CN105177697B - 一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明提供了一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，包括炉内底盘，夹持柱和拨柱轴尖；所述炉内底盘为一圆盘，所述圆盘上沿圆周边缘均匀开有若干组夹持柱固定孔，所述圆盘中部开有拨柱轴尖孔；所述拨柱轴尖包括轴尖、拨柱和连接轴，所述轴尖的侧壁顶端固定有拨柱，所述轴尖的下端面固定有连接轴；所述夹持柱包括支撑柱、夹持拨片和夹持片，所述支撑柱安装到所述夹持柱固定孔处，所述夹持拨片位于所述拨柱正下方。本发明所述的用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置结构简单，操作方便，通过夹持片的设置改善了夹持面积，从而改善了夹持的稳定性，减少了因夹持不稳对单晶生长造成的影响，提高了工时利用率，且制造成本较低。
Description
技术领域
本发明属于单晶硅生产设备领域，尤其是涉及一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置。
背景技术
区熔法生长单晶硅是目前生产单晶硅最先进的应用技术，而区熔单晶炉内的单晶夹持系统是重要的系统之一，其直接影响单晶的成晶，现有的夹持装置大多为点接触夹持，点接触夹持的缺点是受力面积小，夹持能力差，且对单晶被夹持处的形状有较严格的要求，从而阻碍了区熔单晶成晶率、合格率、工时利用率和产能的提高，不利于降低生产成本，因此，需要改善夹持装置。
发明内容
有鉴于此，本发明旨在提出一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，以解决现有夹持装置夹持能力差、区熔单晶成晶率低等问题。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，包括炉内底盘，夹持柱和拨柱轴尖；所述炉内底盘为一圆盘，所述圆盘上沿圆周边缘均匀开有若干组夹持柱固定孔，所述圆盘中部开有拨柱轴尖孔；所述拨柱轴尖包括轴尖、拨柱和连接轴，所述轴尖为一中空的圆柱体，所述中空圆柱体的纵截面为U形，所述轴尖侧壁顶端固定有向外侧延伸的拨柱，所述轴尖的下端面固定有连接轴，所述连接轴上设有驱动所述连接轴上下移动的电机，所述轴尖设置于所述拨柱轴尖孔内，且可在连接轴的带动下沿所述拨柱轴尖孔上下穿行，所述拨柱处的外缘直径大于所述拨柱轴尖孔的直径，可对拨柱轴尖起限位作用；所述夹持柱包括支撑柱、夹持拨片和夹持片，所述支撑柱的数量与所述夹持柱固定孔的组数相同，且所述支撑柱对应安装到所述夹持柱固定孔处，所述夹持拨片一端位于所述拨柱正下方，所述夹持拨片另一端与所述夹持片的一端相连，所述夹持拨片与所述夹持片的连接端可转动的连接于所述支撑柱的上部，所述夹持片另一端位于区熔硅单晶外侧，所述区熔硅单晶从所述轴尖内部长出。
进一步的，所述夹持片包括第一夹持片和第二夹持片，所述第一夹持片一端与所述夹持拨片相连，所述第一夹持片另一端与所述第二夹持片相连，所述第一夹持片与第二夹持片之间存在夹角，使所述第二夹持片在夹持区熔硅单晶时与区熔硅单晶的夹持面平行。
进一步的，所述夹持柱固定孔的数量至少为3组，每组夹持柱固定孔固定一个夹持柱。
进一步的，所述夹持柱固定孔的数量为3组，每组夹持柱固定孔固定一个夹持柱。
进一步的，所述炉内底盘上均匀开有若干个炉内底盘固定孔，所述炉内底盘固定孔中设有保护套。
进一步的，所述炉内底盘、夹持柱和拨柱轴尖的材质均为316L不锈钢。
相对于现有技术，本发明所述的用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置具有以下优势：结构简单，操作方便，通过夹持片的设置改善了夹持面积，从而改善了夹持的稳定性，减少了因夹持不稳对单晶生长造成的影响，提高了工时利用率，且制造成本较低。
附图说明
构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明炉内底盘的结构示意图；
图3为本发明拨柱轴尖的结构示意图。
附图标记说明：
1-炉内底盘，11-夹持柱固定孔，12-拨柱轴尖孔，13-炉内底盘固定孔，2-夹持柱，21-支撑柱，22-夹持拨片，23-夹持片，3-拨柱轴尖，31-轴尖，32-拨柱，33-连接轴，4-区熔硅单晶。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
如图1-3所示，一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，包括炉内底盘1，夹持柱2和拨柱轴尖；
所述炉内底盘1为一圆盘，所述圆盘上沿圆周边缘均匀开有若干组夹持柱固定孔11，所述圆盘中部开有拨柱轴尖孔12，所述圆盘上均匀开有若干个炉内底盘固定孔13，所述炉内底盘固定孔13中设有保护套，所述保护套可防止杂质通过炉内底盘固定孔13的间隙渗入；
优选的，所述夹持柱固定孔11的数量至少为3组，每组夹持柱固定孔11固定一个夹持柱2；
优选的，所述夹持柱固定孔11的数量为3组，每组夹持柱固定孔11固定一个夹持柱2；
所述拨柱轴尖3包括轴尖31、拨柱32和连接轴33，所述轴尖31为一中空圆柱体，所述中空圆柱体的纵截面为U形，所述轴尖31的侧壁顶端固定有向外侧延伸的拨柱32，所述轴尖31的下端面固定有连接轴33，所述连接轴33上设有驱动所述连接轴33上下移动的电机，所述轴尖31设置于所述拨柱轴尖孔12内部，且可在连接轴33的带动下沿所述拨柱轴尖孔12上下穿行，所述拨柱32处的外缘直径大于所述拨柱轴尖孔12的直径，可对拨柱轴尖3起限位作用；
所述夹持柱2包括支撑柱21、夹持拨片22和夹持片23，所述支撑柱21的数量与所述夹持柱固定孔11的组数相同，且所述支撑柱21对应安装到所述夹持柱固定孔11处，所述夹持拨片22一端位于所述拨柱32正下方，当拨柱32向下移动时可拨动夹持拨片22翻转，所述夹持拨片22另一端与所述夹持片23一端相连，所述夹持拨片22与所述夹持片23的连接端可转动的连接于所述支撑柱21的上部，所述夹持拨片22可带动夹持片23翻转，所述夹持片23另一端位于区熔硅单晶4外侧，所述区熔硅单晶4从所述轴尖31内部长出，当夹持片23翻转时可与区熔硅单晶4外侧面接触；
优选的，所述夹持片23包括第一夹持片和第二夹持片，所述第一夹持片一端与所述夹持拨片22相连，所述第一夹持片另一端与所述第二夹持片相连，所述第一夹持片与第二夹持片之间存在夹角，使所述第二夹持片在夹持区熔硅单晶4时与区熔硅单晶的夹持面平行；
所述炉内底盘1、夹持柱2和拨柱轴尖3的材质均为316L不锈钢；
本实例的工作过程：区熔硅单晶4生长于拨柱轴尖3上，随着单晶的径向生长，以及拨柱轴尖3的不断下行，拨柱轴尖3的拨柱32可触碰到夹持拨片22，触碰后，拨柱轴尖3继续下行，进而夹持拨片22带动夹持片23旋转到与单晶完全接触，完成此次夹持过程。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，其特征在于：包括炉内底盘(1)，夹持柱(2)和拨柱轴尖(3)；
所述炉内底盘(1)为一圆盘，所述圆盘上沿圆周边缘均匀开有若干组 夹持柱固定孔(11)，所述圆盘中部开有拨柱轴尖孔(12)；
所述拨柱轴尖(3)包括轴尖(31)、拨柱(32)和连接轴(33)，所述轴尖(31)为一中空圆柱体，所述中空圆柱体的纵截面为U形，所述轴尖 (31)侧壁顶端固定有向外侧延伸的拨柱(32)，所述轴尖(31)的下端面固定有连接轴(33)，所述连接轴(33)上设有驱动所述连接轴(33)上下移动的电机，所述轴尖(31)设置于所述拨柱轴尖孔(12)内，且可在连接轴(33)的带动下沿所述拨柱轴尖孔(12)上下穿行，所述拨柱(32)处的外缘直径大于所述拨柱轴尖孔(12)的直径，可对拨柱轴尖(3)起限位作用；
所述夹持柱(2)包括支撑柱(21)、夹持拨片(22)和夹持片(23)， 所述支撑柱(21)的数量与所述夹持柱固定孔(11)的组数相同，且所述支撑柱(21)对应安装到所述夹持柱固定孔(11)处，所述夹持拨片(22)一端位于所述拨柱(32)正下方，所述夹持拨片(22)另一端与所述夹持片(23) 的一端相连，所述夹持拨片(22)与所述夹持片(23)的连接端可转动的连接于所述支撑柱(21)的上部，所述夹持片(23)另一端位于区熔硅单晶(4) 外侧，所述区熔硅单晶(4)从所述轴尖(31)内部长出；
区熔硅单晶(4)生长于拨柱轴尖(3)上，随着单晶的径向生长，以及拨柱轴尖(3)的不断下行，拨柱轴尖(3)的拨柱(32)可触碰到夹持拨片(22)，触碰后，拨柱轴尖(3)继续下行，进而夹持拨片(22)带动夹持片(23) 旋转到与单晶完全接触，完成此次夹持过程。
2.根据权利要求1所述的用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，其特征在于：所述夹持片(23)包括第一夹持片和第二夹持片，所述第一夹 持片一端与所述夹持拨片(22)相连，所述第一夹持片另一端与所述第二夹持片相连，所述第一夹持片与第二夹持片之间存在夹角，使所述第二夹持片 在夹持区熔硅单晶(4)时与区熔硅单晶(4)的夹持面平行。
3.根据权利要求1所述的用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，其特征在于：所述夹持柱固定孔(11)的数量至少为3组，每组夹持柱固定 孔(11)固定一个夹持柱(2)。
4.根据权利要求3所述的用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，其特征在于：所述夹持柱固定孔(11)的数量为3组，每组夹持柱固定孔(11) 固定一个夹持柱(2)。
5.根据权利要求1所述的用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，其特征在于：所述炉内底盘(1)上均匀开有若干个炉内底盘固定孔(13)， 所述炉内底盘固定孔(13)中设有保护套。
6.根据权利要求1所述的用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，其特征在于：所述炉内底盘(1)、夹持柱(2)和拨柱轴尖(3)的材质均 为316L不锈钢。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510679643.8A CN105177697B (zh) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | 一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510679643.8A CN105177697B (zh) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | 一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105177697A CN105177697A (zh) | 2015-12-23 |
| CN105177697B true CN105177697B (zh) | 2023-04-14 |
Family
ID=54900102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510679643.8A Active CN105177697B (zh) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | 一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105177697B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE840605A (fr) * | 1975-04-11 | 1976-10-11 | Appareil pour produire des monocristaux | |
| CN202492611U (zh) * | 2012-02-08 | 2012-10-17 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种用于区熔炉的单晶夹持装置 |
| CN202658261U (zh) * | 2012-05-23 | 2013-01-09 | 刘剑 | 一种新型区熔炉单晶棒夹持机构 |
| CN202968737U (zh) * | 2012-10-24 | 2013-06-05 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种晶体夹持装置及区熔单晶炉 |
-
2015
- 2015-10-19 CN CN201510679643.8A patent/CN105177697B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105177697A (zh) | 2015-12-23 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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