CN105090139B - 上盖控制装置及半导体加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种上盖控制装置及半导体加工设备，其包括气缸和气路控制单元，气缸用于在气路控制单元的控制下驱动上盖开启或关闭；气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元；检测单元用于在上盖开启和关闭的过程中，检测上盖是否到达预设的张开角度，若是，则向控制单元发送检测信号；控制单元用于根据检测信号向流量调节单元发送控制信号；流量调节单元用于根据控制信号在上盖的开启或关闭过程中对通入气缸的流量进行调节，以改变上盖开启或关闭的速度。上盖控制装置可以使上盖在其开启或关闭过程中进行变速；从而可以使上盖在其开启的初段和末段，以及关闭的初段和末段，以较慢的速度转动；在上盖开启和关闭的中段，以较快的速度转动。

Description

上盖控制装置及半导体加工设备

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体地，涉及一种上盖控制装置及半导体加工设备。

背景技术

半导体加工设备广泛地应用在刻蚀、沉积等的工艺。其反应腔室主要包括腔体和用于开启或关闭该腔体的上盖。其中，在制作半导体发光二极管的镀膜工艺(刻蚀后道工艺)时，每次对被加工工件进行工艺之前，需要开启上盖将被加工工件放入至腔体内；然后，关闭上盖进行工艺；在完成工艺之后又需要再次开启上盖将被加工工件取出。因此，在整个工艺的过程中，需要频繁的进行开关上盖的操作。此外，在对腔体的内部空间进行维护时，也需要开启上盖，以对腔体内部的零部件进行清洗或更换。

在实际应用中，上盖的开启和关闭一般由上盖控制装置驱动。例如，如图1所示，为现有的上盖控制装置的结构示意图。上盖1通过固定转轴与腔体可旋转地连接；上盖控制装置包括两个气缸2以及控制气缸2运动的气路控制单元，其中，每个气缸2的活塞杆通过铰链与上盖1连接。在进行工艺的过程中，两个气缸2的活塞杆同步运动，并通过铰链驱动上盖1绕固定转轴转动，从而实现上盖1的开启和关闭。

图2为图1所示上盖控制装置的气路控制单元的气路图。如图2所示，气路控制单元包括过滤减压阀PR1、电磁阀SOV1、电磁阀SOV2、节流阀FR1、节流阀FR2、节流阀FR3和节流阀FR4。此外，气缸2上还设有第一传感器3、第二传感器4和自锁阀，第一传感器3和第二传感器4分别设置在对应于上盖1处于闭合状态以及上盖1处于最大开启角度状态时，气缸2的活塞所在的位置；自锁阀用于将气缸2的活塞锁止。

在开启上盖1时，首先给电磁阀SOV1通电，使气体经过滤减压阀PR1和电磁阀SOV1进入到气缸2的自锁阀中，推动气缸2的自锁阀运动，使气缸2的活塞由锁定状态变为可运动状态；而后，给电磁阀SOV2的左侧线圈通电，使其左侧管路接通，在此情况下，气体依次经过滤减压阀PR1和电磁阀SOV2，并分别经过节流阀FR1和FR3同时进入相互并联的两个气缸2中，从而驱使气缸2的活塞运动，并带动上盖1开启；当气缸2的活塞运动至第二传感器4所在位置处时，第二传感器4被触发，此时上盖1处于最大开启角度状态，在此情况下，将电磁阀SOV1和电磁阀SOV2复位，使气缸2的活塞由可运动状态变为锁止状态，以及使电磁阀SOV2的左侧管路断开，从而完成上盖1的开启过程。上盖1的关闭过程与上盖1的上述开启过程相类似，在此不再赘述。

在实际应用中，上盖1的开启或关闭的速度是在控制上盖运动之前的调试阶段，通过预先采用手动的方式对上述上盖控制装置中的节流阀FR1和FR3的流量进行调节，而改变气体填充气缸2的速度，从而实现上盖1的开启或关闭速度的调节。

然而，由于上述上盖控制装置仅能在调试阶段对上盖1的开启或关闭速度进行调节，而无法在正常工作阶段调节，因而上盖1在开启或关闭的过程中仅能保持单一速度。在此情况下，若将节流阀FR1和FR3的流量调节得较大，则上盖1的开启或关闭速度过快，这容易出现上盖1与反应腔室之间产生碰撞，以及上盖1在其运动至最大开启角度的位置时产生抖动的问题；反之，若将节流阀FR1和FR3的流量调节得较小，则上盖1的开启或关闭速度过慢，这会导致工作效率较低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种上盖控制装置及半导体加工设备，其可以控制上盖在其开启或关闭过程中进行变速，从而使上盖在其开启过程的初段和末段，以及关闭过程的初段和末段，以较慢的转速转动，使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；而在上盖的开启或关闭过程的中段，以较快的速度转动，从而提高上盖开启或关闭的速度，提高工作效率。

为实现本发明的目的而提供一种上盖控制装置，用于控制反应腔室的上盖开启或者关闭，其包括气缸和气路控制单元，所述气缸用于在所述气路控制单元的控制下驱动所述上盖开启或关闭；所述气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元；其中所述检测单元用于在所述上盖开启和关闭的过程中，检测所述上盖的张开角度是否到达预设角度，若是，则向所述控制单元发送检测信号；所述控制单元用于根据所述检测信号向所述流量调节单元发送控制信号；所述流量调节单元用于根据所述控制信号在所述上盖的开启或关闭过程中对通入所述气缸的流量进行调节，以改变所述上盖开启或关闭的速度。

其中，所述气路控制单元包括开盖气路和闭盖气路，其中所述开盖气路用于通过向所述气缸的第一腔通入气体，使所述气缸驱动所述上盖开启；所述闭盖气路用于通过向所述气缸的第二腔通入气体，使所述气缸驱动所述上盖关闭。

其中，所述流量调节单元包括第一流量控制阀和第二流量控制阀；所述控制单元在所述上盖的开启过程中，根据所述检测信号向所述第一流量控制阀发送控制信号；所述第一流量控制阀设于所述开盖气路上，用于在所述上盖的开启过程中，根据所述控制信号对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节；所述控制单元在所述上盖的关闭过程中，根据所述检测信号向所述第二流量控制阀发送控制信号；所述第二流量控制阀设于所述闭盖气路上，用于在所述上盖的关闭过程中，根据所述控制信号对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。

其中，所述开盖气路包括相互并联的多个第一支路；所述流量调节单元包括第一通断阀和第一节流阀；所述第一节流阀的数量与所述第一支路的数量相对应，且所述第一节流阀一一对应地设置于所述第一支路上，或者，所述第一节流阀的数量少于所述第一支路的数量，且所述第一节流阀一一对应地设置于其中一部分第一支路上；每个第一节流阀用于调节其所在第一支路的流量；所述控制单元在所述上盖的开启过程中，根据所述检测信号向所述第一通断阀发送控制信号；所述第一通断阀根据所述控制信号，可选择地接通所有第一支路中的至少一个，以对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节。

其中，所述闭盖气路包括相互并联的多个第二支路；所述流量调节单元包括第二通断阀和第二节流阀；所述第二节流阀的数量与所述第二支路的数量相对应，且所述第二节流阀一一对应地设置于所述第二支路上，或者，所述第二节流阀的数量少于所述第二支路的数量，且所述第二节流阀一一对应地设置于其中一部分第二支路上；每个第二节流阀用于调节其所在第二支路的流量；所述控制单元在所述上盖的关闭过程中，根据所述检测信号向所述第二通断阀发送控制信号；所述第二通断阀根据所述控制信号，可选择地接通所有第一支路中的至少一个，以对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。

其中，所述第一通断阀包括电磁阀。

其中，所述第二通断阀包括电磁阀。

其中，所述检测单元包括位置传感器，所述位置传感器对应地设置在所述上盖到达所述预设角度时，所述气缸的活塞所在的位置处；所述位置传感器在所述上盖到达所述预设角度时，向所述控制单元发送检测信号。

其中，所述预设角度包括一个或者角度不同的多个；所述位置传感器的数量为一个或多个，且所述位置传感器和预设角度一一对应。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室包括腔体、上盖和上盖控制装置，所述上盖控制装置采用本发明提供的上述上盖控制装置。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的上盖控制装置，其检测单元在上盖的开启或关闭过程中检测上盖的张开角度是否到达预设角度，并在检测到上盖的张开角度到达预设角度时，向控制单元发送检测信号，控制单元根据该检测信号向流量调节单元发送控制信号，流量调节单元根据该控制信号调节通入气缸内的气体的流量，使气缸驱动上盖在其开启或关闭过程中进行变速；从而，本发明提供的上盖控制装置可以在上盖开启过程的初段和关闭过程的末段，控制上盖以较慢的速度转动，使上盖与反应腔室的腔体之间不发生碰撞；以及在上盖开启过程的末段和关闭过程的初段，控制上盖以较慢的速度转动，使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；还可以在上盖开启和关闭过程的中段，控制上盖以较快的速度转动，从而可以提高上盖开启或关闭的速度，提高工作效率。

本发明提供的半导体加工设备，其采用本发明提供的上述上盖控制装置，可以使上盖在其开启或关闭过程中进行变速；从而，在反应腔室的上盖开启过程的初段和关闭过程的末段，上盖可以以较慢的速度转动，使上盖与反应腔室的腔体之间不发生碰撞；以及在上盖开启过程的末段和关闭过程的初段，上盖可以以较慢的速度转动，使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；在上盖开启和关闭过程的中段，上盖可以以较快的速度转动，从而可以提高上盖开启或关闭的速度，提高工作效率。

附图说明

图1为现有的上盖控制装置的结构示意图；

图2为图1所示上盖控制装置的气路控制单元的气路图；

图3为本发明第一实施例提供的上盖控制装置的示意图；以及

图4为本发明第二实施例提供的上盖控制装置的示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的上盖控制装置及半导体加工设备进行详细描述。

请参看图3，图3为本发明第一实施例提供的上盖控制装置的示意图。上盖控制装置用于控制反应腔室的上盖开启或者关闭，其包括气缸1和气路控制单元。气缸1用于在气路控制单元的控制下驱动上盖开启或关闭；气路控制单元包括检测单元2、流量调节单元3和控制单元。其中，检测单元2用于在上盖开启和关闭的过程中，检测上盖的张开角度是否到达预设角度，若是，则向控制单元发送检测信号；控制单元用于根据检测信号向流量调节单元3发送控制信号；流量调节单元3用于根据控制信号在上盖的开启或关闭过程中对通入气缸1的流量进行调节，以改变上盖开启或关闭的速度。

检测单元2包括位置传感器21，位置传感器21对应地设置在上盖的张开角度到达预设角度时，气缸1的活塞所在的位置处；位置传感器21在上盖的张开角度到达预设角度时，向控制单元发送检测信号。容易理解，在本实施例中，位置传感器21的数量与预设角度的数量相等，且一一对应。

气路控制单元还包括开盖气路6和闭盖气路7，其中，开盖气路6与气缸1内的位于活塞一侧的第一腔4连接，用于通过向气缸1的第一腔4通入气体，使气缸1驱动上盖开启。闭盖气路7与气缸1内的位于活塞另一侧的第二腔5连接，用于通过向气缸1的第二腔5通入气体，使气缸1驱动上盖关闭。

在本实施例中，开盖气路6包括相互并联的多个第一支路；闭盖气路7包括相互并联的多个第二支路。流量调节单元3还包括第一通断阀、第一节流阀、第二通断阀和第二节流阀；其中，第一通断阀为电磁阀，其设置于开盖气路6上，用于在控制单元的控制下，可选择地接通一个或多个第一支路；第一节流阀的数量与第一支路的数量相对应，且第一节流阀一一对应地设置于第一支路上，用于调节其所在第一支路上的流量。具体地，在上盖的开启过程中，控制单元根据检测单元发送的检测信号向第一通断阀发送控制信号，第一通断阀根据该控制信号，使至少一个处于连通状态的第一支路断开，和/或，使至少一个处于断开状态的第一支路连通，并在此过程中，使经处于连通状态的第一支路通入气缸1的第一腔4的气体的流量发生变化，从而实现对通入气缸1的第一腔4的气体的流量的调节。

第二通断阀为电磁阀，其设置于闭盖气路7上，用于在控制单元的控制下，可选择地接通一个或多个第二支路；第二节流阀的数量与第二支路的数量相对应，且第二节流阀一一对应地设置于第二支路上，用于调节其所在第二支路上的流量。具体地，在上盖的关闭过程中，控制单元根据检测单元发送的检测信号向第二通断阀发送控制信号，第二通断阀根据该控制信号，使至少一个处于连通状态的第二支路断开，和/或，使至少一个处于断开状态的第二支路连通，并在此过程中，使经处于连通状态的第二支路通入气缸1的第二腔5的气体的流量发生变化，从而实现对通入气缸1的第二腔5的气体的流量的调节。

下面就本实施例提供的上盖控制装置控制上盖在其开启和关闭过程中进行变速的原理进行详细描述。

在开启上盖之前，首先设置每个第一支路上的第一节流阀，使每个第一支路具有相应的流量。在上盖的开启过程中，气缸1驱动上盖进行转动；在该过程中，若位置传感器21检测到气缸1的活塞运动至其所在位置处，则表明上盖的张开角度到达预设角度，在此情况下，位置传感器21向控制单元发送检测信号，而控制单元根据该检测信号向第一通断阀发送控制信号，第一通断阀根据该控制信号，使至少一个处于连通状态的第一支路断开，和/或，使至少一个处于断开状态的第一支路连通，并在此过程中，使经处于连通状态的第一支路通入气缸1的第一腔4的气体的流量发生变化，从而推动气缸1的活塞加速或减速，使上盖的转动速度加快或减慢，进而在上盖开启的过程中实现上盖开启速度的变速。

在上盖的关闭过程中，实现上盖关闭速度变速的原理与上述过程类似，在此不再赘述。

进一步地，在本实施例中，设置预设角度的数量为两个，其中，第一个预设角度为上盖接近闭合状态，且上盖与反应腔室的腔体脱离接触时的张开角度值；第二个预设角度为上盖接近其最大张开角度时的张开角度值。优选地，第一个预设角度为15°，第二个预设角度为62°。此外，位置传感器21的数量为两个，分别为第一位置传感器21＇和第二位置传感器21〞，其中，第一位置传感器21＇与第一个预设角度相对应，第二位置传感器21〞与第二个预设角度相对应。

具体地，就本实施例而言，在开启上盖之前，首先通过调节多个第一节流阀，使多个第一支路具有不同的流量。在开启上盖的初段，第一通断阀将多个第一支路中流量较小的一个第一支路连通，使通入气缸1的第一腔4的气体的流量较小，从而使气缸1驱动上盖转动的速度较慢。而在第一位置传感器21＇检测到气缸1的活塞到达其所对应的位置处，即上盖转动至其开启过程的中段时，其向控制单元发送检测信号；控制单元根据第一位置传感器21＇发送来的检测信号，向第一通断阀发送控制信号；第一通断阀根据该控制信号，将处于连通状态的第一支路断开，并将处于断开状态，且流量更大的另一第一支路连通，从而使通入气缸1的第一腔4的气体的流量变大，进而使气缸1驱动上盖转动的速度加快。在第二位置传感器21＇检测到气缸1的活塞到达其所对应的位置处，即上盖转动至其开启过程的末段时，其向控制单元发送检测信号；控制单元根据第二位置传感器21〞发送来的检测信号，向第一通断阀发送控制信号；第一通断阀根据该控制信号，将多个第一支路中流量较小的一个第一支路处于连通状态，而使其他第一支路处于断开状态，使通入气缸1的第一腔4的气体的流量较小，从而使气缸1驱动上盖转动的速度较慢。优选地，在上盖开启过程的初段，与气缸1的第一腔4连通的第一支路和在上盖开启的末段，与气缸1的第一腔4连通的第一支路为同一个第一支路。

与上述过程类似，在上盖关闭过程的初段，第二通断阀控制多个第二支路中流量较小的一个第二支路连通，使通入气缸1的第二腔5的气体的流量较小，从而使上盖转动的速度较慢。在第二位置传感器21〞检测到气缸1的活塞到达其所对应的位置处，即上盖转动至其关闭过程的中段时，第二通断阀将处于连通状态的第二支路断开，并将处于断开状态，且流量更大的另一第二支路连通，从而使通入气缸1的第二腔5的气体的流量变大，进而使气缸1驱动上盖转动的速度加快。在第一位置传感器21＇检测到气缸1的活塞到达其所对应的位置处，即上盖转动至其关闭过程的末段时，第二通断阀将多个第二支路中流量较小的一个第二支路连通，而使其他第二支路处于断开状态，使通入气缸1的第二腔5的气体的流量较小，从而使气缸1驱动上盖转动的速度较慢。优选地，在上盖关闭过程的初段，与气缸1的第二腔5连通的第二支路和在上盖关闭过程的末段，与气缸1的第二腔5连通的第二支路为同一个第二支路。

根据上述可知，在上盖开启过程的初段和关闭过程的末段，气缸1驱动上盖以较慢的速度转动，这样可以在该过程中使上盖与反应腔室的腔体之间避免发生由于上盖转动速度太快而引起的碰撞；在上盖开启过程的末段和关闭过程的初段，气缸1驱动上盖以较慢的速度转动，这样可以在该过程中使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；而在上盖开启和关闭过程的中段，气缸1驱动上盖以较快的速度转动，这样可以减小上盖开启或关闭所需的时间，从而提高工作效率。

在本实施例中，第一个预设角度为15°，第二个预设角度为62°，但本发明并不限于此，在实际应用中，根据实际要求通过具体调试确定第一个预设角度和第二个预设角度的角度值，以及在上盖开启或关闭过程的初段、中段和末段，通入气缸1的气体的流量；从而获得满足上盖与腔体之间不发生碰撞，以及上盖、上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动的要求的参数值。

在本实施例中，上盖开启过程的初段、中段和末段，第一通断阀仅将一个具有特定流量的第一支路接通，上盖关闭过程的初段、中段和末段，第二通断阀仅将一个具有特定流量的第二支路接通；但在实际应用中，第一通断阀在上述过程中，尤其是上盖开启过程的中段，还可以同时接通多个第一支路，这样使本实施例提供的上盖控制装置还可以通过将多个第一支路进行不同的组合，使其处于连通或断开状态，来调节通入气缸1的第一腔的气体的流量，从而使通入气缸1的第一腔的气体的流量可以在更大的范围内调节，进而使上盖在其开启过程可以在更大的速度范围内进行变速。容易理解，与上述类似，第二通断阀在上述过程中，尤其是上盖关闭过程的中段，也可以同时接通多个第二支路，使通入气缸1的第二腔的气体的流量可以在更大的范围内调节，进而使上盖在其关闭过程可以在更大的速度范围内进行变速。此外，上述设置条件下，在开启或关闭上盖之前，通过调节第一节流阀或第二节流阀设置每个第一支路或第二支路的流量时，多个第一支路或第二支路的流量可以相同。

需要说明的是，在本实施例中，预设角度的数量为两个，也就是说，在上盖的开启或关闭过程中，上盖进行两次变速，且上盖在其开启过程中进行变速的角度和在其关闭过程中进行变速的角度相同，但本发明并不限于此，在实际应用中，还可以设置一个或更多个角度不同的预设角度，使上盖在其开启或关闭过程中进行一次或更多次的变速；此外，还可以设置相应的预设角度，使上盖仅在其开启过程中转动至该预设角度时进行变速，或者仅在其关闭过程中转动至该预设角度时进行变速。

还需要说明的是，在本实施例中，在上盖开启过程的初段和末段，与气缸1的第一腔4连通的第一支路为同一个第一支路，在上盖关闭过程的初段和末段，与气缸1的第二腔5连通的第二支路为同一个第二支路，也就是说，上盖在其开启或关闭过程的初段和末段的转速相同，但本发明并不限于此，在实际应用中，还可以在上盖开启过程的初段和末段，通过流量调节单元使通入气缸1的第一腔4的气体的流量不同，以及在上盖关闭过程的初段和末段，通过流量调节单元使通入气缸1的第二腔5的气体的流量不同，从而使上盖在其开启或关闭过程的初段和末段的转速不同。

还需要说明的是，在本实施例中，位置传感器21对应于上盖的张开角度到达预设角度时，气缸1的活塞所在的位置处，其在活塞到达其所在位置处时向控制单元发送检测信号，但本发明并不限于此，在实际应用中，位置传感器21还可以设置在上盖上，并实时检测上盖的张开角度，并向控制单元发送实时检测信号；在此情况下，由控制单元根据该实时检测信号，将上盖的张开角度与预设角度进行比较，在上盖的张开角度到达预设角度时，控制单元向流量调节单元发送控制信号。

此外，在本实施例中，第一节流阀的数量与第一支路的数量相等，且每个第一节流阀一一对应地设置于每个第一支路上；第二节流阀的数量与第二支路的数量相等，且每个第二节流阀一一对应地设置于每个第二支路上。但本发明并不限于此，在实际应用中，第一节流阀的数量还可以少于第一支路的数量，第一节流阀一一对应地设置于其中一部分第一支路上；每个第一节流阀用于调节其所在第一支路的流量；第二节流阀的数量还可以少于第二支路的数量，第二节流阀一一对应地设置于其中一部分第二支路上；每个第二节流阀用于调节其所在第二支路的流量。在此情况下，在开启上盖之前，首先通过手动调节第一节流阀，使多个第一节流阀所在第一支路具有不同的流量。在开启上盖的过程中，第一通断阀将流量较小的第一支路连通，以减小通入气缸1的第一腔4的气体的流量，将流量较大的第一支路连通，或者增加处于连通状态的第一支路的数量，以增大通入气缸1的第一腔的气体的流量。关闭上盖的过程与上述过程类似，在此不再赘述。

请参看图4，图4为本发明第二实施例提供的上盖控制装置的示意图。本发明第二实施例提供的上盖控制装置与上述第一实施例相比，同样包括气缸1和气路控制单元，由于上述气缸1和气路控制单元的结构和功能在上述第一实施例中已有了详细描述，在此不再赘述。

下面仅就本实施例提供的上盖控制装置与上述第一实施例的不同之处进行详细描述。在本实施例中，流量调节单元3包括第一流量控制阀31和第二流量控制阀32；其中，第一流量控制阀31设于开盖气路6上，其用于在上盖的开启过程中，对通入气缸1的第一腔4的气体的流量进行调节；第二流量控制阀32设于闭盖气路7上，其用于在上盖的关闭过程中，对通入气缸1的第二腔5的气体的流量进行调节。

具体地，在上盖的开启过程中，控制单元根据检测信号向第一流量控制阀31发送控制信号，第一流量控制阀31根据该控制信号对通入气缸1的第一腔4的气体的流量进行调节；在上盖的关闭过程中，控制单元根据检测信号向第二流量控制阀32发送控制信号，第二流量控制阀32根据该控制信号对通入气缸1的第二腔5的气体的流量进行调节。

优选地，在本实施例中，预设角度的数量为两个，且两个预设角度与上述第一实施例相同。相应地，位置传感器21同样包括与上述第一实施例相同的第一位置传感器21＇和第二位置传感器21〞。

在本实施例中，具体地，在开启上盖的初段，第一流量控制阀31调节开盖气路6的流量，使通入气缸1的第一腔4的气体的流量较小，从而可以使气缸1驱动上盖转动的速度较慢。而在第一位置传感器21＇检测到气缸1的活塞到达其所对应的位置处，即上盖转动至其开启过程的中段时，第一流量控制阀31调节开盖气路6的流量，使通入气缸1的第一腔4的气体的流量变大，从而可以使气缸1驱动上盖转动的速度加快。在第二位置传感器21＇检测到气缸1的活塞到达其所对应的位置处，即上盖转动至其开启过程的末段时，第一流量控制阀31调节开盖气路6的流量，使通入气缸1的第一腔4的气体的流量较小，从而可以使气缸1驱动上盖转动的速度较慢。

与上述过程类似，第二流量控制阀32调节闭盖气路7的流量，在上盖关闭过程的初段，使上盖的转动速度较慢；在上盖关闭过程的中段，使上盖的转动速度较快；在上盖关闭过程的末段，使上盖的转动速度较慢。

由上可知，在上盖开启过程的初段和关闭过程的末段，气缸1驱动上盖以较慢的速度转动，这样可以在该过程中使上盖与反应腔室的腔体之间避免发生由于上盖转动速度太快而引起的碰撞；在上盖开启过程的末段和关闭过程的初段，气缸1驱动上盖以较慢的速度转动，这样可以在该过程中使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；而在上盖开启和关闭过程的中段，气缸1驱动上盖以较快的速度转动，这样可以减小上盖的开启或关闭所需的时间，从而提高工作效率。

与上述第一实施例相比，本实施例提供的上盖控制装置借助流量控制阀(31、32)在上盖的开启和关闭过程中自动地调节通入气缸1的气体的流量，从而省去了并联的多个管路结构，从而使其结构更加简单，并且使流量的调节过程更加易于控制。

综上所述，本发明实施例提供的上盖控制装置，其检测单元2在上盖的开启或关闭过程中检测上盖的张开角度是否到达预设角度，并在检测到上盖的张开角度到达预设角度时，向控制单元发送检测信号，控制单元根据该检测信号向流量调节单元3发送控制信号，流量调节单元3根据该控制信号调节通入气缸1内的气体的流量，使气缸1驱动上盖在其开启或关闭过程中进行变速；从而，本发明实施例提供的上盖控制装置可以在上盖开启过程的初段和关闭过程的末段，控制上盖以较慢的速度转动，使上盖与反应腔室的腔体之间不发生碰撞；以及在上盖开启过程的末段和关闭过程的初段，控制上盖以较慢的速度转动，使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；还可以在上盖开启和关闭过程的中段，控制上盖以较快的速度转动，从而可以提高上盖开启或关闭的速度，提高工作效率。

作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，反应腔室包括腔体、上盖和上盖控制装置，该上盖控制装置本发明上述实施例提供的上盖控制装置。

本发明实施例提供的半导体加工设备，其采用本发明上述实施例提供的上盖控制装置，可以使上盖在其开启或关闭过程中进行变速；从而，在反应腔室的上盖开启过程的初段和关闭过程的末段，上盖可以以较慢的速度转动，使上盖与反应腔室的腔体之间不发生碰撞；以及在上盖开启过程的末段和关闭过程的初段，上盖可以以较慢的速度转动，使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；在上盖开启和关闭过程的中段，上盖可以以较快的速度转动，从而可以提高上盖开启或关闭的速度，提高工作效率。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种上盖控制装置，用于控制反应腔室的上盖开启或者关闭，其包括气缸和气路控制单元，所述气缸用于在所述气路控制单元的控制下驱动所述上盖开启或关闭；其特征在于，所述气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元；其中

所述检测单元用于在所述上盖开启和关闭的过程中，检测所述上盖的张开角度是否到达预设角度，若是，则向所述控制单元发送检测信号,所述预设角度包括角度不同的多个；

所述控制单元用于根据所述检测信号向所述流量调节单元发送控制信号；

所述流量调节单元用于根据所述控制信号在所述上盖的开启或关闭过程中对通入所述气缸的流量进行调节，以在上盖开启和关闭过程的初段和末段气缸驱动上盖以较慢的速度转动、在上盖开启和关闭过程的中段气缸驱动上盖以较快的速度转动。

2.根据权利要求1所述的上盖控制装置，其特征在于，所述气路控制单元包括开盖气路和闭盖气路，其中

所述开盖气路用于通过向所述气缸的第一腔通入气体，使所述气缸驱动所述上盖开启；

所述闭盖气路用于通过向所述气缸的第二腔通入气体，使所述气缸驱动所述上盖关闭。

3.根据权利要求2所述的上盖控制装置，其特征在于，所述流量调节单元包括第一流量控制阀和第二流量控制阀；

所述控制单元在所述上盖的开启过程中，根据所述检测信号向所述第一流量控制阀发送控制信号；所述第一流量控制阀设于所述开盖气路上，用于在所述上盖的开启过程中，根据所述控制信号对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节；

所述控制单元在所述上盖的关闭过程中，根据所述检测信号向所述第二流量控制阀发送控制信号；所述第二流量控制阀设于所述闭盖气路上，用于在所述上盖的关闭过程中，根据所述控制信号对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。

4.根据权利要求2所述的上盖控制装置，其特征在于，所述开盖气路包括相互并联的多个第一支路；所述流量调节单元包括第一通断阀和第一节流阀；

所述第一节流阀的数量与所述第一支路的数量相对应，且所述第一节流阀一一对应地设置于所述第一支路上，或者，所述第一节流阀的数量少于所述第一支路的数量，且所述第一节流阀一一对应地设置于其中一部分第一支路上；每个第一节流阀用于调节其所在第一支路的流量；

所述控制单元在所述上盖的开启过程中，根据所述检测信号向所述第一通断阀发送控制信号；所述第一通断阀根据所述控制信号，可选择地接通所有第一支路中的至少一个，以对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节。

5.根据权利要求2所述的上盖控制装置，其特征在于，所述闭盖气路包括相互并联的多个第二支路；所述流量调节单元包括第二通断阀和第二节流阀；

所述第二节流阀的数量与所述第二支路的数量相对应，且所述第二节流阀一一对应地设置于所述第二支路上，或者，所述第二节流阀的数量少于所述第二支路的数量，且所述第二节流阀一一对应地设置于其中一部分第二支路上；每个第二节流阀用于调节其所在第二支路的流量；

所述控制单元在所述上盖的关闭过程中，根据所述检测信号向所述第二通断阀发送控制信号；所述第二通断阀根据所述控制信号，可选择地接通所有第一支路中的至少一个，以对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。

6.根据权利要求4所述的上盖控制装置，其特征在于，所述第一通断阀包括电磁阀。

7.根据权利要求5所述的上盖控制装置，其特征在于，所述第二通断阀包括电磁阀。

8.根据权利要求1所述的上盖控制装置，其特征在于，所述检测单元包括位置传感器，所述位置传感器对应地设置在所述上盖到达所述预设角度时，所述气缸的活塞所在的位置处；

所述位置传感器在所述上盖到达所述预设角度时，向所述控制单元发送检测信号。

9.根据权利要求8所述的上盖控制装置，其特征在于，所述位置传感器的数量为多个，且所述位置传感器和预设角度一一对应。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室包括腔体、上盖和上盖控制装置，其特征在于，所述上盖控制装置采用权利要求1-9任意一项所述的上盖控制装置。