05-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 数据搬移方法、相关装置、以及计算机存储介质 |
CN113419679B (zh) * | 2021-06-18 | 2023-06-30 | Oppo广东移动通信有限公司 | 存储装置、系统级芯片、电子设备及存储方法 |
CN114489504B (zh) * | 2022-01-21 | 2023-08-08 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种ssd数据管理方法及相关组件 |
CN114564152A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-05-31 | 联想(北京)有限公司 | 闪存控制方法及装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106843762A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-06-13 | 北京联想核芯科技有限公司 | 管理存储区域的方法及固态硬盘 |
CN107943713A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-20 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 一种提升固态硬盘读性能的方法及固态硬盘 |
CN108733318A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 立而鼎科技(深圳)有限公司 | 一种tlc nand flash固态硬盘的写入方法 |
CN109147849A (zh) * | 2017-06-19 | 2019-01-04 | 慧荣科技股份有限公司 | 数据储存装置及非挥发式存储器操作方法 |
CN109671458A (zh) * | 2017-10-17 | 2019-04-23 | 联发科技股份有限公司 | 管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器 |
CN110413224A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-11-05 | 深圳佰维存储科技股份有限公司 | 数据存储方法、装置及存储器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8843691B2 (en) * | 2008-06-25 | 2014-09-23 | Stec, Inc. | Prioritized erasure of data blocks in a flash storage device |
US9146851B2 (en) * | 2012-03-26 | 2015-09-29 | Compellent Technologies | Single-level cell and multi-level cell hybrid solid state drive |
US9519439B2 (en) * | 2013-08-28 | 2016-12-13 | Dell International L.L.C. | On-demand snapshot and prune in a data storage system |
US20150120988A1 (en) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Skymedi Corporation | Method of Accessing Data in Multi-Layer Cell Memory and Multi-Layer Cell Storage Device Using the Same |
CN109119106B (zh) * | 2017-06-26 | 2022-08-02 | 中兴通讯股份有限公司 | 数据存储方法、设备及计算机可读存储介质 |
CN107450858A (zh) * | 2017-08-11 | 2017-12-08 | 湖南国科微电子股份有限公司 | 一种固态硬盘分级存储方法及系统 |
US10521146B1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-12-31 | Micron Technology, Inc. | UFS based idle time garbage collection management |
CN108255419A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-07-06 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 一种用于tlc类型ssd的磨损均衡方法及ssd |
-
2019
- 2019-12-09 CN CN201911248446.5A patent/CN110968524B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106843762A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-06-13 | 北京联想核芯科技有限公司 | 管理存储区域的方法及固态硬盘 |
CN108733318A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 立而鼎科技(深圳)有限公司 | 一种tlc nand flash固态硬盘的写入方法 |
CN109147849A (zh) * | 2017-06-19 | 2019-01-04 | 慧荣科技股份有限公司 | 数据储存装置及非挥发式存储器操作方法 |
CN109671458A (zh) * | 2017-10-17 | 2019-04-23 | 联发科技股份有限公司 | 管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器 |
CN107943713A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-20 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 一种提升固态硬盘读性能的方法及固态硬盘 |
CN110413224A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-11-05 | 深圳佰维存储科技股份有限公司 | 数据存储方法、装置及存储器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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