CN105098084A - 一种基于量子点的电致发光器件及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于量子点的电致发光器件，包括正极电极层、负极电极层及夹设于所述正极电极层和所述负极电极层之间的多层量子点发光层，所述正极电极层与所述量子点发光层之间设有空穴传输层，所述负极电极层与所述量子点发光层之间设有电子传输层。本发明还公开了一种使用该电致发光器件的显示装置。本发明利用量子点材料替换现有的有机发光材料作为发光层，可以方便地通过控制量子点的尺寸实现各种颜色显示效果的实现；并在正极电极层与量子点发光层之间设有空穴传输层，负极电极层与量子点发光层之间设有电子传输层，加速电子和空穴在正负电极层之间的传输速度，使电致发光器件具有更好的色域和显示品质。

Description

一种基于量子点的电致发光器件及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基于量子点的电致发光器件及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)被认为是下一代显示、照明技术的有力竞争者，与荧光灯相比它具有有超轻超薄，大面积发、可折叠、色温可调、成本低等优点，在未来显示和照明领域的巨大发展潜力吸引了大量的研究工作者的关注，也加速了其产业化的进程。
量子点(quantumdots)，又称半导体纳米晶体，作为一种新型的纳米荧光材料，它与传统的有机荧光染料相比有着很多的优点，例如很宽的激发光谱、较窄且对称的发射光谱、荧光强度高等优点，量子点发光材料受激发后可产生各种不同颜色的光从而实现不同的显示效果。现有技术通常利用量子点膜片贴付在背光单元表面以增强显示效果，如何最大化地将量子点的优点应用到显示技术中，使显示装置的色域以及显示品质更加完善，是目前量子点显示技术领域的主要发展方向之一。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种具有优良的色域以及显示品质的基于量子点的电致发光器件及显示装置。
为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种基于量子点的电致发光器件，包括正极电极层、负极电极层及夹设于所述正极电极层和所述负极电极层之间的多层量子点发光层，所述正极电极层与所述量子点发光层之间设有空穴传输层，所述负极电极层与所述量子点发光层之间设有电子传输层。
其中，所述量子点发光层包括第一量子点发光层、第二量子点发光层和第三量子点发光层，所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层和所述第三量子点发光层受激发产生的光的颜色均不同。
其中，所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层和所述第三量子点发光层分别为红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光量子点发光层。
其中，多层所述量子点发光层堆叠设置，每两个相邻的所述量子点发光层之间设有所述空穴传输层和所述电子传输层。
或者，多层所述量子点发光层在所述正极电极层的宽度方向并排设置在所述正极电极层和所述负极电极层之间，每层所述量子点发光层的厚度方向两侧分别设有紧贴所述正极电极层的所述空穴传输层和紧贴所述负极电极层的所述电子传输层。
其中，每两个所述量子点发光层之间均设有遮光层。
其中，每个所述遮光层将相邻两个所述量子点发光层的所述空穴传输层和所述电子传输层隔开。
本发明的另一目的在于提供一种显示装置，使用上述的基于量子点的电致发光器件作为光源。
本发明利用量子点材料替换现有的有机发光材料作为发光层，可以方便地通过控制量子点的尺寸实现各种颜色显示效果的实现；并在正极电极层与量子点发光层之间设有空穴传输层，负极电极层与量子点发光层之间设有电子传输层，加速电子和空穴在正负电极层之间的传输速度，使电致发光器件具有更好的色域和显示品质。
附图说明
图1为本发明实施例1的电致发光器件结构示意图。
图2为本发明实施例2的电致发光器件结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
参阅图1，本发明的基于量子点的电致发光器件包括正极电极层1、负极电极层2及夹设于正极电极层1和负极电极层2之间的多层量子点发光层，在正极电极层1与量子点发光层之间设有空穴传输层6a，负极电极层2与量子点发光层之间设有电子传输层6b，该电致发光器件可作为背光源广泛应用于各种显示装置中。
量子点发光层包括第一量子点发光层3、第二量子点发光层4和第三量子点发光层5，且第一量子点发光层3、第二量子点发光层4和第三量子点发光层5受激发产生的光的颜色均不同。本实施例中，第一量子点发光层3、第二量子点发光层4和第三量子点发光层5分别为红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光量子点发光层，这些量子点发光层上下堆叠设置在正极电极层1和负极电极层2之间，为了加快电子和空穴在正负电极层之间的传输速度，在每两个相邻的量子点发光层之间设有一层包括空穴传输层6a和电子传输层6b的传输层6，电子在电子传输层传输的更快，空穴在空穴传输层中传输得更快。每两个量子点发光层之间的空穴传输层6a和电子传输层6b分别把在电场作用下激发形成的电子和空穴分别传输到临近的量子点发光层，并分别将正极电极层1和负极电极层2注入的空穴和电子在不同的量子点发光层复合，以产生不同的光色结合形成白光。
本发明实施例由于使用了量子点材料替换现有的有机发光材料作为发光层，且量子点发光层包括了三原色的介质层，可以方便地通过显示装置控制量子点的尺寸实现各种颜色显示效果的实现。
实施例2
如图2所示，为本实施例的电致发光器件结构示意图。与实施例1不同的是，本实施例的多层量子点发光层排列方式不同，具体是将多层量子点发光层在正极电极层1的宽度方向并排设置在正极电极层1和负极电极层2之间，每层量子点发光层的厚度方向两侧分别设有紧贴正极电极层1的空穴传输层6a和紧贴负极电极层2的电子传输层6b。
为避免相邻的量子点发光层之间发生串光形成二次激发，每两个量子点发光层之间均设有遮光层7，每个遮光层7同时还将相邻两个量子点发光层的空穴传输层6a和电子传输层6b隔开。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种基于量子点的电致发光器件，其特征在于，包括正极电极层(1)、负极电极层(2)及夹设于所述正极电极层(1)和所述负极电极层(2)之间的多层量子点发光层，所述正极电极层(1)与所述量子点发光层之间设有空穴传输层(6a)，所述负极电极层(2)与所述量子点发光层之间设有电子传输层(6b)。
2.根据权利要求1所述的基于量子点的电致发光器件，其特征在于，所述量子点发光层包括第一量子点发光层(3)、第二量子点发光层(4)和第三量子点发光层(5)，所述第一量子点发光层(3)、所述第二量子点发光层(4)和所述第三量子点发光层(5)受激发产生的光的颜色均不同。
3.根据权利要求2所述的基于量子点的电致发光器件，其特征在于，所述第一量子点发光层(3)、所述第二量子点发光层(4)和所述第三量子点发光层(5)分别为红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光量子点发光层。
4.根据权利要求1-3任一所述的基于量子点的电致发光器件，其特征在于，多层所述量子点发光层堆叠设置，每两个相邻的所述量子点发光层之间设有所述空穴传输层(6a)和所述电子传输层(6b)。
5.根据权利要求1-3任一所述的基于量子点的电致发光器件，其特征在于，多层所述量子点发光层在所述正极电极层(1)的宽度方向并排设置在所述正极电极层(1)和所述负极电极层(2)之间，每层所述量子点发光层的厚度方向两侧分别设有紧贴所述正极电极层(1)的所述空穴传输层(6a)和紧贴所述负极电极层(2)的所述电子传输层(6b)。
6.根据权利要求5所述的基于量子点的电致发光器件，其特征在于，每两个所述量子点发光层之间均设有遮光层(7)。
7.根据权利要求6所述的基于量子点的电致发光器件，其特征在于，每个所述遮光层(7)将相邻两个所述量子点发光层的所述空穴传输层(6a)和所述电子传输层(6b)隔开。
8.一种显示装置，其特征在于，使用权利要求1-7任一所述的基于量子点的电致发光器件作为光源。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106816539A (zh) * 2016-12-08 2017-06-09 瑞声科技（南京）有限公司 量子点发光二极管装置及其制造方法
CN107046103A (zh) * 2017-01-18 2017-08-15 南方科技大学 叠层qled器件及其制备方法和应用
CN110707239A (zh) * 2019-09-04 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN111384274A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
US11063098B2 (en) 2019-09-04 2021-07-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for fabricating display panel having carbon quantum dot layer
CN113130794A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203250777U (zh) * 2013-05-27 2013-10-23 北京京东方光电科技有限公司 一种量子点发光二极管及显示器件
CN103426986A (zh) * 2012-05-31 2013-12-04 上海理工大学 一种量子点电致发光器件以及制备方法和应用
US20140014896A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode device using charge accumulation and method of manufacturing the same
CN103730472A (zh) * 2013-12-25 2014-04-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104868026A (zh) * 2015-05-22 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光元件

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4654207B2 (ja) * 2006-03-30 2011-03-16 キヤノン株式会社 表示装置
KR101652789B1 (ko) * 2009-02-23 2016-09-01 삼성전자주식회사 다중 양자점층을 가지는 양자점 발광소자
JP6108664B2 (ja) * 2011-04-04 2017-04-05 ローム株式会社 有機ｅｌ装置
WO2014088667A2 (en) * 2012-09-14 2014-06-12 Qd Vision, Inc. Light emitting device including tandem structure
CN104241553A (zh) * 2014-10-13 2014-12-24 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的制备方法及其制得的oled器件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103426986A (zh) * 2012-05-31 2013-12-04 上海理工大学 一种量子点电致发光器件以及制备方法和应用
US20140014896A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode device using charge accumulation and method of manufacturing the same
CN203250777U (zh) * 2013-05-27 2013-10-23 北京京东方光电科技有限公司 一种量子点发光二极管及显示器件
CN103730472A (zh) * 2013-12-25 2014-04-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104868026A (zh) * 2015-05-22 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光元件

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106816539A (zh) * 2016-12-08 2017-06-09 瑞声科技（南京）有限公司 量子点发光二极管装置及其制造方法
CN106816539B (zh) * 2016-12-08 2018-10-12 瑞声科技（南京）有限公司 量子点发光二极管装置及其制造方法
CN107046103A (zh) * 2017-01-18 2017-08-15 南方科技大学 叠层qled器件及其制备方法和应用
CN111384274A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN110707239A (zh) * 2019-09-04 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
US11063098B2 (en) 2019-09-04 2021-07-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for fabricating display panel having carbon quantum dot layer
CN113130794A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN113130794B (zh) * 2019-12-31 2022-12-13 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

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