CN105182595B - 显示基板、显示装置及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板、显示装置及其制作方法，属于显示技术领域。该显示基板包括衬底；以及布置在该衬底上的蓝光抑制层，其中该蓝光抑制层减弱一部分由光源发射的蓝光。在本公开中，通过在已有显示装置的制作工艺中形成蓝光抑制层，无需大幅改动制作工艺，从而以简单且成本有效的方式解决显示装置中的蓝光伤害问题。

Description

显示基板、显示装置及其制作方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体地涉及一种显示基板、显示装置及其制作方法。
背景技术
LED(light emitting diode，发光二极管)产生的白光主要是通过蓝光芯片结合黄色荧光粉实现。蓝光是指波长为大约400-500nm的可见光。LED产生的白光中的蓝光的波长和强度集中在460nm附近，例如440-470nm，对眼睛造成很大负担。当长时间暴露于蓝光时，人眼可能遭受各种伤害。国际照明委员会CIE在2002年颁布了CIE S009:2002《PHOTOBIOLOGICAL SAFETY OF LAMPS AND LAMP SYSTEMS(灯和灯系统的光生物安全性)》标准，开始提及到蓝光相关危害。国际电工委员会IEC在2012年出版了IEC/TR 62778，明确了LED蓝光辐射强度危害的三个等级。日本有多名知名眼科医学专家针对先进显示器材大规模采用LED背光源建立了蓝光研究会，研究蓝光对眼镜视网膜、角膜、眼疲劳、睡眠质量、神经系统、肥胖、癌症等身体健康的影响。由此可见，LED的蓝光伤害已经越发受到人们的重视。
诸如LCD(liquid crystal display，液晶显示器)的显示装置通常采用LED作为背光模块中的光源。为此，在一些防蓝光的液晶显示装置中，分立的光学膜被贴附到液晶显示装置以过滤掉一部分由LED发出的440-470nm波段的高能量蓝光。这种情况下，要求增加一层额外的光学膜，导致成本提高且厚度增加。在另一些防蓝光的液晶显示装置中，通过调适背光源，使所发射的蓝光位于特定波段或者使蓝光的波峰位于特定波段。这种情况下，要求对光源进行调整，使得成本高昂并且导致功耗增大。类似地，在OLED(organic lightemitting display，有机发光显示器)中同样存在蓝光伤害问题。
因此，本领域中存在对一种改进的防蓝光伤害方法和显示装置的需求。
发明内容
本公开的目的在于减轻或解决前文所提到的问题的一个或多个。具体而言，本公开的显示基板、显示装置及其制作方法可以兼容已有显示装置的制作工艺，无需改动制作工艺和装置硬件，从而以简单且成本有效的方式解决显示装置中的蓝光伤害问题。
在第一方面，提供了一种显示基板，包括：衬底；以及布置在该衬底上的蓝光抑制层，其中该蓝光抑制层减弱一部分由光源发射的蓝光。
根据此技术方案，在已有显示基板的制作过程中即可形成蓝光抑制层。即，该蓝光抑制层的制作工艺兼容已有显示装置的制作工艺，因此无需大幅改动制作工艺，从而以简单且成本有效的方式解决显示装置中的蓝光伤害问题。另外，由于蓝光抑制层形成于该显示基板中，这有助于降低显示基板的厚度，进而降低显示装置的厚度。
优选地，该蓝光抑制层可以直接形成于该衬底上。
根据此技术方案，蓝光抑制层直接形成于显示基板的衬底上。藉此，该蓝光抑制层可以提前形成于衬底上，有利于实现模块化作业，从而避免占用制作设备的工作时间(uptime)，进而提高设备的稼动率(operation ratio)。
优选地，该显示基板还可以包括形成于该衬底上的薄膜晶体管、钝化层和像素电极；以及该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源区和源/漏电极。
根据此技术方案，该显示基板可以为阵列基板。具体而言，根据本公开的蓝光抑制层可以形成于显示装置的阵列基板中。阵列基板通常包括若干介质层，即，阵列基板的制作工艺本身就涉及形成介质层的步骤。这非常有利于形成本公开的蓝光抑制层，特别是当该蓝光抑制层由一个或多个透明介质层形成时。
优选地，该蓝光抑制层可以形成于该栅极绝缘层上；以及该像素电极可以通过贯穿该钝化层的过孔电连接到该薄膜晶体管的源/漏电极。
根据此技术方案，在形成薄膜晶体管的栅极绝缘层后，形成蓝光抑制层。这有利于兼容已有的阵列基板的制作工艺。例如，栅极绝缘层和蓝光抑制层可以依次在同一个成膜腔室内形成。
优选地，该蓝光抑制层可以形成于该钝化层上；以及该像素电极可以通过贯穿该蓝光抑制层和该钝化层的过孔电连接到该薄膜晶体管的源/漏电极。
根据此技术方案，在形成薄膜晶体管的钝化层后，形成蓝光抑制层。这有利于与已有的阵列基板的制作工艺相兼容。例如，可以在同一个成膜腔室内依次形成钝化层和蓝光抑制层。在具体实施例中，显示基板还可以包括形成于钝化层上的平坦化层。这种情况下，蓝光抑制层可以形成于该平坦化层上。总体而言，可以在阵列基板的任何介质层上布置该蓝光抑制层，从而有利于将蓝光抑制层的形成步骤整合到已有的阵列基板制作工艺中。
优选地，该显示基板可以包括蓝色亚像素区和非蓝色亚像素区，以及在该非蓝色亚像素区的显示区域中，该显示基板可以包括该衬底以及形成于该衬底上的像素电极。
蓝光抑制层也会在一定程度上反射由光源发射的其它颜色的光，例如红光和绿光。根据此技术方案，非蓝色亚像素区的显示区域中的蓝光抑制层被刻蚀掉，由此避免对蓝色以外的光的影响。
优选地，在该非蓝色亚像素区的显示区域，该显示基板可以包括该衬底、平坦化层和形成于该平坦化层上的像素电极。
根据此技术方案，当非蓝色亚像素区的显示区域中的蓝光抑制层被刻蚀掉之后，可以沉积一层平坦化层，然后在该平坦化层上形成像素电极。该平坦化层可以消除非蓝色亚像素区的显示区域中由于蓝光抑制层被刻蚀掉之后形成的显著段差(difference inheight)，进而避免由于该段差可能导致的位于不同层的导电层之间短路。
优选地，该显示基板还可以包括形成于该蓝光抑制层上的黑矩阵层和彩色滤光片。
根据此技术方案，该显示基板可以为彩膜基板。具体而言，根据本公开的蓝光抑制层可以设置在彩膜基板中，具体而言设置在彩膜基板的衬底上。
优选地，该显示基板还可以包括形成于该衬底的第一侧上的薄膜晶体管和像素电极，以及形成于该衬底的第一侧或第二侧上的黑矩阵层和彩色滤光片；以及该蓝光抑制层形成于该衬底的第一侧或第二侧。
根据此技术方案，该显示基板可以为彩膜阵列(color filter on array，COA)基板。具体而言，在该彩膜阵列基板中，薄膜晶体管和彩色滤光片分别形成于衬底的两侧或同侧。根据本公开的蓝光抑制层可以形成于该彩膜阵列基板的薄膜晶体管一侧，也可以形成于该彩膜阵列基板的另一侧。
优选地，在由该光源发射的蓝光的光路上，该蓝光抑制层可以包括布置在透明介质底层上的第一透明介质层和第二透明介质层；该第一透明介质层的折射率n1大于该透明介质底层的折射率n0；以及该第一透明介质层的折射率n1大于该第二透明介质层的折射率n2。
根据此技术方案，该蓝光抑制层依次包括透明介质底层、第一透明介质层和第二透明介质层，并且三者的折射率满足n0<n1>n2。藉此，相对于从光源入射的光而言，这三层一起作为增反膜，从而减弱从光源入射的光。具体而言，该透明介质底层可以为阵列基板中已有的介质层，例如栅极绝缘层、钝化层、平坦化层或保护层。藉此，本公开的蓝光抑制层更好地兼容已有阵列基板的制作工艺，并且有利于减小显示基板的厚度。
优选地，该第一透明介质层的厚度d为d=(2m+1)λ/(4n1)，其中m为自然数，n1为第一透明介质层的折射率，并且λ为待减弱的蓝光的波长。
根据此技术方案，当蓝光抑制层中第一透明介质层的厚度为λ/4的奇数倍时，蓝光抑制层对波长为λ的入射蓝光的反射率达到极大值，从而最大程度上减弱目标波段内的蓝光，由此解决蓝光伤害问题。
优选地，该蓝光抑制层包括顺序堆叠的两组以上该第一透明介质层和第二透明介质层。
当蓝光抑制层包括许多组第一透明介质层和第二透明介质层时，蓝光抑制层对入射光的透射率可以写为，其中k为蓝光抑制层中的第一透明介质层和第二透明介质层的组数，2k+1为蓝光抑制层中的介质层总数，n1为第一透明介质层的折射率，n2为第二透明介质层的折射率，并且nG为布置在蓝光抑制层的最顶部第二透明介质层之上的材料的折射率。由上式可知，每增加一组第一和第二透明介质层，蓝光抑制层的透射率按系数缩小。即，增加第一透明介质层和第二透明介质层的组数可以减少对入射光的透射率T，从而有利于增大对入射光的反射率R。应指出，当透射率T小到蓝光抑制层中的吸收与散射不可忽略时，不再成立，此时透射率T虽然能继续减少，但反射率R不能再增大，因而达到蓝光抑制层的反射率的极限。在实施例中，蓝光抑制层例如可以包括500组第一透明介质层和第二透明介质层，即介质层的总数为1001。
优选地，该第一透明介质层和该第二透明介质层的折射率相差至少0.3。
根据此技术方案，第一透明介质层和第二透明介质层的折射率可以相差至少0.3。从上述以及系数等表达式可以看出，第一透明介质层和第二透明介质层折射率的差别(n1-n2)越大，蓝光抑制层的增反效果越好。
优选地，该透明介质底层为SiO2，该第一透明介质层为SiNx，以及该第二透明介质层为SiO2。
根据此技术方案，透明介质底层可以为SiO2，第一透明介质层可以为SiNx，并且第二透明介质层可以为SiO2。这些材料为显示基板制作过程中常用的介质材料，因而有利于本公开的技术方案兼容显示基板的已有制作过程。当然，本公开的技术方案并不以此为限。例如，蓝光抑制层中的低折射率材料还可以选用SiON，并且高折射率材料还可以选用TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5或Nb2O5。
优选地，该第一透明介质层的厚度为58-62nm。
根据上述表达式d=(2m+1)λ/(4n1)可知，当m=0时，第一透明介质层的厚度d与待减弱的入射光的波长λ的关系为λ=d/(4n1)。根据此技术方案，第一透明介质层的材料为SiNx，即n1=1.9，并且厚度为58-62nm，由此得到待减弱的波长λ为440-470nm。即，根据此技术方案，可以有效地减弱从光源发射的440-470nm波段的蓝光，从而有效地防止蓝光伤害。
在第二方面，本公开提供了一种显示装置，其包括如上文所述的显示基板。
在第三方面，本公开提供了一种显示装置的制作方法，其中在制作该显示装置的显示基板时，该包括步骤：在该显示基板中在光源发射的蓝光的路径中形成蓝光抑制层。
优选地，形成所述蓝光抑制层的步骤包括：在所述显示基板的所述衬底上直接形成所述蓝光抑制层。
优选地，形成所述蓝光抑制层的步骤包括：在所述显示基板中的介质层上形成所述蓝光抑制层。
优选地，形成所述蓝光抑制层的步骤之后，所述方法包括：刻蚀掉所述显示基板的非蓝色亚像素区的显示区域中的所述蓝光抑制层。
根据本公开的显示装置及其制作方法具有与上文所述的显示基板相同或相似的益处，此处不再赘述。
根据本公开，通过在已有显示装置的制作工艺中形成蓝光抑制层，无需大幅改动制作工艺，从而以简单且成本有效的方式解决显示装置中的蓝光伤害问题。再者，由于蓝光抑制层形成于该显示基板中，这有助于降低显示基板的厚度，进而降低显示装置的厚度。
附图说明
图1为根据本公开一实施例的液晶显示装置的示意性结构图；
图2为根据本公开一实施例的显示基板的示意性剖面图；
图3a、3b、3c、3d和3e为根据本公开一实施例的显示基板在各个制作阶段的示意性剖面图；
图4a和4b为根据本公开一实施例的显示基板的示意性剖面图；以及
图5为根据本公开一实施例的显示基板的示意性剖面图。
具体实施方式
下面结合附图，对本公开的显示基板、显示装置及其制作方法的具体实施方式进行详细地说明。本公开的附图示意性地绘示出与发明点有关的结构、部分和/或步骤，而没有绘示或者仅仅部分地绘示与发明点无关的结构、部分和/或步骤。
附图标记：
1 液晶显示装置；
10 背光模块；
20 阵列基板；
30 彩膜基板；
40 液晶层；
100、300 衬底；
102 栅极绝缘层；
104、302 蓝光抑制层；
106 钝化层；
108 平坦化层
110、210 栅极；
120、220 有源区；
130、230 源/漏极；
150、250、160、260、170、270 像素电极；
151、251、161、261、171、271 过孔；
101A、301A 蓝色亚像素区；
101B、301B、301C 非蓝色亚像素区；
304 黑矩阵层；以及
306 彩色滤光片。
如图1所示，液晶显示装置1通常包括背光模块10、阵列基板20、彩膜基板30以及布置在阵列基板20和彩膜基板30之间的液晶层40。背光源模块20包括(未图示的)光源、导光板、光学膜片等，为显示基板即阵列基板20和彩膜基板30提供背光。
图2示意性示出根据本公开一实施例的显示基板。如图2所示，显示基板20包括衬底100，以及顺序堆叠在衬底100上的栅极110、210，栅极绝缘层102，有源区120、220，源/漏电极130、230，钝化层106和像素电极150、250。由此可见，实施例中的显示基板20为液晶显示装置1中的阵列基板20。为了简化起见，图2仅仅示意性示出了显示基板20中的两个亚像素区。在每个亚像素区，像素电极150、250分别通过贯穿钝化层106的过孔151、251而电连接到源/漏电极130、230。应指出，钝化层106上方可以设有平坦化层(未示出)。像素电极150、250随后形成于该平坦化层上，并且通过贯穿平坦化层和钝化层106的过孔151、251而电连接到源/漏电极130、230。
根据本公开，显示基板20包括衬底100以及布置在衬底100上的蓝光抑制层104.蓝光抑制层104减弱一部分由背光模块10发射的蓝光。
例如，在由背光模块10发射的蓝光的光路上，蓝光抑制层104可以包括布置在透明介质底层上的第一透明介质层和第二透明介质层。第一透明介质层的折射率n1大于透明介质底层的折射率n0，并且第一透明介质层的折射率n1大于第二透明介质层的折射率n2。由于透明介质底层、第一透明介质层和第二透明介质层的折射率满足n0<n1>n2，相对于从背光模块入射的光而言，这三层一起作为增反膜，从而减弱从背光模块10入射的光。具体而言，透明介质底层可以为阵列基板中已有的介质层，例如栅极绝缘层、钝化层、平坦化层或保护层。藉此，蓝光抑制层104可以更好地兼容已有阵列基板的制作工艺，并且有利于减小显示基板的厚度。
第一透明介质层的厚度d可以为d=(2m+1)λ/(4n1)，其中m为自然数，n1为第一透明介质层的折射率，并且λ为待减弱的蓝光的波长。当蓝光抑制层104中第一透明介质层的厚度为λ/4的奇数倍时，蓝光抑制层104对波长为λ的入射蓝光的反射率达到极大值，从而最大程度上减弱目标波段内的蓝光，由此解决蓝光伤害问题。
蓝光抑制层104可以包括顺序堆叠的两组以上该第一透明介质层和第二透明介质层。当蓝光抑制层104包括许多组第一透明介质层和第二透明介质层时，蓝光抑制层104对入射光的透射率可以写为，其中k为蓝光抑制层104中的第一透明介质层和第二透明介质层的组数，2k+1为蓝光抑制层104中的介质层总数，n1为第一透明介质层的折射率，n2为第二透明介质层的折射率，并且nG为布置在蓝光抑制层104的最顶部第二透明介质层之上的材料的折射率。由上式可知，每增加一组第一和第二透明介质层，蓝光抑制层104的透射率按系数缩小。即，增加第一透明介质层和第二透明介质层的组数可以减少对入射光的透射率T，从而有利于增大对入射光的反射率R。应指出，当透射率T小到蓝光抑制层104中的吸收与散射不可忽略时，不再成立，此时透射率T虽然能继续减少，但反射率R不能再增大，因而达到蓝光抑制层104的反射率的极限。在实施例中，蓝光抑制层例如可以包括500组第一透明介质层和第二透明介质层，即介质层的总数为1001。
蓝光抑制层104的第一透明介质层和第二透明介质层的折射率可以相差至少0.3。从上述以及系数等表达式可以看出，第一透明介质层和第二透明介质层折射率的差别(n1-n2)越大，蓝光抑制层104的增反效果越好。
优选地，透明介质底层可以为SiO2，第一透明介质层可以为SiNx，并且第二透明介质层可以为SiO2。这些材料为显示基板20制作过程中常用的介质材料，因而有利于该蓝光抑制层104兼容显示基板20的已有制作过程。此外，蓝光抑制层104中的低折射率材料还可以选用SiON，并且高折射率材料还可以选用TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5或Nb2O5。
根据上述表达式d=(2m+1)λ/(4n1)可知，当m=0时，第一透明介质层的厚度d与待减弱的入射光的波长λ的关系为λ=d/(4n1)。当第一透明介质层的材料为SiNx，即n1=1.9，并且该第一透明介质层的厚度为58-62nm时，将被该蓝光抑制层104减弱的光的波长λ为440-470nm。即，蓝光抑制层104可以有效地减弱从背光模块10发射的440-470nm波段的蓝光，从而有效地防止蓝光伤害。
如图2所示，阵列基板20包括蓝光抑制层104。由于阵列基板20通常包括若干介质层，诸如栅极绝缘层、钝化层、平坦化层和保护层。也就是说，阵列基板20的制作工艺本身就涉及形成介质层的步骤。因此，这非常有利于形成蓝光抑制层104，特别是当该蓝光抑制层104由一个或多个透明介质层形成时。
如所示，蓝光抑制层104布置在薄膜晶体管的栅极绝缘层102上。因此，可以在形成薄膜晶体管的栅极绝缘层102后，形成蓝光抑制层104。这有利于蓝光抑制层104兼容已有的阵列基板20的制作工艺。
如图2所示，蓝光抑制层104形成于栅极绝缘层102上。这种情况下，栅极绝缘层102可以充当蓝光抑制层104中的透明介质底层。即，蓝光抑制层104可以仅包含第一透明介质层和第二透明介质层。该第一透明介质层的折射率n1大于栅极绝缘层102的折射率n0，并且该第一透明介质层的折射率n1大于该第二透明介质层的折射率n2。藉此，顺序堆叠的栅极绝缘层102、第一透明介质层和第二透明介质层形成的蓝光抑制层104相对于从背光模块10入射的光形成增反膜，从而有效地防止蓝光伤害。
如图2所示，蓝光抑制层104包括两组第一透明介质层和第二透明介质层。承上所述，蓝光抑制层104可以包括更多组的第一透明介质层和第二透明介质层，从而进一步增大蓝光抑制层104对入射光的反射率。
在图2所示的情形中，蓝光抑制层104形成于栅极绝缘层102上。然而，蓝光抑制层104还可以设置在阵列基板20中诸如钝化层、平坦化层和保护层的介质层上，并且具有与设置在栅极绝缘层102上相似的技术效果。例如，蓝光抑制层104可以形成于钝化层106上。这种情况下，像素电极150、250可以通过贯穿蓝光抑制层104和钝化层106的过孔电连接到源/漏电极130、230。
此外，蓝光抑制层102还可以直接形成于衬底100上。这种情况下，蓝光抑制层104可以提前形成于衬底100上，这有利于实现模块化作业，从而避免占用制作设备的工作时间，进而提高设备的稼动率。
图3a、3b、3c、3d和3e示意性示出在各个制作阶段的阵列基板20。
如图3a所示，在诸如玻璃的衬底100上沉积金属层，通过构图工艺形成栅极110、210的图形。该金属层可以为Al、Cu、Mo、Ti、Cr、W或其合金。栅极110、210可以为单层结构，也可以为多层结构，例如Mo\Al\Mo、Ti\Cu\Ti、Mo\Ti\Cu。
如图3b所示，在栅极210上沉积透明介质底层，形成栅极绝缘层102。栅极绝缘层102可以为SiO2，其折射率为1.5，并且厚度可以为50-1000nm。栅极绝缘层102可以使栅极110、210与上面的电路绝缘，并且避免栅极110、210被氧化。
如图3c所示，在栅极绝缘层102上依次沉积第一透明介质层和第二透明介质层，由此形成蓝光抑制层104。例如，为了消除440-470nm的高能量蓝光以防止蓝光伤害，第一透明介质层可以采用SiNx，并且厚度为58-62nm。第一透明介质层的折射率大于栅极绝缘层102的折射率，并且第一透明介质层的折射率大于第二透明介质层的折射率。第二透明介质层可以采用SiO2。第一和第二透明介质层的折射率相差至少0.3，即，第一透明介质层的折射率比第二透明介质层的折射率大至少0.3，从而增强蓝光抑制层104对蓝光的反射率。备选地，在该第二透明介质层上进一步依次沉积第一透明介质层和第二透明介质层。蓝光抑制层104中第一和第二透明介质层的层数越多，可以反射更多的蓝光，即，可以更好地防止蓝光伤害。随着层数增加，制作成本也会上升。在实际应用中，第一和第二透明介质层的总层数可以为1000。
如图3d所示，在蓝光抑制层104上制作半导体层和信号线的图形，形成有源区120、220、源/漏电极130、230和数据线(未图示)。
如图3e所示，在图3d的结构上形成钝化层106并且通过构图工艺形成过孔151、251，接着沉积金属层并通过构图工艺形成像素电极150、250，由此完成阵列基板的制作，得到的图2所示的阵列基板20。应指出，在实际应用中，钝化层106上方还可以设置平坦化层和/或保护层。
图4a和4b示意性示出根据本公开一实施例的显示基板。如图4a所示，阵列基板20被划分为蓝色亚像素区101A和非蓝色亚像素区101B。蓝光抑制层104不仅会反射蓝色亚像素区101A中的蓝光，而且也会在一定程度上反射非蓝色亚像素区101B中的其它颜色光，例如红光和绿光。因此，在图3e所示的对钝化层106进行构图工艺以形成过孔151、251时，可以同时将非蓝色亚像素区101B的显示区域中的蓝光抑制层104刻蚀掉，由此避免对蓝色以外的光的影响。也就是说，在非蓝色亚像素区101B的显示区域中，阵列基板20包括衬底100以及形成于衬底100上的像素电极260。
如图4b所示，当非蓝色亚像素区101B的显示区域中的蓝光抑制层104被刻蚀掉之后，可以沉积一层平坦化层108，然后在该平坦化层108上形成像素电极170、270。像素电极170、270通过贯穿平坦化层108和钝化层106的过孔171、271分别电连接到源/漏电极130、230。平坦化层108可以消除非蓝色亚像素区101B的显示区域中由于蓝光抑制层104被刻蚀掉之后形成的显著段差，进而避免由于该段差可能导致的位于不同层的导电层之间短路。也就是说，在非蓝色亚像素区101B的显示区域，阵列基板20可以包括衬底100、平坦化层108和形成于平坦化层上的像素电极270。
在图2、3a、3b、3c、3d、3e、4a、4b的实施例中，蓝光抑制层104被示为布置在阵列基板20中。然而，本公开的蓝光抑制层也可以布置在其它显示基板中。例如，图5示意性示出根据本公开一实施例的显示基板。显示基板30包括衬底300、蓝光抑制层302、黑矩阵层304和彩色滤光片306。也就是说，该显示基板30为彩膜基板30。如所示，蓝光抑制层302设置在彩膜基板30的衬底300上。
如图5所示，彩膜基板30被划分为蓝色亚像素区301A和非蓝色亚像素区301B、301C。承上所述，蓝光抑制层302可以形成于整个衬底300上。备选地，在非蓝色亚像素区301B、301C的显示区域，蓝光抑制层302可以被刻蚀掉，由此避免对蓝色以外的光的影响。也就是说，彩膜基板30中蓝光抑制层302的设置及其制作方法可以参考上述阵列基板20的相应内容，此处不再赘述。
此外，本公开的包括蓝光抑制层的显示基板还可以是彩膜阵列(color filter onarray，COA)基板。具体而言，在该彩膜阵列基板中，薄膜晶体管和彩色滤光片分别形成于衬底的两侧。蓝光抑制层可以形成于该彩膜阵列基板的薄膜晶体管一侧，也可以形成于该彩色滤光片一侧。
在上文描述的实施例中，以液晶显示装置为例描述了本公开的显示装置。然而，本领域技术人员应理解，本公开中显示装置也可以为OLED。具体而言，本公开的蓝光抑制层可以设置在OLED的发光层上方，使得从发光层发射的蓝光经过该蓝光抑制层，从而有效地防止蓝光伤害。
根据本公开一实施例，一种显示装置制作工艺包括，在制作该显示装置的显示基板时，在该显示基板中在光源发射的蓝光的路径中形成蓝光抑制层。
优选地，形成蓝光抑制层的步骤可以包括：在显示基板的衬底上直接形成蓝光抑制层。
优选地，形成蓝光抑制层的步骤可以包括：在显示基板中的介质层上形成蓝光抑制层。
优选地，形成蓝光抑制层的步骤之后，该方法可以包括：刻蚀掉显示基板的非蓝色亚像素区的显示区域中的蓝光抑制层。
仅仅是出于图示和说明的目的而给出对本公开实施例的前述描述。它们不是旨在穷举或者限制本公开内容。因此，本领域技术人员将容易想到许多调整和变型。具体而言，本公开的范围将由所附权利要求定义。

Claims (16)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底；以及
布置在所述衬底上的蓝光抑制层，
其中所述蓝光抑制层减弱一部分由光源发射的蓝光，
其中所述显示基板还包括形成于所述衬底上的薄膜晶体管、钝化层、平坦化层和像素电极，
其中所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源区和源/漏电极，
其中所述蓝光抑制层在所述显示基板的显示区域中直接形成于所述栅极绝缘层、所述钝化层和所述平坦化层其中之一上，
其中在由所述光源发射的蓝光的光路上，所述蓝光抑制层包括布置在透明介质底层上的第一透明介质层和第二透明介质层，以及
其中所述显示基板包括蓝色亚像素区和非蓝色亚像素区，并且所述蓝光抑制层包括布置在所述非蓝色亚像素区的显示区域中并且贯穿所述蓝光抑制层的整个厚度的开口部。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述像素电极通过贯穿所述钝化层的过孔电连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极。
3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述像素电极通过贯穿所述蓝光抑制层和所述钝化层的过孔电连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极。
4.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，
在所述非蓝色亚像素区的显示区域中，所述显示基板包括所述衬底以及形成于所述衬底上的像素电极。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，
在所述非蓝色亚像素区的显示区域，所述显示基板包括所述衬底、所述平坦化层和形成于所述平坦化层上的像素电极。
6.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板还包括形成于所述蓝光抑制层上的黑矩阵层和彩色滤光片。
7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板还包括形成于所述衬底的第一侧上的薄膜晶体管和像素电极，以及形成于所述衬底的第一侧或第二侧上的黑矩阵层和彩色滤光片；以及
所述蓝光抑制层形成于所述衬底的第一侧。
8.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述第一透明介质层的折射率n1大于所述透明介质底层的折射率n0；以及
所述第一透明介质层的折射率n1大于所述第二透明介质层的折射率n2。
9.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，
所述第一透明介质层的厚度d为d=(2m+1)λ/(4n1)，其中m为自然数，n1为第一透明介质层的折射率，并且λ为待减弱的蓝光的波长。
10.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，
所述蓝光抑制层包括顺序堆叠的两组以上所述第一透明介质层和第二透明介质层。
11.如权利要求8或9所述的显示基板，其特征在于，
所述第一透明介质层和所述第二透明介质层的折射率相差至少0.3。
12.如权利要求8或9所述的显示基板，其特征在于，
所述透明介质底层为SiO2，所述第一透明介质层为SiNx，以及所述第二透明介质层为SiO2。
13.如权利要求12所述的显示基板，其特征在于，
所述第一透明介质层的厚度为58-62nm。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-13中任意一项所述的显示基板。
15.一种显示装置的制作方法，其中所述显示装置包括显示基板，所述显示基板包括形成于衬底上的薄膜晶体管、钝化层、平坦化层和像素电极，并且所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源区和源/漏电极，以及在制作该显示装置的显示基板时，该方法包括步骤：
在所述显示基板的蓝色亚像素区和非蓝色亚像素区的显示区域中，直接在所述栅极绝缘层、所述钝化层和所述平坦化层其中之一上在光源发射的蓝光的路径中形成蓝光抑制层；以及
在所述显示基板的所述非蓝色亚像素区的显示区域中形成贯穿所述蓝光抑制层的整个厚度的开口部。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，
在形成所述蓝光抑制层的步骤之后，所述方法包括：
在所述非蓝色亚像素区的显示区域中，通过刻蚀掉所述蓝光抑制层以形成所述开口部。
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