CN110379905A - 制造光学器件的方法、光学器件和含该光学器件的组合件 - Google Patents

制造光学器件的方法、光学器件和含该光学器件的组合件 Download PDF

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Abstract

本申请涉及制造光学器件的方法、光学器件和含该光学器件的组合件。在至少一个实施方案中，方法用于制造光学器件(1)。该方法包括以下步骤：提供由载体(3)机械地承载或被包括在载体(3)中的活性介质(2)，以及将粘合剂层(4)施加至活性介质(2)或载体(3)中的至少之一，其中，粘合剂层(4)包括至少一种有机材料并通过物理或化学气相沉积施加，其中，粘合剂层(4)的厚度在20nm与0.6μm之间，包括20nm与0.6μm。

Description

制造光学器件的方法、光学器件和含该光学器件的组合件
技术领域
提供了用于制造光学器件的方法和用于制造组合件的方法。还提供了光学器件和具有这样的光学器件的组合件。
背景技术
要实现的目的是提供用于制造光学器件的方法，使得光学器件可以以降低的热阻来安装。
发明内容
该目的尤其通过具有独立权利要求1的特征的方法来实现。优选的进一步的开发构成了其余权利要求的主题。
根据至少一个实施方案，通过该方法制造的光学器件是光电子半导体器件，如LED芯片。另外，光学器件是磷光体部件，或者也是光电子器件用的支承件，其中支承件可以至少在一些部位被设计成针对可见光的反射器。优选地，利用该方法制造多个这样的光学器件。下面描述的方法步骤中的至少一些可以在晶片组合件中执行。
根据至少一个实施方案，该方法包括提供活性介质的步骤。活性介质由载体(carrier body)机械地承载或者被包括在载体中。例如，活性介质是半导体层序列或半导体层序列的有源区域(active zone)。替选地或另外，活性介质是磷光体。
根据至少一个实施方案，该方法包括将粘合剂层施加至活性介质或载体中的至少之一的步骤。粘合剂层可以既施加至活性介质又施加至载体。粘合剂层被设计成能够将成品光学器件粘合耦接至支承件例如引线框或电路板。
根据至少一个实施方案，粘合剂层包括一种或多种有机材料。粘合剂层可以由一种或多种有机材料构成。特别地，粘合剂层由一种或多种聚合物组成。如本文所用的术语“有机材料”还包括其中主链可以不主要由碳原子形成而是由硅原子和氧原子形成的硅氧烷及相关材料。
根据至少一个实施方案，通过物理气相沉积简称PVD或通过化学气相沉积简称CVD来施加粘合剂层。也就是说，粘合剂层由气相形成而不是利用基于液体的技术如印刷或流延或旋涂来形成。
根据至少一个实施方案，粘合剂层的厚度为至少20nm或50nm。作为替选或另外地，粘合剂层的厚度为至多0.6μm或0.4μm或0.2μm。也就是说，粘合剂层较薄。例如，通过旋涂或印刷形成的粘合剂层通常具有约1μm或更大的厚度。因此，由于粘合剂层通过PVD或CVD形成，因此粘合剂层可以相对薄。
在至少一个实施方案中，该方法用于制造光学器件。该方法优选以所述顺序包括以下步骤：
-提供由载体机械地承载或被包括在载体中的活性介质，以及
-将粘合剂层施加至活性介质或载体中的至少之一，
其中，粘合剂层包括至少一种有机材料并通过物理或化学气相沉积施加，并且具有20nm与0.6μm之间的厚度，包括20nm和0.6μm。
利用此处描述的方法，通过使用气相沉积方法，可以特别是在发光二极管(简称LED)与引线框基底之间实现稳固、均匀、可再现的超薄粘合剂层。
在LED/引线框介面处的常规的基于聚合物的粘合剂层主要通过压印(stamping)或喷射工艺来施加。由于随后聚合物单体主要以流体相施加，因此在介面处发生的反湿润(de-wetting)和表面张力效应决定了粘合剂层厚度及其几何形状，即，分别是粘合层厚度和粘合剂覆盖率。
聚合物的气相沉积在Ayse Asatekin等人的在Materials Today，2010年5月，卷13，第5期，26页至33页中的文章“Designing Polymer Surfaces via Vapor Deposition”里描述。该文章的公开内容通过引用被包括，特别是关于聚合物的施加，参见第27页至30页的“CVD Polymerization Chemistry”部分。
也就是说，在本文所描述的方法中，实施CVD聚合方法以特别地将粘合剂层在晶片级尺度上施加到LED芯片背面上。CVD和PVD聚合方法适合超薄聚合涂层/层形成，其中超薄是指纳米至微米厚度，并且聚合物包括聚硅氧烷。例如，已经证明引发式CVD(简称iCVD)通用于在低于250℃的目标基底处的聚合。在这种情况下，该温度是指灯丝阵列，吸附和聚合然后在冷却的基底上进行，特别是在LED芯片的背面上进行。例如，背面聚合物层涂覆的芯片晶片随后经历分割(singulation)，并且单个芯片准备好被进一步附接到引线框上。
另外，与精密掩模设计结合，上述CVD和PVD聚合方法可应用于轻粒状基底(lightkernel-like substrate)上，其中，多个LED芯片将进一步附接到掩模预定义的粘合剂聚合区域上。
也就是说，目前通过冲压施加的粘合层厚度在1μm至6μm的范围内。通过冲压施加均匀且薄的粘合剂聚合层仍然是一个挑战。与此相比，例如，通过CVD方法实现的超薄聚合层可以显著降低厚度相关的热阻，其和LED芯片与引线框基底之间的粘合剂层本质上相关。因此，由于本文所描述的非常薄的粘合剂层，增强了散热，因此也提高了光学器件的封装级性能。
此外，由于CVD方法避免了由液相聚合物冲压或喷射引起的不期望的去湿润、表面张力、蠕变和渗出，因此所施加的超薄粘合剂聚合层具有被限制至例如LED芯片背面或者轻粒壳体中的引线框基底的明确限定的粘合剂覆盖。因此，可以容易地实现芯片侧壁附近几乎没有粘合剂溢出(adhesive fillets)。
根据至少一个实施方案，活性介质是包括有源区域的半导体层序列。在操作期间，在有源区域中，借助于电致发光产生电磁辐射，例如蓝光、绿光或红光。作为替选方案，在有源区域中产生红外辐射，例如具有在700nm与1μm之间(包括700nm和1μm)的最大强度的波长。在这种情况下，载体可以是向其施加半导体层序列的基底，或者在其上生长半导体层序列的基底。作为替选方案，半导体层序列本身可以是载体，活性介质被限制至有源区域。在半导体层序列是自支承且机械稳定的情况下，后者尤其适用。
根据至少一个实施方案，粘合剂层仅被施加在基底的背向半导体层序列的一侧上。作为替选方案，粘合剂层也可以被施加至基底的侧面和/或施加至半导体层序列，特别是被施加在半导体层序列的背向基底的一侧上。
根据至少一个实施方案，粘合剂层或基底中的至少之一对于特别是在半导体层序列的有源区域中生成的电磁辐射是透光的。也就是说，生成的电磁辐射可以到达向其施加光学器件的支承件。因此，支承件可以用作通过基底以及通过粘合剂层的辐射的镜。
根据至少一个实施方案，活性介质是磷光体。在操作期间，借助于光致发光在磷光体中产生电磁辐射。也就是说，磷光体可以是吸收短波辐射并生成更长的波的辐射的转换元件。载体和/或粘合剂层对于在磷光体中生成的电磁辐射可以是透光的。
此外，光学器件可以包括具有有源区域的半导体层序列以及用于由在有源区域中生成的辐射的至少一部分产生更长的波的辐射的磷光体二者。半导体层序列和磷光体可以借助于粘合剂层连接至彼此并通过另一粘合剂层连接至支承件。
根据至少一个实施方案，半导体层序列基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是诸如AlnIn1-n-mGamN的氮化物化合物半导体材料或诸如AlnIn1-n-mGamP的磷化物化合物半导体材料或者还是诸如AlnIn1-n-mGamAs的砷化物化合物半导体材料，其中，在每种情况下均适用0≤n≤1，0≤m≤1且n+m≤1。半导体层序列可以包括掺杂剂和附加成分。然而，为简单起见，仅指示半导体层序列的晶格的基本成分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些成分可能部分地被少量其他物质替换和/或补充。半导体层序列特别优选的基于AlInGaN材料体系。
磷光体优选地是包括以下物质中的至少一种的发光材料或发光材料混合物：Eu2+掺杂的氮化物，例如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+、Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+、(Sr,Ca)AlSiN3*Si2N2O:Eu2+、(Ca,Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+、(Sr,Ca)[LiAl3N4]:Eu2+；来自一般体系的石榴石(Gd,Lu,Tb,Y)3(Al,Ga,D)5(O,X)12:RE，其中X＝卤化物、N或二价元素，D＝三价或四价元素，并且RE＝稀土金属，例如Lu3(Al1-xGax)5O12:Ce3+、Y3(Al1-xGax)5O12:Ce3+；Eu2+掺杂的硫化物，例如(Ca,Sr,Ba)S:Eu2+；Eu2+掺杂的SiON，例如(Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu2+；例如来自体系LixMyLnzSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n的SiAlON；来自体系Si6-xAlzOyN8-y:REz的β-SiAlON；次氮-正硅酸盐，例如AE2-x- aRExEuaSiO4-xNx、AE2-x-aRExEuaSi1-yO4-x-2yNx，其中RE＝稀土金属，并且AE＝碱土金属；正硅酸盐例如(Ba,Sr,Ca,Mg)2SiO4:Eu2+；氯硅酸盐例如Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+；氯磷酸盐例如(Sr,Ba,Ca,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+；来自BaO-MgO-Al2O3体系的BAM发光材料例如BaMgAl10O17:Eu2+；卤代磷酸盐例如M5(PO4)3(Cl,F):(Eu2+,Sb3+,Mn2+)；SCAP发光材料例如(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+。文献EP 2 549 330 A1中所陈述的发光材料也可以用作发光材料。关于所使用的发光材料，该文献的公开内容通过引用被并入。此外，还可以引入“量子点”作为转换器材料。在这种情况下，包含II-VI族化合物和/或III-V族化合物和/或IV-VI族化合物和/或金属纳米晶体的纳米晶体材料形式的量子点是优选的。
根据至少一个实施方案，载体是其中嵌入有磷光体的基质材料。在这种情况下，磷光体优选地作为颗粒存在。作为替选方案，磷光体本身也可以形成载体。在这种情况下，磷光体例如烧结至陶瓷体。
根据至少一个实施方案，磷光体在一些部位与粘合剂层直接接触。例如，如果磷光体颗粒位于形成基质材料的载体的侧面或底面，或者如果载体本身由磷光体形成，则磷光体在一些部位与粘合剂层直接接触。
根据至少一个实施方案，粘合剂层包括以下列材料中的至少之一或由这些材料中的一种或更多种构成：聚酰亚胺、硅氧烷、有机硅、丙烯酸酯、环氧化物。优选地，粘合剂层是丙烯酸酯或硅氧烷。优选地，粘合剂层包括杂化材料或由杂化材料构成，杂化材料特别是有机硅-环氧化物杂化材料或丙烯酸酯-环氧化物杂化材料。
根据至少一个实施方案，通过脉冲激光沉积、溅射、引发式化学气相沉积、氧化化学气相沉积、蒸镀中的至少之一来施加粘合剂层。如上所述，在Asatekin等人的文章中特别说明了引发式化学气相沉积和氧化化学气相沉积。
根据至少一个实施方案，粘合剂层包括多种有机材料或由多种有机材料形成。粘合剂层可以由多个子层生长，所述多个子层彼此上下堆叠。特别地，粘合剂层仅由包括硅氧烷的有机材料构成。作为替选方案，在粘合剂层的制造期间，可以共同蒸镀或共沉积无机材料。可以使用的无机颗粒特别是平均直径为至多50nm或10nm或5nm的纳米颗粒。
这样的纳米颗粒可以用于增加粘合剂层的导热性和/或调节粘合剂层的电特性。这样的颗粒可以由氧化物例如钛氧化物或锆氧化物形成，或者也可以是例如银或金形成的金属纳米颗粒，或者也可以是例如由锌氧化物或铟锡氧化物(简称ITO)形成的导电透明颗粒。也可以使用碳纳米管。
根据至少一个实施方案，粘合剂层包括至少两种不同的子层，这些子层以交替的方式彼此上下堆叠。也就是说，粘合剂层可以是两部分(简称2C)粘合剂。例如，当粘合剂层和光学器件被压到支承件上时，子层相互混合。因此，借助于相互混合，可以触发粘合剂层的固化。
根据至少一个实施方案，粘合剂层包括是最外层的覆盖层，并且还可以包括基础层。覆盖层优选地相对较薄，例如具有至多10nm或5nm的厚度。特别地，覆盖层是非粘性的并且被设计成在光学器件的安装期间被破坏。例如，只要没有安装光学器件，则基础层是粘性的并且由覆盖层保护。因此，可以减少或避免在安装之前光学器件与其他部件的无意粘附和/或基础层的劣化。
接下来，提供一种用于制造组合件的方法。用于制造组合件的方法优选是制造光学器件的方法的延续。因此，对于用于制造组合件的方法，还公开了结合用于制造光学器件的方法公开的所有特征和步骤，反之亦然。
根据至少一个实施方案，用于制造组合件的方法还包括将光学器件安装到支承件的步骤。借助于粘合剂层，支承件和光学器件永久且牢固地彼此连接。该方法步骤优选在提供活性介质之后并且在将粘合剂层施加到活性介质和/或载体之后进行。另外或替选地，粘合剂层可以被施加到载体上。
根据至少一个实施方案，支承件是引线框。优选地，引线框包括一种或更多种金属或由一种或更多种金属组成，例如可以涂有银的铜。通过这种银涂层，可以在引线框上实现镜。也可以使用诸如布拉格反射镜之类的介电或导电涂层代替银之类的金属涂层。当支承件是引线框，特别是金属引线框时，光学器件优选地是产生光特别是蓝光的LED芯片。
根据至少一个实施方案，支承件具有包括粗糙结构的安装面。粗糙结构具有例如至少50nm或100nm和/或至多0.5μm或0.2μm的平均粗糙度Ra。在安装过程中，粘合剂层被压到安装面上，使得粗糙结构在一些部位完全穿透粘合剂层。因此，支承件在一些部位与载体或活性介质中的至少之一直接接触。粘合剂层在安装之前的厚度优选为平均粗糙度Ra的至少110％或130％和/或至多200％或170％。在这种情况下，支承件和载体或活性介质之间的电连接可以通过支承件本身的材料实现。因此，为了实现与支承件的电接触，粘合剂层不必是导电的。
根据至少一个实施方案，支承件、载体或活性介质中的至少之一包括电接触区域。例如，电接触区域通过焊料或可以与粘合层不同的导电粘合剂电连接。此外，这种电接触区域可以通过接合线电连接。
根据至少一个实施方案，在安装在支承件上期间，粘合剂层保持为没有孔的连续层。因此，粘合剂层可以完全覆盖电接触区域。作为替选方案，电接触区域部分地保持没有粘合剂层。如果粘合剂层部分或完全覆盖电接触区域，则粘合剂层优选是导电的，因此可以是导电聚合物和/或可以包括如导电颗粒之类的导电成分。
根据至少一个实施方案，在安装在支承件上期间，电接触区域保持部分或完全没有粘合剂层。在这种情况下，粘合剂层可以是电绝缘的。电接触区域和粘合剂层可以位于载体和/或活性介质的不同侧上。作为替选方案，在俯视图中看，粘合剂层可以形成为围绕电接触区域的框，使得电接触区域和粘合剂层可以位于载体和/或活性介质的同一侧。
根据至少一个实施方案，在安装在支承件上期间，粘合剂层借助于温度升高而固化。温度升高是例如到至少80℃或100℃或120℃。优选地，温度升高至多到高达200℃或150℃或125℃。
根据至少一个实施方案，在安装在载体上期间，粘合剂层借助引发光化学反应的辐射而固化。用于光化学固化的辐射可以在活性介质中产生，该活性介质可以是LED芯片的有源区域。另外，借助于外部光源例如穿过载体来进行固化。用于光化学固化的辐射优选为近紫外辐射或蓝光。
根据至少一个实施方案，恰好在安装之前，粘合剂层具有低粘度和/或低硬度。特别地，粘合剂层的粘度为至多500Pa·s或100Pa·s或20Pa·s。恰好在安装之前粘合剂层的硬度为至多肖氏A10或肖氏A5或肖氏A2。这些值优选适用于300K的温度，即室温。作为替选方案，粘合剂层在安装之前可以相当硬。如果粘合剂层被热固化，则替选方案尤其适用。
在用于制造组合件的方法的至少一个实施方案中，该方法包括以下步骤：
-提供作为LED芯片的光学器件，
提供作为金属引线框的支承件，
-将粘合剂层施加到光学器件或支承件中的至少一个上，
-将光学器件安装到支承件上，使得光学器件和支承件永久且牢固地连接在一起，
其中粘合剂层包含至少一种有机材料并通过物理或化学气相沉积施加，并且
其中粘合剂层(4)的厚度在20nm和0.6μm之间，包括20nm和0.6μm。
在用于制造组合件的方法的至少一个另外的实施方案中，该方法包括以下步骤：
-提供由载体机械承载或包含在载体中的活性介质，
-将粘合剂层施加到活性介质或载体中的至少之一上，
其中粘合剂层包含至少一种有机材料并通过物理或化学气相沉积被施加，并且
其中粘合剂层的厚度在20nm和0.6μm之间，包括20nm和0.6μm，
-将包括活性介质、载体和粘合剂层的光学器件安装到支承件上，使得光学器件和支承件永久且牢固地连接，
其中支承件包括具有粗糙结构的安装面，并且
其中在安装期间，粘合剂层被压到安装面上，粗糙结构穿入粘合剂层，使得支承件在一些部位与载体或活性介质中的至少之一直接接触。
此外，提供了一种光学器件。光学器件通过如上所述的用于制造光学器件的方法制造。因此，对于该方法，还公开了光学器件的特征，反之亦然。
在至少一个实施方案中，光学器件用于产生光并且通过如上所述的方法制造。光学器件包括其中在操作期间产生光的活性介质。载体机械地承载活性介质，该活性介质附着在载体上或包含在载体中。具有至少一种有机材料的粘合剂层的厚度为至少20nm且至多0.6μm。
此外，还提供了一种组合件。该组合件分别用如上所述的光学器件或用于制造如上所述的组合件的方法制造。因此，对于组合件，还公开了光学器件的特征和用于制造组合件的方法的特征，反之亦然。
在至少一个实施方案中，组合件由光学器件制成并且还包括支承件。光学器件借助于粘合剂层牢固且永久地附接到支承件。
附图说明
下面借助于示例性实施方案参考附图更详细地说明本文中描述的光学器件、方法和组合件。在各个附图中相同的元件用相同的附图标记表示。然而，元件之间的关系未按比例示出，而是可以夸大地示出单独元件以帮助理解。
在附图中：
图1示意性地示出了制造光学器件的方法；
图2至图7示出了本文中描述的光学器件的示例性实施方案的示例性截面图；
图8A至图8C和图9A至图9C示出了制造本文中描述的组合件的示意性方法；
图10和图11示出了本文中描述的光学器件的示例性实施方案的示意性截面图；
图12A至图12B示出了制造本文中描述的组合件的方法；以及
图13示意性地说明了本文中描述的光学器件和组合件的热阻的计算。
具体实施方式
图1示出了制造光学器件1的示例性方法。两种反应物81、82被从例如加热杯施加到载体3和活性介质2的晶片复合物的背面。借助于两种反应物81、82之间的反应，特别地借助于聚合而形成粘合剂层4。由于粘合剂层4由气相形成，因此粘合剂层4可以被非常精确地制造并且也非常薄。
用于粘合剂层4的材料可以在真空(例如1×10-7托)至高达100psi的压力下被沉积。沉积期间的基底温度优选在室温至200℃的范围内。也可以使用许多其他参数，特别是如在Ayse Asatekin等人在Materials Today，2010年5月，Vol.13，No.5，第26至33页的文章“Designing Polymer Surfaces via Vapor Deposition”及其中的参考文献里描述的。
沿着图1中所示的虚线，将晶片复合物分割成单独的光学器件1。因此，优选在制造粘合剂层4之后进行分割。
图2示出了光学器件1的示例性实施方案。在这种情况下，光学器件1包括载体3，载体3可以是用于半导体层序列21的生长基底23。生长基底23例如是蓝宝石衬底。半导体层序列21可以基于材料体系AlInGaN。
半导体层序列21包括有源区域22，例如单量子阱结构或多量子阱结构。在有源区域22中，借助于电致发光在成品光学器件1中产生光。因此，光学器件1可以是LED芯片。因此，活性介质2是包括有源区域22的半导体层序列21。
粘合剂层4被施加到生长基底23的远离半导体层序列21的一侧。因此，粘合剂层4远离活性介质2。
在图3的示例性实施方案中，粘合剂层4被直接施加到半导体层序列21。在这种情况下，半导体层序列21可以足够机械稳定，使得可以省略单独的载体。因此，半导体层序列2形成载体3，并且有源区域22是包括在半导体层序列21中并且因此包括在载体3中的活性介质2。
作为选择，如图3所示，单独的载体3(用虚线画出)可以存在于半导体层序列21的远离粘合剂层4的一侧。在这种情况下，半导体层序列21不需要是自支承的。
在图4中，示出了载体3在一侧上施加有粘合剂层4并且在另一侧上施加有磷光体29。磷光体29被设计成通过光致发光产生辐射。因此，磷光体29是活性介质2。
载体3是例如陶瓷体或玻璃体。磷光体29可以被直接施加到载体3上，或者可选地包含在如硅氧烷或玻璃的基质材料中。
根据图5，磷光体29以嵌入基质材料32中的颗粒的形式存在。基质材料32(例如，可以是硅氧烷或玻璃)形成载体3。磷光体29在一些部位位于载体3表面处，因此可以与粘合剂层4直接接触。
作为图5的替选，磷光体29可以由可以烧结在一起的磷光体颗粒制成。在这种情况下，可以省略基质材料，并且可以将粘合剂层4直接涂覆到这种烧结的磷光体29上。
在图6中，示出了粘合剂层4由多个(plurality)子层41、42组成。可以存在第一子层41和第二子层42的序列，第一子层41和第二子层42以交替的方式彼此上下堆叠。因此，粘合剂层4可以是两部分粘合剂，并且可以通过例如借助于诸如将光学器件1压到支承件(未示出)的机械工艺来使子层41、42相互混合以产生粘合效果。
根据图7，粘合剂层4包括基础层43和覆盖层44。覆盖层44优选地比基础层43薄。基础层43可以由覆盖层44保护，直到光学器件1被施加支承件(未示出)。
如图6和7所示的粘合剂层4的相对复杂的设置也可以存在于所有其他示例性实施方案中。然而，为了简化粘合剂层4的制造，优选地，粘合剂层4是例如如图1至5所示的单一均质层。
在图8中，说明了从光学器件1制造组合件10的方法。根据图8A，提供了如LED芯片的光电子半导体芯片9。此外，还提供具有粘合剂层4的光学器件1。例如，在这种情况下，光学器件1包含磷光体29并且因此是转换元件。
作为图8B中所示的替选方案，光学器件1是具有半导体层序列21和粘合剂层4的LED芯片。所提供的另一部件是磷光体29。与图8B中所示的相反，磷光体29也可以设置有粘合剂层4(如虚线所示)，使得可以存在两个光学器件1。
得到的组合件10如图8C所示。LED芯片9和磷光体29借助于具有例如仅100nm至200nm的厚度的粘合剂层4牢固且永久地被连接。
根据图9A，光学器件1也是包括粘合剂层4的LED芯片。此外，提供具有安装面60的支承件6。支承件6是金属引线框的一部分。优选地，安装面60是用于在光学器件1中产生的辐射的镜61。
如图9B所示，作为替选方案，粘合剂层4被施加到作为镜61的安装面60。粘合剂层4可以以结构化的方式施加到安装面60上，因此，仅在一些部位要求安装半导体芯片9。
得到的组合件10如图9C所示。与图9C所示的相反，当来自图9B时，粘合剂层4可以突出超过半导体芯片9的侧面。例如通过至少一个接合线91实现与半导体芯片9的电连接。
根据图10，活性介质2和载体3被提供有电接触区域5。接触区域5位于与粘合剂层4相反的一侧。因此，粘合剂层4可以是电绝缘的。
与此相反，在图11中，电接触区域5和粘合剂层4位于活性介质2的同一侧。在这种情况下，粘合剂层4可以用于与接触区域5电接触。因此，粘合剂层4优选是导电的。
为了实现足够导电的粘合剂层4，粘合剂层4的聚合物可以是导电的。作为替选或另外地，粘合剂层可以包含由导电材料如碳纳米管或银制成的多个颗粒45。由于颗粒45相对较小，因此，仅在垂直于接触区域5的方向上实现导电性，可以避免相邻接触区域5之间的电短路。
在如图12A和图12B所示的方法中，首先提供光学器件1。例如，如上面图7所示地设置光学器件1。此外，提供支承件6。在安装面60处，支承件包括具有相对低的平均深度的结构元件的粗糙结构。
如图12B所示，光学器件1被压到安装面60上。粘合剂层4被安装面60的粗糙结构穿入，使得光学器件1和支承件6可以在一些部位彼此直接接触。
在图13中，说明了热阻Rth的计算。热阻Rth基本上取决于相应材料的厚度和相应材料的热导率。此外，半导体芯片的尺寸越大，得到的热阻Rth越低。从图13下部中可以看出，总热阻Rth强烈地依赖于粘合剂层的厚度，因为与器件的其他部件相比，粘合剂层的热导率较小。因此，当减小粘合剂层4的厚度时，可以显著降低总热阻Rth。
图13中的计算基于来自制造商Osram Opto Semiconductors的器件Duris S5，其包括两种用于产生蓝光的尺寸均为650μm×650μm的LED芯片。
除非另有说明，否则附图中所示的部件优选以指定的顺序一个在另一个的正顶部。在附图中未接触的层优选地彼此间隔开。如果线彼此平行地绘制，则相应的表面优选地彼此平行地取向。同样地，除非另有说明，否则在附图中正确地再现了所绘制的部件相对于彼此的位置。
这里描述的发明不受基于示例性实施方案的描述的限制。相反，本发明包括任何新特征以及特征的任何组合，其特别包括权利要求中的特征的任何组合，即使该特征或该组合本身未在权利要求或示例性实施方案中明确指定。
该专利申请要求美国专利申请15/952194的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
附图标记列表
1 光学器件
2 活性介质
21 半导体层序列
22 有源区域
23 基底
29 磷光体
3 载体
32 基质材料
4 粘合剂层
41 第一子层
42 第二子层
43 基础层
44 覆盖层
45 颗粒
5 电接触区域
6 支承件
60 安装面
61 镜
7 辐射
81 第一反应物
82 第二反应物
9 光电半导体芯片
91 接合线
10 组合件

Claims (18)

1.一种用于制造组合件(10)的方法，包括以下步骤：
提供光学器件(1)，所述光学器件(1)是LED芯片，
提供支承件(6)，所述支承件(6)是金属引线框，
将粘合剂层(4)施加至所述光学器件(1)或所述支承件(6)中的至少之一，
将所述光学器件(1)安装至所述支承件(6)，使得所述光学器件(1)和所述支承件(6)永久且牢固地连接，
其中，所述粘合剂层(4)包括至少一种有机材料并通过物理或化学气相沉积施加，以及
其中，所述粘合剂层(4)的厚度在20nm与0.6μm之间，包括20nm和0.6μm。
2.一种用于制造组合件(10)的方法，包括以下步骤：
提供由载体(3)机械地承载或被包括在所述载体(3)中的活性介质(2)，
将粘合剂层(4)施加至所述活性介质(2)或所述载体(3)中的至少之一，
其中，所述粘合剂层(4)包括至少一种有机材料并通过物理或化学气相沉积施加，以及
其中，所述粘合剂层(4)的厚度在20nm和0.6μm之间，包括20nm和0.6μm，
将包括所述活性介质(2)、所述载体(3)和所述粘合剂层(4)的光学器件(1)安装至支承件(6)，使得所述光学器件(1)和所述支承件(6)永久且牢固地连接，
其中，所述支承件(6)包括具有粗糙结构的安装面(60)，以及
其中，在安装期间，将所述粘合剂层(4)压到所述安装面(60)上，所述粗糙结构穿入所述粘合剂层(4)，使得所述支承件(6)在一些部位直接接触所述载体(3)或所述活性介质(2)中的至少之一。
3.根据权利要求2所述的方法，
其中，所述活性介质(2)是包括有源区域(22)的半导体层序列(21)，在所述有源区域(22)中，在操作期间，借助于电致发光产生电磁辐射，
其中，所述载体(3)是向其施加所述半导体层序列(21)或在其上生长所述半导体层序列(21)的基底(23)。
4.根据权利要求3所述的方法，
其中，将所述粘合剂层(4)仅施加在所述基底(23)的背向所述半导体层序列(21)的一侧上，其中，所述基底(23)以及所述粘合剂层(4)对于所述电磁辐射是透光的。
5.根据权利要求2所述的方法，
其中，所述活性介质(2)是磷光体(29)，在所述磷光体(29)中，在操作期间，借助于光致发光产生电磁辐射，
其中，所述载体(3)以及所述粘合剂层(4)对于所述电磁辐射是透光的。
6.根据权利要求5所述的方法，
其中，所述载体(3)是其中嵌入有所述磷光体(29)的基质材料(32)，
其中，所述磷光体(29)在一些部位直接接触所述粘合剂层(4)。
7.根据权利要求1或2的方法，
其中，所述粘合剂层(4)包括聚酰亚胺、硅氧烷、丙烯酸酯或环氧化物中的至少之一。
8.根据权利要求1或2所述的方法，
其中，所述粘合剂层(4)包括有机硅-环氧化物杂化材料。
9.根据权利要求1或2所述的方法，
其中，通过脉冲激光沉积、溅射、引发式化学气相沉积或氧化化学气相沉积中的至少之一施加所述粘合剂层(4)。
10.根据权利要求1或2所述的方法，
其中，所述粘合剂层(4)包括多种有机材料或由多种有机材料组成，和/或由多个子层(41，42，43，44)生长，所述多个子层(41，42，43，44)彼此上下堆叠。
11.根据权利要求10所述的方法，
其中，所述粘合剂层(4)包括作为最外层的覆盖层(44)，
其中，所述覆盖层(44)是非粘性的并且被设计成在所述光学器件(1)的安装期间被破坏。
12.根据权利要求2所述的方法，
其中，所述支承件(6)是包括至少一种金属或由至少一种金属组成的引线框，以及所述光学器件(1)是LED芯片。
13.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述支承件(6)包括具有粗糙结构的安装面(60)，
其中，在安装期间，将所述粘合剂层(4)压到所述安装面(60)上，所述粗糙结构穿入所述粘合剂层(4)，使得所述支承件(6)在一些部位直接接触所述载体(3)或所述活性介质(2)中的至少之一。
14.根据权利要求1或2所述的方法，
其中，所述支承件(6)或所述光学器件(1)中的至少之一包括电接触区域(5)，
其中，在安装在所述支承件(6)上期间，所述粘合剂层(4)保持为没有孔的连续层，使得所述粘合剂层(4)完全覆盖所述电接触区域(5)，以及
其中，所述粘合剂层(4)是导电的。
15.根据权利要求1或2所述的方法，
其中，所述支承件(6)或所述光学器件(1)中的至少之一包括电接触区域(5)，
其中，在安装在所述支承件(6)上期间，所述电接触区域(5)保持没有所述粘合剂层(4)，以及
其中，所述粘合剂层(4)是电绝缘的。
16.根据权利要求1或2所述的方法，
其中，在安装在所述支承件(6)上期间，借助于温度升高来固化所述粘合剂层(4)。
17.根据权利要求1或2所述的方法，
其中，在安装在所述支承件(6)上期间，借助于引发光化学反应的辐射(7)来固化所述粘合剂层(4)，
其中，恰好在安装之前，所述粘合剂层(4)在300K的温度下具有至多100Pa·s的粘度。
18.根据权利要求1和权利要求17所述的方法，
其中，用于固化所述粘合剂层(4)的辐射(7)由所述LED芯片产生。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1685531A (zh) * 2002-09-30 2005-10-19 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 半导体元器件和制造方法
JP2009120726A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 屈折率調整光学部材用透明粘着剤と光学用透明粘着層及び屈折率調整光学部材用透明粘着剤の製造方法並びに光学用透明粘着層の製造方法
CN101465410A (zh) * 2008-12-31 2009-06-24 电子科技大学 一种柔性有机光电子器件用基板及其制备方法
DE102009028918A1 (de) * 2009-08-26 2011-03-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Bestimmung der Struktur eines Transistors
DE202009017366U1 (de) * 2009-12-21 2011-05-05 Alanod Aluminium-Veredlung Gmbh & Co. Kg Verbundmaterial
CN102498751A (zh) * 2009-09-04 2012-06-13 欧司朗光电半导体有限公司 转换剂体、光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
CN105122472A (zh) * 2013-04-26 2015-12-02 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
CN106605013A (zh) * 2014-01-20 2017-04-26 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造横向结构化的磷光层的方法和具有这种磷光层的光电子半导体组件
US20180047796A1 (en) * 2016-08-12 2018-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing an Optoelectronic Component and an Optoelectronic Component

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3501155B1 (ja) * 2002-07-03 2004-03-02 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2004265776A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Hitachi Ltd 有機ｅｌディスプレイ装置
KR100624307B1 (ko) * 2005-02-23 2006-09-19 제일모직주식회사 표시장치용 저반사율의 휘도 향상 다층 광학필름 및 이를이용한 유기발광다이오드 표시장치
EP1830421A3 (en) * 2006-03-03 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material
EP2549330B1 (en) 2006-05-05 2017-08-30 Prysm, Inc. Phosphor compositions and other fluorescent materials for display systems and devices
EP2285183B1 (en) * 2008-05-12 2019-08-28 Yamagata Promotional Organization for Industrial Technology Process for producing an organic light emitting device
KR101155904B1 (ko) * 2010-01-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101756656B1 (ko) * 2010-06-25 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 유기발광다이오드 표시 장치

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1685531A (zh) * 2002-09-30 2005-10-19 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 半导体元器件和制造方法
US20060065905A1 (en) * 2002-09-30 2006-03-30 Dominik Eisert Semiconductor component and production method
JP2009120726A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 屈折率調整光学部材用透明粘着剤と光学用透明粘着層及び屈折率調整光学部材用透明粘着剤の製造方法並びに光学用透明粘着層の製造方法
CN101465410A (zh) * 2008-12-31 2009-06-24 电子科技大学 一种柔性有机光电子器件用基板及其制备方法
DE102009028918A1 (de) * 2009-08-26 2011-03-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Bestimmung der Struktur eines Transistors
CN102498751A (zh) * 2009-09-04 2012-06-13 欧司朗光电半导体有限公司 转换剂体、光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
DE202009017366U1 (de) * 2009-12-21 2011-05-05 Alanod Aluminium-Veredlung Gmbh & Co. Kg Verbundmaterial
CN105122472A (zh) * 2013-04-26 2015-12-02 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
US20160027959A1 (en) * 2013-04-26 2016-01-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Chip and Optoelectronic Semiconductor Chip
CN106605013A (zh) * 2014-01-20 2017-04-26 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造横向结构化的磷光层的方法和具有这种磷光层的光电子半导体组件
US20180047796A1 (en) * 2016-08-12 2018-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing an Optoelectronic Component and an Optoelectronic Component

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