CN105144400A - 太阳能发电模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供具备金属硅化物层、具有高的发电效率的太阳能发电模块。在具备多晶金属硅化物层作为发电层的太阳能发电模块中,多晶金属硅化物层的平均结晶粒径A大于或等于上述多晶金属硅化物层的膜厚B(A≥B)。

Description

太阳能发电模块
技术领域
[0001] 后述的实施方式基本上设及太阳能发电模块。
背景技术
[0002] 利用阳光发电的太阳能电池作为清洁的电能设备已备受瞩目。作为太阳能电池, 从发电效率优良的方面考虑,主要使用具备单晶娃基板或多晶娃基板的太阳能电池。另外, 为了降低成本,人们也正在研究使用具备薄膜化的娃基板的薄膜状非晶娃太阳能电池。
[0003] 另外,作为娃系W外的太阳能电池,也有人提出使用嫁、神、憐、错、铜等的化合物 半导体系的太阳能电池。上述娃系太阳能电池或化合物半导体系太阳能电池存在W下问 题:由于接受阳光的娃基板的大型化或化合物的合成过程复杂等原因而造成成本很高,不 能象预料的那样进行普及。
[0004] 因此,近年来,人们正在研究具备金属娃化物层作为半导体层的太阳能电池。例 如,有人提出具备P-FeSiz层作为半导体层的太阳能电池。对于铁娃化物等金属娃化物, 可用来制造单晶体和多晶体,可W期待,其成本比娃系太阳能电池还要低。另外,金属娃化 物系太阳能电池由于能够通过感应娃系太阳能电池中无法使用的红外线来进行发电,因此 可W期待用作发电效率比娃系太阳能电池高的太阳能电池。 阳〇化]然而,金属娃化物系太阳能电池目前尚未商品化,还处于研究阶段。运是由于得不 到稳定的发电效率。而且,金属娃化物系太阳能电池的输出功率会随着接受的光的强度而 发生变化,因此对于作为单独的电源使用还存在忧虑。
[0006] 现有技术文献
[0007]专利文献
[0008] 专利文献1 :特开2011-198941号公报发明内容
[0009] 本发明所要解决的课题在于,提供一类具备金属娃化物层的、发电效率高的太阳 能发电模块。另外,还提供一类对于光强度的变化,即日照量的变化,能够非常稳定地供电 的太阳能发电模块。
[0010] 实施方式所述的太阳能发电模块,具备多晶金属娃化物层作为发电层。多晶金属 娃化物层的平均结晶粒径A大于或等于上述多晶金属娃化物层的膜厚B(A>B)。
附图说明 W11] 图1为示出太阳能发电模块构成例的示意图。
[0012] 图2为示出多晶金属娃化物层结构例的示意图。
[0013] 图3为示出pn接合型多晶金属娃化物层结构例的示意图。
[0014] 图4为示出肖特基(Schottky)型多晶金属娃化物层结构例的示意图。
[0015] 图5为示出太阳能发电模块构成例的示意图。
[0016] 图6为示出蓄电机构部构成例的示意图。
[0017] 图7为示出太阳能发电模块输出特性例的示意图。
具体实施方式
[0018] 下面,一边参照附图,一边对实施方式举例说明。予W说明,各附图中,同样的构成 要素采用相同的符号,在详细说明中有时予W省略。
[0019] 图1为示出第一实施方式的太阳能发电模块1的结构例的示意图。太阳能发电模 块1具备:设置在基板5上的多晶金属娃化物层2、设置在多晶金属娃化物层2表面侧(阳 光受光面侧)的表面电极部4、W及设置在多晶金属娃化物层2背面侧(阳光受光面的相反 侦。的电极层3。
[0020] 多晶金属娃化物层2具有接受阳光而发电的功能。太阳能发电模块1中,利用表 面电极部4和电极层3,可W将多晶金属娃化物层2中产生的电取出到外部。此时,多晶金 属娃化物层2具有作为发电层的功能。
[OOW多晶金属娃化物层2的平均结晶粒径AUm)与膜厚BUm)满足A^B。即,多晶 金属娃化物层2的平均结晶粒径A大于或等于多晶金属娃化物层2的膜厚B(A>B)。
[0022] 多晶金属娃化物层2中,每个结晶粒子均有助于发电。由金属娃化物结晶粒子所 产生的电,如上所述那样通过表面电极部4和电极层3被取出到外部。目P,电在多晶金属娃 化物层2的厚度方向上流动。当电在多晶金属娃化物层2中流动时,金属娃化物结晶粒子 之间的晶界成为陷阱部位(hクッッ亏^h)。晶界陷阱部位成为抑制载体传导的内部阻 力。因此,如果存在晶界陷阱部位,则难W将多晶金属娃化物层2所产生的电取出,结果导 致发电效率容易降低。
[0023] 太阳能发电模块1中,通过使多晶金属娃化物层2的平均结晶粒径A大于或等于 多晶金属娃化物层2的膜厚B(A>B),可W在多晶金属娃化物层2的厚度方向上减少晶界 的个数(包括零)。此时,最优选的状态是在多晶金属娃化物层2的厚度方向上不存在交叉 的金属娃化物结晶粒子的晶界。
[0024] 下面对于多晶金属娃化物层2的平均结晶粒径A、膜厚B的测定方法例进行说明。 首先,获取在多晶金属娃化物层2的厚度方向上任意截面的放大照片。将在得到的放大照 片中拍摄的各个金属娃化物结晶粒子的最大直径作为该结晶粒子的结晶粒径,取任意30 粒金属娃化物结晶粒子的结晶粒径(最大直径)的平均值作为平均结晶粒径A。另外,在 得到的放大照片中,测定任意10处的厚度,将测得的10处厚度的平均值作为膜厚B。予W 说明,放大照片的倍率为足W看清楚金属娃化物结晶粒子间的晶界的程度的倍率。另外,当 30粒金属娃化物结晶粒子不能全部进入一张照片(一个视野)中时,使用照片影像连续的 多张放大照片。
[00巧]图2为示出多晶金属娃化物层2的结构例的示意图。图2中,示出多晶金属娃化 物层2的膜厚B。予W说明,图2为作为一例的5粒金属娃化物结晶粒子排列状态的示意 图。对于金属娃化物结晶粒子间的晶界的形状没有特殊限定,例如,可W是直线状、曲线状 等。另外,各个金属娃化物结晶粒子的粒径为放大照片中拍摄的各个金属娃化物结晶粒子 的最大直径。此时,图2所示金属娃化物结晶粒子的粒径分别为粒径AU粒径A2、粒径A3、 粒径A4、粒径A5。
[0026] 多晶金属娃化物层2的平均结晶粒径A优选为0.OlymW上(ionmW上)。当平 均结晶粒径A小于IOnm时,结晶粒径过小,有可能难W将多晶金属娃化物层2的平均结晶 粒径A和膜厚B控制为A>B。对于平均结晶粒径A的上限没有特殊限定,优选为例如3ym W下。当平均结晶粒径A超过Siim那样大时,有可能难W制作均匀的结晶。进而,平均结 晶粒径A更优选为0. 05~1. 2Jim(50~1200nm)。
[0027] 多晶金属娃化物层2的膜厚B优选为1 ym W下。当膜厚B超过1 ym时,有可能 难W制作均质的结晶。另外,当超过Iym时,恐怕也不能提高发电效率。
[0028] 多晶金属娃化物层2中所含的金属娃化物优选为例如选自0-铁娃化物、领娃化 物、儀娃化物、铭娃化物、和鍊娃化物中的至少1种。
[0029] 0 -铁娃化物优选为0 -FeSiz。作为铁娃化物,除了FeSizW外,还可举出化Si、 化sSiJesSis等,但化Si2的发电效率最佳。予W说明,作为化学理论量,只要与化Si2近似, 即便多少有些差异,也可W作为铁娃化物使用(将小数点后第一位四舍五入,化与Si的原 子比处于1:2的范围)。
[0030]当使用0-铁娃化物时,太阳能发电模块1可W具有例如具备P型0-铁娃化物 层和与P型0 -铁娃化物层接触地设置的n型0 -铁娃化物层的pn接合型结构、肖特基 (Schottky)型结构、MIS(金属-绝缘层-半导体)型结构、或者MOS(金属-氧化物层-半 导体)型结构。当将pn接合型结构与肖特基型结构相比较时,优选肖特基型结构。如果是 肖特基型结构,由于不需要象pn接合型结构那样使用P型和n型2种金属娃化物,因此可 W谋求低成本化。予W说明,也可W根据需要,在多晶金属娃化物层2中渗杂不纯物等。
[0031] P型P-FeSiz的载体密度优选为1X10M~IXlO2Icm3,n型P-FeSiz的载体密 度优选为IX10"~IXIO2Icm3。另外,肖特基型P-FeSiz的载体密度优选为IX10M~ lXl〇iScm3。进而,无论是巧W中0_尸6512,其载体密度都更优选为班〇16細3^下。通过 降低载体密度,可W提高发电效率。换言么发电效率的提高表示载体密度为1XIQi6Cm3W 下。予W说明,载体密度在1Xl〇i6cm3W下,表示乘数为与1X10 16cm3相同的数值或者象 1X1〇14畑1 3那样比1X10 16畑1 3小的数值。
[0032]领娃化物优选为BaSiz。作为领娃化物,除了BaSizW外,还可举出BaSi等,但BaSi2 的发电效率最佳。予W说明,作为化学理论量,只要与BaSiz近似,即便其组成比等多少有些 差异,也可W作为领娃化物使用。当使用领娃化物时,太阳能发电模块1可W具有具备P型 领娃化物层和与P型领娃化物层接触的n型领娃化物层的pn接合型结构、肖特基型结构、 MIS型结构、或者MOS型结构。另外,也可W根据需要,在多晶金属娃化物层2中渗杂不纯物 等。 阳〇3引 P型BaSiz的载体密度优选为1X10M~1X10 21畑13,n型BaSiz的载体密度优选 为1X1〇14~1X10 21畑13。另外,肖特基型BaSiz的载体密度优选为1X10 14~1X10 18畑13。 进而,无论是哪一种BaSiz,其载体密度都更优选为1X10"cm3W下。通过降低载体密度, 可W提高发电效率。发电效率的提高表示载体密度为lX10"cm3W下。予W说明,载体 密度在1X10"畑13W下,表示乘数为与1X10"cm3相同的数值或者象1X10IScm3那样比 1XlQiW小的数值。
[0034]关于P-FeSiz,由于其带隙能量Eg为0.85eV左右,为直接迁移型,因此,对波长 ISOOnmW下的光具有高的吸收效率。关于BaSiz,由于其带隙能量Eg为1. 4eV左右,为间 接迁移型,因此,对波长950nmW下的光具有高的吸收效率。通过将P-FeSiz或BaSi2用于 多晶金属娃化物层2,从而可W利用ISOOnmW下或950nmW下的红外线进行发电,即便达到 W天为单位的长的发电时间也是可能的。另外,P-FeSi2、BaSi2的吸收系数为Si的100~ 1000倍那样高,因此,当发电效率相同时,也可W将含有0 -FeSiz或BaSi2的多晶金属娃化 物层2的膜厚减薄到Si太阳能电池层的1/100~1/1000左右。
[0035] 也可W使太阳能发电模块1的结构成为具备具有0 -FeSiz层的第1多晶金属娃 化物层、设置在第1多晶金属娃化物层上、具有BaSiz层的第2多晶金属娃化物层的串联式 结构。BaSiz层对950nmW下波长的光具有高的吸收效率。换言之,超过950nm波长的光容 易透过。另一方面,由于P-FeSiz层对ISOOnmW下波长的光具有高的吸收效率,因此,通 过使用P-FeSiz层,还可W将透过BaSi2层的光用于发电。当制成串联式结构时,作为第2 多晶金属娃化物层的背面电极,优选使用具有透光性的电极层。
[0036]儀娃化物优选为M拓Si,铭娃化物优选为化Siz,鍊娃化物优选为ReSiz。予W说明, 即便是与BaSi2、Mg2Si、化Si2、ReSi2在原子比上有些差异的材料,只要小数点后第一位四舍 五入后原子比处于该范围内的,就可W作为上述各金属娃化物使用。另外,在作为金属娃化 物使用M拓Si、CrSiz、ReSiz时,与BaSi2同样,其载体密度优选为1X10"cm3W下。
[0037] 图3为示出具有pn接合型结构的太阳能发电模块的结构例的示意图。图3所示 的太阳能发电模块具备多晶金属娃化物层2、设置在多晶金属娃化物层2表面侧(阳光受光 面侧)的表面电极部4、设置在多晶金属娃化物层2背面侧(阳光受光面的相反侧)的电极 层3。进而,多晶金属娃化物层2具备设置在表面电极部4侧的P型多晶金属娃化物层2a、 设置在电极层3(背面电极)侧的n型多晶金属娃化物层化。予W说明,P型多晶金属娃化 物层2a和n型多晶金属娃化物层化的配置也可W相反。如图3所示,如果向pn接合型结 构的太阳能发电模块赋予电荷,就能使得在P型多晶金属娃化物层2a与n型多晶金属娃化 物层化之间形成过渡层2c。由于过渡层2c的存在,就能使多晶金属娃化物层2变成双电 荷层,运样就可W从多晶金属娃化物层2中取出电。予W说明,电极层3也可W与图1同样 地在基板5上形成。
[003引图4为示出具有肖特基型结构的太阳能发电模块的结构例的示意图。图4所示的 太阳能发电模块具备多晶金属娃化物层2、设置在多晶金属娃化物层2表面侧(阳光受光面 侦。的表面电极部4、设置在多晶金属娃化物层2背面侧(阳光受光面的相反侧)的电极 层3。此时,多晶金属娃化物层2可W是P型多晶金属娃化物层2a或者n型多晶金属娃化 物层化中的任一个。一般而言,肖特基型结构为在金属与半导体之间起整流作用的接合结 构。过渡层通过金属与半导体的接触来形成。当为具有图4所示肖特基型结构的太阳能发 电模块时,金属为表面电极部4或电极层3。半导体为P型多晶金属娃化物层2a或n型多 晶金属娃化物层化。予W说明,电极层3也可W与图1同样地在基板5上形成。
[0039] pn接合型结构主要是使少数载体允许电流通过的结构,而肖特基型结构主要是使 多数载体允许电流通过的结构。因此,肖特基型结构可用来制作高速动作性优良的太阳能 发电模块。
[0040] 作为P型多晶金属娃化物层2a的制作方法例,可W采用向多晶金属娃化物层中 添加选自周期表第13族中的至少1种元素的方法。作为周期表第13族元素,可举出例如 B(棚)、A1 (侣)、Ga(嫁)、In(铜)、T1 (巧)等。作为n型多晶金属娃化物层化的制作方 法例,可W采用向多晶金属娃化物层中添加选自周期表第15族中的至少I种元素的方法。 作为周期表第15族元素,可举出例如N(氮)、P(憐)、As(神)、訊(錬)、Bi(祕)等。予 W说明,通过控制多晶金属娃化物层的组成,也可W制作P型多晶金属娃化物层2a和n型 多晶金属娃化物层化。
[0041] 表面电极部4优选为能够透过波长ISOOnmW下的光的电极材料。作为运种材料, 可举出口0(氧化铜锡:IT0)、AT0(氧化錬锡:AT0)、AZ0(氧化侣锋:AZ0)等透明电极材料。 表面电极部4只要能够在多晶金属娃化物层2上形成1处W上即可。予W说明,也可W在 表面电极部4和多晶金属娃化物层2上设置防反射膜或玻璃基板。
[0042] 在多晶金属娃化物层2上形成氮化膜后,也可W在其上形成透明电极。氮化膜具 有作为防止多晶金属娃化物层2的氧化和吸湿的保护膜的功能。作为氮化膜,优选使用娃 氮化膜。作为娃氮化膜,优选使用选自Si心SiN典、SiNyOyH,、SiNyH,中的1种材料的氮化 膜。此时,x、y、Z为当Si的原子量为1时的原子比,优选X为满足0 <X2. 0的数,y为满 足0y1. 0的数,Z为满足0Z0. 1的数。
[0043] 氮化膜的膜厚优选在IOnmW下,更优选在5nmW下。氮化膜大多数为绝缘性的 (导电性低),如果膜厚超过10皿,则电流有可能通不过。通过制成10皿W下、进而5皿W 下那么薄的膜,由于获得了隧道效应,因此对电的导通没有影响。予W说明,只要氮化膜具 有作为保护膜的功能,则对于氮化膜的膜厚没有特殊限定,优选为例如2nmW上。
[0044] 作为氮化膜的制作方法例,可举出例如瓣射法、化学气相沉积(化emicalVapor Deposition:CVD)法、直接氮化法(使金属娃化物氮化的方法)等成膜方法。另外,当采用 各成膜方法时,通过使成膜时的气氛中含有氧或氨,可W形成SiNyOy、SiNyOyH,、SiNyH,的氮 化膜。
[0045] 作为电极层3,只要是具有导电性的材料即可,作为适用于电极层3的材料,可举 出Pt、Ag、A1、化等金属材料(含合金)、LaBe、TiN等导电性氮化物;儀娃化物(NiSiz)或 钻娃化物(CoSi)等金属娃化物。电极层3的厚度是任意的,优选为10皿W上。当使用 0 -FeSiz作为多晶金属娃化物层2时,优选使用NiSi2作为电极层3。NiSi2是一种也具有 作为控制P-FeSiz的结晶取向性的模板的功能的电极材料。
[0046] 当使用合金作为电极层3时,作为适用于电极层3的合金,可举出Al合金。作为 Al合金,可举出被称作AlNd合金的M-稀±类合金。M-稀±类合金中的稀±类元素的含 量优选为10原子% ^下。予W说明,在多晶金属娃化物层2与电极层3之间,也可W根据 需要,部分地设置绝缘层。
[0047] 电极层3优选为具有耐热性的材料。如后文所述,运是在制作多晶金属娃化物层 2时优选施行热处理的理由。作为具有耐热性的材料,可举出NiSiz、AlNd合金、LaBe、TiN。 通过使用具有耐热性的电极材料,可使得在形成电极层3时提高其合格率。
[0048] 为了确定电极层3的材料,优选对多晶金属娃化物层2的功函数进行匹配。具体 而言,与P型多晶金属娃化物层2a接触的电极的功函数,优选低于P型多晶金属娃化物层 2a的功函数。另外,与n型多晶金属娃化物层化接触的电极的功函数,优选高于n型多晶 金属娃化物层化的功函数。通过进行运样的匹配,可W向多晶金属娃化物层2与电极层之 间赋予整流特性。整流特性是指在一定方向上电流变得容易流动的特性。通过赋予整流特 性,可提高发电效率。
[0049] 例如,当P型多晶金属娃化物层2a为P型BaSiz层时,优选W功函数4. 7为基准 来选定电极材料;当n型多晶金属娃化物层化为n型BaSiz层时,优选W功函数3. 3为基 准来选定电极材料;当P型多晶金属娃化物层2a为P型0 -FeSiz层时,优选W功函数5. 6 为基准来选定电极材料;当n型多晶金属娃化物层化为n型0 -FeSiz层时,优选W功函数 4. 8为基准来选定电极材料。予W说明,功函数的单位为eV。
[0050] 作为基板5,可W使用玻璃基板、绝缘性陶瓷基板、金属基板等。予W说明,在金属 基板的情况下,也可W具有由绝缘层形成的绝缘表面。
[0051] 使用上述第一实施方式的太阳能发电模块,可W提高发电效率。在此,对于第一太 阳能发电模块的制造方法进行说明。作为本实施方式的太阳能发电模块的制造方法,只要 具有上述构成,就没有特殊限定,作为用于获得高效率的太阳能发电模块的方法,可举出W 下的方法。
[0052] 首先,准备基板5。此时,根据需要,洗涂基板5的表面。在进行洗涂的情况下,进 行充分的干燥工序。接着,形成电极层3。例如,可W使用适用于电极层3的材料,采用瓣射 法等成膜法来形成电极层3。
[0053]例如,当将NiSiz等金属娃化物用于电极层3时,可W采用使用NiSi2祀进行瓣射 的方法、使用Ni祀和Si祀两者进行瓣射的方法等。当使用Ni祀和Si祀两者进行瓣射时, 可W是同时使用Ni祀和Si祀的瓣射或者交替使用Ni祀和Si祀的瓣射中的任一种。此时, 在瓣射后,通过进行热处理,使上述瓣射所形成的膜发生反应,形成NiSiz层。
[0054] 热处理条件优选为,在氮气等惰性气氛中,在300~700°C下热处理30秒~5分钟 的条件。如果在超过70(TC的高溫或者超过5分钟的长时间的条件下进行热处理,则基板5 等有可能产生形变。所形成的NiSiz的纯度优选为99. 9质量% ^上,更优选为99. 999质 量%W上。
[0055] NiSiz层可W是多晶膜或单晶膜。当为多晶膜时,NiSi2层的平均结晶粒径优选为 大的数值。通过增大NiSiz层等基底层的平均结晶粒径,可W增大在其上形成的多晶金属 娃化物层2的平均结晶粒径。予W说明,即使基底层为单晶膜,也可W获得同样的效果。
[0056] 接着,根据需要,对电极层3进行图案化处理。作为图案化处理,可举出在想要作 为图案(布线)而留下的部分上配置抗蚀剂或掩模材料,进行蚀刻处理的方法。
[0057] 其次,形成多晶金属娃化物层2。例如,可W采用瓣射法等成膜法来形成多晶金属 娃化物层2。多晶金属娃化物层2的厚度优选为0.Olym(lOnm)W上。
[00郎]当形成0 -FeSiz层作为多晶金属娃化物层2时,可W采用使用化Si2祀进行瓣射 的方法、使用化祀和Si祀两者进行瓣射的方法,来形成0 -FeSiz层。当使用化祀和Si祀 两者进行瓣射时,可W是同时使用Fe祀和Si祀的瓣射或者交替使用Fe祀和Si祀的瓣射 中的任一种。此时,在瓣射后,通过进行热处理,使瓣射生成的膜发生反应,形成化Si2。 [0059] 热处理条件优选为,在惰性气氛中或还原性气氛中,在300~900°C下热处理30 秒~1小时的条件。作为惰性气氛,可举出氮气气氛、氣气气氛等。作为还原性气氛,可举 出含氨的氮气气氛等。如果在超过900°C的高溫或者超过1小时的长时间的条件下进行热 处理,则基板5等有可能产生形变。 W60] 当使用金属娃化物(NiSiz或CoSU作为电极层3时,可W使热处理溫度在500°C W下。运是为了使金属娃化物起到用于形成P-FeSiz层的模板的作用。另外,如果用于形 成e-FeSiz层的热处理溫度在500°CW下,则可W减少对基板、特别是玻璃基板的损害,因 此是理想的。另外,通过在瓣射后进行热处理,可W控制P-FeSiz层的平均结晶粒径A。
[0061] 为了获得均质的0 -FeSiz层,优选在交替使用化祀和Si祀进行瓣射后,再进行热 处理。使化膜为0. 5~5皿、Si膜为1~10皿的范围,一边将化膜和Si膜交替层叠一边形 成至目标膜厚,然后进行热处理。通过热处理Je膜与Si膜发生反应,形成多晶的0-FeSiz 层。另外,当将化膜与Si膜交替层叠时,Si与化的原子比优选为Fe:Si= 1:1. 5~2. 5, 更优选为化:Si= 1:2.0~2.5。通过使化与Si的原子比为1:2.0~2.5,可W容易地形 成均质的P-FeSiz层。
[0062] 上述工序形成的均质的P-FeSiz层的电阻率为4X104QcmW上。特别地,通过 使化与Si的原子比为Fe:Si= 1:2. 1~2. 4的范围,可W使P-FeSiz层的电阻率达到 IXIO5QcmW上。薄膜电阻值高,表示得到了成为低电阻值的化单质和/或Si单质的部 分少的、均质的P-FeSiz层。
[0063] 可W采用使用化Siz祀进行瓣射的方法、使用化祀和Si祀两者进行瓣射的方法 中的任一种方法,所使用的瓣射祀的纯度优选为99. 9质量% ^上,更优选为99. 999质量% W上的高纯度。
[0064] 瓣射优选在真空气氛或惰性气氛中进行。通过在真空气氛或惰性气氛中进行瓣 射,可W防止瓣射过程中混入杂质。另外,真空气氛优选为1X10中aW下的真空气氛;惰性 气氛优选为氣气气氛。另外,在瓣射过程中,也可W是加热气氛。
[0065] 薄膜电阻值的测定采用四探针法对P-FeSiz层表面进行。是否形成均质的 P-FeSiz层,可W采用X射线衍射狂-RayDifTraction=X畑)分析来确认。当对所得 0 -FeSiz层进行邸D分析(2目)时,在28~30。之间检测出0-FeSi2的(202)/(220)面 的峰和(004)/(040)面的峰,在42~58°之间检测出(422)面的峰和(133)面的峰。予W 说明,优选(202)/(220)面的峰为最强峰。另外,如果形成均质的P-FeSiz,则当进行XRD 分析时不会检测出化单质和Si单质的峰。
[0066] 通过进行热处理得到的均质的0 -FeSiz层,作为其红外吸收特性,在6300~ 6500cm1处具有吸收端(Abso巧tionEdge)。另外,通过瓣射法来交替形成化膜和Si膜, 再通过热处理使化膜与Si膜进行反应,在由此形成的0 -FeSiz层中,薄膜电阻的溫度依 赖性高。
[0067] 如果将0-FeSiz层中的薄膜电阻的溫度依赖性用阿仑尼乌斯曲线图(Arrhenios Plot)表示,则当 298K(25°C)下的"电阻率为8X104Qcm、Ea= 0.142eV"时,200K(-73°C) 下的"电阻率为 3. 6X1〇5Qcm、Ea= 0. 123eV",90K(-183°C)下的"电阻率为 3. 6X1〇6Qcm、 Ea= 0. 0926eV",50K(-223°C)下的"电阻率为 2Xl〇7Qcm、Ea= 0. 0395eV"。如上所述, 即使在低溫区域也显示出优良的电阻率,运就表明载体密度在IXIQiScm3W下。 W側因此,通过将化膜与Si膜交替层叠并进行热处理,生成0 -FeSiz层,由此得到均 质的P-FeSiz层。另外,通过调整热处理条件,也可W使多晶金属娃化物层2的平均结晶 粒径A大于或等于膜厚B(A>B)。 W例当形成BaSiz层作为多晶金属娃化物层2时,可举出通过使用领娃化物祀进行瓣 射来形成BaSiz层的方法。作为领娃化物祀,可举出BaSi2祀、BaSi祀等。予W说明,在形 成BaSiz层后,通过连续形成氮化膜(保护膜),可W防止大气开放后的氧化和吸湿。
[0070]瓣射优选在真空气氛中或在惰性气氛中进行。通过在真空气氛中或在惰性气氛中 进行瓣射,可W-边抑制氧化一边使BaSiz层成膜。作为真空气氛,优选为1X103PaW下 的真空气氛。惰性气氛优选为氮气、氣气等惰性气氛。予W说明,瓣射工序中,也可W使用 加热气氛。
[0071] 瓣射工序中,使用BaSiz祀形成BaSi2层后,也可W进行热处理。另外,瓣射工序中, 也可W按照BaSiz祀、BaSi祀等来改变Ba与Si的组成比,如此准备好瓣射祀,然后交替进 行瓣射,形成Si膜与化膜的层叠膜,瓣射后,进行热处理,使Si膜与化膜发生反应,形成 BaSiz层。
[0072] 热处理条件优选为,在真空气氛、惰性气氛中或还原性气氛中,在300~900°C下 热处理30秒~1小时的条件。如果在超过900°C的高溫或者超过1小时的长时间的条件下 进行热处理,则基板5等有可能产生形变。另外,当在真空气氛中进行热处理时,真空气氛 优选为1X10中aW下。惰性气氛优选为氮气氛、氣气氛等。还原性气氛优选为含氨的氮气 氛等。
[0073] 当使用金属娃化物(NiSiz或CoSi)作为电极层3时,可W使热处理溫度在500°CW 下。运是为了使金属娃化物起到用于形成BaSiz层的模板的作用。另外,只要形成BaSi2层 的热处理溫度在500°CW下,就可W减少对基板5、特别是玻璃基板的损害,因此是理想的。 通过在瓣射后进行热处理,可W控制BaSiz层的平均结晶粒径A。 阳074] 当使用金属娃化物(NiSiz或CoSi)作为电极层3时,电极层3可W是多晶或单晶。 当为多晶时,希望平均结晶粒径尽可能大。如果在平均结晶粒径大的电极层3上设置多晶 金属娃化物层2,则多晶金属娃化物层2的平均结晶粒径A(ym)与膜厚B(ym)容易满足 A>B。另外,当使用金属娃化物作为电极层3时,也可W是W电极层3作为基底层、在其下 设置金属电极等的多层电极结构。
[0075] 当如上所述进行电极层3的图案化处理时,在未设置电极层3的部位配置抗蚀剂 或掩模材料后再进行。另外,当形成pn接合型那样的层叠结构时,分别进行渗杂不纯物的 工序。
[0076]通过上述那样将瓣射与热处理组合,可W形成多晶金属娃化物层2。为了使多晶 金属娃化物层2的平均结晶粒径A(ym)与膜厚B(ym)满足A>B,有效的方法是对多晶 金属娃化物层2施加热处理W使晶粒生长。该热处理优选在300~900°C下进行30秒~1 小时。予W说明,上述热处理可W在同时使用或者交替使用化祀和Si祀进行瓣射后一并 进行热处理。予W说明,如果是肖特基型结构,可W采用500°CW下的热处理溫度,因此可W 减少对基板5的损害。
[0077]接着,进行设置表面电极部4的工序。当使用ITO或ATO等透明电极作为表面电 极部4时,通过使用ITO祀或ATO祀的瓣射法来形成ITO膜或ATO膜。然后,如图1所示, 当在多晶金属娃化物层2上部分地设置表面电极部4时,也可W在配置抗蚀剂或掩模材料 后再进行瓣射。形成表面电极部4后,也可W根据需要,在表面电极部4上形成防反射膜, 或是将表面电极部4与玻璃基板等透明基板进行贴合。另外,也可W将表面电极部4与预 先设置的透明基板贴合。
[0078] 下面,对第二实施方式的太阳能发电模块(第二太阳能发电模块)进行说明。图 5为示出第二太阳能发电模块的结构例的示意图。图5所示的太阳能发电模块6具备第一 实施方式的太阳能发电模块的基板5W及在其背面侧上设置的蓄电机构部11。另外,太阳 能发电模块6与第一实施方式的太阳能发电模块同样地具备在基板5的表面侧上设置的多 晶金属娃化物层2、电极层3、表面电极部4。予W说明,对于与第1实施方式的太阳能发电 模块相同的构成要素,可W适宜地援引第1实施方式的太阳能发电模块的说明。
[0079] 蓄电机构部11具有将由多晶金属娃化物层2供给的电力的一部分或全部储存起 来的功能。蓄电机构部11通过布线(未图示)等而将表面电极部4和电极层3连接起来。 图6为示出蓄电机构部11的结构例的示意图。图6所示的蓄电机构部11具备电极部12 (相 当于第1电极部的一例)、电极部13 (相当于第2电极部的一例)、密封部14、蓄电部15、电 解液16、保护部17、还原部18。予W说明,蓄电机构部11的外围用绝缘部件(未图示)覆 主rmO
[0080] 电极部12呈板状,使用具有导电性的材料来形成。电极部12含有例如侣、铜、不 诱钢、销等金属。电极部13呈板状,与电极部12相对地设置。电极部13使用具有导电性 的材料来形成。电极部13含有例如侣、铜、不诱钢、销等金属。予W说明,可W使用相同的 材料来形成电极部12和电极部13,也可W使用不同的材料来形成电极部12和电极部13。 另外,作为电极部12和电极部13,也可W使用含有例如口0、IZ0(氧化铜锋)、FT0(氧化氣 锡)、Sn化、In〇3等的材料。
[0081] 电极部12和电极部13设置在基板(未图示)上。作为上述基板,可举出玻璃基 板和经过绝缘处理的金属基板等。作为上述基板,也可W使用上述的基板5。总之,也可W 是具备通过将太阳能发电模块6的结构直接配置在基板5上而形成的蓄电机构部11的结 构。
[0082] 设置在蓄电部15 -侧的电极部13成为负极侧的电极。另外,与电极部13对置的 电极部12成为正极侧的电极。密封部14设置在电极部12和电极部13之间,将电极部12 的周边部和电极部13的周边部密封。目P,密封部14沿着电极部12和电极部13的周边设 置,W便将蓄电机构部11的内部包围起来,通过将电极部12 -侧和电极部13 -侧接合起 来,将蓄电机构部11的内部密闭。另外,对于密封部14的厚度没有特殊限定,优选为蓄电 部15的厚度的1. 5~30倍的范围。由于密封部14的厚度要构成填充电解液16的空间, 因此,密封部14优选具有规定范围的厚度。如果小于1. 5倍,则储存在蓄电部15中的电容 易释放出来,而超过30倍,则储存在蓄电部15中的电难W取出。
[0083] 密封部14将电极部12和电极部13之间密封起来。密封部14也可W含有玻璃材 料。密封部14可W使用例如将粉末玻璃、丙締酸类树脂等粘合剂、有机溶剂等混合而制成 糊状的玻璃料来形成。作为粉末玻璃的材料,可举出例如饥酸盐系玻璃和氧化祕系玻璃等。 该情况下,可W将制成糊状的玻璃料涂布到密封对象部分,将其烧结,形成密封部14。然后, 通过将密封部14加热,使密封部14烙融,可W将蓄电机构部11密封起来。例如,通过向所 形成的密封部14照射激光,使密封部14的被激光照射的部分烙融,可W将蓄电机构部11 密封。予W说明,对于适用于密封部14的材料,不限定于玻璃材料。例如,密封部14也可 化含有树脂材料。例如,蓄电机构部11也可W是由含有树脂材料的密封部14将电极部12 和电极部13接合而成的结构。
[0084] 蓄电部15为密封部14的内侦U,设置在电极部13的朝向电极部12-侧的面上。 蓄电部15通过保护部17设置在电极部13上。蓄电部15由具有蓄电性的材料形成。蓄电 部15含有例如W〇3(氧化鹤)。蓄电部15也可W具有多孔结构。多孔结构的空隙率优选为 20~80体积%的范围。作为氧化鹤,优选使用平均粒径1~1000皿、更优选1~100皿的 氧化鹤粒子。另外,为了提高蓄电性能,也可W在氧化鹤粒子的表面上设置金属膜、金属氧 化物膜等。
[0085] 如果使蓄电部15的结构成为具有多孔结构的结构,则可W使其与电解液16的接 触面积增大。因此,可W使蓄电部15的蓄电变得容易。蓄电部15的厚度可W为例如30ym 左右。另外,也可W通过将直径尺寸为20nm左右的W〇3粒子层叠至30ym左右的厚度来形 成蓄电部15。另外,蓄电部15的厚度只要具有蓄电功能,就没有特殊限定,优选为1ymW 上,更优选为1ym~100Jim。
[0086] 电解液16设置在密封部14的内侧。即,可W将电解液16填充到被电极部12、电 极部13和密封部14包围的空间。作为电解液16,可W使用例如含舰的电解液。另外,作为 电解液16,可W使用通过将舰化裡和舰溶解在例如乙腊等溶剂中而成的电解液。舰化裡的 浓度优选为0. 5~5mol/L的范围,舰的浓度优选为0.Ol~5mol/L的范围。
[0087] 保护部17呈膜状,设置在蓄电部15与电极部13之间。保护部17按照覆盖被密封 部14划分出的电极部13的表面的方式设置。保护部17的设置是为了抑制电极部13被电 解液16腐蚀。保护部17使用具有导电性和对电解液16的耐化学品性的材料来形成。保 护部17含有例如碳和/或销等。保护部17的厚度优选为例如IOOnm左右。予W说明,在 使用对电解液16具有耐化学品性的材料来形成电极部13的情况下,也可W不必设置保护 部17。
[0088] 还原部18呈膜状,按照覆盖被密封部14划分出的电极部12的表面的方式设置。 还原部18的设置是为了将电解液16中所含的离子还原。例如,还原部18将电解液16中 含有的Is离子舰化物离子)还原为I离子(舰化物离子)。因此,还原部18使用具 有导电性和对电解液16具有耐化学品性、W及认为能将电解液16中所含的离子还原的材 料来形成。还原部18含有例如碳和/或销等。还原部18的厚度优选为例如SOnm左右。
[0089] 只要是运样的蓄电机构部11,就可W将多晶金属娃化物层2产生的电力的一部分 或全部有效地储存。另外,运样的蓄电机构部11的蓄电容量可W达到l〇〇〇C/m2W上,进而 可W达到10000C/m2W上。
[0090] 下面,对第二实施方式的太阳能发电模块(太阳能发电模块6)的输出特性进行说 明。图7为示出第二实施方式的太阳能发电模块的输出特性的示意图。
[00川图7中,纵轴表示太阳能发电模块6所供给的电力的电压,横轴表示时间。太阳能 发电模块6受到阳光的照射而供给一定的电压。如果由于天气的变化等日照量降低,则多 晶金属娃化物层2所产生的电力减少。此时,如果降低到一定的电压(AVl),就由蓄电机 构部11供给电力。根据蓄电机构部11中储存的电力(蓄电容量)来供给电力。在来自蓄 电机构部11的电压降低到一定电压(AV。的期间,切换为商用电源。由此,与太阳能电 池单独发电时不同,可W改善伴随日照量变化造成的电力供给不稳定的问题。
[0092]另外,通过将蓄电机构部11的蓄电容量增大到1000 CAi2W上,可W使多晶金属娃 化物层2的发电稳定化。例如,当多晶金属娃化物层2的发电效率目标为5%时,通过由蓄 电机构部11供给不足5%的那部分电力,可W使发电稳定化。 阳〇9引实施例
[0094](实施例I、2、比较例I) 阳0巧]在玻璃基板上设置NiSiz层(厚度20nm)。予W说明,在NiSi2层的形成过程中, 交替使用Ni祀和Si祀进行瓣射,使Ni膜/Si膜交替地多层层叠,形成层叠膜。然后,在氮 气氛中,在500°CXl分钟的条件下进行热处理,生成NiSiz层。予W说明,Ni祀或Si祀的 纯度为99. 9质量%。
[0096] 接着,在NiSiz层上形成P-FeSi2层(厚度300nm)。在P-FeSi2层的形成过程中, 交替使用化祀和Si祀进行瓣射,使化膜和Si膜交替地多层层叠。在实施例1、实施例2、 比较例1中,使化膜的膜厚为1~3nm的范围,使Si膜的膜厚为5~IOnm的范围。另外, 在实施例1中,使化与Si的原子比为化:Si= 1:2. 1,在实施例2、比较例1中,Fe:Si= 1:2.3。予W说明Je祀和Si祀的纯度为99. 9质量%。然后,按表1所示的条件进行热处 理,使化膜与Si膜进行反应,得到0 -FeSiz层。接着,在0-FeSi2层上设置由ITO构成的 表面电极部。予W说明,在形成ITO表面电极部的过程中,进行ITO祀的瓣射,形成ITO膜。
[0097] 采用上述方法,制作具有肖特基型结构的太阳能发电模块。对得到的太阳能发电 模块,求出P-FeSiz层的平均结晶粒径A和膜厚B。实施例中的平均结晶粒径A和膜厚B 的测定方法如上述实施方式所示。另外,对P-FeSiz层进行XRD分析,其结果,仅检测出 0 -FeSiz结晶的峰,未检测出化单质和Si单质的峰。
[009引[表U
[0099]
Figure CN105144400AD00131
[0100] 对实施例1、2W及比较例1的太阳能发电模块,求出发电效率。在发电效率的测 定中,照射发光强度为30W/m2、色溫为5700K的太阳光谱(近似于白天12点的发光波谱) 的L邸照明光,求出发电效率。其结果示于表2。 阳 101][表 2] 阳102]
Figure CN105144400AD00132
UlN丄UO丄444UUA 丄Z/丄 /JA
Figure CN105144400AD00141
[010引从表2看出,与比较例1的太阳能发电模块的发电效率相比,实施例1和实施例2 的太阳能发电模块的发电效率高。运是因为,实施例1和实施例2中的平均结晶粒径A> 膜厚B,从而减少了晶界陷阱部位(h号ッッK)的缘故。
[0104](实施例3、4、比较例2) 阳1化]在Si〇2基板上设置AlNd合金电极层(厚度50皿)。予W说明,作为AlNd合金,使 用Al-I原子%Nd合金。接着,在AlNd合金电极层上形成BaSiz层(厚度300nm)。在BaSi2 层的形成过程中,使用BaSiz祀进行瓣射,然后,将娃氮化物层(厚度3nm)连续成膜。予W 说明,瓣射工序是在1X10中aW下的真空中、在300°C的加热气氛中进行的。另外,BaSiz 祀的纯度为99. 99质量%。然后,按表3所示的条件进行热处理。接着,在BaSi,层上设置 由AZO构成的表面电极部。在AZO表面电极部的形成过程中,通过进行AZO祀的瓣射,形成 AZO膜。
[0106] 采用运种方法,制作具有肖特基型结构的太阳能发电模块。对得到的太阳能发电 模块,采用上述所示的测定方法,求出BaSi,层的平均结晶粒径A和膜厚B。
[0107] [表引 阳10引
Figure CN105144400AD00142
阳109] 进而,对实施例3~4和比较例2的太阳能发电模块,求出发电效率。发电效率的 测定方法与实施例1的方法相同。其结果示于表4。
[0110][表 4] 阳111]
Figure CN105144400AD00143
Figure CN105144400AD00151
阳11引从表4看出,与比较例2的太阳能发电模块的发电效率相比,实施例3和实施例3、 4的太阳能发电模块的发电效率高。运是因为,实施例3和实施例4中的平均结晶粒径A> 膜厚B,从而减少了晶界陷阱部位的缘故。 阳113](实施例5~9)
[0114] 在玻璃基板上设置NiSiz层(厚度20nm)。予W说明,在NiSi2层的形成过程中, 交替使用Ni祀和Si祀进行瓣射,形成Ni膜/Si膜交替地多层层叠而成的层叠膜。然后, 在氮气氛中、在500°CX1分钟的条件下进行热处理,使Ni膜与Si膜进行反应,得到NiSiz 层。予W说明,Ni祀和Si祀的纯度为99. 99质量%。
[0115] 接着,在NiSiz层上形成0-FeSi2层。在P-FeSi2层的形成过程中,交替地使用 化祀和Si祀进行瓣射,使化膜和Si膜交替地多层层叠。在实施例5~9中,使化膜的膜 厚为1~3皿的范围,使Si膜的膜厚为5~10皿的范围。另外,在实施例5~9中,使化 与Si的原子比为Fe:Si= 1:2. 25。予W说明,化祀和Si祀的纯度为99. 99质量%。另 夕F,瓣射工序在1X10 3paW下的真空中进行。然后,按表5所示的条件进行热处理。接着, 在P-FeSiz层上设置由ITO构成的表面电极部。在ITO表面电极部的形成中,进行ITO祀 的瓣射,形成ITO膜。
[0116] 采用运种方法,制作具有肖特基型结构的太阳能发电模块。对得到的太阳能发电 模块,求出P-FeSiz层的平均结晶粒径A和膜厚B。另外,对P-FeSi2层进行XRD分析,其 结果,仅检测出0 -FeSiz结晶的峰,未检测出化单质和Si单质的峰。
[0117][表引 阳11引
Figure CN105144400AD00152
[0119] 对实施例5~9的太阳能发电模块,求出发电效率。发电效率的测定方法与实施 例1的方法相同。其结果示于表6。
[0120] [表 6]
[0121]
Figure CN105144400AD00161
阳12引从表6看出,实施例5~9的太阳能发电模块的发电效率高。运是因为,其平均结 晶粒径A>膜厚B,从而减少了晶界陷阱部位的缘故。如上所述,实施例5~9的太阳能发 电模块的发电效率均为2%W上。 阳123](实施例10、11、比较例3)
[0124] 在玻璃基板上设置NiSiz层(厚度20nm)。予W说明,在NiSi2层的形成过程中, 交替使用Ni祀和Si祀进行瓣射,使Ni膜和Si膜交替地多层层叠。然后,在氮气氛中、在 500°CXl分钟的条件下进行热处理,使Ni膜与Si膜进行反应,形成NiSiz层。予W说明, Ni祀和Si祀的纯度为99. 99质量%。 阳125] 接着,在NiSiz层上形成n型0-FeSi2层,再在其上形成P型P-FeSi2层。在n 型和P型的0 -FeSiz层的形成过程中,交替地使用化祀和Si祀进行瓣射,使化膜和Si膜交替地多层层叠。在实施例1〇、11、比较例3中,使化膜的膜厚为1~3nm的范围,使Si 膜的膜厚为5~10皿的范围。另外,在实施例10、11、比较例3中,使化与Si的原子比为 Fe:Si= 1:2. 25。予W说明,化祀和Si祀的纯度为99. 99质量%。瓣射工序在IX103Pa W下的真空中进行。然后,按表7所示的条件进行热处理,使Fe膜与Si膜进行反应,得到 0 -FeSiz层。予W说明,n型、P型的制作通过对化Si2层渗杂异物来进行。
[0126] 接着,在P-FeSiz层上形成由ITO构成的表面电极部。予W说明,在ITO表面电 极部的形成中,进行ITO祀的瓣射,形成ITO膜。由此制作pn接合型多晶P-FeSiz太阳能 发电模块。对得到的太阳能发电模块,求出P-FeSiz层的平均结晶粒径A和膜厚B。
[0127] [表 7] 阳12引
Figure CN105144400AD00171
[0129] 对实施例10、11、比较例3的太阳能发电模块,求出发电效率。发电效率的测定方 法与实施例1的方法相同。其结果示于表8。
[0130][表引
[0131]
Figure CN105144400AD00172
阳13引从表8看出,与比较例3的太阳能发电模块的发电效率相比,实施例10、11的太阳 能发电模块的发电效率高。运是因为,其平均结晶粒径A>膜厚B,从而减少了晶界陷阱部 位的缘故。由此可W判明,即使是采用pn接合型,也可W提高发电效率。 阳133](实施例12~14、比较例4)
[0134]在实施例12~14和比较例4中,在Si〇2基板上设置LaB e电极层(厚度50nm)。 接着,在电极层上形成n型BaSiz层、再在其上形成P型BaSi2层。接着,实施例12和实施 例14中,在P型BaSiz层上使娃氮化物层(厚度3nm)连续成膜(实施例13和比较例4中 没有娃氮化物层)。予W说明,瓣射工序在IX 103paW下的真空中、在300°C的加热气氛中 进行。另外,BaSiz祀的纯度为99. 9质量%。然后,按表9所示的条件进行热处理。 阳135] 接着,在BaSiz层上设置由AZO构成的表面电极部。在AZO表面电极部的形成过 程中,通过AZO祀的瓣射来形成AZO膜。采用上述方法,制作具有pn接合型结构的太阳能 发电模块。对得到的太阳能发电模块,求出BaSiz层的平均结晶粒径A和膜厚B。
[0136][表9] 阳137] L/IN丄A <" • * iU/丄(X
Figure CN105144400AD00181
[013引对实施例12~14、比较例4的太阳能发电模块,求出发电效率。发电效率的测定 方法与实施例1的方法相同。其结果示于表10。 阳 139][表 10]
[0140]
Figure CN105144400AD00182
阳141] 从表10看出,与比较例4的太阳能发电模块的发电效率相比,实施例12~14的 太阳能发电模块的发电效率高。运是因为,其平均结晶粒径A>膜厚B,从而减少了晶界陷 阱部位的缘故。由此可W判明,即使是采用pn接合型,也可W获得高的发电效率。 阳142](实施例1A、2A) 阳143] 使图5所示的蓄电机构部与实施例1~2的太阳能发电模块的基板的背面接合, 将在实施例1的背面设置蓄电机构部的制品作为实施例1A,将在实施例2的背面设置蓄电 机构部的制品作为实施例2A。考察输出特性,结果如图7所示的变化。由此可W看出,实施 例1A、实施例2A的太阳能发电模块对日照量的变化显示出强有力的效果。另外,即使对于 实施例3~14,通过与蓄电机构部进行单元(unit)化而得到的太阳能发电模块的输出特 性,显示出如图7那样的变化。
[0144] W上示例了本发明的一些实施方式,但运些实施方式仅作为例子提示,并不意图 限定本发明的范围。运些新的实施方式,也可W按其他的各种实施方式来实施,在不脱离本 发明主旨的范围内,可W进行各种省略、替换、变更等。运些实施方式及其变形例均包含在 本发明的范围和主旨内,同时也包含在权利要求书记载的发明及与其同等的范围内。另外, 上述各实施方式也可W相互组合来实施。

Claims (12)

1. 太阳能发电模块,具备多晶金属硅化物层作为发电层,其中,上述多晶金属硅化物层 的平均结晶粒径A大于或等于上述多晶金属硅化物层的膜厚B (A多B)。
2. 权利要求1所述的太阳能发电模块,其中,上述多晶金属硅化物层的平均结晶粒径A 为0.0 l Um以上。
3. 权利要求1所述的太阳能发电模块,其中,上述多晶金属硅化物层的膜厚B为I ym 以下。
4. 权利要求1所述的太阳能发电模块,其中,上述多晶金属硅化物层为选自P _铁硅化 物、钡硅化物、镁硅化物、铬硅化物和铼硅化物中的至少1种。
5. 权利要求4所述的太阳能发电模块,其中,上述(6-铁娃化物为P-FeSi 2。
6. 权利要求4所述的太阳能发电模块,其中,上述钡硅化物为BaSi 2。
7. 权利要求1所述的太阳能发电模块,其中,上述多晶金属硅化物层的载体密度为 I X 1018cm 3以下。
8. 权利要求1所述的太阳能发电模块,其中,上述多晶金属硅化物层具备n型多晶金属 硅化物层和P型多晶金属硅化物层中的至少1个。
9. 权利要求1所述的太阳能发电模块,其中,上述太阳能发电模块具有肖特基型结构。
10. 权利要求1所述的太阳能发电模块,其中,具备与上述多晶金属硅化物层相接触的 电极层,上述电极层包含多晶金属硅化物。
11. 权利要求1所述的太阳能发电模块,其中,具备可将由上述多晶金属硅化物层供给 的电力的一部分或全部储存起来的蓄电机构部。
12. 权利要求11所述的太阳能发电模块,其中,上述蓄电机构部具备: 第1电极部、 第2电极部、 密封上述第1电极部和上述第2电极部之间的密封部、 设置在上述密封部内侧的蓄电部、 填充到被第1电极部、上述第2电极部以及密封部包围的空间的电解液、 设置在上述蓄电部和上述第1电极部之间的保护部、和 在上述密封部的内侧设置的用于覆盖上述第2电极部的表面的还原部。
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