CN105122472A - 用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 - Google Patents

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN105122472A
CN105122472A CN201480022502.2A CN201480022502A CN105122472A CN 105122472 A CN105122472 A CN 105122472A CN 201480022502 A CN201480022502 A CN 201480022502A CN 105122472 A CN105122472 A CN 105122472A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carrier
semiconductor chip
composite members
layer sequence
separated region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480022502.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105122472B (zh
Inventor
安德烈亚什·普洛索
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN105122472A publication Critical patent/CN105122472A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105122472B publication Critical patent/CN105122472B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0203—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0213—Sapphire, quartz or diamond based substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

在至少一个实施方式中，提出一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法包括下述步骤：A)提供载体复合件(11)，所述载体复合件是蓝宝石晶片；B)将半导体层序列(2)施加到载体复合件(11)上；以及C)将载体复合件(11)和半导体层序列(2)分成各个半导体芯片(10)。在此，步骤C)包括：D)在载体复合件(11)中在分离区域(S)中通过聚焦的、脉冲的激光辐射(L)分别产生多个能选择性刻蚀的材料改变部，其中激光辐射(L)具有下述波长，在所述波长下，载体复合件(11)是透明的；以及E)将材料改变部湿化学地刻蚀，使得载体复合件(11)仅通过湿化学的刻蚀或以与其他的材料去除法组合的方式分割成用于半导体芯片(2)的各个载体(1)。

Description

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
技术领域
提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。此外，提出一种相应制造的半导体芯片。
发明内容
要实现的目的在于，提出一种方法，借助所述方法能够有效地并且多样地制造半导体芯片。
所述目的此外通过具有独立权利要求的特征的一种方法和一种半导体芯片来实现。优选的改进方案是从属权利要求的主题。
根据至少一个实施方式，方法用于制造光电子半导体芯片。光电子半导体芯片优选是发光器件，如发光二极管、简称LED，或者也是激光二极管，简称LD。
根据至少一个实施方式，方法包括提供载体复合件的步骤。载体复合件包括多个用于半导体芯片或用于半导体芯片组的单独的载体。在载体复合件中，各个载体机械固定地彼此连接。载体复合件特别优选是蓝宝石晶片。换言之，载体复合件进而用于半导体芯片的载体分别由蓝宝石形成。
根据至少一个实施方式，方法具有将一个或多个半导体层序列施加到载体复合件上的步骤。施加特别优选是外延生长。换言之，载体复合件进而蓝宝石晶片是用于半导体层序列的生长衬底。对此替选地，半导体层序列也能够以其他方式施加到载体复合件上，例如借助于焊接、粘接或晶片接合。
半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料、如AlnIn1-n-mGamN或是磷化物化合物半导体材料、如AlnIn1-n-mGamP或也是砷化物化合物半导体材料、如AlnIn1-n-mGamAs，其中分别0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性，仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使所述组成部分能够部分地通过少量其他物质替代和/或补充也如此。
根据至少一个实施方式，半导体层序列包括至少一个用于产生电磁辐射的有源区。有源区能够是pn结或是量子阱结构。
根据至少一个实施方式，方法包括将载体复合件和半导体层序列分成各个半导体芯片或分成半导体芯片组的步骤。在此，在相邻的半导体芯片之间构成的分离区域中进行尤其载体复合件的分开。可能的是，在分开时完全地移除或分解分离区域。
根据至少一个实施方式，分开载体复合件的步骤包括在载体复合件中产生多个能选择性刻蚀的材料改变部的子步骤。在分离区域中优选通过聚焦的和脉冲的激光辐射来产生材料改变部。激光辐射的激光脉冲尤其是飞秒脉冲、皮秒脉冲或纳秒脉冲。
根据至少一个实施方式，激光辐射具有下述波长，在所述波长下，载体复合件和/或半导体层序列是辐射能透射的、尤其是透视的和透明的。因此，例如通过在材料中的由激光辐射在激光辐射的焦点中的高强度引起的非线性的光学效应，对载体复合件的材料进行影响。
根据至少一个实施方式，分开载体复合件包括湿化学刻蚀材料改变部的步骤。湿化学刻蚀的所述步骤在产生材料改变部的步骤之后进行。在刻蚀中，特别优选地选择性地、例如以至少1:1000或至少1:5000的刻蚀选择性，仅刻蚀具有载体复合件的材料改变部的区域并且不刻蚀载体复合件的其余的材料。
在至少一个实施方式中，提出用于制造多个光电子半导体芯片的方法，并且所述方法至少包括下述步骤：
A)提供载体复合件，所述载体复合件是蓝宝石晶片；
B)将具有至少一个用于产生电磁辐射的有源区的、优选基于AlInGaN的半导体层序列施加到载体复合件上；以及
C)在相邻的半导体芯片或相邻的组之间的分离区域中，将载体复合件和半导体层序列分成各个半导体芯片或半导体芯片组。
在此，步骤C)至少包括下述步骤：
D)在载体复合件中在分离区域中通过聚焦的、脉冲的激光辐射分别产生多个能选择性刻蚀的材料改变部，其中激光辐射具有下述波长，在所述波长下，载体复合件是透明的；以及
E)将材料改变部湿化学地刻蚀，使得载体复合件仅通过湿化学刻蚀或以与其他的材料去除法组合的方式分割成用于半导体芯片或用于组的各个载体。
各个方法步骤优选以给出的顺序执行。
蓝宝石在高频技术中和在光电子装置中用作为用于半导体元件的生长衬底。在高频技术中蓝宝石以蓝宝石薄片载硅树脂的形式通常作为薄的硅层的载体用于真正的构件，而光电子装置将蓝宝石用作为用于化合物半导体材料、如AlGaInN的生长衬底。
为了分割在薄片复合件中或在晶片复合件中制造的构件，由于蓝宝石的大的硬度，基本上仅刻刮和折断是可用的。在此，刻刮尤其在借助激光产生的热感应的裂纹上进行。受折断限制，蓝宝石基本上仅沿着直线是可分的。为了避免或减少在角上的损坏和折断，折断直线必须基本上彼此成直角地引导。因此，在俯视图中观察，半导体芯片的仅矩形的基面是可用的。然而，其他的基本形状提供在光耦合输出时的优点并且在用于光电子半导体构件的多个应用中是期望的。此外，折断引起相对平滑的、典型地阶梯状成形的折断小面。然而，在平滑的折断小面上，高的辐射份额经受全反射，这能够减少光耦合输出效率。
最后，蓝宝石的机械分离需要相对宽的分离沟槽，尤其在分割前将所述分离沟槽从半导体层序列清除，以便避免在半导体层序列上的损害。所述分离沟槽典型地具有在50μm的数量级中的宽度。所述分离沟槽示出缺失的、引起半导体芯片的较高的制造成本的芯片面。
在这里所描述的方法中，将半导体芯片在至少两级的工艺中分割。在第一步骤中，通过激光写入感应出材料改变部。在第二步骤中，能够有效地刻蚀所述材料改变部。因为激光写入为所谓的按量计算选择性激光刻蚀(In-volumeSelectiveLaserEtching)、简称ISLE，所以在载体复合件中能够制成近似任意成形的分离区域进而半导体芯片的侧面和形状。此外，这种分离区域仅具有小的宽度，使得晶片的能用于半导体芯片的半导体层序列的面积提高。
例如能够执行ISLE法，如在等在JournalofLaserMicro-NanoEngineering，第五卷，第2号，2010年，第145-149页中发表的出版物中那样。所述出版物的公开内容通过参引结合于此。
根据至少一个实施方式，将半导体层序列在分开的步骤之前在分离区域处部分地或完全地移除。尤其，也将半导体层序列在分离区域旁边的窄的、激光辐射射入的条带中移除。
根据至少一个实施方式，在半导体层序列被移除的分离区域上的条带的宽度或分离区域本身的宽度为最小1μm或2.5μm或5μm或7.5μm。替选地或附加地，所述宽度为最大35μm或20μm或15μm。
根据至少一个实施方式，在辐射主侧的俯视图中观察，光电子半导体芯片分别具有至少两个角部，在所述角部中，半导体芯片的棱边以≠90°的角度相交。优选地，所述角度与90°偏差最少15°、25°或35°和/或最多75°、65°或55°。换言之，即在俯视图中观察，半导体芯片不具有矩形的基本形状。例如，半导体芯片的基本形状是三角形的或六角形的。也能够实现不对应于频数多边形的圆形的基本形状。
根据至少一个实施方式，在步骤C)中，将载体的侧面设有粗糙部。侧面例如是载体的将载体沿横向于半导体层序列的生长方向限界的限界面。侧面能够分别完全地或也仅部分地设有粗糙部。此外，可能的是，仅一些侧面或所有侧面具有粗糙部。
根据至少一个实施方式，粗糙部构建成用于改进从载体中的光耦合输出效率。为此，粗糙部优选具有最小为0.25μm或0.5μm的平均粗糙度、也称作Ra。替选地或附加地，平均粗糙度最大为5μm或3μm或2μm。
根据至少一个实施方式，载体的侧面平滑地构成。平滑能够表示，平均粗糙度小于在半导体芯片运行时产生的辐射的主波长，英语为peakwavelength。因此，平均粗糙度例如最大为0.5μm或0.25μm或0.12μm。在这种平滑的侧面上尤其能够施加镜层。
根据至少一个实施方式，将激光辐射在分离区域中以锯齿形图案引导。换言之，即各个激光脉冲不位于直线上和/或不位于共同的平面中。分离区域能够成形为三维的锯齿形图案。术语三维的锯齿形图案能够表示，将激光辐射以类似于凸起泡沫塑料的或鸡蛋盒的表面的方式引导。这种主延伸方向沿着分离区域的三维结构能够专门地通过ISLE法实现。尤其，通过这样引导激光脉冲，能够在侧面上产生粗糙部。
根据至少一个实施方式，在平行于半导体层序列的生长方向的横截面中观察，分离区域与半导体层序列的生长方向具有≠0°的角度。换言之，即分离区域倾斜于生长方向设置。可能的是，对于每个侧面刚好存在分离区域与生长方向的角度，或者侧面沿着生长方向具有多个部段，所述部段示出不同的角度。也能实现侧面的弯曲的且不平坦地成形的区域。
根据至少一个实施方式，分离区域与生长方向的角度为至少10°或15°或25°或35°。替选地或附加地，所述角度为最大80°或75°或65°或55°。
根据至少一个实施方式，在平行于半导体层序列的生长方向的横截面中观察，分离区域具有V形。换言之，即分离区域由至少两个子区域组成，所述子区域相互间具有>0°的平均角度。通过这种分离区域，能够实现具有梯形的横截面的半导体芯片。分离区域的V形的尖部从载体复合件的后侧起优选指向半导体层序列的方向并且能够接触载体复合件的施加有半导体层序列的上侧。此外，可能的是，在横截面中观察，分离区域关于生长方向对称地构成。
根据至少一个实施方式，分离区域完全地穿过载体复合件。也就是说，尤其即分离区域中的材料改变部从载体复合件的后侧延伸至上侧。
对此替选地，可能的是，分离区域进而材料改变部仅部分地延伸穿过载体复合件。例如，分离区域的从后侧和/或上侧开始的深度为载体复合件的厚度的至少5％或10％或15％或20％或35％或50％或65％。替选地或附加地，从后侧和/或上侧开始的所述深度最大为厚度的90％或75％或60％或40％或20％或10％。
如果分离区域不完全地穿过载体复合件，那么可能的是，将载体的其余的、与分离区域无关的剩余厚度通过其他的材料去除法移除。所述其他的材料去除法能够整面地、尤其在整个后侧上或也仅局部地、例如仅在分离区域附近移除载体材料。其他的材料去除法例如是磨削或研磨。因此，经由所述其他的材料去除法，能够实现分割为半导体芯片或半导体芯片组。
根据至少一个实施方式，激光辐射从载体复合件的背离半导体层序列的后侧射入。由此，可能的是，所使用的激光辐射没有或没有大量地到达半导体层序列中。
根据至少一个实施方式，在产生材料改变部的步骤和刻蚀材料改变部的步骤之间，将镜层整面地或局部地施加在载体复合件的后侧上。镜层能够是金属镜，例如基于铝或银，或者也能够是具有交替地具有低的和高的折射率的层的序列的布拉格镜。
根据至少一个实施方式，在通过激光辐射产生材料改变部的步骤中，不破坏载体复合件的机械整体性。在此，可能的是，通过激光辐射将载体复合件的牢固性在一定程度上降低，使得载体复合件还能够作为连续的工件操作。由此，降低制造耗费。在此不排除，应用暂时的辅助载体，以便将载体复合件机械地稳定。
根据至少一个实施方式，计算激光辐射的每个脉冲产生的一个岛状的材料改变部。对于每个脉冲，所产生的材料改变部的体积例如为至少0.05μm3或0.8μm3或5μm3和/或最高100μm3的或50μm3或25μm3或10μm3。由于所述相对小的体积，分离区域能够有针对性地并且准确地成形。体积的大小例如能够通过激光辐射的聚集的强度、通过所使用的脉冲持续时间和脉冲能量来调节。
根据至少一个实施方式，激光辐射在改变材料时的功率密度具有至少2×1013W/cm2或5×1013W/cm2的值。替选地或附加地，功率密度为最高1×1015W/cm2或5×1014W/cm2或2.5×1014W/cm2。
根据至少一个实施方式，激光辐射的脉冲的平均脉冲持续时间为最高50ns或15ns或5ns。此外，脉冲持续时间能够为最高1ns或500ps或5ps。替选地或附加地，平均脉冲持续时间为至少50fs或1ps或10ps或750ps。
根据至少一个实施方式，借助氟氢酸-水混合物进行湿化学的刻蚀。氟氢酸、简称FH的份额例如为至少15％或30％和/或最高70％或60％。在所述方法步骤中，刻蚀持续时间能够与载体复合件的厚度相关地为多个小时。对于氟氢酸替选地，也可能的是，使用特定的碱液。
根据至少一个实施方式，在分开的步骤之前将载体复合件打薄，例如通过磨削。优选地，在制成的半导体芯片中并且优选在分开的步骤中载体复合件的厚度为至少50μm或80μm或100μm和/或最多500μm或300μm或200μm或150μm。通过在分开的步骤之前打薄，能够减少刻蚀时间。
根据至少一个实施方式，在用激光脉冲照射时，降低蓝宝石的晶体质量。尤其，通过激光照射，将结晶的蓝宝石转换为无定形的或具有小的颗粒大小的多晶的氧化铝。通过所述转换，选择性刻蚀是可能的，因为具有降低的晶体质量的材料与蓝宝石本身相比具有相对于进行刻蚀的材料的小多个数量级的稳定性。
根据至少一个实施方式，分别将镜施加到载体的侧面上。镜能够是金属镜、如银镜或铝镜。同样地，能够使用由具有交替的折射率的透明的材料构成的、尤其以布拉格镜的形式的层堆。也能使用由具有低折射率的材料的层和施加在其上的金属镜的层构成的组合。这种镜可选地也能够安置在半导体层序列的侧面、半导体层序列的背离载体的一侧和/或载体复合件的后侧上。
根据至少一个实施方式，在分割成半导体芯片之后并且优选在移除辅助载体之前，制造浇注体。浇注体能够是例如由热塑性塑料构成的、连续的、一件式的体部。浇注体能够环绕地部分地或完全地包围分割的半导体芯片。此外，浇注体能够将半导体芯片机械地彼此连接。辐射主侧优选保持不具有浇注体。在制成浇注体之后，能够移除辅助载体。
根据至少一个实施方式，划分浇注体，使得得到多个半导体构件。半导体构件包括各一个或多个半导体芯片。此外，半导体构件包括浇注体的各一部分。
此外，提出一种光电子半导体芯片。光电子半导体芯片借助如结合一个或多个上述实施方式提出的方法制造。因此，方法的特征也对半导体芯片公开并且反之亦然。
在至少一个实施方式中，半导体芯片具有基于AlInGaN的半导体层序列，所述半导体层序列包括至少一个用于产生辐射的有源区。半导体层序列在由蓝宝石构成的载体上生长。载体的侧面局部地或整面地具有粗糙部。半导体层序列与侧面间隔开。
附图说明
下面，根据实施例参照附图详细阐述在此所描述的方法和在此所描述的光电子半导体芯片。在此，相同的附图标记说明各个附图中的相同的元件。然而，在此没有示出合乎比例的关系，更确切地说，为了更好的理解，能够夸大地示出个别元件。
附图示出：
图1、4和5示出用于制造在此所描述的光电子半导体芯片的在此所描述的方法的剖面图的示意图；
图2示出在此所描述的光电子半导体芯片的实施例的示意俯视图；以及
图3示出在此所描述的光电子半导体芯片的实施例的示意剖面图。
具体实施方式
在图1中图解说明用于制造光电子半导体芯片10的方法。根据图1A提供载体复合件11。载体复合件11是蓝宝石晶片。为了机械支持，在根据图1A的方法步骤中或也在随后的方法步骤中，能够分别应用暂时的辅助载体，未示出。
如在图1B中示出的方法步骤中，在与后侧7相对置的上侧72上外延地生长半导体层序列2。半导体层序列2的生长方向G垂直于上侧72取向。半导体层序列2包括至少一个用于产生电磁辐射、尤其可见光的有源区。半导体层序列2基于AlInGaN。
半导体层序列2在背离载体复合件11的一侧上具有辐射主侧9。可能的是，在根据图1B的方法步骤中或在随后的方法步骤中，在辐射主侧9上产生用于改进光耦合输出的结构化部。半导体层序列2在整个载体复合件11上连续地并且以在制造公差的范围中相同的材料组成延伸。
在根据图1C的方法步骤中，在区域5中移除半导体层序列2。在随后的方法步骤中，在所述区域5中执行分割成半导体芯片10。区域5优选分别环绕地且框架式地包围半导体层序列2的在该方法步骤中产生的子区段。区域5的宽度尤其为最大20μm。半导体层序列2沿着生长方向G的厚度例如为最小2μm和/或最大12μm。
可选地，能够将保护层8施加到结构化的半导体层序列2上。保护层8能够是暂时的、在随后的方法步骤中移除的保护层。同样可能的是，保护层8持久地保留在半导体层序列上和制成的半导体芯片10中。与所示出的不同地，也能够将多个保护层作为堆施加。同样与视图不同的，保护层8不需要强制性地在具有半导体层序列2的子区段之间留出区域。保护层8构建成用于：对半导体层序列2相对于机械损害、污染和尤其在随后的分割步骤中应用的刻蚀剂进行保护。与视图不同的，也可能的是，半导体层序列2达到分离区域S。
在一个可选的、未示出的方法步骤中，载体复合件11例如能够通过磨削打薄。此外，在半导体层序列2上和/或在载体复合件11上能够安装用于电接触半导体层序列2的装置。为了简化视图，未示出电接触装置、如印制导线或焊盘。
在根据图1D的方法步骤中，优选从后侧7起将通过箭头表示的、脉冲的激光辐射L射入到分离区域S中。分离区域S优选完全地穿过载体复合件11并且此外优选与半导体层序列2间隔开。分离区域S在上侧72上位于半导体层序列2被移除的区域5中。
通过激光辐射L的每个脉冲，改变载体复合件11中的特定的焦点体积。例如，载体复合件11的蓝宝石通过激光辐射L局部地在焦点体积中转换为无定形的、可容易刻蚀的氧化铝。通过激光辐射L的各个脉冲扫描分离区域S。通过所述扫描，能尽可能自由地确定分离区域S的形状。
激光辐射L具有下述波长，对于所述波长，载体复合件11是可穿透的并且优选还有半导体层序列2以及保护层8是可穿透的。通过激光辐射L，优选不明显损害载体复合件11的机械的整体性，使得载体复合件11在根据图1D的步骤之后也保持作为可作为整体操作。
在可选的方法步骤中，如在图1E中示出的，在后侧7上局部地施加镜层6。镜层6的各个子区段一对一地与半导体层序列2的子区段相关联。分离区域S不具有镜层6。可能的是，镜层6分别沿横向方向伸出半导体层序列2。与视图不同的，镜层6也能够连续地施加在后侧7上。此外，可选地，在镜层6上能够存在另外的、未示出的保护层，以便防止在镜层上例如在湿化学刻蚀期间的损坏。在所有其他实施例中，也能够存在这种镜层6和/或这种另外的保护层。
如在图1F中图解说明的那样，分割为各个半导体芯片10。通过尤其借助氟氢酸进行的湿化学刻蚀，在分离区域S中刻蚀掉通过激光辐射L改变的材料。刻蚀掉的区域具有在根据图1D的方法步骤中借助激光辐射L的脉冲扫描的形状。
通过这种刻蚀，在半导体芯片10的各个载体1的侧面3上能够有针对性地产生粗糙部4。通过所述粗糙部4，出自半导体芯片10的光耦合输出效率能够升高。
在图2中分别示出半导体芯片10在分割之前的示意俯视图。通过如结合图1图解说明的方法，能够实现在俯视图中观察具有原则上任意基面的半导体芯片10。尤其，不需要保持折断所需要的晶体定向。
根据图2A，半导体芯片10具有三角形的基本形状。在图2B中示出六边形的基本形状，并且在图2C中示出平行四边形的基本形状。
与此不同的，参照图2D，不需要半导体芯片10在俯视图中观察具有直线伸展的棱边和限界面。因此，根据图2D的半导体芯片10弧形地构成。这种半导体芯片10例如能够用在汽车前照灯中。
优选地，半导体芯片10的基本形状分别选择为，使得能够实现高的填充系数。这在示出的基面中分别是这种情况。由此，能够降低制造成本。
结合图3示出如借助根据图1的方法制造的半导体芯片10的横截面。根据图3A，半导体芯片10分别具有梯形的横截面。分离区域S构成为V形并且朝向半导体层序列2。通过这种造型，一方面能够实现半导体层序列2在蓝宝石生长衬底上的高的填充系数。另一方面，由于相对于生长方向G的角度A≠0°，能够实现提高的耦合输出效率。
根据图3B，半导体芯片10具有平行四边形状的横截面。如也在所有其他的实施例中可能的是，载体1的仅一些侧面3b设有粗糙部4并且其他侧面3a不设有粗糙部4。但是，与示出的不同地，侧面3a也能够设有粗糙部4。相应内容适用于所有其他的实施例。分离区域S在横截面中观察是直线部段。
在如在图3C中图解说明的半导体芯片1中，侧面3具有平行于生长方向G取向的第一区域和倾斜于生长方向G定向的第二区域。所述区域中的一个或两个区域能够设有粗糙部4。因此，分离区域S在横截面中观察以Y的形状构成，其中Y的开口朝向后侧7。
在根据图3D的实施例中，分离区域S在横截面中观察以X的形状构成。换言之，沿远离后侧7的方向，载体1的宽度首先增大并且随后再次减小。
这种能多方面成形的侧面3能够通过根据图1的方法、尤其通过用激光辐射L扫描和随后的刻蚀来实现。
在图4中示出用于制造光电子半导体芯片10的方法的另一个实施例。根据图4A，提供载体复合件11。此外，将具有至少一个有源层的半导体层序列2整面地连续地施加到上侧72上。
在图4B中示出，多个分离区域S在载体复合件11中成形。分离区域S远离上侧72朝向后侧7的方向延伸。从上侧72开始，分离区域S分别例如以最少50μm或100μm和/或最多200μm或150μm或100μm进入到载体复合件11中。载体复合件11的厚度整体上例如为最少250μm或400μm和/或最多2mm或1.3mm或1mm或750μm或500μm。如结合图1D所描述的那样，产生分离区域S。在此，激光辐射优选从后侧7射入到载体复合件11中。
在根据图4C的方法步骤中，在半导体层序列2的背离载体复合件11的一侧上安置保护层8和可选的镜层6。保护层8和/或镜层6也能够结构化成电端子、布线层(Umverdrahtungsschichten)或电连接面，或者能够施加相应的、附加的元件。在用于相邻的半导体芯片10的半导体层序列2的相邻的区域之间也能够设有电布线。
根据图4D，在区域5中例如借助于刻蚀移除半导体层序列2以及保护层8和镜层6。所述步骤能够类似于图1C进行。区域5沿横向方向优选延伸超过分离区域S。在附加的、未示出的步骤中，也能够在区域5上或在半导体层序列2的露出的侧面上产生其他层，例如封装层和/或电绝缘层。
在图4E中进行分离区域S的刻蚀。所述步骤优选类似于图1F中的方法步骤实施。如在图4E中示出的，将载体复合件11在所述刻蚀步骤中不完全地分开。优选地，在分离区域S上保留载体复合件11的足够的厚度，使得载体复合件11在从分离区域S中移除材料之后也是机械稳定且自承的并且能够不借助辅助载体来操作。
与在图4E中所示出的不同地，不需要将刻蚀剂从上侧72引入。因此，在该情况下，分离区域S优选不到达上侧72。因此，刻蚀剂的引入能够通过后侧7的孔进行。分离区域S的刻蚀不一定需要直接在分离区域S的成型之后进行，参见图4B，如所示出的，能够插入其他的工艺步骤。
在如在图4F中示出的方法步骤中，在分离区域S中将另外的镜层6施加到随后的载体1的侧面3上。另外的镜层6能够在通过材料移除在分离区域S中露出的所有面上施加。与所示出的不同地，也可能的是，另外的镜层6在半导体层序列2的侧面上和/或在保护层8的露出的区域上延伸。另外的镜层6能够是金属镜。同样可能的是，将由具有低折射率的材料的层与金属层组合的复合件作为另外的镜层6施加。为了实现另外的镜层6的高的反射率，根据图4F的侧面3优选平滑地构成。
与图4F中的视图不同地，也能够将另外的层施加在分离区域S中，例如抵御机械损坏、抵御工艺化学制品或抵御有害的环境影响的保护层。相应的附加的、未示出的保护层也能够在半导体层序列2上或在半导体层序列2上的镜6上延伸。这种层能够借助缝隙常用的覆层方法、如气相沉积或原子层沉积、简称AtomicLayerDeposition或ALD产生。替选地，能够使用物理气相沉积。如果存在导电的、尤其薄的基本层，那么也能够经由电化学沉积施加附加的金属层。
在图4G中示出，在半导体层序列2的背离载体复合件11的一侧上安置辅助载体12。辅助载体12例如是膜或板。辅助载体12能够是机械柔性的或也能够是机械刚性的。
根据如在图4H中图解示出的方法步骤，将载体复合件11从后侧7移除，例如通过磨削或通过研磨。将载体复合件11整面地去除，直至分割半导体芯片10。换言之，至少打薄至分离区域S中。与根据图4H的视图不同地，也可能的是，半导体层序列2的多个子区域组合成在共同的载体1上的组。
由于在载体1的侧面3上的另外的镜层6，所得到的半导体芯片10经由载体1发射在运行中产生的辐射。可能的是，仅在通过载体1形成的辐射主侧9上发射在运行中产生的辐射。因为在制造期间，分离区域S仅共计占载体复合件11的厚度的相对小的份额，所以在分割步骤之前能够放弃辅助载体构造，伴随着成本降低。
半导体芯片10如也在所有其他实施例中那样尤其是倒装芯片，所述倒装芯片仅能够经由与辐射主侧9相对置的一侧电接触并且能够机械地安置。尤其通过倒装芯片构造，也能够实现从半导体芯片10良好地导出损耗热量。
可选地，在图4H中称作为辐射主侧的一侧也还能够附加地设有镜层6。因此，辐射主侧是半导体层序列2的背离载体1的一侧，这一侧因此优选不具有反射层。此外，可能的是，半导体芯片10构成为侧向发射器，也称作为sidelooker。在该情况下，优选地，半导体芯片10的两个主侧是镜反射的，并且所有的、一个、两个或三个侧面3不具有镜层并且构建成用于发射辐射。
如果半导体芯片10构成为倒装芯片，那么半导体芯片10例如在施加辅助载体12之前还能够设有焊接的接触电极，尤其因为例如在如在图5A中示出的用材料浇注时的喷塑温度能够保持在焊料的固相温度之下。
下面，优选移除辅助载体12。在此可选地，如在图5A中示出的那样可能的是，在移除辅助载体12之前，将半导体芯片10借助浇注料13压力注塑包封，和/或在辐射主侧9上施加未示出的用于将在半导体层序列12中产生的辐射完全地或部分地转换为其他波长的辐射的转换机构。如果将各个半导体芯片10借助浇注料13喷注或挤压，那么分离区域S能够具有相对大的宽度，以便在浇注半导体芯片10之后，将分离成各个能表面安装的半导体构件30简化。
例如通过在相邻的半导体芯片10之间锯割成锯割道T来分割成半导体构件30，参见图5B。尤其，由于分离区域S借助结合图1所描述的激光刻蚀法的精细的结构化可能性，能够将这种锯割道T保持得相对窄，由此提高每载体复合件11的半导体构件30的收益，随之降低半导体芯片的制造成本。
如也在所有其他的实施例中可能的是，使用多于一个辅助载体。例如，在分割成半导体芯片10或半导体构件30之后，将多个半导体芯片10或半导体构件30在另外的辅助载体上组合。然后，这些组合的半导体芯片10或半导体构件30尤其根据不同的标准分类，例如关于发射的辐射的光谱组成或发射波长分类。因此，可能的是，在辅助载体12上和/或在其他的辅助载体上的所有半导体芯片10或半导体构件30属于共同的标准分类。
通过这种如结合图4和5示出的方法，能够制造具有带有镜反射的侧面3的蓝宝石载体衬底1的半导体芯片10和半导体构件30。所得到的半导体芯片或半导体构件30具有相对小的横向尺寸。尤其借助如结合图5A阐述的浇注，能够实现封装的半导体芯片10，其大小在俯视图中观察没有大程度地偏离半导体层序列2的大小。这种结构方式也称作为芯片尺寸封装(Chip-Size-Package)。所述结构方式能够如在图5A中示出的那样还在晶片复合件中产生。
因为载体1的侧面3反射性地覆层，所以浇注料此外能够用于仅具有相对小的反射率的浇注体13。尤其，能够使用黑色的浇注料，所述浇注料例如在制造集成电路、英语为integratedcircuit或简称为IC时应用。
对半导体芯片10的浇注替选地，还在晶片复合件中也可能的是，结合图4H示出的半导体芯片10直接施加到电路板上，而不需要附加的壳体或浇注体。这种装置也称作为板载芯片(Chip-on-Board)。
在此描述的发明不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求或实施例中说明时也如此。
本申请要求德国专利申请102013104270.8的优先权，其公开内容通过参引结合于此。
附图标记列表
1载体
2半导体层序列
3载体的侧面
4粗糙部
5具有移除的半导体层序列的区域6镜层
7载体复合件的后侧
72载体复合件的上侧
8保护层
9辐射主侧
10光电子半导体芯片
11载体复合件
12辅助载体
13浇注体
30半导体构件
A角度
G生长方向
L激光辐射
S分离区域
T锯割道

Claims (16)

1.一种用于制造多个光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法具有下述步骤：
A)提供载体复合件(11)，所述载体复合件是蓝宝石晶片；
B)将具有至少一个用于产生电磁辐射的有源区的半导体层序列(2)施加到所述载体复合件(11)上；以及
C)在相邻的半导体芯片(10)或组之间的分离区域(S)中，将所述载体复合件(11)和所述半导体层序列(2)分成各个半导体芯片(10)或半导体芯片组；
其中所述步骤C)包括：
D)在所述载体复合件(11)中在所述分离区域(S)中通过聚焦的、脉冲的激光辐射(L)分别产生多个能选择性刻蚀的材料改变部，其中所述激光辐射(L)具有下述波长，在所述波长下，所述载体复合件(11)是透明的；以及随后
E)将所述材料改变部湿化学地刻蚀，其中将所述载体复合件(11)仅通过湿化学的刻蚀或以与其他的材料去除法组合的方式分割成用于所述半导体芯片(10)或用于所述组的各个载体(1)。
2.根据上一项权利要求所述的方法，
其中
-所述半导体层序列(2)基于AlInGaN并且外延地生长到所述载体复合件(11)上；
-在步骤C)之前，将所述半导体层序列(2)部分地或完全地从所述分离区域(S)移除；
-在步骤E)中，仅通过湿化学的刻蚀进行分割；以及
-在步骤E)之后，在俯视图中观察，所述半导体芯片(10)分别具有至少两个角部，在所述角部中，所述半导体芯片(10)的棱边以不等于90°的角度相交。
3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在所述分离区域(11)的在步骤C)之前将所述半导体层序列(2)移除的区域(5)具有在1μm和20μm之间的宽度，其中包含边界值。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在步骤C)中，通过所述分离区域(S)形成所述载体(1)的侧面(3)；
其中在所述侧面(3)上形成粗糙部(4)。
5.根据上一项权利要求所述的方法，
其中所述粗糙部(4)具有在0.25μm和3μm之间的平均粗糙度，其中包含边界值。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，
其中
-在步骤C)中，通过所述分离区域(S)形成所述载体(1)的平滑的侧面(3)；
-所述分离区域(S)没有完全地穿过所述载体；
-在产生所述侧面(3)之后，将至少一个镜层(6)在所述分离区域(S)中施加到所述侧面(3)上；
-在所述半导体层序列(2)的背离所述载体复合件(11)的一侧上，安置暂时的辅助载体(12)；以及
-在安置所述辅助载体(12)之后，借助其他的材料去除法进行分割，并且所述其他的材料去除法是磨削或研磨。
7.根据上一项权利要求所述的方法，
其中在分割之后并且在移除所述辅助载体(12)之前，制造连续的浇注体(13)，所述浇注体将分割的所述半导体芯片(10)分别环形地包围并且彼此机械连接；
其中随后划分所述浇注体(13)，使得形成具有至少一个构成为倒装芯片的所述半导体芯片(10)并且具有所述浇注体(13)的一部分的多个半导体构件(30)，并且其中移除所述辅助载体。
8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在步骤E)中，将所述激光辐射(L)在所述分离区域(S)中分别以二维的锯齿形图案引导。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在横截面中观察，所述分离区域(S)以相对于所述半导体层序列(2)的生长方向(G)以不等于0°的角度(A)伸展。
10.根据上一项权利要求所述的方法，
其中角度(A)位于15°和75°之间并且通过步骤D)来确定，其中包含边界值。
11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在横截面中观察，所述分离区域(S)V形地并且关于所述生长方向(G)对称地构成。
12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中
-所述激光辐射(L)从所述载体复合件(11)的背离所述半导体层序列(2)的后侧(7)起射入；
-在步骤D)和E)之间，将镜层(6)整面地或局部地施加在所述后侧(7)上；以及
-在步骤D)中，维持所述载体复合件(11)的机械的整体性。
13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中
-对于所述激光辐射(L)的每个脉冲，所述材料改变部具有在0.25μm3和50μm3之间的体积，其中包含边界值；
-所述激光辐射(L)在所述材料改变部中的功率密度在2×1013W/cm2和5×1014W/cm2之间，其中包含边界值；
-所述激光辐射(L)的脉冲的平均脉冲持续时间最高为50ns，以及
-在步骤D)中，借助氟氢酸进行刻蚀。
14.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在步骤C)之前，将所述载体复合件(11)打薄，使得所述载体复合件(11)的厚度在打薄之后位于80μm和300μm之间，其中包含边界值。
15.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中通过所述激光辐射(L)的脉冲，产生具有相对于所述载体复合件(11)的未被照射的部分降低的晶体质量的岛状的各材料改变部，其中相邻的材料改变部重叠或接触。
16.一种借助根据上述权利要求中任一项所述的方法制造的光电子半导体芯片(10)，
其中
-所述半导体芯片(10)包括具有至少一个用于产生辐射的基于AlInGaN的半导体层序列(2)；
-所述半导体层序列(2)在由蓝宝石构成的载体(1)上生长，
-所述载体(1)的侧面(3)具有平均粗糙度在0.25μm和3μm之间的粗糙部(4)，其中包含边界值；以及
-所述半导体层序列(2)不达到所述侧面。
CN201480022502.2A 2013-04-26 2014-03-19 用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 Expired - Fee Related CN105122472B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310104270 DE102013104270A1 (de) 2013-04-26 2013-04-26 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102013104270.8 2013-04-26
PCT/EP2014/055528 WO2014173590A1 (de) 2013-04-26 2014-03-19 Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105122472A true CN105122472A (zh) 2015-12-02
CN105122472B CN105122472B (zh) 2018-06-05

Family

ID=50289690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480022502.2A Expired - Fee Related CN105122472B (zh) 2013-04-26 2014-03-19 用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9680049B2 (zh)
CN (1) CN105122472B (zh)
DE (2) DE102013104270A1 (zh)
WO (2) WO2014173589A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109314367A (zh) * 2016-06-16 2019-02-05 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造激光二极管棒的方法和激光二极管棒
CN110192312A (zh) * 2017-01-19 2019-08-30 欧司朗光电半导体有限公司 半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法
CN110379905A (zh) * 2018-04-12 2019-10-25 欧司朗光电半导体有限公司 制造光学器件的方法、光学器件和含该光学器件的组合件
CN110474230A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014110071A1 (de) 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP6265175B2 (ja) * 2015-06-30 2018-01-24 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP2017135246A (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102016124526A1 (de) * 2016-12-15 2018-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil mit einem optoelektronischen Bauelement
JP6669144B2 (ja) * 2016-12-16 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
JP6504194B2 (ja) * 2017-03-31 2019-04-24 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
DE102021119999A1 (de) 2021-08-02 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaser und projektor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003030271A2 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender halbleiterchip, verfahren zu dessen herstellung und strahlungsemittierendes bauelement
CN101621025A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 台湾积体电路制造股份有限公司 分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法
CN102130253A (zh) * 2011-01-27 2011-07-20 广东银雨芯片半导体有限公司 一种高出光效率的led晶片及其制造方法
CN102398313A (zh) * 2010-09-14 2012-04-04 株式会社迪思科 光器件晶片的加工方法
KR20120102897A (ko) * 2011-03-09 2012-09-19 한국기계연구원 레이저를 이용한 웨이퍼의 국부적 비정질화를 선행한 이방성 에칭방법 및 이를 이용한 다이싱 방법 및 드릴링 방법
US20130023076A1 (en) * 2011-07-21 2013-01-24 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing light-emitting device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI327340B (en) * 2004-10-07 2010-07-11 Showa Denko Kk Production method for semiconductor device
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070298529A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
JP4903179B2 (ja) 2007-04-23 2012-03-28 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 発光装置及びその製造方法
DE102008010512A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US20100015782A1 (en) 2008-07-18 2010-01-21 Chen-Hua Yu Wafer Dicing Methods
US8216867B2 (en) * 2009-06-10 2012-07-10 Cree, Inc. Front end scribing of light emitting diode (LED) wafers and resulting devices
JP2012016726A (ja) 2010-07-08 2012-01-26 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物材料の加工方法、半導体機能素子の製造方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子アレイ、半導体発光素子およびレーザ加工装置
KR101249924B1 (ko) 2010-11-03 2013-04-03 (주)버티클 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8912025B2 (en) * 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003030271A2 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender halbleiterchip, verfahren zu dessen herstellung und strahlungsemittierendes bauelement
CN101621025A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 台湾积体电路制造股份有限公司 分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法
CN102398313A (zh) * 2010-09-14 2012-04-04 株式会社迪思科 光器件晶片的加工方法
CN102130253A (zh) * 2011-01-27 2011-07-20 广东银雨芯片半导体有限公司 一种高出光效率的led晶片及其制造方法
KR20120102897A (ko) * 2011-03-09 2012-09-19 한국기계연구원 레이저를 이용한 웨이퍼의 국부적 비정질화를 선행한 이방성 에칭방법 및 이를 이용한 다이싱 방법 및 드릴링 방법
US20130023076A1 (en) * 2011-07-21 2013-01-24 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing light-emitting device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109314367A (zh) * 2016-06-16 2019-02-05 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造激光二极管棒的方法和激光二极管棒
US11128106B2 (en) 2016-06-16 2021-09-21 Osram Oled Gmbh Method of producing a laser diode bar and laser diode bar
US11581707B2 (en) 2016-06-16 2023-02-14 Osram Oled Gmbh Method of producing a laser diode bar and laser diode bar
CN110192312A (zh) * 2017-01-19 2019-08-30 欧司朗光电半导体有限公司 半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法
CN110379905A (zh) * 2018-04-12 2019-10-25 欧司朗光电半导体有限公司 制造光学器件的方法、光学器件和含该光学器件的组合件
CN110379905B (zh) * 2018-04-12 2024-03-29 欧司朗光电半导体有限公司 制造光学器件的方法、光学器件和含该光学器件的组合件
CN110474230A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9680049B2 (en) 2017-06-13
US20160027959A1 (en) 2016-01-28
CN105122472B (zh) 2018-06-05
DE112014002166A5 (de) 2016-01-07
WO2014173589A1 (de) 2014-10-30
DE102013104270A1 (de) 2014-10-30
WO2014173590A1 (de) 2014-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105122472A (zh) 用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
US8859308B2 (en) Method for making light emitting diode
US8809886B2 (en) Light emitting diode
US8809087B2 (en) Method for making light emitting diode
US8803176B2 (en) Semiconductor structure
US8802466B2 (en) Method for making light emitting diode
US8803177B2 (en) Light emitting diode
US8772063B2 (en) Method for making light emitting diode
US8803178B2 (en) Light emitting diode
US20130328066A1 (en) Optoelectronic semiconductor chip and method for the production thereof
US8841149B2 (en) Method for making light emitting diode
US8809887B2 (en) Light emitting diode
KR101634410B1 (ko) 광전 반도체 몸체
US20160079474A1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US20140008677A1 (en) Light emitting diode
US20130330863A1 (en) Method for making light emitting diode
KR20130117474A (ko) 배면에 패턴을 갖는 기판을 구비하는 발광다이오드 및 그의 제조방법
CN103094444B (zh) 半导体发光二极管结构
US9966498B2 (en) Method for manufacturing light-emitting element
EP2721654B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US8847260B2 (en) Semiconductor structure
US10014445B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
US11688993B2 (en) Method of producing a plurality of laser diodes and laser diode
EP2276078B1 (en) Light-emitting element
KR20130094483A (ko) 발광 다이오드 칩 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180605