CN105161457B - 半导体基板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种半导体基板的制备方法，包含下列步骤。先提供一基层，且基层具有一第一区域与一第二区域，并覆盖一第一硬罩幕于基层上。接着移除第一区域中的部分第一硬罩幕与基层，以形成一第一开口，再形成一第一绝缘结构于第一开口中。之后移除第二区域中的部分第一硬罩幕与基层以形成一第二开口，并形成一阻隔层覆盖第二开口的侧壁。将第二开口中的部分基层移除以形成一第三开口，并等向性移除暴露于第三开口中的基层以形成一基层桥接部。在氧化基层桥接部以形成一第二绝缘结构后，更形成一第三绝缘结构于第三开口中。
Description
技术领域
本发明是有关一种半导体基板的制备方法。
背景技术
半导体产业经历高速的成长。集成电路的材料及设计方面的技术进步已创造数个世代的集成电路，每一代的集成电路都具有比前一代更小且更复杂的电路。在集成电路演进的过程中，特征结构密度(亦即，每晶片面积中相互连接的元件的数目)通常随着几何尺寸(亦即，所使用的制造方法可产生的最小组件或线路)的缩小而增加。这种尺寸缩减的制程将的优点在于提高生产效率以及降低相关成本。
尺寸的缩减同时也提升加工及制造集成电路的复杂性，为了实现这些进步，在集成电路加工及制造方面需要类似的发展。目前的业界会依照晶体管特性的需求而使用不同的基板，例如：块状基板与绝缘层覆硅基板。具体而言，绝缘层覆硅基板使制备于其上的晶体管具有操作快速、低功率消耗、低软错误、闭锁抑制(latch-up immunity)的优点，而广泛运用于半导体产业。然而，绝缘层覆硅基板的制备方式较为繁复而耗时，因此设计需求较不严苛的晶体管仍主要制备于块状基板上以节省成本。
在已知技术中，通常会使用两片晶圆以分别用于制备块状基板与绝缘层覆硅基板，但此种方法的制程繁复且耗费晶圆成本。据此，业界亟需一种新颖的方式来制备半导体基板，以整合块状基板结构与绝缘层覆硅结构于同一片晶圆上。
发明内容
本发明的一方面是提供一种半导体基板的制备方法，包含下列步骤。先提供一基层，且基层具有一第一区域与一第二区域，并覆盖一第一硬罩幕于基层上。接着移除第一区域中的部分第一硬罩幕与基层，以形成一第一开口，再形成一第一绝缘结构于第一开口中。之后移除第二区域中的部分第一硬罩幕与基层以形成一第二开口，并形成一阻隔层覆盖第二开口的侧壁。将第二开口中的部分基层移除以形成一第三开口，并等向性移除暴露于第三开口中的基层以形成一基层桥接部。在氧化基层桥接部以形成一第二绝缘结构后，更形成一第三绝缘结构于第三开口中。
根据本发明一或多个实施方式，在移除第二区域中的部分第一硬罩幕与基层以形成第二开口前，更形成一多晶硅层于该第一硬罩幕与该第一绝缘结构上。
根据本发明一或多个实施方式，形成阻隔层覆盖第二开口的侧壁包含下列步骤。先形成一第二硬罩幕共形地覆盖多晶硅层以及第二开口的侧壁与底部，并移除第二开口的底部与多晶硅层上的第二硬罩幕，以自第二硬罩幕形成阻隔层。
根据本发明一或多个实施方式，在形成阻隔层覆盖第二开口的侧壁后，更非等向性移除多晶硅层与第二开口的底部的部分基层。
根据本发明一或多个实施方式，在形成第一绝缘结构于第一开口中后，更研磨第一绝缘结构。
根据本发明一或多个实施方式，是以一湿氧化制程氧化基层桥接部以形成第二绝缘结构。
根据本发明一或多个实施方式，是以一湿蚀刻制程等向性移除暴露于第三开口中的基层。
根据本发明一或多个实施方式，半导体基板的制备方法，还包含下列步骤。移除第一区域与第二区域中的第一硬罩幕，之后再研磨第一绝缘结构与第三绝缘结构。
根据本发明一或多个实施方式，是以旋涂、物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积以分别形成第一绝缘结构与第三绝缘结构于第一开口与第三开口中。
根据本发明一或多个实施方式，第一绝缘结构与第三绝缘结构的材质是独立选自旋涂式玻璃、氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝及其组合。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详细说明如下：
图1A、2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A与10A绘示半导体基板在制程各个阶段的上视图；
图1B、2B、3B、4B、5B、6B、7B、8B、9B与10B分别为图1A、2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A与10A沿着AA剖线的剖面图；以及
图7C图为图7A沿着BB剖线的剖面图。
具体实施方式
以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
请参阅图1A至图10A、图1B至图10B与图7C以理解本发明的半导体基板的制备方法。图1A、2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A与10A绘示半导体基板在制程各个阶段的上视图，图1B、2B、3B、4B、5B、6B、7B、8B、9B与10B分别为图1A、2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A与10A沿着AA剖线的剖面图，而图7C为图7A沿着BB剖线的剖面图。
如图1A与图1B所示，先提供一基层110，其具有一第一区域110a与一第二区域110b，并再覆盖一第一硬罩幕120于基层110上。值得注意的是，为了清楚说明本发明，图1A与图1B绘示的第一区域110a相邻于第二区域110b，但本发明并不以此为限。具体而言，基层110可为一晶圆，且第一区域110a与第二区域110b可分别位于晶圆的不同位置。形成第一硬罩幕120的方式可例如为物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积。在本发明的部分实施例中，基层110的材质包含硅或其他半导体元素，如锗或III-V族元素，但不以此为限。在本发明的部分实施例中，第一硬罩幕120的材质包含氮化硅、氮氧化硅、碳化硅，或其他合适的材料。
继续参阅图1A与图1B，在形成第一硬罩幕120后，接着形成一第一光阻层130于第一硬罩幕120上，以暴露第一区域110a中的部分第一硬罩幕120。在此步骤中，是先将第一光阻层130旋转涂布至第一硬罩幕120上，再利用曝光显影将一光罩(未绘示)的图案转移至第一光阻层130上，以暴露第一区域110a中的部分的第一硬罩幕120。但第一光阻层130并不会暴露第二区域110b中的第一硬罩幕120。
继续参阅图2A与图2B，移除第一区域110a中的部分的第一硬罩幕120与基层110。在此步骤中，使用干蚀刻或湿蚀刻制程，以通过第一光阻层130移除第一区域110a中的部分的第一硬罩幕120与部分的基层110而形成第一开口140，但第二区域110b中的第一硬罩幕120与基层110因受到第一光阻层130的保护而不会在蚀刻制程中被移除。在本发明的部分实施例中，在形成第一开口140后即移除第一光阻层130。
接着参阅图3A与图3B，形成一第一绝缘结构142于第一开口140中。在此步骤中，是以旋涂、物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积方式沉积，例如：旋涂式玻璃、氧化硅、氮化硅、氧化铝与氮化铝至第一开口140中，以形成第一绝缘结构142。在此之后更研磨第一绝缘结构142使其上表面与第一硬罩幕120的上表面为共平面，而完成制备一块状基板结构于第一区域110a中的步骤。在形成第一绝缘结构142后，接着覆盖一多晶硅层150于第一硬罩幕120与第一绝缘结构142上，且此多晶硅层150具有厚度T1。形成多晶硅层150的方式包含物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积，但不以此为限。
继续参阅图4A与图4B，形成一第二光阻层160于多晶硅层150上，以暴露第二区域110b中的部分多晶硅层150。在此步骤中，是先将第二光阻层160旋转涂布至多晶硅层150上，再利用曝光显影将一光罩(未绘示)的图案转移至第二光阻层160，以暴露第二区域110b中的部分的多晶硅层150。但第二光阻层160并不会暴露第一区域112中的多晶硅层150。
继续参阅图5A与图5B，移除第二区域110b中的部分的多晶硅层150、部分的第一硬罩幕120与部分的基层110以形成第二开口170。在此步骤中，是使用干蚀刻或湿蚀刻制程，以通过第二光阻层160移除部分的多晶硅层150、部分的第一硬罩幕120与部分的基层110，且第二区域110b中的部分的基层110暴露于此第二开口170的侧壁与底部，但第一区域110a中的多晶硅层150因受到第二光阻层160的保护而不会在蚀刻制程中被移除。在本发明的部分实施例中，在形成第二开口170后即移除第二光阻层160。之后，再形成一第二硬罩幕180共形地覆盖多晶硅层150、第一硬罩幕120与第二开口170的侧壁与底部。在此步骤中，第二硬罩幕180是顺应地覆盖多晶硅层150的侧壁与上表面、第一硬罩幕120的侧壁以及第二开口170的侧壁与底部。且第二硬罩幕180在第二开口170的侧壁处的厚度T3会大于其在多晶硅层150的上表面与第二开口170的底部上的厚度T2。必须说明的是，此处所述的厚度T2与T3为与基层110呈垂直方向的厚度。此外，在本实施方式中多晶硅层150位于第一硬罩幕120与第二硬罩幕180之间以阻隔两者，但不以此为限。在本发明的其他部分实施例中可省略多晶硅层150的使用而不影响本发明的精神。在本发明的部分实施例中，形成第二硬罩幕180的方式可例如为物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积。在本发明的部分实施例中，第二硬罩幕180的材质包含氮化硅、氮氧化硅、碳化硅，或其他合适的材料，且第一硬罩幕120与第二硬罩幕180可选用相同或不同的材料。
继续参阅图6A与图6B，移除第二开口170的底部与多晶硅层150上的第二硬罩幕180，以使基层110暴露于第二开口170的底部。在此步骤中，是使用一非等向性蚀刻制程以逐渐消减第二硬罩幕180与基层110呈垂直方向的厚度，以完全移除第二开口170的底部与多晶硅层150上的第二硬罩幕180。然而，位于第二开口170的侧壁的第二硬罩幕180因具有较大的厚度T3而不会被完全移除，因而能自第二硬罩幕180形成覆盖第二开口170的侧壁的阻隔层182。接着可继续非等向性移除第一硬罩幕120上的多晶硅层150与暴露于第二开口170中的基层110，以形成第三开口172，而阻隔层182覆盖第二开口170的侧壁以保护此处的基层110于此步骤中不被移除。第三开口172的深度大于第二开口170的深度，且两者之间的深度差为D1，其约略等于多晶硅层的厚度T1。此外，在此步骤中更同时移除部分的阻隔层182，而让阻隔层182的上表面大致与第一硬罩幕120的上表面为共平面。在本发明的部分实施例中，是使用一干蚀刻制程以非等向性移除第一开口170的底部与多晶硅层150上的第二硬罩幕180，以及移除多晶硅层150、部分的基层110与部分的阻隔层182，而干蚀刻制程使用的蚀刻气体可包含六氟化硫、氦气、四氟化碳、三氟甲烷、溴化氢、氯气、氧气、氮气、或其组合，但本发明不以此为限。
继续参阅图7A与图7B，等向性移除暴露于第三开口172中的基层110，以形成一基层桥接部190。形成第三开口172使第二区域110b中的基层110暴露于第三开口172的底部与侧壁处，之后再以一湿蚀刻制程等向性移除暴露于第三开口172中的基层110。蚀刻液会侧向蚀刻暴露于第三开口172的侧壁的基层110，以形成基层桥接部190，且在侧向蚀刻第三开口172的同时蚀刻液亦会往下蚀刻第三开口172的底部的基层110。需注意的是，湿蚀刻制程应选用不会移除第一区域110a中第一硬罩幕120与第一绝缘结构142的蚀刻液，在本发明的部分实施例中，湿蚀刻制程使用的蚀刻液为氢氧化钾，但不以此为限。其他合适的蚀刻液均可用于等向性移除暴露于第三开口172中的基层110。
请参阅图7C，在等向性移除暴露于第三开口172的侧壁的基层110时，阻隔层182将保护基层桥接部190上的基层110，使其不被移除。借此，基层桥接部190的宽度W1会小于基层桥接部190上的基层110的宽度W2。在此须特别说明，此处所述的宽度W1与W2是沿着BB剖线方向的宽度，且AA剖线与BB剖线实质垂直。若基层桥接部190的宽度W1过小即无法提供足够的承载力予其上的基层110，但此宽度W2过大又将不利于之后的制程，其将于后续详述。在本发明的部分实施例中，基层桥接部190的宽度W1与基层桥接部190上的基层110的宽度W2之间的比值介于0.2至0.5之间，较佳为0.3。
接着参阅第8A与8B图，氧化基层桥接部190以形成一第二绝缘结构212。在此步骤中，是使用一湿氧化制程氧化基层桥接部190。先通入水气至第三开口172中，并提高温度至1000℃以上以使水分子在高温下分解成氢离子与氢氧根离子。这些离子自第三开口172的侧壁处扩散入基层桥接部190中并与基层桥接部190进行氧化反应，以将基层桥接部190氧化成第二绝缘结构212。第二绝缘结构212的材质为基层110的材质的氧化物，举例来说，当基层110的材质为硅(Si)时，水气会与基层桥接部190进行氧化反应而形成材质为氧化硅的第二绝缘结构212。
第一区域110a中的第一硬罩幕120与第一绝缘结构142能保护其下的基层110不被氧化，同理，第二区域110b中的第一硬罩幕120与阻隔层182保护基层桥接部190上的基层110不与水气接触而氧化。然而，离子在进入基层桥接部190后会继续扩散至基层桥接部190上的基层110中并将其氧化。同理，离子亦会继续扩散至基层桥接部190下的基层110中并将其氧化。但如第8B图所示，基层桥接部190上的基层110并未被完全氧化，而余留一主动层112于成第二绝缘结构212上。同理，基层桥接部190下的基层110亦未被完全氧化，而余留一底层114于成第二绝缘结构212下。另一方面，因基层桥接部190的宽度W1小于基层桥接部190上的基层110的宽度W2，而使氧化后膨胀的基层桥接部190不易产生应力挤压基层110。
接着参阅图9A至图9B，形成一第三绝缘结构214于第三开口172中。在此步骤中，是以旋涂、物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积方式沉积，例如：旋涂式玻璃、氧化硅、氮化硅、氧化铝与氮化铝至第三开口172中，以形成环绕主动层112与第二绝缘结构212的第三绝缘结构214。在本发明的部分实施例中，是以原子层沉积方式沉积氧化铝至第三开口172中，以有效的填满第三开口172，减少第三绝缘结构214中的孔隙(void)，且氧化铝更具有较佳的热传导能力。在本发明的其他部分实施例中，是以旋涂方式填充旋涂式玻璃至第三开口172中，旋涂式玻璃(spin-on glass)是液态氧化硅，其具有流动性而流至第三开口172以将其完全填满。之后在400～450℃的温度下蒸除旋涂式玻璃内的溶剂，以形成第三绝缘结构214。以旋涂方式形成的第三绝缘结构214中几乎不具有孔隙，因而具有更佳的填充能力。
在形成第二绝缘结构214后，更移除第一区域110a与第二区域110b中的第一硬罩幕120，且部分的阻隔层142亦同时被移除。在本发明的部分实施例中，是以磷酸或其他合适的溶液移除第一硬罩幕120与部分的阻隔层182。之后，更研磨第一绝缘结构142与第三绝缘结构214，以令使第一区域110a中的第一绝缘结构142的上表面与基层110的上表面为共平面。同理，研磨第二区域110b中第三绝缘结构214使其上表面与主动层112的上表面为共平面。其中，第二绝缘结构212与第三绝缘结构214共同组成一绝缘层210以隔离主动层112与基层114，而在第二区域110b中完成绝缘层上覆硅结构的制备。在本发明的部分实施例中，是以化学机械研磨法(chemical mechanical polishing,CMP)研磨第一绝缘结构142与第三绝缘结构214。
由上述的步骤可得知，本发明提供的半导体基板的制备方法可直接在单一基层110中的不同区域中形成块状基板结构与绝缘层上覆硅基板结构。相较于先前技术，本发明揭露的制程只需使用单一基层110即能完成块状基板结构与绝缘层上覆硅基板结构的制备，因此不需准备额外的基层，此不仅大幅降低制程成本，更增加制程整合效率。再者，本发明揭露的制程是使用在基层110中扩散速度较快的氢离子与氢氧根离子进行氧化反应以制备绝缘层上覆硅基板结构，而能避免传统因切除、研磨或蚀刻此额外的基层时产生的应力或高温损坏绝缘层上覆硅基板结构中的主动层112，更不需以高能量的方式将氧离子植入基层110，进一步提升了制程效率。
最后请参阅图10A与图10B，形成一栅极结构220至第一区域110a的基层110与第二区域110b的主动层112上。在此步骤中，是先沉积栅极介电层222覆盖主动层112与基层110，接着再沉积栅极电极224于栅极介电层222上，最后再图案化栅极介电层222与栅极电极224以分别形成栅极结220于至第一区域110a的基层110与第二区域110b的主动层112上。之后可再掺杂栅极电极220两侧的主动层112与基层110以形成源极区域及漏极区域于主动层112与基层110中。在本发明的部分实施例中，形成栅极介电层222与栅极电极224的方式可例如为物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积。在本发明的其他部分实施例中，在形成栅极结构220后，更形成一间隙壁230于主动层112与基层110上，使栅极结构220夹设于两个间隙壁230之间。
请继续参阅图10A与图10B，图10A绘示本发明部分实施方式中一种半导体基板的上视图、而图10B绘示图10A的半导体基板沿着AA剖线的剖面图。如图10A与图10B所示，半导体基板具有第一区域110a与第二区域110b。如图10B所示，半导体基板100的第一区域110a为一块状基板结构，包含基层110与第一绝缘结构142位于基层110上并环绕基层110。另一方面，半导体基板100的第二区域110b为一绝缘层覆硅结构，包含一底层114、一绝缘层210、一主动层112以及一阻隔层182。绝缘层210位于底层114上，主动层112嵌于绝缘层210中，而阻隔层182同样位于绝缘层210中并环绕主动层112。阻隔层182是自第二硬罩幕180形成，其材质包含氮化硅、氮氧化硅、碳化硅，或其他合适的材料。此外，环绕主动层112的阻隔层182更提升主动层112的绝缘效果。
如图10B所示，绝缘层210包含一第二绝缘结构212与一第三绝缘结构214，第二绝缘结构212位于底层114与主动层112之间，并包含一第一部分212a接触主动层112，以及一第二部分212b位于底层114与第一部分212a之间。具体而言，在氧化过程中氢离子与氢氧根离子扩散入基层桥接部190中并将基层桥接部190化为第二绝缘结构212的第一部分212a，而这些离子更继续扩散至基层桥接部190上的基层110中并将其氧化成第二绝缘结构212的第二部分212b。在本发明的部分实施例，这些离子更继续扩散至基层桥接部190下的基层110中并将其氧化成第二绝缘结构212的第三部分212c，而第二部分212b位于第一部分212a与第三部分212c之间。此外，第三绝缘结构214位于底层114上，并环绕主动层112与第二绝缘结构212。
在本发明的部分实施例中，第二绝缘结构212与第三绝缘结构214是以相同或不同的材质所组成，当第二绝缘结构212与第三绝缘结构214是以不同的材质所组成，其两者间将具有一介面。在本发明的部分实施例中，第二绝缘结构212的材质为主动层112的材质的氧化物，而第一绝缘结构142与第三绝缘结构214的材质是独立选自旋涂式玻璃、氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝及其组合，但不以此为限。
继续参阅图10A与图10B，栅极结构220分别位于第一区域110a的基层110与第二区域110b的主动层112上。具体而言，栅极结构220将主动层112与基层110分隔成一源极区域及一漏极区域，而栅极结构220与主动层112或基层110之间的接触区域即为晶体管的有效通道(effective channel)区域以传输电流。栅极结构220包含一栅极介电层222与一栅极电极224位于栅极介电层222上。在本发明的部分实施例中，栅极介电层222的材质包含氧化硅、氧化铪、氧化硅铪、氮氧化硅铪、氧化钽铪、氧化钛铪、氧化钽铪，或其组合，而栅极电极224的材质包含多晶硅、钨、铝、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钴、铜、镍、或其组合。在本发明的部分实施例中，半导体基板100还包含一间隙壁230位于第一区域110a的基层110与第二区域110b的主动层112上，且栅极结构180夹设于两个间隙壁230之间。
第二区域110b中的绝缘层覆硅结构使制备于其上的晶体管具有操作快速、低功率消耗、低软错误、闭锁抑制(latch-up immunity)的优点，更大幅降低漏电流的疑虑。再者，绝缘层覆硅结构上的晶体管亦适于高电压下操作，而具有耐高电压的特性。相较于绝缘层覆硅结构上的晶体管，第一区域110a中块状基板结构上的晶体管是于较低的电压下操作，于设计需求上较不严苛。本发明提供的半导体基板的制备方法可直接在单一晶圆中不同区域中形成块状基板结构与绝缘层上覆硅基板结构，并依据晶体管的电压需求将其制备于块状基板结构或绝缘层上覆硅基板结构上。总结而言，本发明直接于单片晶圆制备块状基板结构与绝缘层上覆硅基板结构，而省略使用额外的晶圆以节省制程成本与时间。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种半导体基板的制备方法，其特征在于，包含：
提供一基层，该基层具有一第一区域与一第二区域；
覆盖一第一硬罩幕于该基层上；
移除该第一区域中的部分该第一硬罩幕与该基层，以形成一第一开口；
形成一第一绝缘结构于该第一开口中；
移除该第二区域中的部分该第一硬罩幕与该基层以形成一第二开口；
形成一阻隔层覆盖该第二开口的侧壁；
移除该第二开口中的部分该基层，以形成一第三开口；
等向性移除暴露于该第三开口中的该基层，以形成一基层桥接部；
氧化该基层桥接部以形成一第二绝缘结构；以及
形成一第三绝缘结构于该第三开口中。
2.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法，其特征在于，在移除该第二区域中的部分该第一硬罩幕与该基层以形成该第二开口前，还包含：
形成一多晶硅层于该第一硬罩幕与该第一绝缘结构上。
3.根据权利要求2所述的半导体基板的制备方法，其特征在于，形成该阻隔层覆盖该第二开口的侧壁包含：
形成一第二硬罩幕共形地覆盖该多晶硅层以及该第二开口的侧壁与底部；以及
移除该第二开口的底部与该多晶硅层上的该第二硬罩幕，以所剩该第二硬罩幕形成该阻隔层。
4.根据权利要求3所述的半导体基板的制备方法，其特征在于，在形成该阻隔层覆盖该第二开口的侧壁后，还包含：
非等向性移除该多晶硅层与该第二开口的底部的部分该基层。
5.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法，其特征在于，在形成该第一绝缘结构于该第一开口中后，还包含：
研磨该第一绝缘结构。
6.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法，其特征在于，是以一湿氧化制程氧化该基层桥接部以形成该第二绝缘结构。
7.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法，其特征在于，是以一湿蚀刻制程等向性移除暴露于该第三开口中的该基层。
8.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法，其特征在于，还包含：
移除该第一区域与该第二区域中的该第一硬罩幕；以及
研磨该第一绝缘结构与该第三绝缘结构。
9.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法，其特征在于，是以旋涂、物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积以分别形成该第一绝缘结构与该第三绝缘结构于该第一开口与该第三开口中。
10.根据权利要求1所述的半导体基板的制备方法，其特征在于，该第一绝缘结构与该第三绝缘结构的材质是独立选自旋涂式玻璃、氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝及其组合。
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