CN105177520A - 膜厚调节器及其制造方法、调节方法、蒸镀设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种膜厚调节器及其制造方法、调节方法、蒸镀设备，属于蒸镀技术领域。膜厚调节器包括：框架和至少两个可形变薄膜，至少两个可形变薄膜设置在框架内部，且至少两个可形变薄膜的膜面平行，至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔；在向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，由于导电结构间的吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，使任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，本发明解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果，本发明用于蒸镀。

Description

膜厚调节器及其制造方法、调节方法、蒸镀设备

技术领域

本发明涉及蒸镀技术领域，特别涉及一种膜厚调节器及其制造方法、调节方法、蒸镀设备。

背景技术

有机发光二极管(英文：OrganicLight-EmittingDiode，简称：OLED)显示器件由于具有多种优点，日益受到人们的关注。OLED显示器件通常包括：阳极层、功能膜层、阴极层等，其中，功能膜层可以包括：空穴传输层、有机发光层以及电子传输层等，有机发光层的成膜方法可以包括：蒸镀成膜法、分子束外延法、有机化学气相沉积法以及溶解-凝胶法等；蒸镀成膜法具有操作简单、膜厚易于控制等优点，已经成为形成有机发光层等功能膜层的主要方法。

蒸镀成膜法形成的膜可以称为蒸镀膜，蒸镀膜的厚度不同会导致OLED显示器件的发光亮度存在差异，影响OLED显示器件的显示效果及使用寿命。蒸镀成膜法通常采用蒸镀设备来形成蒸镀膜，示例地，如图1所示，其示出的是相关技术提供的一种蒸镀设备00的结构示意图，蒸镀设备00包括：蒸镀腔室001、设置在蒸镀腔室001内部的蒸发源002、设置在蒸镀腔室001的内壁上且位于蒸发源002上方的厚度检测器003、设置在蒸镀腔室001内部且位于厚度检测器003上方的开关004，设置在蒸镀腔室001内部用于支撑待镀基板A的基板支撑架005、设置在蒸镀腔室001内部用于支撑掩膜版B的掩膜版支撑架006，以及设置在蒸镀腔室001外部的电机007，该电机007通过穿过蒸镀腔室001的腔壁的传动轴008分别与基板支撑架005和掩膜版支撑架006连接，其中，蒸发源002可以为点状蒸发源，掩膜版B设置在待镀基板A靠近蒸发源002的一侧。采用该蒸镀设备00形成蒸镀膜时，加热蒸发源002使得蒸发源002蒸发出气化的蒸镀材料分子，通过厚度检测器003可以检测该蒸镀材料分子的沉积速率，当蒸镀材料分子的沉积速率达到目标速率时，开启开关004和电机007，电机007通过传动轴008带动基板支撑架005和掩膜版支撑架006旋转，进而使得待镀基板A和掩膜版B旋转，蒸镀材料分子通过掩膜版B蒸发并沉积到待镀基板A上形成蒸镀膜。

在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：受点状蒸发源和基板的结构的限制，蒸镀材料分子在基板的不同位置处的沉积速率存在差异，形成的蒸镀膜容易出现中心厚边缘薄的现象，因此，蒸镀膜的厚度的均一性较差。

发明内容

为了解决相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，本发明提供一种膜厚调节器及其制造方法、调节方法、蒸镀设备。所述技术方案如下：

第一方面，提供一种膜厚调节器，所述膜厚调节器包括：框架和至少两个可形变薄膜，

所述至少两个可形变薄膜设置在所述框架内部，且所述至少两个可形变薄膜的膜面平行，所述至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔；

在向所述至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，由于所述导电结构间的吸引或排斥，带动所述任意两个可形变薄膜移动，使所述任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变。

可选地，每个可形变薄膜上都设置有阵列排布的多个导电结构和阵列排布的多个过孔。

可选地，每个可形变薄膜上还设置有多条驱动线，所述多条驱动线与所述多个导电结构一一对应连接。

可选地，所述至少两个可形变薄膜中的各个可形变薄膜的结构相同。

可选地，每个可形变薄膜上的所述导电结构与所述过孔间隔排布。

可选地，每个可形变薄膜的膜面为矩形平面；

所述框架为矩形框，所述至少两个可形变薄膜沿所述框架的高度方向依次阵列排布在所述框架内部。

可选地，每个可形变薄膜上的所述导电结构与所述过孔沿所述可形变薄膜的长度方向间隔排布；或者，

每个可形变薄膜上的所述导电结构与所述过孔沿所述可形变薄膜的宽度方向间隔排布。

可选地，所述导电结构和所述驱动线均采用金属材料形成。

可选地，所述至少两个可形变薄膜的个数为2；

所述过孔为圆形过孔或者方形过孔。

第二方面，提供一种膜厚调节器的制造方法，所述膜厚调节器的制造方法包括：

制造至少两个可形变薄膜，所述至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔；

将所述至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使所述至少两个可形变薄膜的膜面平行。

可选地，每个可形变薄膜上还设置有与所述导电结构连接的驱动线，所述制造至少两个可形变薄膜，包括：

在衬底基板上形成薄膜层；

在形成有所述薄膜层的衬底基板上形成所述导电结构和所述驱动线，得到待形成的可形变薄膜；

将所述待形成的可形变薄膜从所述衬底基板上剥离；

在所述待形成的可形变薄膜上除所述导电结构和所述驱动线以外的区域上打孔，使所述待形成的可形变薄膜上形成所述过孔，得到第一可形变薄膜，所述第一可形变薄膜为所述至少两个可形变薄膜中的任意一个。

可选地，所述在形成有所述薄膜层的衬底基板上形成所述导电结构和所述驱动线，得到待形成的可形变薄膜，包括：

在形成有所述薄膜层的衬底基板上依次形成金属层和光刻胶层；

采用掩膜版对形成有所述光刻胶层的衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括：光刻胶区和光刻胶完全去除区；

采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除区对应的金属层；

剥离所述光刻胶区的光刻胶，使所述金属层上与所述光刻胶区对应的区域形成所述导电结构和所述驱动线，得到所述待形成的可形变薄膜。

可选地，所述在形成有所述薄膜层的衬底基板上形成所述导电结构和所述驱动线，得到待形成的可形变薄膜，包括：

在形成有所述薄膜层的衬底基板上粘贴所述导电结构和所述驱动线，得到所述待形成的可形变薄膜。

可选地，所述在衬底基板上形成薄膜层包括：

在所述衬底基板上涂覆一层可变形材料，得到所述薄膜层；

或者，

在所述衬底基板上粘贴采用可变形材料形成的薄膜，得到所述薄膜层。

可选地，所述在所述待形成的可形变薄膜上除所述导电结构和所述驱动线以外的区域上打孔，包括：

采用激光打孔的方式在所述待形成的可形变薄膜上除所述导电结构和所述驱动线以外的区域上打孔；

或者，

采用机械打孔的方式在所述待形成的可形变薄膜上除所述导电结构和所述驱动线以外的区域上打孔。

可选地，每个可形变薄膜的膜面为矩形平面，所述框架为矩形框，

所述将所述至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使所述至少两个可形变薄膜的膜面平行，包括：

将所述至少两个可形变薄膜设置在所述框架内部，使所述至少两个可形变薄膜沿所述框架的高度方向依次阵列排布在所述框架内部，且所述至少两个可形变薄膜的膜面平行。

第三方面，提供一种膜厚调节器的调节方法，所述膜厚调节器的调节方法包括：

向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使所述导电结构相互吸引或排斥，带动所述任意两个可形变薄膜移动，所述任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变。

可选地，每个可形变薄膜上都设置有阵列排布的多个导电结构和阵列排布的多个过孔，每个可形变薄膜上还设置有多条驱动线，所述多条驱动线与所述多个导电结构一一对应连接，

所述向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，包括：

通过与所述任意两个可形变薄膜上的导电结构连接的驱动线向所述任意两个两个可形变薄膜上的导电结构施加电压。

可选地，所述向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使所述导电结构相互吸引或排斥，带动所述任意两个可形变薄膜移动，所述任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变，包括：

向所述至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加方向相同的电压，使所述任意两个可形变薄膜上的导电结构相互排斥，带动所述任意两个可形变薄膜上的所述导电结构的周边区域相互远离，所述任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变；

或者，

向所述至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加方向相反的电压，使所述任意两个可形变薄膜上的导电结构相互吸引，带动所述任意两个可形变薄膜上的所述导电结构的周边区域相互靠近，所述任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变。

第四方面，提供一种蒸镀设备，所述蒸镀设备包括：第一方面或第一方面的任一可选方式所述的膜厚调节器。

可选地，所述蒸镀设备还包括：蒸镀腔室、设置在所述蒸镀腔室内部的蒸发源、设置在所述蒸镀腔室的内壁上且位于所述蒸发源上方的厚度检测器、设置在所述蒸镀腔室内部且位于所述厚度检测器上方的开关、设置在所述蒸镀腔室内部的第一支撑架和第二支撑架，以及设置在所述蒸镀腔室外部的电机，

所述第一支撑架和所述第二支撑架分别通过穿过所述蒸镀腔室的腔壁的传动轴与所述电机连接，所述第一支撑架用于支撑待镀基板，所述第二支撑架用于支撑掩膜版；

所述膜厚调节器固定设置在所述蒸镀腔室内部，且位于所述开关的上方，所述第二支撑架的下方，所述膜厚调节器用于通过调节所述膜厚调节器的至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置，调节蒸镀材料分子在所述待镀基板上的沉积速率。

本发明提供的技术方案带来的有益效果是：

本发明提供的膜厚调节器及其制造方法、调节方法、蒸镀设备，膜厚调节器包括：框架和至少两个可形变薄膜，至少两个可形变薄膜设置在框架内部，且至少两个可形变薄膜的膜面平行，至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔；在向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，由于导电结构间的吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，使任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变。任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术提供的一种蒸镀设备的结构示意图；

图2是本发明一个实施例提供的一种膜厚调节器的结构示意图；

图3-1是本发明另一个实施例提供的一种膜厚调节器的结构示意图；

图3-2是向图3-1所示实施例提供的向膜厚调节器的导电结构施加电压后的结构示意图；

图3-3是向图3-1所示实施例提供的膜厚调节器的俯视图；

图4是本发明一个实施例提供的一种膜厚调节器的制造方法的方法流程图；

图5-1是本发明另一个实施例提供的一种膜厚调节器的制造方法的方法流程图；

图5-2是本发明实施例提供的一种可形变薄膜的俯视图；

图5-3是图5-2所示的可形变薄膜C-C部位的剖面图；

图5-4是图5-1所示实施例提供的一种可形变薄膜的制造方法的方法流程图；

图5-5是图5-1所示实施例提供的在衬底基板上形成薄膜层后的结构示意图；

图5-6是图5-1所示实施例提供的在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线后的结构示意图；

图5-7是图5-6的俯视图；

图5-8是图5-1所示实施例提供的一种在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线的方法流程图；

图5-9是图5-1所示实施例提供的在形成有薄膜层的衬底基板上依次形成金属层和光刻胶层后的结构示意图；

图5-10是图5-1所示实施例提供的对形成有光刻胶层的衬底基板进行曝光、显影后的结构示意图；

图5-11是图5-1所示实施例提供的去除光刻胶完全去除区对应的金属层后的结构示意图；

图5-12是图5-1所示实施例提供的剥离光刻胶区的光刻胶后的结构示意图；

图5-13是图5-1所示实施例提供的另一种在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线的方法流程图；

图5-14是图5-1所示实施例提供的将待形成的可形变薄膜从衬底基板上剥离后的结构示意图；

图5-15是图5-1所示实施例提供的在待形成的可形变薄膜打孔后的结构示意图；

图6是本发明一个实施例提供的一种膜厚调节器的调节方法的方法流程图；

图7是本发明一个实施例提供的一种蒸镀设备的结构示意图；

图8是本发明一个实施例提供的一种蒸镀设备的工作原理图。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图2，其示出了本发明一个实施例提供的一种膜厚调节器10的结构示意图，该膜厚调节器10可以设置在蒸镀设备中来调节蒸镀膜厚度的均一性，参见图2，该膜厚调节器10包括：框架110和至少两个可形变薄膜120。

至少两个可形变薄膜120设置在框架110内部，且至少两个可形变薄膜120的膜面平行，至少两个可形变薄膜120中的每个可形变薄膜120上都设置有导电结构121和供蒸镀材料分子穿过的过孔122。

在向至少两个可形变薄膜120中的任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加电压时，由于导电结构121间的吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜120移动，使任意两个可形变薄膜120的过孔122的相对位置改变。

综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器，膜厚调节器包括：框架和至少两个可形变薄膜，至少两个可形变薄膜平行，且每个可形变薄膜上都设置有导电结构和过孔，通过向任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使得导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。

请参考图3-1，其示出了本发明另一个实施例提供的一种膜厚调节器10的结构示意图，该膜厚调节器10可以设置在蒸镀设备中来调节蒸镀膜厚度的均一性，参见图3-1，该膜厚调节器10包括：框架110和至少两个可形变薄膜120。其中，本实施例以至少两个可形变薄膜120为两个可形变薄膜为例进行说明。

至少两个可形变薄膜120设置在框架110内部，且至少两个可形变薄膜120的膜面平行，至少两个可形变薄膜120中的每个可形变薄膜120上都设置有导电结构121和供蒸镀材料分子穿过的过孔122。

在向至少两个可形变薄膜120中的任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加电压时，由于导电结构121间的吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜120移动，使任意两个可形变薄膜120的过孔122的相对位置改变。

示例地，请参考图3-2，其示出的是向导电结构121施加电压后的膜厚调节器10的结构示意图，参见图3-2，在向导电结构121施加电压后，导电结构121相互吸引或排斥，使得任意两个可形变薄膜120的过孔122的相对位置改变。具体地，在向任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加方向相同的电压后，导电结构121间相互排斥，使得任意两个可形变薄膜120的过孔122的相对位置改变；在向任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加方向相同的电压后，导电结构121间相互吸引，使得任意两个可形变薄膜120的过孔122的相对位置改变。

可选地，请继续参考图3-1，每个可形变薄膜120上都设置有阵列排布的多个导电结构121和阵列排布的多个过孔122。

可选地，每个可形变薄膜120上还设置有多条驱动线(图3-1中未画出)，多条驱动线与多个导电结构121一一对应连接，也即是，每个可形变薄膜120上的每个导电结构121都与一条驱动线连接。其中，驱动线用于向与驱动线一一对应连接的导电结构121施加电压，也即，实际应用中，在向导电结构121施加电压时，可以将驱动线与外界电路连接，进而实现对导电结构121施加电压。多条驱动线与多个导电结构121一一对应连接，使得能够向每个导电结构121施加不同的电压，使任意两个可形变薄膜120的过孔122的相对位置的改变可以不同，进而使得通过每个过孔122的蒸镀材料的量可以相同，蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率可以相同，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一。

可选地，至少两个可形变薄膜120中的各个可形变薄膜120的结构相同。每个可形变薄膜120上的导电结构121与过孔122间隔排布。其中，导电结构121与过孔122间隔排布，在导电结构121相互排斥或者吸引时，能够有效的改变两个可形变薄膜120上的与导电结构121相邻的过孔122的相对位置，实现对通过每个过孔122的蒸镀材料的量、以及蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率的有效调节。

可选地，每个可形变薄膜120的膜面为矩形平面；框架110为矩形框，且框架110的上表面为与可形变薄膜120的膜面相同的矩形。如图3-1所示，至少两个可形变薄膜120沿框架110的高度方向y依次阵列排布在框架110内部，其中，当将框架110设置在蒸镀设备中时，该框架110的高度方向y与蒸镀设备的高度方向平行。可选地，当可形变薄膜120的膜面为矩形平面时，每个可形变薄膜120上的导电结构121与过孔122沿可形变薄膜的长度方向x间隔排布；或者，每个可形变薄膜120上的导电结构121与过孔122沿可形变薄膜120的宽度方向(图3-1中未画出)间隔排布。

可选地，导电结构121和驱动线均采用金属材料形成。比如，导电结构121和驱动线均可以采用沉积金属并通过构图工艺形成；又比如，导电结构121和驱动线均可以采用粘贴的形式形成，即，在每个可形变薄膜120上粘贴金属块作为导电结构121，粘贴金属线条作为驱动线。

可选地，如图3-1所示，至少两个可形变薄膜120的个数为2；过孔122可以为圆形过孔或者方形过孔，本发明实施例对此不做限定。

请参考图3-3，其示出的是图3-1所示实施例提供的膜厚调节器10的俯视图，其中，框架可以为矩形框架，可形变薄膜120可以为矩形薄膜，且可形变薄膜的膜面可以与框架的上表面相同，因此，图3-3中未画出框架，参见图3-3，可形变薄膜120为矩形薄膜，且可形变薄膜120的长度方向为x，宽度方向为z，可形变薄膜120上设置有阵列排布的多个导电结构121和阵列排布的多个过孔122，以及与多个导电结构121一一对应连接的驱动线123，导电结构121和驱动线123均采用金属材料形成，驱动线123用于向与驱动线123一一对应连接的导电结构121施加电压。其中，如图3-3所示，可形变薄膜120上的导电结构121与过孔122沿可形变薄膜的长度方向x间隔排布。需要说明的是，本实施例是以导电结构121与过孔122沿可形变薄膜120的长度方向x间隔排布为例进行说明的，实际应用中，导电结构121与过孔122也可以沿可形变薄膜120的宽度方向z间隔排布，或者，导电结构121与过孔122间隔排布，本实施例对此不做限定。需要说明的是，图3-3是以过孔122为圆形过孔为例进行说明的，实际应用中，过孔122还可以为方形过孔或者其他形状的过孔，本发明实施例对此不做限定。

综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器，膜厚调节器包括：框架和至少两个可形变薄膜，至少两个可形变薄膜平行，且每个可形变薄膜上都设置有导电结构和过孔，通过向任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使得导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。

本发明实施例提供的膜厚调节器可以应用于下文的方法，本发明实施例中膜厚调节器的制造方法和调节方法可以参见下文各实施例中的描述。

请参考图4，其示出了本发明一个实施例提供的一种膜厚调节器的制造方法的方法流程图，该膜厚调节器的制造方法可以用于制造图2或图3-1所示的膜厚调节器10，参见图4，该膜厚调节器的制造方法可以包括如下几个步骤：

在步骤401中，制造至少两个可形变薄膜，至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔。

在步骤402中，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。

综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器的制造方法，通过制造至少两个可形变薄膜，每个可形变薄膜上都设置有导电结构和过孔，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。由于向任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。

可选地，每个可形变薄膜上还设置有与导电结构连接的驱动线，步骤401可以包括：

在衬底基板上形成薄膜层；

在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜；

将待形成的可形变薄膜从衬底基板上剥离；

在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔，使待形成的可形变薄膜上形成过孔，得到第一可形变薄膜，第一可形变薄膜为至少两个可形变薄膜中的任意一个。

可选地，在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜，包括：

在形成有薄膜层的衬底基板上依次形成金属层和光刻胶层；

采用掩膜版对形成有光刻胶层的衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶图形，光刻胶图形包括：光刻胶区和光刻胶完全去除区；

采用刻蚀工艺，去除光刻胶完全去除区对应的金属层；

剥离光刻胶区的光刻胶，使金属层上与光刻胶区对应的区域形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。

可选地，在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜，包括：

在形成有薄膜层的衬底基板上粘贴导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。

可选地，在衬底基板上形成薄膜层包括：

在衬底基板上涂覆一层可变形材料，得到薄膜层；

或者，

在衬底基板上粘贴采用可变形材料形成的薄膜，得到薄膜层。

可选地，在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔，包括：

采用激光打孔的方式在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔；

或者，

采用机械打孔的方式在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔。

可选地，每个可形变薄膜的膜面为矩形平面，框架为矩形框，步骤402可以包括：

将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜沿框架的高度方向依次阵列排布在框架内部，且至少两个可形变薄膜的膜面平行。

上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再一一赘述。

综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器的制造方法，通过制造至少两个可形变薄膜，每个可形变薄膜上都设置有导电结构和过孔，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。由于向任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。

请参考图5-1，其示出了本发明另一个实施例提供的一种膜厚调节器的制造方法的方法流程图，该膜厚调节器的制造方法可以用于制造图2或图3-1所示的膜厚调节器10，参见图5-1，该膜厚调节器的制造方法可以包括如下几个步骤：

在步骤501中，制造至少两个可形变薄膜，至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔。

请参考图5-2，其示出的是本发明实施例提供的一种可形变薄膜120的俯视图，参见图5-2，可形变薄膜120可以为矩形薄膜，可形变薄膜120的长度方向可以为x，宽度方向可以为z，可形变薄膜120上设置有阵列排布的多个导电结构121和阵列排布的多个供蒸镀材料分子穿过的过孔122，且导电结构121和过孔122沿可形变薄膜120的长度方向x间隔排布，可形变薄膜120还设置有与多个导电结构121一一对应连接的驱动线123，该驱动线123用于向与驱动线123一一对应连接的导电结构121施加电压；请参考图5-3，其示出的是图5-2所示的可形变薄膜120的C-C部位的剖面图，参见图5-3，可形变薄膜120上的多个导电结构121和多个过孔122沿可形变薄膜120的长度方向x间隔排布。

请参考图5-4，其示出的是图5-1所示实施例提供的一种可形变薄膜的制造方法的方法流程图，参见图5-4，该方法流程可以包括以下几个步骤：

在子步骤5011中，在衬底基板上形成薄膜层。

请参考图5-5，其示出的是图5-1所示实施例提供的在衬底基板124上形成薄膜层125后的结构示意图。其中，衬底基板124可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。示例地，可以在衬底基板124上涂覆一层可变形材料，进行烘烤处理后得到薄膜层125，或者，还可以直接采用粘贴的方式在衬底基板124上粘贴采用可变形材料形成的薄膜，得到薄膜层125，本发明实施例对此不作限定。

在子步骤5012中，在形成有薄膜层的衬底基板上形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。

请参考图5-6，其示出的是图5-1所示实施例提供的在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线(图5-6中未画出)，得到待形成的可形变薄膜126后的结构示意图，参见5-6，薄膜层125上形成有多个阵列排布的导电结构121，图5-7是图5-6的俯视图，参见图5-7，衬底基板的上表面可以为矩形，形成的薄膜层125的上表面也可以为矩形，薄膜层125的长度方向可以为x，宽度方向可以为z，薄膜层125上形成有多个阵列排布的导电结构121，以及与多个导电结构121一一对应连接的驱动线123。

在本发明实施例中，在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线可以包括以下两种方式：

第一种方式，通过构图工艺在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线，具体地，请参考图5-8，其示出的是图5-1所示实施例提供的一种在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线的方法流程图，参见图5-8，该方法流程可以包括如下几个步骤：

在子步骤50121a中，在形成有薄膜层的衬底基板上依次形成金属层和光刻胶层。

请参考图5-9，其示出的是图5-1所示实施例提供的在形成有薄膜层125的衬底基板124上依次形成金属层127和光刻胶层128后的结构示意图。具体地，可以先采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文：PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称：PECVD)等方法在衬底基板124上沉积一层具有一定厚度的金属材料作为金属层127，之后再采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有金属层127的衬底基板124上形成光刻胶层128。

在子步骤50122a中，采用掩膜版对形成有光刻胶层的衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶图形，光刻胶图形包括：光刻胶区和光刻胶完全去除区。

请参考图5-10，其示出的是图5-1所示实施例提供的采用掩膜版对形成有光刻胶层128的衬底基板124进行曝光、显影后，形成光刻胶图形129后的结构示意图，其中，光刻胶图形129可以包括：光刻胶区1291和光刻胶完全去除区1292。具体地，可以先采用掩膜版，通过曝光工艺对形成有光刻胶层128的衬底基板124进行曝光，使得光刻胶层128形成完全爆光区和非曝光区，完全爆光区与光刻胶完全去除区1292对应，非曝光区即为光刻胶区1291，之后采用显影液对曝光后的光刻胶层128进行显影处理，使得光刻胶层128形成光刻胶图形129。

在子步骤50123a中，采用刻蚀工艺，去除光刻胶完全去除区对应的金属层。

请参考图5-11，其示出的是图5-1所示实施例提供的采用刻蚀工艺，去除光刻胶完全去除区1292对应的金属层127后的结构示意图。具体地，可以采用刻蚀液刻蚀的方式去除光刻胶完全去除区1292对应的金属层127，去除光刻胶完全去除区1292对应的金属层127后，金属层127上的剩余部分即为导电结构和驱动线。

在子步骤50124a中，剥离光刻胶区的光刻胶，使金属层上与光刻胶区对应的区域形成导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。

请参考图5-12，其示出的是图5-1所示实施例提供的剥离光刻胶区1291的光刻胶，使金属层127上与光刻胶区1291对应的区域形成导电结构121和驱动线(图5-12中未画出)，得到待形成的可形变薄膜126后的结构示意图。其中，需要说明的是，由于去除光刻胶完全去除区1292对应的金属层127后，金属层127上的剩余部分即为导电结构和驱动线，因此，图5-12中直接标示出的是导电结构121，图5-12中未画出与导电结构121一一对应连接的驱动线。

第二种方式，通过粘贴的方式在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线，具体地，请参考图5-13，其示出的是图5-1所示实施例提供的另一种在形成有薄膜层125的衬底基板124上形成导电结构121和驱动线的方法流程图，参见图5-13，该方法流程可以包括如下几个步骤：

在子步骤50121b中，在形成有薄膜层的衬底基板上粘贴导电结构和驱动线，得到待形成的可形变薄膜。

请参考图5-12，其示出的是图5-1所示实施例提供的在形成有薄膜层125的衬底基板124上粘贴导电结构121和驱动线，得到待形成的可形变薄膜126后的结构示意图。具体地，在形成有薄膜层125的衬底基板124上粘贴金属块作为导电结构121，粘贴金属条作为驱动线，并使得金属块与金属条一一对应连接。

在子步骤5013中，将待形成的可形变薄膜从衬底基板上剥离。

请参考图5-14，其示出的是图5-1所示实施例提供的将待形成的可形变薄膜126从衬底基板124上剥离后的结构示意图。参见图5-14，薄膜层125上形成有阵列排布的多个导电结构121。

在子步骤5014中，在待形成的可形变薄膜上除导电结构和驱动线以外的区域上打孔，使待形成的可形变薄膜上形成过孔，得到第一可形变薄膜，第一可形变薄膜为至少两个可形变薄膜中的任意一个。

请参考图5-15，其示出的是图5-1所示实施例提供的在待形成的可形变薄膜126上除导电结构121和驱动线以外的区域上打孔，使待形成的可形变薄膜126上形成过孔122，得到第一可形变薄膜120后的结构示意图。参见图5-15，可形变薄膜120上形成有阵列排布的多个导电结构121和过孔122，且导电结构121和过孔122间隔排布。

其中。可以采用激光打孔的方式或者机械打孔的方式在待形成的可形变薄膜上除导电结构121和驱动线以外的区域上打孔。本发明实施例对此不做限定。

在步骤502中，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。

其中，每个可形变薄膜120的膜面可以为矩形平面，框架110可以为矩形框，因此，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行可以包括：将至少两个可形变薄膜120设置在框架110内部，使至少两个可形变薄膜120沿框架110的高度方向依次阵列排布在框架110内部，且至少两个可形变薄膜120的膜面平行。其中，框架110的高度方向与蒸镀设备的高度方向平行。

综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器的制造方法，通过制造至少两个可形变薄膜，每个可形变薄膜上都设置有导电结构和过孔，将至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使至少两个可形变薄膜的膜面平行。由于向任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。

请参考图6，其示出了本发明一个实施例提供的一种膜厚调节器的调节方法的方法流程图，该膜厚调节器的调节方法可以用于调节蒸镀膜的厚度，参见图6，该膜厚调节器的调节方法可以包括如下几个步骤：

在步骤601中，向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使导电结构相互吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变。

具体地，如图2或图3-1所示，膜厚调节器10中包括至少两个可形变薄膜120，至少两个可形变薄膜120的膜面平行，至少两个可形变薄膜120中的每个可形变薄膜120上都设置有导电结构121和供蒸镀材料分子穿过的过孔122。可以向至少两个可形变薄膜120中的每个可形变薄膜120上的导电结构121施加电压，使得导电结构121相互吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜120移动，使任意两个可形变薄膜120的过孔122的相对位置改变。

可选地，如图3-3所示，每个可形变薄膜120上都设置有阵列排布的多个导电结构121和阵列排布的多个过孔122，每个可形变薄膜120上还设置有多条驱动线123，多条驱动线123与多个导电结构121一一对应连接，因此，可以通过与任意两个可形变薄膜120上的导电结构121连接的驱动线123向任意两个两个可形变薄膜120上的导电结构121施加电压，使任意两个可形变薄膜120上的导电结构121相互排斥。

可选地，向至少两个可形变薄膜120中的任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加电压，使任意两个可形变薄膜120上的导电结构121吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜120移动，任意两个可形变薄膜120上的过孔122的相对位置改变具体可以包括：

向至少两个可形变薄膜120中的任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加方向相同的电压，使任意两个可形变薄膜120上的导电结构121相互排斥，带动任意两个可形变薄膜120上的导电结构121的周边区域相互远离，任意两个可形变薄膜120上的过孔122的相对位置改变；或者，向至少两个可形变薄膜120中的任意两个可形变薄膜120上的导电结构121施加方向相反的电压，使任意两个可形变薄膜120上的导电结构121相互吸引，带动任意两个可形变薄膜120上的导电结构121的周边区域相互靠近，任意两个可形变薄膜120上的过孔121的相对位置改变。其中，导电结构121的周边区域指的是位于导电结构121的四周的可形变薄膜120上的区域。

综上所述，本发明实施例提供的膜厚调节器的调节方法，通过向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。

请参考图7，其示出了本发明一个实施例提供的一种蒸镀设备20的结构示意图，该蒸镀设备20可以用于在待镀基板上形成蒸镀膜，该蒸镀设备20可以包括：图2或图3-1所示的膜厚调节器10。

参见图7，该蒸镀设备20还包括：蒸镀腔室201、设置在蒸镀腔室内部的蒸发源202、设置在蒸镀腔室201的内壁上且位于蒸发源202上方的厚度检测器203、设置在蒸镀腔室201内部且位于厚度检测器203上方的开关204、设置在蒸镀腔室201内部的第一支撑架205和第二支撑架206，以及设置在蒸镀腔室201外部的电机207。

其中，第一支撑架205和第二支撑架206分别通过穿过蒸镀腔室201的腔壁的传动轴208与电机207连接，第一支撑架205可以用于支撑待镀基板，第二支撑架206可以用于支撑掩膜版。

膜厚调节器10固定设置在蒸镀腔室201内部，且位于开关204的上方，第二支撑架206的下方，膜厚调节器10用于通过调节膜厚调节器10的至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置，调节蒸镀材料分子在待镀基板上的沉积速率。

其中，蒸镀腔室201可以为真空蒸镀腔室或者非真空蒸镀腔室，本发明实施例对此不做限定。蒸发源202用于形成气化的蒸镀材料分子，当加热蒸发源202使得蒸发源202的温度达到预设温度时，蒸发源202可以蒸发出气化的蒸镀材料分子，厚度检测器203可以检测蒸镀材料分子在待镀基板上的沉积速率。厚度检测器203具体可以是采用传感器和处理组件形成的检测器，传感器可以采集蒸镀材料分子通过厚度检测器203时的速率，处理组件可以根据传感器检测出的速率计算得到蒸镀材料分子在待镀基板上的沉积速率。开关204可以控制蒸镀的开始或者结束，当厚度检测器203检测到蒸镀材料分子在待镀基板上的沉积速率达到目标速率时，打开开关204，蒸镀材料分子可以依次通过开关204、膜厚调节器10以及固定在第二支撑架206上的掩膜版，沉积到固定在第一支撑架205上的待镀基板上。

综上所述，本发明实施例提供的蒸镀设备，蒸镀设备包括膜厚调节器，膜厚调节器由框架和至少两个可形变薄膜形成，通过向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。

请参考图8，其示出了本发明一个实施例提供的一种蒸镀设备的工作原理图，蒸镀设备可以为图7所示的蒸镀设备20，该蒸镀设备20可以包括：图2或图3-1所示的膜厚调节器10。

参见图7，该蒸镀设备20在工作时，通过第一支撑架205将待镀基板E固定在蒸镀腔室201内，通过第二支撑架206将掩膜版F固定在蒸镀腔室201内，使得掩膜版F位于待镀基板E靠近蒸镀源201的一侧。加热蒸发源202使得蒸发源202的温度达到预设温度，蒸发源202可以蒸发出气化的蒸镀材料分子，厚度检测器203可以检测蒸镀材料分子在待镀基板E上的沉积速率，当厚度检测器203检测到检测蒸镀材料分子在待镀基板E上的沉积速率达到目标速率时，打开开关，并开启电机207，电机207通过传动轴208带动第一支撑架205和第二支撑架206旋转，进而带动待镀基板E和掩膜版F旋转，打开开关后，蒸镀材料分子依次通过开关、膜厚调节器10上的过孔以及掩膜版F，沉积到待镀基板E上。通过膜厚调节器10可以调节蒸镀材料分子在待镀基板E的不同位置处的沉积速率，进而使得待镀基板E不同位置的蒸镀膜的厚度均一。

综上所述，本发明实施例提供的蒸镀设备，蒸镀设备包括膜厚调节器，膜厚调节器由框架和至少两个可形变薄膜形成，通过向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使导电结构间吸引或排斥，带动任意两个可形变薄膜移动，任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变，过孔的相对位置改变时，可以调节通过过孔的蒸镀材料的量，进而调节蒸镀材料在待镀基板上不同位置的沉积速率，使得待镀基板不同位置的蒸镀膜的厚度均一，解决了相关技术中蒸镀膜的厚度的均一性较差的问题，达到了提高蒸镀膜的厚度的均一性的效果。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (21)

1.一种膜厚调节器，其特征在于，所述膜厚调节器包括：框架和至少两个可形变薄膜，

所述至少两个可形变薄膜设置在所述框架内部，且所述至少两个可形变薄膜的膜面平行，所述至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔；

在向所述至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压时，由于所述导电结构间的吸引或排斥，带动所述任意两个可形变薄膜移动，使所述任意两个可形变薄膜的过孔的相对位置改变。

2.根据权利要求1所述的膜厚调节器，其特征在于，

每个可形变薄膜上都设置有阵列排布的多个导电结构和阵列排布的多个过孔。

3.根据权利要求2所述的膜厚调节器，其特征在于，

每个可形变薄膜上还设置有多条驱动线，所述多条驱动线与所述多个导电结构一一对应连接。

4.根据权利要求1所述的膜厚调节器，其特征在于，

所述至少两个可形变薄膜中的各个可形变薄膜的结构相同。

5.根据权利要求2所述的膜厚调节器，其特征在于，

每个可形变薄膜上的所述导电结构与所述过孔间隔排布。

6.根据权利要求2所述的膜厚调节器，其特征在于，

每个可形变薄膜的膜面为矩形平面；

所述框架为矩形框，所述至少两个可形变薄膜沿所述框架的高度方向依次阵列排布在所述框架内部。

7.根据权利要求6所述的膜厚调节器，其特征在于，

每个可形变薄膜上的所述导电结构与所述过孔沿所述可形变薄膜的长度方向间隔排布；或者，

每个可形变薄膜上的所述导电结构与所述过孔沿所述可形变薄膜的宽度方向间隔排布。

8.根据权利要求3所述的膜厚调节器，其特征在于，

所述导电结构和所述驱动线均采用金属材料形成。

9.根据权利要求1至8任一所述的膜厚调节器，其特征在于，

所述至少两个可形变薄膜的个数为2；

所述过孔为圆形过孔或者方形过孔。

10.一种膜厚调节器的制造方法，其特征在于，所述膜厚调节器的制造方法包括：

制造至少两个可形变薄膜，所述至少两个可形变薄膜中的每个可形变薄膜上都设置有导电结构和供蒸镀材料分子穿过的过孔；

将所述至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使所述至少两个可形变薄膜的膜面平行。

11.根据权利要求10所述的膜厚调节器的制造方法，其特征在于，每个可形变薄膜上还设置有与所述导电结构连接的驱动线，所述制造至少两个可形变薄膜，包括：

在衬底基板上形成薄膜层；

在形成有所述薄膜层的衬底基板上形成所述导电结构和所述驱动线，得到待形成的可形变薄膜；

将所述待形成的可形变薄膜从所述衬底基板上剥离；

在所述待形成的可形变薄膜上除所述导电结构和所述驱动线以外的区域上打孔，使所述待形成的可形变薄膜上形成所述过孔，得到第一可形变薄膜，所述第一可形变薄膜为所述至少两个可形变薄膜中的任意一个。

12.根据权利要求11所述的膜厚调节器的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述薄膜层的衬底基板上形成所述导电结构和所述驱动线，得到待形成的可形变薄膜，包括：

在形成有所述薄膜层的衬底基板上依次形成金属层和光刻胶层；

采用掩膜版对形成有所述光刻胶层的衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括：光刻胶区和光刻胶完全去除区；

采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除区对应的金属层；

剥离所述光刻胶区的光刻胶，使所述金属层上与所述光刻胶区对应的区域形成所述导电结构和所述驱动线，得到所述待形成的可形变薄膜。

13.根据权利要求11所述的膜厚调节器的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述薄膜层的衬底基板上形成所述导电结构和所述驱动线，得到待形成的可形变薄膜，包括：

在形成有所述薄膜层的衬底基板上粘贴所述导电结构和所述驱动线，得到所述待形成的可形变薄膜。

14.根据权利要求11至13任一所述的膜厚调节器的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成薄膜层包括：

在所述衬底基板上涂覆一层可变形材料，得到所述薄膜层；

或者，

在所述衬底基板上粘贴采用可变形材料形成的薄膜，得到所述薄膜层。

15.根据权利要求11至13任一所述的膜厚调节器的制造方法，其特征在于，所述在所述待形成的可形变薄膜上除所述导电结构和所述驱动线以外的区域上打孔，包括：

采用激光打孔的方式在所述待形成的可形变薄膜上除所述导电结构和所述驱动线以外的区域上打孔；

或者，

采用机械打孔的方式在所述待形成的可形变薄膜上除所述导电结构和所述驱动线以外的区域上打孔。

16.根据权利要求10所述的膜厚调节器的制造方法，其特征在于，

每个可形变薄膜的膜面为矩形平面，所述框架为矩形框，

所述将所述至少两个可形变薄膜设置在框架内部，使所述至少两个可形变薄膜的膜面平行，包括：

将所述至少两个可形变薄膜设置在所述框架内部，使所述至少两个可形变薄膜沿所述框架的高度方向依次阵列排布在所述框架内部，且所述至少两个可形变薄膜的膜面平行。

17.一种膜厚调节器的调节方法，其特征在于，所述膜厚调节器的调节方法包括：

向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使所述导电结构相互吸引或排斥，带动所述任意两个可形变薄膜移动，所述任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变。

18.根据权利要求17所述的膜厚调节器的调节方法，其特征在于，每个可形变薄膜上都设置有阵列排布的多个导电结构和阵列排布的多个过孔，每个可形变薄膜上还设置有多条驱动线，所述多条驱动线与所述多个导电结构一一对应连接，

所述向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，包括：

通过与所述任意两个可形变薄膜上的导电结构连接的驱动线向所述任意两个两个可形变薄膜上的导电结构施加电压。

19.根据权利要求17或18所述的膜厚调节器的调节方法，其特征在于，

所述向至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加电压，使所述导电结构相互吸引或排斥，带动所述任意两个可形变薄膜移动，所述任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变，包括：

向所述至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加方向相同的电压，使所述任意两个可形变薄膜上的导电结构相互排斥，带动所述任意两个可形变薄膜上的所述导电结构的周边区域相互远离，所述任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变；

或者，

向所述至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的导电结构施加方向相反的电压，使所述任意两个可形变薄膜上的导电结构相互吸引，带动所述任意两个可形变薄膜上的所述导电结构的周边区域相互靠近，所述任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置改变。

20.一种蒸镀设备，其特征在于，所述蒸镀设备包括：权利要求1至9任一所述的膜厚调节器。

21.根据权利要求20所述的蒸镀设备，其特征在于，所述蒸镀设备还包括：蒸镀腔室、设置在所述蒸镀腔室内部的蒸发源、设置在所述蒸镀腔室的内壁上且位于所述蒸发源上方的厚度检测器、设置在所述蒸镀腔室内部且位于所述厚度检测器上方的开关、设置在所述蒸镀腔室内部的第一支撑架和第二支撑架，以及设置在所述蒸镀腔室外部的电机，

所述第一支撑架和所述第二支撑架分别通过穿过所述蒸镀腔室的腔壁的传动轴与所述电机连接，所述第一支撑架用于支撑待镀基板，所述第二支撑架用于支撑掩膜版；

所述膜厚调节器固定设置在所述蒸镀腔室内部，且位于所述开关的上方，所述第二支撑架的下方，所述膜厚调节器用于通过调节所述膜厚调节器的至少两个可形变薄膜中的任意两个可形变薄膜上的过孔的相对位置，调节蒸镀材料分子在所述待镀基板上的沉积速率。