CN105070821A - 一种致冷件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及致冷件制造技术领域，名称是一种致冷件的制造方法，致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的瓷板在晶粒的焊接前经过如下处理：将瓷板在60-80℃的环境中加热2-4小时，然后在10分钟内急冷至20-30℃，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒，制成致冷件，本发明由于采取了上述的技术方案，使得致冷件生产时不易破碎，生产的致冷件使用时具有经久耐用的优点。
Description
技术领域
本发明涉及致冷件制造技术领域，特别是涉及致冷件的制造方法。
背景技术
致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，瓷板的主要成分是95％氧化铝，它起电绝缘、导热和支撑作用，在它的表面烧结有金属化层，晶粒通过锡焊接在瓷板的金属化层上，晶粒的主要成分是碲化鉍，它是致冷组件的主功能部件，它通过锡焊接在瓷板上；瓷板是在窑炉中烧制而成的。
现有技术中，致冷件所用的瓷板是烧制而成、没有经过其他的处理直接作为致冷件生产使用，即生产致冷件是直接将瓷板和晶粒焊接而成，这样就存在生产中瓷板容易破碎，还存在着生产出的半导体致冷件容易损坏的缺点。
发明内容
本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种生产时不易破碎、使用时经久耐用的致冷件的制造方法。
本发明的技术方案是这样实现的：一种致冷件的制造方法，致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的瓷板在晶粒焊接前经过如下处理：
将瓷板在60—80℃的环境中加热2—4小时，然后在10分钟内急冷至20—30℃，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒的焊接，制成致冷件。
较好的，将瓷板在70℃的环境中加热3小时，然后在10分钟内急冷至25℃，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒的焊接，制成致冷件。
较好的，所述的60—80℃的环境是指在水中。
较好的，所述的水中还加入水重量2-3%的骨胶。
较好的，所述的水中还添加有水重量1—2%的明矾。
本发明的有益效果是：
本发明由于采取了上述的技术方案，使得致冷件具有生产时不易破碎，生产的致冷件使用时经久耐用的优点；所述的60—80℃的环境是指在水中，所述的水中还加入有骨胶，所述的水中还添加有水重量1—2%的明矾，具有生产时不易破碎、生产的致冷件使用时经久耐用效果更好的优点。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
以下各实施例都是用同样的瓷板2000块和匹配的晶粒作为实验对象，并且生产工艺参数相同。
实施例1
直接将生产出的瓷板和晶粒焊接，制成致冷件，由于在生产中存在瓷板的破碎，2000块可以制成950个致冷件，成品率是95%，这样的致冷件用户使用三个月时返修率为1.5%。
实施例2
首先将瓷板在60℃的环境中加热2小时，然后在10分钟内急冷至20，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件，由于在加热致冷的过程和焊接的过程中存在瓷板的破碎，2000块可以制成980个致冷件，成品率是98%，这样的致冷件用户使用三个月时返修率为1.0%。
实施例3
首先将瓷板在80℃的环境中加热4小时，然后在10分钟内急冷至30，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒，制成致冷件，由于在加热致冷的过程和焊接的过程中存在瓷板的破碎，2000块可以制成985个致冷件，成品率是98.5%，这样的致冷件用户使用三个月时返修率为0.8%。
实施例4
首先将瓷板在70℃的环境中加热3小时，然后在10分钟内急冷至25，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件，由于在加热致冷的过程中和焊接的过程中存在瓷板的破碎，2000块可以制成995个致冷件，成品率是99.5%，这样的致冷件用户使用三个月时返修率为0.5%。
重复上述的使用，将瓷板的加热和冷却过程在水中进行，瓷板的破损率会降低0.2个百分点。
重复上述的使用，将瓷板的加热和冷却过程在水中进行，并在水中加入水重量2-3%的骨胶，瓷板的破损率会进一步降低0.1个百分点，返修率降低0.3个百分点。
重复上述的使用，将瓷板的加热和冷却过程在水中进行，并在水中加入水重量2-3%的骨胶，并在的水中还添加有水重量1—2%的明矾，瓷板的破损率会进一步降低0.3个百分点，返修率降低0.1个百分点。
以上所述仅为本发明的具体实施例，发明人还做了许多类似的实验，得到相同的结论，即所述的瓷板在晶粒的焊接前经过如下处理，将瓷板在60—80℃的环境中加热2—4小时，然后在10分钟内急冷至20—30℃，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件，所述的60—80℃的环境是指在水中，所述的水中还加入水重量2-3%的骨胶，所述的水中还添加有水重量1—2%的明矾，都会使得致冷件生产时不易破碎，生产的致冷件使用时经久耐用的优点。
Claims (5)
1.一种致冷件的制造方法，致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的瓷板在晶粒的焊接前经过如下处理：
将瓷板在60—80℃的环境中加热2—4小时，然后在10分钟内急冷至20—30℃，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件。
2.根据权利要求1所述的致冷件的制造方法，其特征是：处理的过程是这样的：将瓷板在70℃的环境中加热3小时，然后在10分钟内急冷至25℃，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件。
3.根据权利要求1或2所述的致冷件的制造方法，其特征是：所述的60—80℃的环境是指在水中。
4.根据权利要求3所述的致冷件的制造方法，其特征是：所述的水中还加入水重量2-3%的骨胶。
5.根据权利要求4所述的致冷件的制造方法，其特征是：所述的水中还添加有水重量1—2%的明矾。
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| CN201510463098.9A CN105070821A (zh) | 2015-08-01 | 2015-08-01 | 一种致冷件的制造方法 |
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| CN201510463098.9A CN105070821A (zh) | 2015-08-01 | 2015-08-01 | 一种致冷件的制造方法 |
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| CN105070821A true CN105070821A (zh) | 2015-11-18 |
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| CN201510463098.9A Pending CN105070821A (zh) | 2015-08-01 | 2015-08-01 | 一种致冷件的制造方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN105070821A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1154495A2 (en) * | 1994-05-23 | 2001-11-14 | Seiko Instruments Inc. | Thermoelectric device and a method of manufacturing thereof |
| CN202434577U (zh) * | 2011-12-09 | 2012-09-12 | 杭州大和热磁电子有限公司 | 多孔型热电致冷器件 |
| CN202651206U (zh) * | 2012-05-16 | 2013-01-02 | 河南恒昌电子有限公司 | 具有金属层的致冷件瓷板 |
| CN203325877U (zh) * | 2013-07-05 | 2013-12-04 | 河南鸿昌电子有限公司 | 一种生产致冷件的瓷板 |
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2015
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