CN105121705A - 包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物、和使用该液体组合物的基板的制造方法、以及通过该制造方法制造的基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物和包含铜和钼的多层膜的蚀刻的蚀刻方法、以及基板。本发明中使用如下液体组合物，其包含：(A)马来酸根离子供给源；(B)铜离子供给源；以及(C)胺化合物，其为选自由1-氨基-2-丙醇、2-(甲基氨基)乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(丁基氨基)乙醇、2-(二甲基氨基)乙醇、2-(二乙基氨基)乙醇、2-甲氧基乙基胺、3-甲氧基丙基胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲基氨基-2-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、吗啉和4-(2-羟基乙基)吗啉组成的组中的至少一种，且所述液体组合物的pH值为4～9。

Description

包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物、和使用该液体组合物的基板的制造方法、以及通过该制造方法制造的基板
技术领域
本发明涉及液体组合物，更详细而言，涉及包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物、和使用其的多层膜布线的制造方法、以及所制造的基板。
背景技术
一直以来，作为平板显示器等显示设备的布线材料，一般使用铝或者铝合金。然而，伴随着显示器的大型化及高分辨率化，这样的铝系布线材料因布线电阻等特性而产生信号延迟的问题、均匀的画面显示变得困难。
与铝相比，铜具有电阻低的优点，另一方面，在栅极布线(gatewiring)中使用铜的情况下，存在玻璃等基板与铜的密合性不充分这样的问题。另外，在源极或漏极布线中使用铜的情况下，有时存在如下问题：发生铜向作为其基底的有机硅半导体膜扩散、或者由于来自氧化物半导体膜的氧扩散而导致铜发生氧化。
为了解决如上所述的问题，正在进行一种多层膜布线的研究，该多层膜布线隔着由与玻璃等基板的密合性高、且兼具不易产生向有机硅半导体膜扩散的阻隔性的金属组成的阻隔膜来设置铜层。作为兼具密合性和阻隔性的金属，已知有钼、钛等金属。作为多层膜布线，采用了以下多层膜：将由铜组成的层和由兼具与它们的密合性和阻隔性的金属或这些金属的合金形成的层层叠而得到的2层结构的多层膜；为了防止由铜组成的层的氧化，而将由钼或钛等金属或它们的合金组成的层进一步层叠在铜层上而得到的3层结构的多层膜。
包含铜和钼的多层膜布线可如下获得：通过溅射法等成膜工艺在玻璃等基板上形成上述多层膜，接着使用抗蚀层等作为掩膜来进行蚀刻从而形成电极图案。
蚀刻的方式有使用蚀刻液的湿式法(湿法蚀刻)和使用等离子体等蚀刻气体的干式法(干法蚀刻)。对于湿式法(湿法蚀刻)中所使用的蚀刻液，要求下述那样的特性，即
高加工精度、
成分的稳定性和安全性高，处理容易、
蚀刻性能稳定、和
蚀刻后可以得到良好的布线形状等。
一般来说，作为铜的蚀刻工序中使用的蚀刻液，已知有包含过氧化氢和酸的酸性蚀刻液、包含过硫酸盐和酸的酸性蚀刻液。然而，对于这样的包含过氧化氢或过硫酸的蚀刻液，存在由于过氧化氢或过硫酸发生分解，而产生气体和热等的问题。另外，存在由于成分发生分解所以蚀刻性能发生变化的问题。
作为不含过氧化物的铜的蚀刻液，已知有含有铜(II)离子和氨的氨碱性(ammoniaalkaline)的蚀刻液。即便利用这样的氨碱性的蚀刻液也可以进行包含铜的多层膜的蚀刻。然而，该蚀刻液的pH高，因此存在氨从该蚀刻液大量挥发而氨浓度降低、从而蚀刻速度变动或使作业环境明显恶化的情况。另外，pH高时，也有抗蚀剂发生溶解的问题。
包括包含选自Zn、Sn、Al、In和Ga的金属的氧化物的金属氧化物层和铜层的多层膜中，作为对铜层进行选择性地蚀刻的蚀刻液，提出了包含铜(II)离子、有机酸和含氨基化合物、且pH为5.0～10.5的蚀刻液(专利文献1)。然而，此处，对于包含铜和钼的多层膜的蚀刻尚未进行研究。另外，对于该蚀刻液，虽然有对铜的去除性，但对钼的去除性低(参照比较例3)，因此不适于包含铜和钼的多层膜的蚀刻。
作为铜或铜合金的蚀刻液，提出了包含铜(II)离子、脂肪族羧酸、卤素离子和链烷醇胺的蚀刻液(专利文献2)。
另外，作为铜或铜合金的蚀刻液，提出了包含铜(II)离子、有机酸根离子和马来酸根离子的蚀刻液(专利文献3)。此处，记载了也可以将该蚀刻液用于包含铜和钼的多层膜的蚀刻。
另一方面，近年来，为了应对显示器的大型化、高精细化和降低功耗的要求，已经研究了将成为布线基底的半导体层制成由铟(In、)、镓(Ga)和锌(Zn)构成的氧化物半导体(IGZO)的结构。
将IGZO作为半导体层时，为了提高可靠性，需要高温的退火处理，其结果，存在作为布线材料的铜被氧化、布线电阻增大的问题。因此，为了防止铜的氧化，研究了在铜的上层使用钼作为金属罩的多层结构(例如钼/铜/钼的多层膜)，为了防止由高温下的退火处理导致的铜的氧化，需要将钼较厚地成膜。
然而，将上述钼较厚地成膜的包含铜和钼的多层膜的蚀刻中，存在以下问题：在现有铜/钼蚀刻液中钼的去除性不足，上层的钼变为檐而残留；下层的钼拖尾(tailing)而残留。因此，期望也能够以良好的蚀刻形状蚀刻将钼较厚地成膜的包含铜和钼的多层膜的蚀刻液。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-129304号公报
专利文献2：日本特开2001-200380号公报
专利文献3：国际公开第2013-5631号
发明内容
发明要解决的问题
在这样的情况下，要求提供包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物、和使用其的在基板上设置有包含铜和钼的多层膜的多层膜布线基板的制造方法。
本发明人等目前发现：通过使用包含铜离子供给源、马来酸根离子供给源和特定胺化合物的液体组合物，可以解决上述课题。
用于解决问题的方案
本发明如以下所述。
1.一种液体组合物，其为从基板上选择性地蚀刻由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的液体组合物，所述基板层叠有包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多层膜，
所述液体组合物包含：
(A)马来酸根离子供给源；
(B)铜离子供给源；以及
(C)胺化合物，其为选自由1-氨基-2-丙醇、2-(甲基氨基)乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(丁基氨基)乙醇、2-(二甲基氨基)乙醇、2-(二乙基氨基)乙醇、2-甲氧基乙基胺、3-甲氧基丙基胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲基氨基-2-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、吗啉和4-(2-羟基乙基)吗啉组成的组中的至少一种，
且所述液体组合物的pH值为4～9。
2.根据第1项记载的液体组合物，其中，前述由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的膜厚(钼膜厚)相对于由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层的膜厚(铜膜厚)(各层为多层的情况下分别为总膜厚)的比率(钼膜厚/铜膜厚)为0.05～1。该比率根据多层膜布线的用途而不同，为了钼或包含钼作为主要成分的层体现作为阻隔膜的效果，通常，钼膜厚/铜膜厚的比率优选为0.01以上、更优选为0.05以上、特别优选为0.1以上。另一方面，钼或包含钼作为主要成分的化合物与铜或包含铜作为主要成分的化合物相比为昂贵的材料，因此，从经济性的方面出发，钼膜厚/铜膜厚的比率优选为2以下、更优选为1以下、特别优选为0.5以下。
3.根据第1项或第2项记载的液体组合物，其中，前述(A)马来酸根离子供给源为选自由马来酸和马来酸酐组成的组中的至少一种。
4.根据第1项～第3项中的任一项记载的液体组合物，其中，前述(B)铜离子供给源为选自由铜、硫酸铜、硝酸铜、乙酸铜和氢氧化铜组成的组中的至少一种。
5.根据第1项～第4项中的任一项记载的液体组合物，其中，前述(A)马来酸根离子供给源相对于前述(B)铜离子供给源的配混比以摩尔基准计为0.1～10。
6.根据第1项～第5项中的任一项记载的液体组合物，其中，前述(C)胺化合物相对于前述(B)铜离子供给源的配混比以摩尔基准计为2～20。
7.根据第1项～第6项中的任一项记载的液体组合物，其中，还包含(D)羧酸根离子供给源。
8.根据权利要求7记载的液体组合物，其中，前述羧酸根离子供给源(D)为选自由乙酸、乙醇酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸、柠檬酸和这些羧酸的盐、以及乙酸酐组成的组中的至少一种。
9.根据第7项或第8项记载的液体组合物，其中，前述羧酸根离子供给源(D)相对于前述铜离子供给源(B)的配混比以摩尔基准计为0.1～10。
10.根据第1项～第9项中的任一项记载的液体组合物，其中，还包含钼酸根离子供给源(E)。
11.根据第1项～第10项中的任一项记载的液体组合物，其中，从基板上选择性地蚀刻由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层，所述基板是在基板上层叠有由铟、镓和锌组成的氧化物层(IGZO)、进而在其上层叠有包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多层膜的基板。
12.一种蚀刻方法，其为从基板上选择性地蚀刻由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的方法，所述基板层叠有包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多层膜，所述蚀刻方法包括使第1项～第11项中的任一项记载的液体组合物与该多层膜接触。
13.根据第12项记载的蚀刻方法，其中，前述多层膜是将由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层与由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层层叠而得到的二层膜。
14.根据第12项记载的蚀刻方法，其中，前述多层膜是将钼或包含钼作为主要成分的化合物的层、由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层、和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层依次层叠而得到的三层膜。
15.一种多层膜布线基板的制造方法，其为制造在基板上设置有至少包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多层膜的多层膜布线基板的方法，所述制造方法包括：
在基板上依次设置由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层和由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层从而形成多层膜，
在前述多层膜上被覆抗蚀剂，形成抗蚀膜，
将该抗蚀膜进行曝光、显影，形成规定的抗蚀图案，从而形成蚀刻对象物，
使前述蚀刻对象物与第1项～第11项中的任一项记载的液体组合物接触，从而对前述多层膜进行蚀刻形成多层膜布线。
16.一种多层膜布线基板，其通过第15项所述的制造方法制造。
发明的效果
根据本发明的液体组合物，可以一并地、且以良好的蚀刻速度(根据本发明的优选方案，作为包含铜和钼的多层膜的蚀刻完成从而基底露出为止的恰当蚀刻时间为30～400秒左右、或作为蚀刻速度为0.1～1μm/分钟左右)蚀刻包含铜和钼的多层膜。因此，可以使蚀刻的生产率和控制性良好。
另外，本发明的液体组合物不含氨，因此不会由氨的挥发导致臭气产生、操作容易。另外，本发明的液体组合物不含过氧化氢、过硫酸根离子，因此由它们的分解反应导致的气体和热的产生也不明显，可以安全且稳定地实施蚀刻。
根据本发明的优选方案，本发明的液体组合物与现有的铜/钼蚀刻液相比钼的去除性高，因此即便在将钼较厚地成膜的包含铜和钼的多层膜布线中钼也不残留。进而，没有对作为半导体层的IGZO造成损伤，因此包括包含铜和钼的多层膜与IGZO的布线结构中，可以选择性地蚀刻铜和钼。
由以上可以实现应对显示器的大型化、高分辨率化和降低功耗的、包含铜和钼的多层膜布线蚀刻用液体组合物。
另外，根据本发明的优选方案，本发明的液体组合物在蚀刻时即使铜和钼溶解，其蚀刻速度的变化也少，因此可以用于长时间的蚀刻。另外，蚀刻时，溶解了的铜和钼混入到液体组合物中，这些混入成分变为铜离子供给源(B)或钼酸根离子供给源(E)，因此，将不含(B)成分和(E)成分的各成分(即、(A)成分、(C)成分、(D)成分和(F)成分)添加到蚀刻中的液体组合物中，从而可以重现蚀刻前的液体组合物的组成。其结果，可以用于更长时间的蚀刻。
附图说明
图1为使用本发明的液体组合物进行蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线截面的示意图。
图2为实施例3的蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线截面SEM照片。
图3为实施例3的蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线表面SEM照片。
图4为比较例2的蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线截面的SEM照片。
图5为比较例2的蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线表面的SEM照片。
图6为比较例3的蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线截面的SEM照片。
图7为实施例9的蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线截面的SEM照片。
图8为实施例9的蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线表面的SEM照片。
图9为实施例16的蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线截面的SEM照片。
图10为实施例16的蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线表面的SEM照片。
具体实施方式
＜液体组合物＞
本发明的液体组合物用于包含铜和钼的多层膜的蚀刻，其至少包含：(A)马来酸根离子供给源；(B)铜离子供给源；和(C)胺化合物，其为选自由1-氨基-2-丙醇、2-(甲基氨基)乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(丁基氨基)乙醇、2-(二甲基氨基)乙醇、2-(二乙基氨基)乙醇、2-甲氧基乙基胺、3-甲氧基丙基胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲基氨基-2-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、吗啉和4-(2-羟基乙基)吗啉组成的组中的至少一种。
根据本发明，含有这样特定的成分的液体组合物中，可以一并地、且以良好的蚀刻速度(根据本发明的优选方案，作为包含铜和钼的多层膜的蚀刻完成从而基底露出为止的恰当蚀刻时间为30～400秒左右、或作为蚀刻速度为0.1～1μm/分钟左右)蚀刻由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线。进而，本发明的液体组合物不含氨，因此不会由臭气的产生、挥发导致氨浓度的变化、操作容易。另外，本发明的液体组合物也没有由过氧化氢、过硫酸根离子的分解反应导致的气体、热的产生，因此可以安全且稳定地实施蚀刻。此外，根据本发明的优选方案，本发明的液体组合物的钼的去除性高，因此，即便在将钼较厚地成膜的包含铜和钼的多层膜中，钼也被去除而不残留。
需要说明的是，本说明书中，“包含铜和钼的多层膜”是指，至少包括包含铜而成的层和包含钼而成的层的多层膜，优选是指，包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多层膜。此处，“包含铜作为主要成分的化合物”是指，以重量基准计包含50％以上、优选60％以上、更优选70％以上的铜的化合物。“包含钼作为主要成分的化合物”是指，以重量基准计包含50％以上、优选60％以上、更优选70％以上的钼的化合物。
本发明的液体组合物是对包含铜和钼的多层膜进行蚀刻时所使用的组合物，可以使这样的多层膜布线为良好的形状。此处，对上述多层膜布线的良好的布线形状进行说明。图1为使用本发明的液体组合物进行蚀刻后的由包含铜和钼的多层膜结构组成的布线(多层膜布线)的截面的示意图。如图1所述那样，在基板上层叠包括包含铜的层(铜层)和包含钼的层(钼层)的多层膜，在其上层叠抗蚀剂，对多层膜进行蚀刻，从而可以得到多层膜布线。
对于通过蚀刻得到的多层膜布线重要的是多层膜布线的端部的蚀刻面与基板所成的角(θ)为正锥形角，其角度优选为15～75度、更优选为20～70度、特别优选为25～70度。锥形角小于15度时，布线的截面积变小，微细布线也有可能断路，因此不优选。锥形角大于75度时，在布线的上层将绝缘膜等成膜时的被覆(coverage)变差，因此不优选。另外，从构成多层膜布线的下层(底部)的阻隔膜的端部至抗蚀层的端部为止的水平距离(底部临界尺寸的损失(bottomcriticaldimensionloss)，也简称为底部CD损失)优选为2.5μm以下、更优选为1.8μm以下、特别优选为1.5μm以下。底部CD损失大于2.5μm时，布线的截面积变小，因此不优选。另外，蚀刻中的损失变大。本发明中，使用包含马来酸根离子供给源、铜离子供给源和特定胺化合物的液体组合物进行包含铜和钼的多层膜的蚀刻，从而可以得到良好的形状的多层膜布线。以下，对构成本发明的液体组合物的各成分进行说明。
(A)马来酸根离子供给源
本发明的液体组合物中所含的马来酸根离子供给源(以下，有时简单称为(A)成分)与铜离子形成络合物，作为铜的蚀刻剂发挥功能。作为马来酸根离子供给源，只要能够供给马来酸根离子就没有特别限制，例如可以优选列举出马来酸、马来酸酐等。这些马来酸根离子供给源可以单独使用，或混合多种使用。其中，从对水的溶解性、液体组合物中的稳定性优异、且使蚀刻性能良好的观点出发，优选马来酸和马来酸酐。
马来酸根离子供给源((A)成分)优选在液体组合物1kg中以0.05～5摩尔的范围含有，更优选0.1～5摩尔的范围，特别优选0.1～3摩尔的范围。
另外，马来酸根离子供给源((A)成分)相对于后述的铜离子供给源((B)成分)的配混比以摩尔基准计优选为0.05～20的范围，更优选为0.05～10的范围，特别优选为0.1～10的范围。如果本发明的液体组合物中的马来酸根离子供给源((A)成分)的含量为上述范围内，则蚀刻速度和布线形状更进一步变得良好。
(B)铜离子供给源
本发明的液体组合物中所含的铜离子供给源(以下，有时简单称为(B)成分)是作为铜的氧化剂发挥作用的成分。作为铜离子供给源，只要能够供给铜(II)离子就没有特别限制，例如除了铜之外，可以优选举出：硫酸铜、硝酸铜、乙酸铜、氢氧化铜、氯化铜、溴化铜、氟化铜和碘化铜、硫酸铵铜等铜盐。这些铜离子供给源可以单独使用，或也可以组合多种使用。其中，特别优选铜、硫酸铜、硝酸铜、氢氧化铜和乙酸铜。
铜离子供给源((B)成分)优选在液体组合物1kg中以0.01～4摩尔的范围含有，进而优选为0.01～2摩尔的范围，特别优选为0.02～2摩尔的范围。如果本发明的液体组合物中的铜离子供给源((B)成分)的含量为上述范围内，则可以得到更进一步良好的蚀刻速度和布线形状。
(C)胺化合物
本发明的液体组合物中所含的胺化合物(以下，有时简单称为(C)成分)具有提高钼的去除性的功能。作为胺化合物，可以选自胺、和胺与酸的盐。作为这些胺化合物，例如可以优选举出：1-氨基-2-丙醇、2-(甲基氨基)乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(丁基氨基)乙醇、2-(二甲基氨基)乙醇、2-(二乙基氨基)乙醇、2-甲氧基乙基胺、3-甲氧基丙基胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲基氨基-2-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、吗啉、4-(2-羟基乙基)吗啉、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、2,2’-亚氨基二乙醇、二-2-丙醇胺、2,2’-(甲基亚氨基)二乙醇、1-哌嗪乙醇这样的胺化合物。这些胺化合物可以单独使用，或也可以组合多种使用。
其中，更优选1-氨基-2-丙醇、2-(甲基氨基)乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(丁基氨基)乙醇、2-(二甲基氨基)乙醇、2-(二乙基氨基)乙醇、2-甲氧基乙基胺、3-甲氧基丙基胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲基氨基-2-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、吗啉和4-(2-羟基乙基)吗啉。特别优选1-氨基-2-丙醇、2-(甲基氨基)乙醇、2-(二甲基氨基)乙醇、2-甲氧基乙基胺、3-氨基-1-丙醇和吗啉。
胺化合物((C)成分)优选在液体组合物1kg中以0.1～5摩尔的范围含有，更优选为0.2～5摩尔的范围，特别优选为0.2～4摩尔的范围。
另外，胺化合物((C)成分)相对于铜离子供给源((B)成分)的配混比以摩尔基准计优选为1～40的范围、更优选为1～20的范围、特别优选为2～20的范围。如果本发明的液体组合物中的胺化合物((C)成分)的含量为上述范围内，则可以得到更进一步良好的蚀刻速度和布线形状。
(D)羧酸根离子供给源
本发明的液体组合物可以根据需要包含羧酸根离子供给源(以下，有时简单称为(D)成分)。羧酸根离子供给源具有作为针对铜离子的配体的作用，具有以下功能：提高对包含铜和钼的多层膜进行蚀刻的液体组合物的稳定性，且实现蚀刻速度的稳定化。另外，还有以下效果：在蚀刻后的水冲洗工序时，抑制用水稀释液体组合物时析出的残渣产生。
作为羧酸根离子供给源((D)成分)，只要能够供给羧酸根离子就没有特别限制，例如可以优选举出：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸等单羧酸；草酸、丙二酸、琥珀酸、马来酸等二羧酸；甘氨酸、丙氨酸等氨基羧酸；乙醇酸、乳酸、2-羟基异丁酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸等羟基羧酸和这些羧酸的盐等。这些羧酸根离子供给源可以单独使用，或混合多种使用。
另外，乙酸酐或丙酸酐、马来酸酐等羧酸酐与水反应而生成羧酸，因此羧酸酐也可以适合用作(D)成分。
另外，乙酸乙酯、乙酸丙酯、丙酸乙酯、丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、琥珀酸二甲酯和琥珀酸二乙酯等羧酸酯通过水解反应生成羧酸，因此羧酸酯可以适合用作(D)成分。
上述中，从购买的容易性等方面出发，更优选乙酸、丙酸、乙醇酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸；这些羧酸的盐；和乙酸酐，特别优选乙酸、乙酸酐、乙醇酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸、柠檬酸。
另外，乙酸铜等羧酸铜盐具有作为(D)成分的功能，而且也作为前述铜离子供给源而发挥功能。例如，本发明的液体组合物中包含羧酸的铜盐时，(D)成分的含量变为将其它羧酸根离子供给源和羧酸的铜盐总计的含量。
进而，乙酸酐或丙酸酐等羧酸2分子脱水缩合的形态的羧酸酐与水反应而生成2分子羧酸，因此，包含这些羧酸酐作为(D)成分时，(D)成分的含量定义为以羧酸酐的含量的2倍量为(D)成分的含量。
羧酸根离子供给源((D)成分)在液体组合物1kg中优选以0.05～5摩尔的范围含有，更优选为0.1～5摩尔的范围，特别优选为0.1～4摩尔的范围。
另外，羧酸根离子供给源((D)成分)相对于铜离子供给源((B)成分)的配混比以摩尔基准计优选为0.05～20的范围，更优选为0.1～20的范围，特别优选为0.2～20的范围。如果本发明的液体组合物中的羧酸根离子供给源((D)成分)的含量为上述范围内，则蚀刻速度和布线形状变得良好。
(E)钼酸根离子供给源
本发明的液体组合物也可以根据需要包含钼酸根离子供给源(以下，有时简单称为(E)成分)。钼酸根离子供给源具有以下作用：调节包含铜和钼的多层膜的蚀刻速度的作用、控制蚀刻而调节布线截面形状的作用。蚀刻工序中使用的液体组合物随着钼的溶解而钼酸根离子的浓度上升。因此，通过在液体组合物中预先含有(E)成分，从而可以减小钼酸根离子的浓度上升时的蚀刻特性(蚀刻速度、蚀刻形状和液体组合物的稳定性等)的变动。
作为钼酸根离子供给源，只要能够供给钼酸根离子就可以没有特别限制地使用。作为这样的钼酸根离子，只要为可溶于液体组合物中的离子物质就没有特别限制，除了离子内包含1个钼原子的正钼酸根离子之外，也可以为离子内包含7个钼原子的仲钼酸根离子等异聚钼酸根离子或、离子内包含杂元素的杂聚钼酸根离子。
作为钼酸根离子供给源，例如除了钼之外，可以优选举出：钼酸铵、钼酸钠、钼酸钾等钼酸盐；磷钼酸铵、硅钼酸铵等杂聚钼酸盐；氧化钼、钼蓝等氧化物、氢氧化物；硫化钼等。这些钼酸根离子供给源可以单独使用，或也可以组合多种使用。
其中，更优选钼、钼酸铵、钼酸钠、钼酸钾和氧化钼，特别优选钼、钼酸铵和氧化钼。
本发明的液体组合物中的钼酸根离子供给源((E)成分)的含量是通过换算为离子内包含1个钼原子的正钼酸根离子的含量而算出的。例如，作为钼酸根离子供给源((E)成分)，使用离子内包含7个钼原子的七钼酸六铵等时，七钼酸六铵的含量的7倍量作为钼酸根离子供给源((E)成分)的含量。
钼酸根离子供给源((E)成分)在液体组合物1kg中以正钼酸根离子换算计优选以1×10-6～9×10-2摩尔的范围含有，更优选1×10-5～9×10-2摩尔的范围，特别优选2×10-5～9×10-2摩尔的范围。如果本发明的液体组合物中的钼酸根离子供给源((E)成分)的含量为上述范围内，则可以得到更进一步良好的蚀刻速度和布线截面形状。
另外，按照钼酸根离子供给源((E)成分)相对于铜离子供给源((B)成分)的配混比以摩尔基准计与蚀刻工序中溶解于液体组合物的铜离子与钼酸根离子的摩尔比为同等程度的方式添加钼酸根离子供给源((E)成分)，从而可以减小由铜和钼的溶解导致的蚀刻特性的变动。
上述本发明的液体组合物的pH可以为4～9的范围。通过将液体组合物的pH的范围设为上述的范围，从而蚀刻速度和布线截面形状变得更进一步良好。pH小于4时，有钼的去除性降低的倾向，故不优选。另一方面，pH超过9时，有蚀刻速度降低的倾向，因此生产率降低，不优选。液体组合物的优选pH的范围为pH4～9。
(F)pH调节剂
为了调节pH值，本发明的液体组合物可以根据需要包含pH调节剂(以下，有时简单称为(F)成分)。作为pH调节剂(F成分)，只要不妨碍上述液体组合物的效果就没有特别限制，例如可以优选举出：氨；氢氧化钠、氢氧化钾等金属氢氧化物；异丙基胺、叔丁基胺等胺类；羟基胺等羟基胺类；四甲基氢氧化铵等烷基铵氢氧化物；盐酸、硫酸、硝酸、磷酸和高氯酸等无机酸；甲磺酸和三氟甲磺酸等磺酸等。这些pH调节剂可以单独使用，或也可以组合多种使用。其中，更优选氨、氢氧化钾、异丙基胺、叔丁基胺、四甲基氢氧化铵、硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸。但是，氨、氢氧化钠和氢氧化钾有降低钼去除性的倾向，因此优选为少量。
本发明的液体组合物中，胺化合物也作为pH调节剂发挥功能而包含于(C)成分。另外，羧酸也作为pH调节剂发挥功能而包含于(D)成分。
本发明的液体组合物中的pH调节剂的含量以液体组合物的pH为目标值的方式根据其它成分的含量来适当确定。
本发明的液体组合物除了上述(A)～(C)成分和根据需要添加的(D)～(F)成分之外，可以以不损害上述液体组合物的效果的范围包含水、其它蚀刻用的液体组合物中通常使用的各种添加剂。例如，作为水，优选通过蒸馏、离子交换处理、过滤器处理、各种吸附处理等去除了金属离子、有机杂质、微粒颗粒等的水，更优选纯水，特别优选超纯水。
本发明的液体组合物可以包含作为铜的蚀刻速度调节剂的公知添加剂。例如，作为铜的蚀刻速度抑制剂，可以包含：苯并三唑、5-氨基-1H-四唑、咪唑、吡唑之类的唑化合物和磷酸等。另外，作为铜的蚀刻速度的上升剂，可以包含氯化物离子、溴化物离子等卤素化物离子。
＜包含铜和钼的多层膜的蚀刻方法＞
本发明的蚀刻方法为对包含铜和钼的多层膜进行蚀刻的方法，包括使上述液体组合物与前述多层膜接触的工序。根据本发明的方法，可以一并、且以良好的蚀刻速度蚀刻包含铜和钼的多层膜。另外，根据本发明的优选方案，如上述那样，可以得到锥形角为15～75度且底部CD损失为0～2.5μm那样的多层膜布线截面形状。
本发明的蚀刻方法以包含铜和钼的多层膜作为蚀刻对象物。本发明的优选方案中，作为蚀刻对象物的多层膜具有包括由铜或以铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或以钼作为主要成分的化合物组成的层的多层结构。作为多层膜，可以举出：将由铜或以铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或以钼作为主要成分的化合物组成的层层叠而得到的二层膜；将由钼或以钼作为主要成分的化合物组成的层、铜或以铜作为主要成分的化合物的层和由钼或以钼作为主要成分的化合物组成的层层叠而得到的三层膜等。特别是，按照由钼或以钼作为主要成分的化合物组成的层、由铜或以铜作为主要成分的化合物组成的层、由钼或以钼作为主要成分的化合物组成的层的顺序层叠而得到的三层膜从能够有效地发挥本发明的液体组合物的性能的观点出发特别优选。
进而，本发明的蚀刻方法以在基板上层叠由铟、镓和锌组成的氧化物层(IGZO)、在其上设有至少包括包含钼的层和包含铜的层的多层膜的多层膜布线基板作为蚀刻对象物。特别是，在基板上层叠有由铟、镓和锌组成的氧化物层(IGZO)、按照由钼或以钼作为主要成分的化合物组成的层、由铜或以铜作为主要成分的化合物组成的层、由钼或以钼作为主要成分的化合物组成的层的顺序层叠而得到的膜结构从能够有效地发挥本发明的液体组合物的性能的观点出发特别优选。
对于铜或以铜作为主要成分的化合物，可以举出：铜(金属)或铜合金、或氧化铜、氮化铜等。对于钼或以钼作为主要成分的化合物，可以举出：钼(金属)或钼合金、或其氧化物、氮化物等。
蚀刻对象物例如可以如下得到：在玻璃等基板上通过依次层叠由钼组成的层、由铜组成的层和由钼组成的层而形成包括三层膜的多层膜，在其上涂布抗蚀剂，将期望的图案掩模曝光转印，进行显影，形成期望的抗蚀图案，从而得到。
作为形成多层膜的基板，除了上述玻璃基板以外，例如可以为具有在玻璃板上形成栅极布线、在该栅极布线上设有由氮化硅等组成的绝缘膜的层构成的基板。
本发明中，通过使上述液体组合物与蚀刻对象物接触，从而对多层膜进行蚀刻，形成期望的多层膜布线，从而可以得到设有包括包含钼的层和包含铜的层的多层膜的多层膜布线。这样的包含铜和钼的多层膜布线可以优选用于平板显示器等显示设备的布线等。
对使液体组合物与蚀刻对象物接触的方法没有特别限制，例如可以采用以下方法：通过液体组合物的滴加(单片式旋转处理(sheet-fedspinprocessing))或喷雾等形式与对象物接触的方法；使蚀刻对象物浸渍于液体组合物的方法等湿式法(wet)蚀刻方法。本发明中，任意方法均可以进行蚀刻。特别优选采用将液体组合物喷雾到蚀刻对象物而使其接触的方法。
将液体组合物喷雾到对象物而使其接触的方法中，可以举出：从蚀刻对象物的上方向下喷雾液体组合物的方法、或从蚀刻对象物的下方向上喷雾液体组合物的方法等。此时的喷雾喷嘴可以固定，或者也可以施加摇头、滑动等动作。另外，也可以垂直向下设置喷雾喷嘴，或者也可以倾斜地倾设置。蚀刻对象物可以固定，或者也可以施加揺动、旋转等动作，而且也可以以水平配置，或也可以倾斜地配置。
作为液体组合物的使用温度，优选10～70℃的温度，特别优选20～50℃。如果液体组合物的温度为10℃以上，则蚀刻速度变得良好，因此可以得到优异的生产效率。另一方面，如果为70℃以下，则可以抑制液组成变化，保持蚀刻条件为一定。考虑到通过提高液体组合物的温度从而蚀刻速度上升、且将液体组合物的组成变化抑制为较小等时，可以适当确定最佳的处理温度。
实施例
接着，根据实施例更详细地说明本发明，但本发明的范围不受这些例子的任何限定。
＜蚀刻后的多层布线截面形状的评价＞
对于实施例和比较例中得到的进行了蚀刻后的包含铜层和钼层的多层薄膜试样的布线截面，使用扫描型电子显微镜(“S5000H形(型号)”；日立制)以观察倍率3万倍(加速电压2kV、发射电流10μA)进行观察。以所得SEM图像为基础，将布线截面的锥形角为15～75度的正锥形形状和底部CD损失为2.5μm以下的产品作为合格品。
＜蚀刻后的多层布线表面形状的评价＞
对于实施例和比较例中得到的进行了蚀刻后的包含铜层和钼层的多层薄膜试样，在丙酮中于25℃浸渍300秒剥离抗蚀层后，对于抗蚀层剥离后的布线表面，使用扫描型电子显微镜(“S5000H形(型号)”；日立株式会社制)，以观察倍率2万倍(加速电压2kV、发射电流10μA)进行观察。以所得SEM图像为基础，将在基板表面没有铜和钼的残留的产品作为合格品。
＜IGZO的蚀刻速度(E.R)的评价＞
实施例和比较例中得到的进行了处理后的IGZO/玻璃基板中，通过n&kTechnologyInc.制的光学式薄膜特性测定装置n&kAnalyzer1280测定处理前后的IGZO膜厚，处理前后的膜厚差除以蚀刻时间，从而算出E.R。将IGZO的E.R小于/分钟(1nm/分钟)的产品作为合格品。
＜参考例1：钼/铜/钼/玻璃基板的制作＞
在玻璃基板(尺寸：150mm×150mm)上溅射钼，将由钼(金属)组成的层(钼膜厚：(20nm))成膜，接着溅射铜，将由铜(金属)组成的层(铜膜厚：(500nm))成膜，再次溅射钼，将由钼(金属)组成的层(钼膜厚：(20nm))成膜，从而形成钼/铜/钼这三层膜结构。进而，涂布抗蚀剂，将线状图案掩模(线宽：20μm)曝光转印后，进行显影，从而制作形成有抗蚀图案的钼/铜/钼/玻璃基板。参考例1所示的包含铜和钼的多层膜中的铜层与钼层的膜厚的比率(钼膜厚/铜膜厚)＝(200+200)/5000＝0.08。
＜参考例2：IGZO/玻璃基板的制作＞
在玻璃基板(尺寸：150mm×150mm)上溅射铟、镓、锌和氧的元素比为1:1:1:4的IGZO，将由IGZO组成的层(IGZO膜厚：(50nm))成膜，制作IGZO/玻璃基板。
＜参考例3：钼/铜/钼/IGZO/玻璃基板的制作＞
在玻璃基板(尺寸：150mm×150mm)上通过溅射法以膜厚(50nm)形成铟、镓、锌和氧的元素比为1:1:1:4的IGZO膜，接着溅射钼，将由钼(金属)组成的层(钼膜厚：(30nm))成膜，接着溅射铜，将由铜(金属)组成的层(铜膜厚：(300nm))成膜，再次溅射钼，将由钼(金属)组成的层(钼膜厚：(30nm))成膜，从而形成钼/铜/钼/IGZO的结构。进而涂布抗蚀剂，将线状图案掩模(线宽：20μm)曝光转印后，进行显影，从而制作形成有抗蚀图案的钼/铜/钼/IGZO/玻璃基板。参考例3所示的包含铜和钼的多层膜中的铜层与钼层的膜厚的比率(钼膜厚/铜膜厚)＝(300+300)/3000＝0.2。
实施例1
向容量10L的聚丙烯容器中投入纯水6.96kg、作为(A)马来酸根离子供给源的马来酸酐(和光纯药工业株式会社制、特级等级、分子量98.06)0.64kg、作为(B)铜离子供给源的氢氧化铜(和光纯药工业株式会社制、特级等级、分子量97.56)0.15kg、作为(D)成分的乙酸(和光纯药工业株式会社制、特级等级、分子量60.05)0.70kg和作为(E)成分的钼酸铵0.008kg。投入为(F)pH调节剂、且作为(C)胺化合物之一的1-氨基-2-丙醇(和光纯药工业株式会社制、特级等级、分子量75.11)1.54kg。进行搅拌确认各成分溶解后，再次搅拌，制备液体组合物。所得液体组合物的pH为6.0。
如上述那样得到的液体组合物的各成分的含量为，每1kg液体组合物中，(A)成分为0.65摩尔，(B)成分为0.16摩尔，(A)成分相对于(B)成分的配混比(摩尔比)为4.1。另外，每1kg液体组合物中的(C)成分的含量为2.04摩尔。(C)成分相对于(B)成分的配混比(摩尔比)为13.0。每1kg液体组合物中的(D)成分的含量为1.17摩尔。(D)成分相对于(B)成分的配混比(摩尔比)为7.4。每1kg液体组合物中的(E)成分的含量为0.0044摩尔。
使用该液体组合物，对于参考例1中得到的形成有抗蚀图案的钼/铜/钼/玻璃基板，使用小型蚀刻机(关东机械工业制)，在35℃下进行喷雾处理。以成膜面为上方的方式水平地设置钼/铜/钼/玻璃基板，将喷雾喷嘴垂直向下地固定。
以目视确认没有用抗蚀剂被覆的部分的钼/铜/钼多层膜消失、透明的玻璃基板露出为止的时间(恰当蚀刻时间)，结果为148秒。用纯水对222秒蚀刻(50％过蚀刻条件)后的钼/铜/钼/玻璃基板进行冲洗处理，然后用鼓风机干燥，使用光学显微镜进行观察，结果确认了用经图案的抗蚀剂被覆以外的露出的钼/铜/钼多层膜完全消失。
使蚀刻处理后的钼/铜/钼/玻璃基板断裂，使用扫描型二次电子显微镜观察基板的截面，结果布线端部的蚀刻面与下层的基板所成的角度(锥形角)为65度的正锥形形状，从布线的下层(底部)端部至抗蚀剂端部为止的水平距离(底部CD损失)为1.7μm。所得评价结果如下述表1所示。需要说明的是，表1中的各成分的含量表示液体组合物1kg中所含的各成分的摩尔数。另外，底部CD损失值是在50％过蚀刻条件下测定的值。
实施例2～6
实施例2～6中，使作为(C)成分之一的2-(甲基氨基)乙醇的配混量为1.48kg(实施例2)、2-(二甲基氨基)乙醇的配混量为1.67kg(实施例3)、2-甲氧基乙基胺的配混量为1.49kg(实施例4)、3-氨基-1―丙醇的配混量为1.48kg(实施例5)、吗啉的配混量为1.70kg(实施例6)，除此之外，与实施例1同样地制备蚀刻液(调整纯水的量以使液体组合物的总重量为10kg。关于以下的液体组合物的制备也同样)，使用该蚀刻液，进行喷雾处理(50％过蚀刻条件)。将评价结果示于表1。
使用扫描型二次电子显微镜观察基板的截面和表面，结果关于利用任意液体组合物的喷雾处理后的基板，锥形角和底部CD损失也良好，没有观察到钼的残留。将实施例3中得到的基板的布线截面的二次电子显微镜像示于图2、基板的表面的二次电子显微镜像示于图3。
比较例1
实施例1中，使2-氨基乙醇的配混量为1.26kg代替作为(C)成分之一的1-氨基-2-丙醇，除此之外，与实施例1同样地制备蚀刻液，使用该蚀刻液进行喷雾处理(50％过蚀刻条件)。将评价结果示于表1。使用扫描型二次电子显微镜观察基板的截面和表面，结果观察到钼残留的样子。
比较例2
实施例1中，使作为(A)成分之一的马来酸酐的配混量为0.42kg、作为(D)成分之一的乙酸的配混量为0.46kg、使氨的配混量为0.22kg代替作为(C)成分之一的1-氨基-2-丙醇，除此之外，与实施例1同样地制备蚀刻液，使用该蚀刻液进行喷雾处理(50％过蚀刻条件)。将评价结果示于表1。
使用扫描型二次电子显微镜观察基板的截面和表面，结果观察到钼残留的样子。将比较例2中得到的基板的布线截面的二次电子显微镜像示于图4、基板表面的二次电子显微镜像示于图5。布线的旁边观察到钼以膜状残留的样子。布线的旁边为被抗蚀剂被覆部分的正下方的部位，液体的置换性差，因此为钼容易残留的部位。以上，根据比较例1和2，可知不含(C)胺化合物的药液组成中，对钼的去除性不足。
比较例3
向容量10L的聚丙烯容器中投入纯水7.7kg、苹果酸0.5kg、乙酸铜(II)一水合物0.3kg、咪唑0.5kg和三乙醇胺1.0kg。进行搅拌确认各成分溶解后，再次搅拌，制备液体组合物。液体组合物的pH为6.8。使用该液体组合物进行喷雾处理(50％过蚀刻条件)。恰当蚀刻时间为242秒，锥形角为80度，底部CD损失为4.4μm。将比较例3中得到的基板的布线截面的二次电子显微镜像示于图6。底部CD损失大，无法得到良好的布线形状。另外，在布线的横向确认到钼残留的样子。由以上可知，根据比较例3，不含(A)马来酸酐离子供给源和(C)胺化合物的药液组成中，无法得到良好的布线形状，而且对钼的去除性不足。
[表1]
实施例7～12
使用表2所示的组成的液体组合物，与实施例1同样地对钼/铜/钼/玻璃基板进行喷雾处理(50％过蚀刻条件)。将评价结果示于表2。使用扫描型二次电子显微镜观察基板的截面和表面，结果关于利用任意液体组合物的处理后的基板，锥形角和底部CD损失均良好，也没有观察到钼的残留。将实施例9中得到的基板的布线的截面的二次电子显微镜像示于图7、基板的表面的的二次电子显微镜像示于图8。
比较例4
实施例12中，不包括作为(A)成分之一的马来酸酐、使作为(F)成分之一的硫酸的配混量为0.33kg，除此之外，与实施例12同样地制备蚀刻液，使用该蚀刻液进行喷雾处理(50％过蚀刻条件)。即使进行处理400秒，钼/铜/钼基板也没有变透明，蚀刻没有完成。以上可知，不含(A)成分的液体组合物中，无法对包含铜和钼的多层膜进行蚀刻。
比较例5
实施例12中，不包括作为(B)成分之一的氢氧化铜、不包括作为(E)成分之一的钼酸铵、使作为(C)成分之一的1-氨基-2-丙醇的配混量为0.99kg，除此之外，与实施例12同样地制备蚀刻液，使用该蚀刻液进行喷雾处理(50％过蚀刻条件)。即使进行处理400秒，钼/铜/钼基板也没有变透明，蚀刻没有完成。以上可知，不含(B)成分的液体组合物中，无法对包含铜和钼的多层膜进行蚀刻。
[表2]
实施例13～14
使用表3所示的组成的液体组合物，与实施例1同样地对钼/铜/钼/玻璃基板进行喷雾处理(50％过蚀刻条件)。将评价结果示于表3。关于利用任意液体组合物的处理后的基板，锥形角和底部CD损失均良好，也没有观察到钼的残留。
[表3]
实施例15～17
使用表4所示的组成的液体组合物，使用该蚀刻液对参考例3中得到的形成有抗蚀图案的钼/铜/钼/IGZO/玻璃基板进行喷雾处理(50％过蚀刻条件)。将评价结果示于表4。关于利用任意液体组合物的处理后的基板，锥形角和底部CD损失均良好，也没有观察到钼的残留。另外，也没有观察到对IGZO层的损伤。将实施例16中得到的基板的布线的截面的二次电子显微镜像示于图9、基板的表面的二次电子显微镜像示于图10。
进而，使用表4所示的组成的液体组合物，使用小型蚀刻机(关东机械工业制)，对参考例2得到的IGZO/玻璃基板在35℃下进行300秒的喷雾处理。通过n&kTechnologyInc.制的光学式薄膜特性测定装置n&kAnalyzer1280测定处理前后的IGZO膜厚，处理前后的膜厚差除以蚀刻时间，从而算出蚀刻速度。所得评价结果如表4所示，IGZO的E.R小于/分钟(1nm/分钟)。
[表4]
由以上的评价结果表明，实施例的液体组合物均能够以良好的蚀刻速度蚀刻包含铜和钼的多层膜，且蚀刻后的布线形状也良好。即便在以IGZO为半导体层的钼/铜/钼/IGZO/玻璃基板的蚀刻中，也可以选择性地以良好的蚀刻速度蚀刻包含铜和钼的多层膜，且蚀刻后的布线形状也良好，也观察不到对IGZO的损伤。
产业上的可利用性
本发明的液体组合物可以适合用于包含铜和钼的多层膜的蚀刻，可以一并、且以良好的蚀刻速度蚀刻由包含铜和钼的多层结构组成的布线，可以实现高的生产率。

Claims (16)

1.一种液体组合物，其为从基板上选择性地蚀刻由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的液体组合物，所述基板层叠有包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多层膜，
所述液体组合物包含：
(A)马来酸根离子供给源；
(B)铜离子供给源；以及
(C)胺化合物，其为选自由1-氨基-2-丙醇、2-(甲基氨基)乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(丁基氨基)乙醇、2-(二甲基氨基)乙醇、2-(二乙基氨基)乙醇、2-甲氧基乙基胺、3-甲氧基丙基胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲基氨基-2-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、吗啉、和4-(2-羟基乙基)吗啉组成的组中的至少一种，
且所述液体组合物的pH值为4～9。
2.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的膜厚(钼膜厚)相对于所述由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层的膜厚(铜膜厚)的比率(钼膜厚/铜膜厚)为0.05～1，其中，在各层为多层的情况下，所述膜厚为各自的总膜厚。
3.根据权利要求1或2所述的液体组合物，其中，所述(A)马来酸根离子供给源为选自由马来酸和马来酸酐组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的液体组合物，其中，所述(B)铜离子供给源为选自由铜、硫酸铜、硝酸铜、乙酸铜和氢氧化铜组成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的液体组合物，其中，所述(A)马来酸根离子供给源相对于所述(B)铜离子供给源的配混比以摩尔基准计为0.1～10。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的液体组合物，其中，所述(C)胺化合物相对于所述(B)铜离子供给源的配混比以摩尔基准计为2～20。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的液体组合物，其中，还包含(D)羧酸根离子供给源。
8.根据权利要求7所述的液体组合物，其中，所述羧酸根离子供给源(D)为选自由乙酸、乙醇酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸、柠檬酸和这些羧酸的盐、以及乙酸酐组成的组中的至少一种。
9.根据权利要求7或8所述的液体组合物，其中，所述羧酸根离子供给源(D)相对于所述铜离子供给源(B)的配混比以摩尔基准计为0.1～10。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的液体组合物，其中，还包含钼酸根离子供给源(E)。
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的液体组合物，其中，从基板上选择性地蚀刻由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层，所述基板是在基板上层叠有由铟、镓、和锌组成的氧化物层(IGZO)、进而在其上层叠有包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多层膜的基板。
12.一种蚀刻方法，其为从基板上选择性地蚀刻由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的方法，所述基板层叠有包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多层膜，所述蚀刻方法包括使权利要求1～11中的任一项所述的液体组合物与该多层膜接触。
13.根据权利要求12所述的蚀刻方法，其中，所述多层膜是将由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层与由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层层叠而得到的二层膜。
14.根据权利要求12所述的蚀刻方法，其中，所述多层膜是将钼或包含钼作为主要成分的化合物的层、由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层、和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层依次层叠而得到的三层膜。
15.一种多层膜布线基板的制造方法，其为制造在基板上设置有至少包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多层膜的多层膜布线基板的方法，所述制造方法包括：
在基板上依次设置由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层和由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层从而形成多层膜，
在所述多层膜上被覆抗蚀剂，形成抗蚀膜，
将该抗蚀膜进行曝光和显影，形成规定的抗蚀图案，从而形成蚀刻对象物，
使所述蚀刻对象物与权利要求1～11中的任一项所述的液体组合物接触，从而对所述多层膜进行蚀刻形成多层膜布线。
16.一种多层膜布线基板，其通过权利要求15所述的制造方法制造。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601596A (zh) * 2016-12-30 2017-04-26 惠科股份有限公司 一种导线制程阵列蚀刻方法
CN107354467A (zh) * 2017-06-19 2017-11-17 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种环保型金属去除液
CN111808612A (zh) * 2020-07-08 2020-10-23 江苏和达电子科技有限公司 一种用于铜/钼（铌）/igzo膜层的蚀刻液、蚀刻补充液及其制备方法和应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11202108330UA (en) * 2019-01-31 2021-08-30 Fujifilm Electronic Materials Usa Inc Etching compositions

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101684557A (zh) * 2008-09-26 2010-03-31 韩国泰科诺赛美材料株式会社 液晶显示器系统中的铜、铜/钼或铜/钼合金电极蚀刻液体
CN102762770A (zh) * 2010-02-15 2012-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液
WO2013005631A1 (ja) * 2011-07-04 2013-01-10 三菱瓦斯化学株式会社 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液
WO2013015322A1 (ja) * 2011-07-26 2013-01-31 三菱瓦斯化学株式会社 銅／モリブデン系多層薄膜用エッチング液

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60243286A (ja) 1984-05-15 1985-12-03 Canon Inc エツチング剤
JPS61591A (ja) 1984-06-13 1986-01-06 Fujitsu Ltd 銅のエツチング方法
JPH061591A (ja) 1992-06-18 1994-01-11 Otis Elevator Co 作業車および作業車の使用方法
JP4063475B2 (ja) 1999-11-10 2008-03-19 メック株式会社 銅または銅合金のエッチング剤
JP2009076601A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Nagase Chemtex Corp エッチング溶液
KR20100098409A (ko) * 2007-11-22 2010-09-06 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 에칭액 조성물
JP5219304B2 (ja) 2010-12-14 2013-06-26 メック株式会社 エッチング剤及びこれを用いたエッチング方法
US9012261B2 (en) * 2013-03-13 2015-04-21 Intermolecular, Inc. High productivity combinatorial screening for stable metal oxide TFTs
JP5692472B1 (ja) * 2013-04-12 2015-04-01 三菱瓦斯化学株式会社 銅およびチタンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、および該組成物を用いたエッチング方法、多層膜配線の製造方法、基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101684557A (zh) * 2008-09-26 2010-03-31 韩国泰科诺赛美材料株式会社 液晶显示器系统中的铜、铜/钼或铜/钼合金电极蚀刻液体
CN102762770A (zh) * 2010-02-15 2012-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液
WO2013005631A1 (ja) * 2011-07-04 2013-01-10 三菱瓦斯化学株式会社 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液
WO2013015322A1 (ja) * 2011-07-26 2013-01-31 三菱瓦斯化学株式会社 銅／モリブデン系多層薄膜用エッチング液

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601596A (zh) * 2016-12-30 2017-04-26 惠科股份有限公司 一种导线制程阵列蚀刻方法
CN107354467A (zh) * 2017-06-19 2017-11-17 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种环保型金属去除液
CN111808612A (zh) * 2020-07-08 2020-10-23 江苏和达电子科技有限公司 一种用于铜/钼（铌）/igzo膜层的蚀刻液、蚀刻补充液及其制备方法和应用

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