CN105131834A

CN105131834A - 保护膜、待加工制品及其表面处理方法

Info

Publication number: CN105131834A
Application number: CN201510586737.0A
Authority: CN
Inventors: 向晓君
Original assignee: 3M Innovative Properties Co
Current assignee: 3M Speciality Materials Shanghai Co Ltd
Priority date: 2015-09-15
Filing date: 2015-09-15
Publication date: 2015-12-09
Anticipated expiration: 2035-09-15
Also published as: CN105131834B

Abstract

本发明提供一种保护膜、待加工制品及其表面处理方法，属于表面处理技术领域，其可解决现有的用于待加工制品的保护膜难以除去且耐热性和耐电击穿性不好的问题。本发明的保护膜由反应性组合物在基底上固化形成并粘附在基底上，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括：第一有机硅聚合物，其为含至少两个乙烯基的聚二甲基硅氧烷；第二有机硅聚合物，其为含至少三个Si-H键的有机硅氧烷低聚物。

Description

保护膜、待加工制品及其表面处理方法

技术领域

本发明属于表面处理技术领域，具体涉及一种保护膜、待加工制品及其表面处理方法。

背景技术

在对各种机械、电子部件(待加工制品)进行表面处理(抛光、打磨、喷涂、电镀等)时，有时会希望仅对其部分表面进行处理以形成具有特定花纹、图案的结构，其中希望被处理的表面称为“待加工表面”，其余不应被处理的表面为“非待加工表面”。

为实现以上目的，一种方式是在待加工制品的非待加工表面上贴附遮蔽胶带，从而避免其受处理。但是，对于非规则形状的表面或具有细小结构的表面，遮蔽胶带往往难以很好的贴附在其上。

另一种方式是在待加工制品的非待加工表面涂布保护液，之后使保护液固化形成保护膜，用于防止非待加工表面受到处理。但是，这些保护膜本身强度低，且会牢固粘附在待加工制品表面，从而难于被除去，只能通过强效溶剂进行清洗，但这样一方面费时、费工、成本高，另一方面，溶剂也会对身体健康和环境造成不良影响；另外，很多表面处理工艺需要较高的温度和较强的电场，这就对保护膜的耐热性和耐电击穿性提出了较高要求，但现有保护膜的性能往往达不到要求。

发明内容

本发明针对现有的用于待加工制品的保护膜难以除去且耐热性和耐电击穿性不好的问题，提供一种可容易的被完整揭去，且耐热性和耐电击穿性好的保护膜，以及使用该保护膜的待加工制品和该待加工制品的表面处理方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种保护膜，所述保护膜由反应性组合物在基底上固化形成并粘附在基底上，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括：

第一有机硅聚合物，其为含至少两个乙烯基的聚二甲基硅氧烷；

第二有机硅聚合物，其为含至少三个Si-H键的有机硅氧烷低聚物。

更优选的，所述第一有机硅聚合物的分子具有如下通式：X_(3-a-b)Ph_bMe_aSiO(Me₂SiO)_n1(MeR1SiO)_m1SiMe_aPh_bX(_3-a-b)；其中，各X分别独立的选自甲基或乙烯基，各R1分别独立的选自乙烯基、苯基、CF₃CH₂CH₂-中的任意一种，Me代表甲基，Ph代表苯基；各a分别独立的选自1或2或3，各b分别独立的选自0或1，n1和m1分别独立的选自大于或等于0的整数，且50≤(m1+n1)≤2000；所述第二有机硅聚合物的分子具有如下通式：R2Me₂SiO(Me₂SiO)_m2(MeHSiO)_n2SiMe₂R2；其中，各R2分别独立的选自甲基或氢原子，Me代表甲基，m2为大于或等于0的整数，n2为大于或等于3的整数，且8≤(m2+n2)≤98。

更优选的，所述第一有机硅聚合物中乙烯基的总数量与第二有机硅聚合物中Si-H键的总数量的比在0.9∶1至1.1∶1之间。

优选的，所述反应性组合物还包括：稀释剂。

优选的，所述反应性组合物还包括：填料，其在小于或等于300℃的温度下不发生分解。

优选的，所述反应性组合物还包括：抗氧剂。

优选的，所述基料还包括：催化剂。

本发明的保护膜用于在表面处理过程中保护基底不希望被处理的表面，该保护膜具有良好的耐热性、耐电击穿性，故可在表面处理过程中提供良好的保护；同时，该保护膜与基底间的结合力适当，既可在表面处理过程中粘附在基底上，又可在表面处理完成后被完整的从基底上揭下，故其可被容易的除去。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种待加工制品的表面处理方法，其包括：

在待加工制品的基底的至少部分非待加工表面涂布反应性组合物，并使所述反应性组合物固化形成保护膜；

对所述基底的待加工表面进行表面处理，同时被保护膜遮蔽的非待加工表面不受处理；

将所述保护膜完整的从基底上揭下；

其中，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括：

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种待加工制品，其包括基底，所述基底的部分表面为要进行表面处理的待加工表面，其余为非待加工表面，且

在所述基底的非待加工表面的至少部分位置粘附有上述保护膜。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

名词解释

在本发明中，下列术语或描述方式的意义如下：

“A至B”的描述包括A的值、B的值，以及任何大于A并小于B的值；例如，1至10包括1、10，以及任何大于1并小于10的值，例如2、3、4、5、6、7、8、9、2.3172、3.5、5.26、7.18、9.999等。

“物质用量”，如无特别说明，则本发明中物质的用量或用量比均指重量或重量比。

“在A中B的重量百分含量”是指B是属于A的一部分，而当以A的总重量(包括B)为100％时，B的重量所占的相对的百分比。

保护膜

本发明提供一种保护膜，其由反应性组合物在基底上固化形成并粘附在基底上，反应性组合物包括基料，基料包括：

也就是说，本发明的保护膜是由反应性组合物(至少含上述两种有机硅聚合物)反应生成的，且其形成在一个基底上并粘附在该基底表面。其中，第一有机硅聚合物是聚二甲基硅氧烷，且其每个分子中至少含有两个乙烯基基团。第二有机硅聚合物则是有机硅氧烷低聚物，且其每个分子中至少含有三个Si-H键；此处的Si-H键是指硅原子和氢原子之间形成的分子键，其以“键”的数量计算，而非以基团数量计算，例如，若一个硅原子上连接有两个氢原子，则为两个Si-H键。

以上的两种有机硅聚合物是已知的可进行硅氢加成反应(Si-H键和乙烯基的反应)的物质，从而可形成网状的聚合物，这两种物质通常被用于合成橡胶制品，如奶嘴、手机套等。关于以上有机硅聚合物反应的更详细情况，可参见《有机硅单体及聚合物》(晨光化工研究院编著，北京：化学工业出版社，1986)，《有机硅及其应用》(吴森纪编著，北京：科学技术文献出版社，1990)，《有机硅合成工艺及产品应用》(幸松民，王一璐编著，北京：化学工业出版社，2008)等。

但是，现有技术中却并未意识到以上反应性组合物可在基底上形成均匀的保护层，也未意识到以上保护膜具有合适的结合力适当，既可在表面处理过程中粘附在基底上，又可在表面处理完成后被完整的从基底上揭下；同时，也未意识到以上保护膜具有良好耐热性、耐电击穿性。而发明人创造性的发现，该反应性组合物形成的保护膜正好具有以上的性质，故其可用作待加工制品中的保护膜，以在表面处理过程中遮蔽非待加工表面，使其不受处理。

更优选的，第一有机硅聚合物的分子具有如下通式：X_(3-a-b)Ph_bMe_aSiO(Me₂SiO)_n1(MeR1SiO)_m1SiMe_aPh_bX(_3-a-b)；其中，各X分别独立的选自甲基或乙烯基，各R1分别独立的选自乙烯基、苯基、CF₃CH₂CH₂-中的任意一种，Me代表甲基，Ph代表苯基；各a分别独立的选自1或2或3，各b分别独立的选自0或1，n1和m1分别独立的选自大于或等于0的整数，且50≤(m1+n1)≤2000；而第二有机硅聚合物的分子具有如下通式：R2Me₂SiO(Me₂SiO)_m2(MeHSiO)_n2SiMe₂R2；其中，各R2分别独立的选自甲基或氢原子，Me代表甲基，m2为大于或等于0的整数，n2为大于或等于3的整数，且8≤(m2+n2)≤98。

其中，在以上通式中的“独立选自”是指：若一个分子中有多个a、b、X、R1、R2等，则其中每个符号代表的意义是各自独立、互不相关的；例如，对于第一有机硅聚合物的分子，其两端均有X基团，则此时可以是一端的X为甲基，另一端的X为乙烯基；再如，其分子链中可有多个R1，而这些R1可有的为乙烯基，有的为苯基。另外，在第一有机硅聚合物的通式中，(3-a-b)是每侧X的数量，故其不能为负数，即同一侧的a和b不能同时为3和1。

优选的，第一有机硅聚合物中乙烯基的总数量与第二有机硅聚合物中Si-H键的总数量的比在0.9∶1至1.1∶1之间。

显然，如前所述，以上两种有机硅聚合物的反应主要是乙烯基和Si-H键间的硅氢加成反应；由于乙烯基和Si-H键间的反应是一对一的，因此在理想情况下，两种有机硅聚合物中乙烯基和Si-H键的数量应当相等，考虑到实际反应过程中的误差，故要求二者的数量比优选应在以上范围内。

优选的，第一有机硅聚合物和第二有机硅聚合物的重量比在100∶110至100∶3之间。

当乙烯基和Si-H键的数量比处在以上范围内时，两种有机硅聚合物的重量比通常在以上的范围。之所以该重量比的范围很大，是因为有机硅聚合物中乙烯基和Si-H键的含量范围变化可很大。例如，若第一有机硅聚合物中乙烯基的含量很少，而第二有机硅聚合物中Si-H键的含量很高，则在乙烯基和Si-H键的数量基本相等时，第一有机硅聚合物的重量就会比第二有机硅聚合物的重量高很多。

优选的，用于形成以上保护膜的反应性组合物还包括：稀释剂；更优选的，反应性组合物中稀释剂的重量百分含量大于0小于等于99％。

显然，与形成宏观的橡胶制品时不同，要在基底上形成保护膜则先要使反应性组合物在基底上形成均匀的液膜，即其要先被均匀涂布(刷涂、喷涂、淋涂、辊涂、点胶)在基底上。但是，以上两种有机硅聚合物的混合物的粘度过大，很多涂布工艺(如喷涂、淋涂)难以进行，因此需要向其中加入稀释剂，以降低反应性组合物的粘度，使其适用于相应的涂布工艺。

其中，所用的稀释剂可为任意能溶解以上有机硅聚合物的常规有机溶剂，其包括但不限于苯、甲苯、二甲苯、正庚烷中的任意一种或多种。而稀释剂的含量则优选处在以上范围，其具体用量则应根据所采用的涂布工艺的需求决定，例如，当采取点胶工艺(如在线路板上形成保护膜)时，稀释剂用量可很少或可根本不用稀释剂，因为点胶工艺可处理粘度很高的原料，而当采用喷涂工艺时，则一般要求喷涂液的粘度较低，故此时稀释剂用量应较高。

优选的，用于形成以上保护膜的反应性组合物还包括：填料，其在小于或等于300℃的温度下不发生分解；更优选的，填料与基料的重量比在0.3∶100至100∶100之间。

发明人发现，当在反应性组合物中加入耐高温(300℃)的填料后，可显著改善所得保护膜的耐热性能。

更优选的，以上填料为颜料。

发明人发现，虽然一般认为颜料(如色浆)的作用是改变产品的颜色，但是，当用耐高温的颜料作为以上填料时，也可很好的改善所得保护膜的耐热性能。

当然，若不采用颜料，而采用其他市售的常规无机填料(如碳酸钙、高岭土、滑石粉、炭黑、白炭黑、石英粉、硅藻土、硅酸盐、铝酸盐、中空玻璃微球、纤维状填料等)作为以上的填料，也是可行的。

优选的，填料不含重金属离子和砷离子；重金属离子更优选包括锡离子、铅离子、汞离子、铋离子。

以上有机硅聚合物的反应一般要在存在催化剂的条件下进行，而以上的各种离子会使催化剂中毒，故在选择填料时，优选其中不含这些离子。

优选的，用于形成以上保护膜的反应性组合物还包括：抗氧剂；更优选的，在反应性组合物中，抗氧剂的重量百分含量在0.01％至2％之间。

经研究发现，在向反应性组合物中加入抗氧剂后，同样可改善所得保护膜的耐热性。

其中，更优选的，以上抗氧剂中不含以下任意物质：含氮有机化合物、含磷有机化合物、含硫有机化合物、重金属离子、砷离子、含炔基的化合物、含多烯基的化合物，其中重金属离子包括锡离子、铅离子、汞离子、铋离子。

以上的各种物质会对有机硅聚合物的反应产生不良影响，故抗氧剂中优选也不含这些物质。

优选的，用于形成以上保护膜的反应性组合物的基料还包括：催化剂。

为加快反应速度，还可在以上反应性组合物中加入催化剂。

更优选的，催化剂为过渡金属配合物催化剂；且进一步优选的，在基料中过渡金属的含量在1ppm至500ppm之间。

其中，用于硅氢加成反应的最常用催化剂为氯铂酸(H₂PtCl₆·6H₂O)，其用量一般是在两种有机硅聚合物中使铂金属的含量达到1-500ppm。

另外，许多其他过渡金属配合物也可作为此类反应(硅氢加成反应)的催化剂，可用的物质包括钯、铑、铱、钌、铜、铁、锰、镍、钴、钨、钼、锕系金属、镧系金属等的化合物或络合物。该催化剂的更详细情况可参考《硅氢加成催化剂的研究进展》(分子催化，第14卷第6期)，《硅氢加成反应用铂催化剂的研究进展》(化学研究，第21卷第2期)等。由于用于硅氢加成反应的催化剂是已知的，故在此不再详细描述。

优选的，保护膜的厚度在60μm至150μm之间。

该厚度范围内的保护膜可达到足够的保护效果，且也不过厚，可避免材料的浪费。

优选的，当保护膜形成在表面由不锈钢构成的平面基底上时，其能完整的从基底上被剥离，且180度剥离应力小于等于0.1N/mm。

也就是说，当以上保护膜形成在不锈钢的平面上时，其180度剥离应力小于等于0.1N/mm，且能被轻易的完整的剥离，而不会有明显残留在基底上的部分。

待加工制品及其表面处理方法

本发明还提供一种待加工制品的表面处理方法，其包括：

在待加工制品的基底的至少部分非待加工表面涂布上述反应性组合物，并使所述反应性组合物固化形成上述保护膜；

对基底的待加工表面进行表面处理，同时被保护膜遮蔽的非待加工表面不受处理；

将上述保护膜完整的从基底上揭下。

也就是说，当要对一个部件(基底)的部分表面进行表面处理时，则先在该基底的至少部分非待加工表面(当然优选是全部的非待加工表面)上涂布上述的反应性组合物，之后使反应性组合物固化形成上述保护膜，这样在表面处理的过程中，该保护膜可阻止被其遮蔽的基底表面受处理，从而最终形成所需的局部处理效果；而在表面处理完成后，再将该保护膜完整的、无残留的从基底上揭下，得到完成处理的产品。

由于以上保护膜具有良好的耐热性、耐电击穿性，故其可在表面处理过程中提供良好的保护；同时，该保护膜本身的强度足够，且与基底间的结合力适当，故可被很容易的、完整的从基底上揭下，因此其除去工艺简单，容易实现，而不必使用强效溶剂等。

其中，待加工制品可为任意需要对部分表面进行表面处理的部件，如线路板、机械零件、电子元件等，在此不再逐一描述。

而表面处理的具体形式可为任意已知的表面处理工艺，如抛光、打磨、喷涂、电镀等。

而涂布可采用任意已知的工艺，如刷涂、喷涂、淋涂、辊涂、点胶等。

优选的，以上固化的温度在150℃至210℃之间，而固化的时间在3分钟至10分钟之间。经研究发现，对于形成在基底上的保护膜，其优选在以上条件下固化。

其中，所形成保护膜的厚度可如前所述，在60μm至150μm之间。

本发明提供一种待加工制品，其包括基底，基底的部分表面为要进行表面处理的待加工表面，其余为非待加工表面，且非待加工表面的至少部分位置粘附有上述保护膜。

也就是说，本发明还提供一种形成有上述保护膜的待加工制品，该待加工制品需要对部分表面进行表面处理，处理过程中以上保护膜可起到保护作用，而处理完成后，保护膜可被完整的揭下。

原料

下面对本发明的各实施例中使用的物质进行介绍：

ELASTOSILLR3003/30A：购自Wacker公司，主要成份为具有以上通式的第一有机硅聚合物，并含有氯铂酸催化剂。

ELASTOSILLR3003/30B：购自Wacker公司，主要成份为具有以上通式的第二有机硅聚合物，并且含有部分以上的第一有机硅聚合物。

其中，之所以只有一种原料中含催化剂，主要是从使用方便的角度考虑：催化剂会引发反应，故在市售产品中其不能与两种有机硅聚合物同时存在；又由于催化剂含量很小，故其若单独存在则难以很快与其他组分混合均匀；因此，催化剂优选与一种有机硅聚合物预先混合在一起作为一种原料，在使用时再与其他原料混合即可。

其中，之所以另一种原料是两种有机硅聚合物的混合物，同样是从使用方便的角度考虑：在实际工作环境中，往往没有设备和时间去精确称量各原料，故最简单的方法是使两种原料的用量大概相等以便于配料；又由于很多情况下第二有机硅聚合物的实际重量比第一有机硅聚合物少，故可预先将部分第一有机硅聚合物加入二有机硅聚合物中，作为一种原料(当然其中不能含催化剂)，而将剩余的第一有机硅聚合物作为另一原料(包括催化剂)，这样，使用时只要将两种原料以大致相等的比例混合即可。

当然，此处作为商品的原料的具体配置方式是多样的(如还可将填料、抗氧剂等混入其中)，但只要其混合后能形成以上的反应性组合物并最终形成保护膜，就是可行的，在此不再对其进行限定。

3508色浆：购自上海井一实业有限公司，作为填料(颜料)。

3520色浆：购自上海井一实业有限公司，作为填料(颜料)。

1010抗氧剂：购自BASF公司，作为抗氧剂。

二甲苯：购自国药集团，作为稀释剂。

正庚烷：购自国药集团，作为稀释剂。

测试方法

耐热性测试：将基底和其上的保护膜一起在加热炉中加热一定时间，观察期是否有龟裂。

耐电击穿性测试：将经过上述耐热性测试的保护膜从基底上揭下，采取约3cm×3cm的样品，将其放入MODEL750-2/D149-30B型介电强度测试仪的两测试电极之间，逐步升高电压进行放电，以保护膜被击穿时的电压值为击穿电压。

180度剥离测试：用INSTRON拉力机进行，其剥离速度为12英寸/分钟，记录其剥离应力。

具体实施例

实施例1：

称取45g的ELASTOSILLR3003/30A，加入2g的3508色浆，用搅拌机以200rpm的速度搅拌5分钟；之后加入50g的ELASTOSILLR3003/30B，继续搅拌10分钟，在搅拌过程中慢慢加入130g二甲苯，直到所有物料分散均匀，得到反应性组合物；将反应性组合物刷涂在不锈钢板(基底)上，置入烘箱中，在150℃的温度下烘烤10分钟后取出，得到厚度79μm的保护膜。

将带有保护膜的不锈钢板置入马沸炉中，于260℃的温度下烘烤6小时，进行耐热性测试，发现其并无龟裂，膜层完整。

对烘烤后的保护膜进行180度剥离测试，其剥离应力为0.06N/mm，能够完整剥离。

将烘烤后的保护膜从不锈钢板上揭下，进行耐电击穿性测试，测得击穿电压为4.01kV。

实施例2：

称取50g的ELASTOSILLR3003/30A，加入2g的3520色浆，用搅拌机以200rpm的速度搅拌5分钟，之后加入50g的ELASTOSILLR3003/30B，继续搅拌10分钟，在搅拌过程中慢慢加入130g正庚烷，直到所有物料分散均匀，得到反应性组合物；将反应性组合物刷涂在不锈钢板(基底)上，置入烘箱中，在160℃的温度下烘烤5分钟后取出，得到厚度90μm的保护膜。

对烘烤后的保护膜进行180度剥离测试，其剥离应力为0.05N/mm，能够完整剥离。

将烘烤后的保护膜从不锈钢板上揭下，进行耐电击穿性测试，测得击穿电压为5.57kV。

实施例3：

称取55g的ELASTOSILLR3003/30A，加入2g的350色浆，用搅拌机以200rpm的速度搅拌5分钟，之后加入50g的ELASTOSILLR3003/30B，继续搅拌10分钟，在搅拌过程中慢慢加入130g二甲苯，直到所有物料分散均匀，得到反应性组合物；将反应性组合物刷涂在不锈钢板(基底)上，置入烘箱中，在170℃的温度下烘烤3分钟后取出，得到厚度80μm的保护膜。

将带有保护膜的不锈钢板置入马沸炉中，于300℃的温度下烘烤30分钟，进行耐热性测试，发现其并无龟裂，膜层完整。

将烘烤后的保护膜从不锈钢板上揭下，进行耐电击穿性测试，测得击穿电压为4.64kV。

可见，以上各实施例中所形成的保护膜的180度剥离应力均不超过0.06N/mm，且均可被完整剥离，表明其本身的强度足够，与基底间的结合力适当，易剥离性能好；且各保护膜的击穿电压均在4kV以上，这表明其具有良好的耐电击穿性；同时，在经过耐热性测试后，各保护膜均未出现龟裂情况，且以上的其他性能测试都是在耐热性测试后进行的，这表明该保护膜具有良好的耐热性。

由此可见，本发明的保护膜具有良好的耐热性和耐电击穿性，故其可在表面处理过程中起到很好的保护作用；同时，该保护膜与基底间具有适当的结合力，可被容易的从基底上完整揭下，故其在表面处理后可被轻易除去。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种保护膜，其特征在于，所述保护膜由反应性组合物在基底上固化形成并粘附在基底上，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括：

2.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，

所述第一有机硅聚合物的分子具有如下通式：X_(3-a-b)Ph_bMe_aSiO(Me₂SiO)_n1(MeR1SiO)_m1SiMe_aPh_bX(_3-a-b)；其中，各X分别独立的选自甲基或乙烯基，各R1分别独立的选自乙烯基、苯基、CF₃CH₂CH₂-中的任意一种，Me代表甲基，Ph代表苯基；各a分别独立的选自1或2或3，各b分别独立的选自0或1，n1和m1分别独立的选自大于或等于0的整数，且50≤(m1+n1)≤2000；

所述第二有机硅聚合物的分子具有如下通式：R2Me₂SiO(Me₂SiO)_m2(MeHSiO)_n2SiMe₂R2；其中，各R2分别独立的选自甲基或氢原子，Me代表甲基，m2为大于或等于0的整数，n2为大于或等于3的整数，且8≤(m2+n2)≤98。

3.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，

所述第一有机硅聚合物中乙烯基的总数量与第二有机硅聚合物中Si-H键的总数量的比在0.9∶1至1.1∶1之间。

4.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，

所述第一有机硅聚合物和第二有机硅聚合物的重量比在100∶110至100∶3之间。

5.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述反应性组合物还包括：

稀释剂。

6.根据权利要求5所述的保护膜，其特征在于，

在所述反应性组合物中，所述稀释剂的重量百分含量大于0小于等于99％。

7.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述反应性组合物还包括：

填料，其在小于或等于300℃的温度下不发生分解。

8.根据权利要求7所述的保护膜，其特征在于，

所述填料与基料的重量比在0.3∶100至100∶100之间。

9.根据权利要求7所述的保护膜，其特征在于，

所述填料为颜料。

10.根据权利要求7所述的保护膜，其特征在于，

所述填料不含重金属离子和砷离子。

11.根据权利要求10所述的保护膜，其特征在于，

所述重金属离子包括锡离子、铅离子、汞离子、铋离子。

12.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述反应性组合物还包括：

抗氧剂。

13.根据权利要求12所述的保护膜，其特征在于，

在所述反应性组合物中，所述抗氧剂的重量百分含量在0.01％至2％之间。

14.根据权利要求12所述的保护膜，其特征在于，所述抗氧剂中不含以下任意物质：

含氮有机化合物、含磷有机化合物、含硫有机化合物、重金属离子、砷离子、含炔基的化合物、含多烯基的化合物。

15.根据权利要求14所述的保护膜，其特征在于，

所述重金属离子包括锡离子、铅离子、汞离子、铋离子。

16.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述基料还包括：

催化剂。

17.根据权利要求16所述的保护膜，其特征在于，

所述催化剂为过渡金属配合物催化剂。

18.根据权利要求17所述的保护膜，其特征在于，

所述基料中过渡金属的含量在1ppm至500ppm之间。

19.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，

所述保护膜的厚度在60μm至150μm之间。

20.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，

当所述保护膜形成在表面由不锈钢构成的平面基底上时，其能完整的从所述基底上被剥离，且180度剥离应力小于等于0.1N/mm。

21.一种待加工制品的表面处理方法，其特征在于，包括：

将所述保护膜完整的从基底上揭下；

其中，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括：

22.根据权利要求21所述的待加工制品的表面处理方法，其特征在于，

23.根据权利要求21所述的待加工制品的表面处理方法，其特征在于，

所述固化的温度在150℃至210℃之间。

24.根据权利要求21所述的待加工制品的表面处理方法，其特征在于，

所述固化的时间在3分钟至10分钟之间。

25.一种待加工制品，包括基底，所述基底的部分表面为要进行表面处理的待加工表面，其余为非待加工表面，其特征在于，

在所述基底的非待加工表面的至少部分位置粘附有保护膜，所述保护膜为权利要求1至20中任意一项所述的保护膜。