CN105026309B - 多栅极谐振沟道晶体管 - Google Patents

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Abstract

实施例包含一种振荡器，所述振荡器包括：放大器，其形成在衬底上；多栅极谐振沟道阵列，其形成在所述衬底上，所述多栅极谐振沟道阵列包含：(a)包含鳍状物的晶体管，所述鳍状物中的每一个鳍状物具有位于源极节点与漏极节点之间的沟道，并耦合到共用的源极触点和共用的漏极触点；以及(b)共用的第一三栅极和共用的第二三栅极，其耦合到所述鳍状物中的每一个鳍状物并且位于所述源极和所述漏极触点之间；其中当所述第一三栅极和第二三栅极的其中之一被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物以第一频率机械地谐振。其它实施例包含一种非平面晶体管，在鳍状物上具有位于所述源极节点和漏极节点之间的沟道和三栅极；其中当所述第一三栅极被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物以机械方式谐振。在本文中描述了其它实施例。

Description

多栅极谐振沟道晶体管
技术领域
本发明的实施例涉及半导体器件领域，并且具体地，涉及微电子机械系统(MEMS)。
背景技术
振荡器可以包含以受控频率产生周期性变化的输出的电路。可在电路中构建滤波器，其选择性地使信号的某些码元通过，而消除该信号的其它码元。谐振器可包含展示谐振行为(即，以具有比其它非谐振频率大的振幅的谐振频率自然振荡)的电路系统。振荡器、滤波器、谐振器等可使用石英晶体、电感器和/或电容器来生成或促进某些信号频率。
附图说明
根据所附权利要求、以下的一个或多个实例性实施例的具体描述以及相对应图，本发明的实施例的特征和优点将变得显而易见，其中：
图1示出了本发明的实施例中的多栅极谐振晶体管。
图2示出了本发明的实施例中的谐振晶体管中的鳍状物和栅极。
图3(a)-(c)示出了本发明的实施例中的多栅极谐振晶体管的不同边界条件。
图4示出了本发明的实施例中的多鳍状物谐振阵列。
图5示出了本发明的实施例中的多鳍状物谐振阵列。
图6示出了本发明的实施例中的振荡器中的多鳍状物谐振阵列。
图7a和7b示出了本发明的实施例中的振荡器中的多栅极谐振器。
图8示出了本发明的实施例中的多模式振荡器中的多栅极谐振器。
图9示出了与本发明的实施例一起使用的系统。
具体实施方式
现在将参考其中相似结构可带有相似后缀参考编号的图式。为更清楚地显示各种实施例的结构，本文中包含的这些图式是集成电路结构的图解性表示。因此，所制作集成电路结构的实际外观(例如显微照片中)可能看似不同，但仍并入所示出实施例的所要求保护的结构。此外，这些图式可仅显示有助于理解所示出实施例的结构。可能未包含本技术中已知的附加结构以保持这些图式的清楚度。“实施例”、“各实施例”等指示如此描述的实施例可包含特定的特征、结构或特性，但并非每个实施例都必然包含这些特定的特征、结构或特性。一些实施例可具有针对其它实施例描述的特征中的一些特征、针对其它实施例描述的全部特征或不具有针对其它实施例描述的特征。“第一”、“第二”、“第三”等描述共用对象，并且指示正指代的相似对象的不同示例。此类形容词并不暗示如此描述的对象必须在时间上、在空间上、在排名上或以任何其它方式按给定顺序。“连接”可指示元件相互直接物理或电气接触，并且“耦合”可指示元件相互合作或相互作用，但是其可能或可能不直接物理或电气接触。同样，虽然可使用类似或相同编号来在不同图中标示相同或类似部件，但这样做并不意味包含类似或相同编号的所有图构成单个或同一实施例。
如上所述，常规的振荡器、滤波器、谐振器等可使用石英晶体、电感器和/或电容器来生成或促进某些信号频率。此类部件可以很昂贵、不稳定和/或具有过大占用面积(从而使其较不适于包含在(例如)还可包含逻辑电路的“片上系统”(SoC)上)。
然而，实施例提供适于还包括射频(RF)和/或无线部件(例如振荡器、滤波器、谐振器、开关等)的SoC中的单块集成的不昂贵、稳定并且小型的谐振器件。该实施例包含形成有两个栅极的基于以机械方式谐振的鳍状物的场效应晶体管(finFET)。当这些栅极激活时，其在其间延伸的条状物/鳍状物部分上施加向下力。该条状物可定位在弹性材料上，该弹性材料可包含在位于该鳍状物下方的沟槽中。因此，周期性地激发这些栅极将导致以周期性方式迫使该条状物向下到该弹性材料中的周期性库仑力。因此，周期性地激发这些栅极形成谐振器件，例如振荡器。此多栅极以机械方式谐振的晶体管在本文中称为MGMRT。实施例使用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容三栅极工艺实现MGMRT。在CMOS中制作的紧凑、可按比例缩放的MGMRT的实施例实现大范围的RF低功率移动和无线部件。由纳米机械谐振器件实现的紧凑振荡器针对专业计算(例如，依赖于谐振的图案识别应用)实现非布尔架构。
因此，在本文中所描述的基于CMOS的纳米机械谐振器件的实施例：(1)提供了片上谐振结构(同时避免或限制电感器和电容器的使用)，(2)实现了具有宽频率操作范围(例如，1GHz-100GHz并且横跨数个无线频带)的电路，(3)减少了无线和RF应用所需的分立部件的数目和/或(4)针对计时和非布尔计算实现了片上频率源。
在本文中描述了其它的实施例。
图1示出了MGMRT，其中周期性地激发栅极将引起以周期性方式迫使鳍状物的一部分向下到弹性材料中的周期性库仑力。因此，周期性地激发这些栅极可形成谐振器件，例如振荡器。
更详细地，图1包含具有共享一共用的沟道区段的两个finFET的实施例。这些栅极之间的该沟道区段充当对从三栅极区施加的介电力作出反应的机械响应器件。充当机械谐振器的该沟道区段悬置(例如，悬置在使用Si-SiGe选择性蚀刻工艺或氧化物去除工艺创建的沟槽上方)。
甚至更详细地，图1包含在薄带103周围由半导体材料形成的finFET(称为“鳍状物”)。鳍状物103形成在层110上。层110可以是衬底、氧化物等。鳍状物103可从该衬底形成。该晶体管包含FET节点：栅极101、栅极电介质107、源极区105和漏极区104。源极105和漏极104经重掺杂(在一些实施例中，借助外延生长)。为简单起见，未示出漏极和源极触点。该器件的导电沟道106在栅极电介质107之下驻留在该鳍状物的外侧上。具体来说，电流沿鳍状物103的“侧壁”并且沿鳍状物103的顶侧流动。由于该导电沟道实质上沿鳍状物103的这三个不同外部平面区驻留，因此图1的特定finFET通常称为“三栅极”finFET。存在其它类型的finFET(例如“双栅极”finFET，其包含在其它实施例中并且其中导电沟道主要仅沿鳍状物103的两个侧壁并且不沿鳍状物103的顶侧驻留)。
图1的实施例不同于传统的finFET，因为(例如)图1中的finFET包含附加的栅极102。导电沟道106驻留在鳍状物103和栅极101，102之间的界面(或更精确地，这些栅极和这些鳍状物之间的绝缘层)处。然而，沟道106还可沿该鳍状物包含在栅极101，102之间。沟道106可形成在弹性部分115上方。例如，部分115可以是形成(例如，经由选择性蚀刻)在鳍状物103之下的沟槽。沟槽115可以是空的(从而为使该鳍状物偏转提供空间)或用弹性材料填充(从而为该鳍状物提供减震或弹簧垫效应)。
虽然可以说沟道106在栅极101，102之间延伸，但这与反型层无关。在该鳍状物中在栅极101和102之间不存在反型层(或常规意义上，FET沟道)，因为不存在栅极。中间鳍状物区可经适当掺杂并且充当简单电阻器或导体(或“沟道”)，其连接三栅极101和102下面的两个反型层。因此，图1示出了3个沟道(栅极101下方的反型沟道、掺杂沟道106(无栅极控制)和栅极102下方的另一反型沟道)的串联连接。
双栅极谐振沟道器件因由这些栅极施加的电容性力(考虑到金属栅极(例如，第一电容性板)、栅极与鳍状物之间的绝缘体和鳍状物(例如，第二电容性栅极)的电容性)而由悬置沟道(即，悬置，因为其在沟槽115上方延伸)的机械激发操作。该沟道的振荡频率和模式由条状物的有效弹簧常数(其可部分基于鳍状物103的组成)、该条状物的有效质量、该条状物在栅极101和102之间的长度以及机械振荡的边界条件(例如，该谐振条状物是否正在两个栅极或仅一个栅极下方谐振)决定。
关于处理图1的实施例，该器件包含单个鳍状物、双栅极谐振沟道结构，其中遗漏扩散触点允许形成该谐振沟道。换句话说，常规finFET可在三栅极的任一侧上包含触点。然而，图1的实施例在栅极101，102之间无触点，从而允许这些栅极之间的鳍状物部分谐振。可使用替代实施例，其中在谐振沟道区中阻止外延步骤，以使得该沟道仍自由(全部或部分)谐振。如果在该沟道区上方允许堆积，则该堆积可最终去除或变为使得该沟道自由(全部或部分)谐振。
图2更好地示出了电容性/库仑力(参见图2中的箭头)。三栅极201覆盖绝缘体207和沟道部分206。沟道部分206悬置在沟槽215上方，沟槽215形成在层210(例如，衬底、氧化物)中。该鳍状物的侧壁并不相互平行。进一步，三栅极201包含顶部，但不包含底部。因此，三栅极201被配置为在该栅极激发时生成库仑力，并且那些力将具有净向下矢量(参见图2中的箭头)。该向下的力将以机械方式迫使沟道206向下到区215中。换句话说，图2显示了栅极和在沟道的末端处导致净向下的力的不对称激发力的横截面。
在实施例中，为激发该器件的机械模式，该器件的栅极与小交流(AC)信号组合以标称操作直流(DC)电压偏压。栅极电容器上的所施加随时间变化的电压(DC+AC)在沟道材料上产生随时间变化的力，这导致沟道区段/鳍状物的谐振。
图3(a)包含MGMRT的偏压条件。栅极301，302形成在鳍状物303上方，鳍状物303形成在沟槽315上方。电流ID从漏极区、横跨沟道区流向源极区。当栅极302借助DC和AC信号激发并且栅极301借助相同DC和AC信号激发时，该鳍状物偏转到部分315中并且从部分315中出来以生成平面外振动或谐振。该MGMRT的振荡频率基于这些栅极之间的距离、对鳍状物宽度的控制、该鳍状物的有效质量等而从1GHz跨越到100GHz。实施例包含栅内距离为10nm，50nm，100nm，500nm，750nm，1000nm和10000nm的例子。其它实施例并不如此受限。这些鳍状物出现变化的宽度(例如5nm，10nm，15nm，20nm或更多)和高度(例如30nm，40nm，50nm或更多)。可使用这些栅极的电气条件来改变沟道梁/条状物的边界条件。
图3(b)包含其中该鳍状物在每一栅极之下自由偏转的“自由/自由”取向或边界条件。因此，栅极301迫使库仑力通过绝缘体307以使鳍状物303向下偏转到区315中。栅极302迫使库仑力通过绝缘体308以使鳍状物303向下偏转到区315中。实施例包含(例如)10nm的栅内距离，其中横模频率为215GHz；100nm的栅内距离，其中横模频率为18.8GHz；以及1，000nm的栅内距离，其中横模频率为378MHz。其它实施例并不如此受限。
图3(c)包含其中该鳍状物在栅极301之下、但不在栅极302之下偏转的“自由/夹紧”或“自由/固定”取向或边界条件。因此，栅极301迫使库仑力通过绝缘体以使鳍状物303向下偏转到区315中。然而，栅极302未激活，并且因此并不迫使库仑力通过绝缘体以使鳍状物303向下偏转到区315中。在其它实施例中，与栅极302接触的条状物可不位于沟槽上方，并且由此“固定”。实施例包含(例如)10nm的栅内距离，其中横模频率为105GHz；100nm的栅内距离，其中横模频率为5.15GHz；以及1，000nm的栅内距离，其中横模频率为60.3MHz。其它实施例并不如此受限。
图4包含针对增强的操作电流具有谐振沟道结构阵列的MGMRT。多个鳍状物403(以及多个沟道406)共享源极触点405和漏极触点404以及栅极401，402。此阵列允许较高的驱动电流和变化容差(例如，稍微超出容差范围谐振的一个鳍状物由在容差范围内进行谐振的许多其它鳍状物补偿)。
图5包含具有形成以机械方式谐振的沟道的跳跃扩散触点的MGMRT。更具体来说，多个鳍状物(503)和栅极(501)包含在多个器件(D1，D2，D3，D4)之中。(例如，D1是具有定位在源极和漏极之间的2个栅极的器件。)这些器件都共享共用的鳍状物区、共用的源极触点结构505和共用的漏极触点结构504。部件的该共享允许了谐振构件的机械耦合。因此，图5提供了将所共享的鳍状物用于机械地谐振的沟道的耦合的机械振荡器/谐振器的阵列。
图6包含基于MGMRT的片上RF振荡器。振荡器电路SoC包含类似于图4中所示实施例的谐振阵列。该阵列包含沟道606，其共享共用的栅极601，602、漏极触点604和源极触点605。漏极触点604耦合到VD(DC)，并且源极触点605耦合到地。栅极601，602两者都由VG(DC)偏压，VG(DC)由来自片上跨阻放大器603的AC输出修改。关于AC输出，v(t)是ZTIA*i(t)，其中ZTIA是跨阻放大器增益，并且i(t)是沿沟道流动的DC和AC电流。施加到栅极的最终电压(DC和AC输入的总和)为 其中iac是i(t)的AC分量的量值，ωmech是机械谐振频率，并且是相移。
因此，图6的RF振荡器包含与片上跨阻放大器形成闭合环路的机械谐振器。该闭合环路将i(t)从节点605耦合到放大器603。关于i(t)，IDC是因VG和VD导致的静态源极-漏极电流(VDC ≡ZTIA*IDC)，并且iac是因晶体管中载流子迁移率的振动/压阻式调制导致的随时间变化的电流的量值。振荡频率由这些栅极之间的悬置沟道或条状物区段的机械谐振规定。振荡阈值由该器件从所施加栅极电压到该器件的沟道中的经调制的电流的机械传送增益来设置。在实施例中，可通过监视电流量值沿该鳍状物的改变(其中该电流量值因由栅极施加到该鳍状物的周期性力(机械应力和应变)而在载流子迁移率改变时改变)来确定振荡频率。
图7(a)-(b)显示了采用MGMRT(例如图1，4和/或5的晶体管的片上RF振荡器电路的实施例。图7(a)将MGMRT 700耦合到跨阻放大器703、电阻器702和电容器701。PMOS和NMOS晶体管(两者都导通)构成片上跨阻放大器，其中Rout是PMOS的输出电阻并且对应于图6中的ZTIA。图7(a)的整个电路共享单个单块衬底(即，SoC)。
图7(b)将MGMRT 700耦合到跨阻放大器703、电阻器702和电容器701。图7(b)的电路共享单个单块衬底(即，SoC)。图7(a)包含具有外部偏压电压的3晶体管实施例，而图7(b)包含具有替代偏压电路(晶体管704)的6晶体管实施方案。
因此，图7(a)-(b)的实施例提供了采用基于MGMRT的振荡器的片上振荡器。在实施例中，通过该MGMRT的经压阻方式调制的电流由该电路放大并且在放大器的输出节点处产生电压，该电压然后施加到该MGMRT的栅极。可使用第二晶体管电桥(图7(b)的晶体管704)来设置该MGMRT的偏压条件。
因由机械振荡提供的高Q因数，图7(a)和(b)的实施例的频率含量稳定，具有低相位噪声，并且从而消除针对RF电路(例如，振荡器、谐振器、开关、滤波器)和/或高速输入/输出(I/O)系统需要(全部或部分)昂贵的晶体振荡器。此类实施例适于(例如)使用标准CMOS工艺形成的需要昂贵、高度稳定的高频率时钟信号的器件。实施例(例如图7(a)和(b)的那些实施例)还可用于(例如)处于高频的窄频带RF开关或滤波器中。
图8包含具有选择/开关谐振器特征的可调谐/多模式振荡器。不同的多间距(poly-pitch)布置(全部使用相同工艺技术)产生具有不同的谐振条状物长度(并且不同谐振频率)的MGMRT(850，851，852)。这些MGMRT可组合在一起以创建以不同频率振荡的可配置振荡器，其中具有不期望频率的振荡器可容易经由显示耦合到MGMRT 850，851，852的漏极的开关中的任一者接通或切断。通过使用MGMRT 850，851，852的不同组合，实施例提供频率调谐能力。同样，由于电压方案直接切断从不期望结构进行感测的声学模式，因此该架构还促进相同信号路径重新用于该放大器。
虽然本文中论述的数个实施例描述沟槽(例如图1的部分115)的使用，但其它实施例并不如此受限。例如，谐振条状物(定位在两个力之间从而提供栅极的鳍状物)可自身具有弹性并且可具有足以在该谐振条状物无任何悬置的情况下提供谐振的弹性。此外，在另一实施例中，该谐振条状物可直接或间接位于可自身具有足以在该谐振条状物无任何(或较少)悬置的情况下提供谐振的弹性的层上。
此外，实施例提供处理MGMRT的方法。该方法可包含：在半导体衬底上设置沟槽层；在该沟槽层中形成一个或多个沟槽，从而暴露出该半导体衬底；在一个或多个沟槽内外延生长半导体材料以填充一个或多个沟槽；以及去除该沟槽层的一部分以暴露出该半导体材料作为一个或多个半导体鳍状物。
该方法可还包含：在这些半导体鳍状物的至少一部分上方形成栅极电介质层；在该栅极电介质层上方形成第一栅电极，以使其跨越该半导体鳍状物；在该半导体鳍状物中在该第一栅电极的侧面上形成漏极区；在该栅极电介质层上方形成跨越该半导体鳍状物的第二栅电极；在该半导体鳍状物中且在该第一栅电极与该第二栅电极之间形成沟道区；以及在该半导体鳍状物中在该第二栅电极的侧面上形成源极区，以使得这两个栅极位于该源极和漏极区之间。
该方法可还包含在该鳍状物的沟道部分之下形成沟槽。可通过在该鳍状物之下选择性地进行蚀刻来形成该沟槽。在其它实施例中，该沟槽可从该衬底的下侧朝向该鳍状物蚀刻。在其它实施例中，该沟槽在该鳍状物形成之前形成。该沟槽用在该鳍状物形成之后稍后选择性地蚀刻的临时材料填充。该临时填充的沟槽可具有较宽占用面积，以使得在该鳍状物形成之后，该鳍状物的占用面积并不完全掩盖该沟槽的占用面积。
在某些情况下，例如在图2中，该栅极对称地形成在该鳍状物周围，并且提供对称侧壁力。换句话说，施加到该鳍状物的侧壁的库仑力对称，因为该栅极沿该鳍状物的侧面对称地设置。然而，在其它实施例中，该栅极可能不这样设置并且可能反而不对称地形成在鳍状物侧壁上，并且因此提供可导致该鳍状物在平面内、平面外或在平面内和平面外谐振之间以混合方式谐振的不对称力。此外，虽然这些鳍状物侧壁在图2不平行，但在其它实施例中，这些鳍状物侧壁可能平行(或比图2更平行)，并且仍提供净向下鳍状物谐振诱发力。
实施例可用于许多不同类型的系统中。例如，在一个实施例中，通信装置(例如，蜂窝电话、智能电话、上网本、笔记本计算机、个人计算机、手表和相机)可被布置为包含本文中描述的各种实施例。现参考图9，其显示根据本发明的实施例的系统的框图。多处理器系统700是点到点互连系统，并且包含经由点到点互连件750耦合的第一处理器770和第二处理器780。处理器770和780中的每一者可以是多核处理器，包含(例如)嵌入式非易失性存储器。处理器770和780中的每一者可包含(例如)嵌入式振荡器，例如本文中描述的那些振荡器。第一处理器770可包含存储器控制器集线器(MCH)和点到点(P-P)界面。类似地，第二处理器780可包含MCH和P-P界面。这些MCH可将这些处理器耦合到相应存储器(即存储器732和存储器734)，这些相应存储器可以是局部附接到相应处理器的主存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))的部分。第一处理器770和第二处理器780可分别经由P-P互连接件耦合到芯片组790。芯片组790可包含P-P界面以及振荡器、滤波器、开关和谐振器，例如本文中描述的那些振荡器。此外，芯片组790可经由界面耦合到第一总线799。各种输入/输出(I/O)装置714可连同总线桥718一起耦合到第一总线799，总线桥718将第一总线716耦合到第二总线720。各种装置可耦合到第二总线720，包含(例如)键盘/鼠标722、通信装置797和数据存储单元728，例如磁盘驱动器或其它大容量存储装置，在一个实施例中，其可包含代码730。代码可包含在一个或多个存储器(包含存储器728，732，734)中，存储器经由网络等耦合到系统700。进一步，音频I/O 724可耦合到第二总线720。
以下实例关于进一步实施例。
实例1包含一种机械谐振器，其包括：非平面晶体管，其包含鳍状物，该鳍状物包含源极节点和漏极节点以及位于该源极节点和漏极节点之间的沟道；第一非平面三栅极，其在该鳍状物上位于该源极节点和漏极节点之间；以及第一绝缘部，其包含在该第一三栅极和该鳍状物之间；其中当该第一三栅极被周期性地激活以在该鳍状物上产生周期性向下的力时，该鳍状物以机械方式谐振。
在实例2中，实例1的主题可选地包含：第二非平面三栅极，其在该鳍状物上位于该源极节点和漏极节点之间；以及第二绝缘部，其包含在该第二三栅极和该鳍状物之间；其中该沟道的至少一部分在该第一三栅极和第二三栅极之间延伸。
在实例3中，实例1-2的主题可选地包含：其中该第一三栅极包含将两个侧壁耦合在一起的顶壁，并且这两个侧壁并不相互平行。
在实例4中，实例1-3的主题可选地包含：其中该沟道悬置。
在实例5中，实例1-4的主题可选地包含直接接触该鳍状物的层，其中该沟道悬置在形成在该层中的沟槽上方。
在实例6中，实例1-5的主题可选地包含：其中该沟槽被至少部分地填充有弹性材料。
在实例7中，实例1-6的主题可选地包含：其中该沟槽至少部分是空的。
在实例8中，实例1-7的主题可选地包含：其中该沟槽至少从该第一三栅极延伸到该第二三栅极。
在实例9中，实例1-8的主题可选地包含：其中当该第一三栅极和第二三栅极被周期性地激活以在该鳍状物上各自产生周期性向下的力时，该鳍状物在该沟槽内以机械方式谐振。
在实例10中，实例1-9的主题可选地包含：其中当该第一三栅极和第二三栅极被周期性地激活以在该鳍状物上各自产生周期性向下的力时，该鳍状物以机械方式谐振。
在实例11中，实例1-10的主题可选地包含选自包括滤波器、谐振器和振荡器的组的部件，其中该部件包含该晶体管并且并不包含电感器。
在实例12中，实例1-11的主题可选地包含：其中该周期性向下的力是介电力。
在实例13中，实例1-12的主题可选地包含：其中该鳍状物以取决于从该第一三栅极延伸到该第二三栅极的距离的频率机械地谐振。
在实例14中，实例1-13的主题可选地包含：其中该沟道内的载流子迁移率基于该频率。
在实例15中，实例1-14的主题可选地包含：其中当该第一三栅极和第二三栅极被周期性地激活以各自对该鳍状物产生周期性向下的力时，该鳍状物在形成在该鳍状物下方的沟槽内以机械方式谐振。
在实例16中，实例1-15的主题可选地包含耦合到该第一三栅极和第二三栅极的附加的鳍状物；其中当该第一三栅极和第二三栅极被周期性地激活以各自对在该鳍状物和这些附加的鳍状物产生周期性向下的力时，该鳍状物和这些附加的鳍状物全部同步地谐振。
在实例17中，实例1-16的主题可选地包含：包含在该鳍状物中的附加的源极节点和位于该附加的源极节点和该漏极节点之间的附加的沟道；第三非平面三栅极，其在该鳍状物上位于该附加的源极节点和该漏极节点之间；以及第三绝缘部，其包含在该第三三栅极和该鳍状物之间；其中机械谐振器包含该源极节点和漏极节点，并且耦合到该机械谐振器的附加的机械谐振器包含该附加的源极节点和该漏极节点。
在实例18中，实例1-17的主题可选地包含：其中该晶体管形成在位于平面内的衬底上，并且该鳍状物相对于该平面正交谐振。
实例19包含一种振荡器，其包括：放大器，其形成在单块衬底上；多栅极谐振沟道阵列，其形成在该衬底上并且耦合到该放大器，其包含：(a)多个晶体管，其包含多个鳍状物，这些鳍状物中的每一者具有位于源极节点和漏极节点之间的沟道，耦合到共用的源极触点和共用的漏极触点；以及(b)共用的第一三栅极和共用的第二三栅极，其耦合到这些鳍状物中的每一者并且定位在该源极和漏极触点之间；其中当该第一三栅极和第二三栅极的其中之一被周期性地激活以对这些鳍状物上产生周期性向下的力时，这些鳍状物以第一频率以机械方式谐振。
在实例20中，实例19的主题可选地包含：其中当该第一和第二栅极耦合到DC源并且该放大器向该第一和第二栅极供应AC时，这些鳍状物以基于沿这些鳍状物从该第一栅极延伸到该第二栅极的距离的频率谐振。
在实例21中，实例19-20的主题可选地既不包含晶体振荡器也不包含电感器。
在实例22中，实例19-21的主题可选地包含形成在该衬底上并且耦合到该放大器的附加的多栅极谐振沟道阵列，该附加的多栅极谐振沟道阵列包含附加的多个鳍状物，当该第一三栅极和第二三栅极的其中之一被周期性地激活以对这些鳍状物产生周期性向下的力时，附加的多个鳍状物以不等于该第一频率的第二频率机械地谐振。
实例23包含一种方法，其包括：形成非平面晶体管，其包含鳍状物，该鳍状物包含源极节点和漏极节点以及位于该源极节点和漏极节点之间的沟道；以及在该鳍状物上在该源极节点和漏极节点之间形成第一三栅极和第二三栅极；其中当该第一三栅极被周期性地激活以对该鳍状物产生周期性向下的力时，该鳍状物以机械方式谐振。
在实例24中，实例23的主题可选地包含在层上形成该鳍状物；以及在该层中并且在该沟道正下方形成沟槽。
在实例25中，实例23-24的主题可选地包含在该沟槽内形成弹性材料。
已出于图解和描述目的呈现本发明的实施例的前述描述。并不打算穷尽列举或将本发明限于所公开的精确形式。此描述和以下权利要求包含仅出于描述性目的使用并且并不视为具有限制性的术语，例如左侧、右侧、顶部、底部、在…上方、在…下方、上部、下部、第一、第二等。例如，指定相对垂直位置的术语是指其中衬底或集成电路的装置侧(或有源表面)是该衬底的“顶部”表面的情况；该衬底可实际上沿任一取向，以使得衬底的“顶部”侧在标准地球参考系中可比“底部”侧低并且仍属于术语“顶部”的意义内。如本文中所使用(包含在权利要求中)的术语“位于…上”并不指示“位于”第二层“上”的第一层直接位于该第二层上或与该第二层直接接触，除非特别声明此情况；在该第一层和位于该第一层上的该第二层之间可能存在第三层或其它结构。可以任何数目个位置和取向制造、使用或运送本文中所述的装置或物品的实施例。相关领域的技术人员可了解，鉴于以上教示，许多修改和变化是可行的。所属领域的技术人员将认识到图中所示各种部件的各种等效组合和替代。因此，本发明的意图并不是由具体实施方式来限定本发明的范围，而是由所附权利要求来限定本发明的范围。

Claims (25)

1.一种机械谐振器设备，包括：
包含鳍状物的非平面晶体管，所述鳍状物包含源极节点和漏极节点以及位于所述源极节点与漏极节点之间的沟道；
附加的源极节点和附加的沟道，所述附加的源极节点被包含在所述鳍状物中，所述附加的沟道位于所述附加的源极节点与所述漏极节点之间；
非平面的第一三栅极，非平面的所述第一三栅极在所述鳍状物上并位于所述源极节点与所述漏极节点之间；
包含在所述第一三栅极与所述鳍状物之间的第一绝缘部；
非平面的第二三栅极，非平面的所述第二三栅极在所述鳍状物上并位于所述源极节点与所述漏极节点之间；
包含在所述第二三栅极与所述鳍状物之间的第二绝缘部；
非平面的第三三栅极，非平面的所述第三三栅极在所述鳍状物上并位于所述附加的源极节点与所述漏极节点之间；以及
第三绝缘部，所述第三绝缘部被包含在所述第三三栅极与所述鳍状物之间；
其中，所述沟道的至少一部分在所述第一三栅极与所述第二三栅极之间延伸，
其中，当所述第一三栅极被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物机械地谐振，并且
其中，机械谐振器包含所述源极节点和所述漏极节点，并且耦合到所述机械谐振器的附加的机械谐振器包含所述附加的源极节点和所述漏极节点。
2.根据权利要求1所述的机械谐振器设备，其中，所述第一三栅极包含将两个侧壁耦合在一起的顶壁，并且所述两个侧壁彼此不平行。
3.根据权利要求1所述的机械谐振器设备，其中，所述沟道被悬置。
4.根据权利要求1所述的机械谐振器设备，包括直接接触所述鳍状物的层，其中，所述沟道被悬置在形成于所述层中的沟槽上方。
5.根据权利要求4所述的机械谐振器设备，其中，所述沟槽至少部分地填充有弹性材料。
6.根据权利要求4所述的机械谐振器设备，其中，所述沟槽至少部分是空的。
7.根据权利要求4所述的机械谐振器设备，其中，所述沟槽至少从所述第一三栅极延伸到所述第二三栅极。
8.根据权利要求4所述的机械谐振器设备，其中，当所述第一三栅极和所述第二三栅极被周期性地激活以各自对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物在所述沟槽内机械地谐振。
9.根据权利要求1所述的机械谐振器设备，其中，当所述第一三栅极和所述第二三栅极被周期性地激活以各自对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物机械地谐振。
10.根据权利要求9所述的机械谐振器设备，还包括选自包含滤波器、谐振器和振荡器的组的部件，其中，所述部件包含所述非平面晶体管并且不包含电感器。
11.根据权利要求9所述的机械谐振器设备，其中，所述周期性向下的力是介电力，并且沿着所述鳍状物的顶部和两个侧壁包含所述沟道。
12.根据权利要求9所述的机械谐振器设备，其中，所述鳍状物以取决于从所述第一三栅极延伸到所述第二三栅极的距离的频率机械地谐振。
13.根据权利要求12所述的机械谐振器设备，其中，所述沟道内的载流子迁移率基于所述频率。
14.根据权利要求1所述的机械谐振器设备，其中，当所述第一三栅极和所述第二三栅极被周期性地激活以各自对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物在形成于所述鳍状物下方的沟槽内机械地谐振。
15.根据权利要求1所述的机械谐振器设备，包括与所述第一三栅极和所述第二三栅极耦合的附加的鳍状物；其中，当所述第一三栅极和所述第二三栅极被周期性地激活以各自对所述鳍状物和所述附加的鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物和所述附加的鳍状物全部都一起同步地谐振。
16.根据权利要求1所述的机械谐振器设备，其中，所述非平面晶体管被形成在位于平面内的衬底上，并且所述鳍状物相对于所述平面正交地谐振。
17.一种振荡器，包括：
放大器，所述放大器被形成在单块衬底上；
多栅极谐振沟道阵列，所述多栅极谐振沟道阵列被形成在所述衬底上并耦合到所述放大器，所述多栅极谐振沟道阵列包含：(a)包含多个鳍状物的多个晶体管，所述多个鳍状物中的每个鳍状物都具有位于源极节点与漏极节点之间的沟道，并被耦合到共用的源极触点和共用的漏极触点；以及(b)共用的第一三栅极和共用的第二三栅极，所述共用的第一三栅极和所述共用的第二三栅极耦合到所述鳍状物中的每一个鳍状物并位于所述源极触点与所述漏极触点之间；
其中，当所述第一三栅极和所述第二三栅极的其中之一被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物以第一频率机械地谐振。
18.根据权利要求17所述的振荡器，其中，当所述第一三栅极和所述第二三栅极耦合到DC源并且所述放大器向所述第一三栅极和所述第二三栅极供应AC时，所述鳍状物以基于沿所述鳍状物从所述第一三栅极延伸到所述第二三栅极的距离的所述第一频率来谐振。
19.根据权利要求17所述的振荡器，既不包括晶体振荡器也不包括电感器。
20.根据权利要求17所述的振荡器，包括形成在所述衬底上并耦合到所述放大器的附加的多栅极谐振沟道阵列，所述附加的多栅极谐振沟道阵列包含附加的多个鳍状物，当所述第一三栅极和所述第二三栅极的其中之一被周期性地激活以对所述鳍状物产生所述周期性向下的力时，所述附加的多个鳍状物以第二频率机械地谐振，所述第二频率不等于所述第一频率。
21.一种使鳍状物谐振的方法，包括：
在层上形成所述鳍状物；
形成包含所述鳍状物的非平面晶体管，所述鳍状物包含源极节点和漏极节点以及位于所述源极节点与所述漏极节点之间的沟道；
在所述层中并且在所述沟道正下方形成沟槽；以及
在所述鳍状物上且在所述源极节点与漏极节点之间形成第一三栅极和第二三栅极；
其中，当周期性地激活所述第一三栅极以对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物机械地谐振。
22.根据权利要求21所述的方法，包括在所述沟槽内形成弹性材料。
23.一种机械谐振器设备，包括：
包含鳍状物的非平面晶体管，所述鳍状物包含源极节点和漏极节点以及位于所述源极节点与漏极节点之间的沟道；
直接接触所述鳍状物并且包括沟槽的层；
非平面的第一三栅极，非平面的所述第一三栅极在所述鳍状物上并位于所述源极节点与所述漏极节点之间；
包含在所述第一三栅极与所述鳍状物之间的第一绝缘部；
非平面的第二三栅极，非平面的所述第二三栅极在所述鳍状物上并位于所述源极节点与所述漏极节点之间；以及
包含在所述第二三栅极与所述鳍状物之间的第二绝缘部，
其中，所述沟道被悬置在所述沟槽上方，
当所述第一三栅极被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物机械地谐振，并且
所述沟道的至少一部分在所述第一三栅极与所述第二三栅极之间延伸。
24.根据权利要求23所述的机械谐振器设备，包括选自包含滤波器、谐振器和振荡器的组的部件，其中，所述部件包含所述非平面晶体管并且不包含电感器。
25.根据权利要求23所述的机械谐振器设备，其中，所述沟槽至少部分地填充有弹性材料和/或所述沟槽至少部分是空的。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014204492A1 (en) 2013-06-21 2014-12-24 Intel Corporation Mtj spin hall mram bit-cell and array
DE112013007032T5 (de) * 2013-06-29 2016-01-21 Intel Corporation Piezoresistiver Resonator mit Multi-Gate-Transistor
JP6561395B2 (ja) 2014-06-18 2019-08-21 インテル・コーポレーション 装置
US9673376B1 (en) * 2016-02-03 2017-06-06 Globalfoundries Inc. Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device
US10096522B2 (en) 2016-05-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dummy MOL removal for performance enhancement
US10714604B2 (en) * 2018-06-25 2020-07-14 Intel Corporation Quantum dot devices with multiple dielectrics around fins
KR102211883B1 (ko) 2020-01-31 2021-02-02 손현용 스마트폰용 무 전원 확성기
US11469321B2 (en) 2020-02-27 2022-10-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device
US11201151B2 (en) * 2020-03-27 2021-12-14 Intel Corporation Resonant fin transistor (RFT)
US11323070B1 (en) * 2021-04-16 2022-05-03 Apple Inc. Oscillator with fin field-effect transistor (FinFET) resonator
US20230030906A1 (en) * 2021-07-29 2023-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Tunable resonator

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1967873A (zh) * 2005-11-14 2007-05-23 恩益禧电子股份有限公司 半导体器件
CN101162736A (zh) * 2006-10-11 2008-04-16 旺宏电子股份有限公司 垂直沟道存储器及其制造方法与应用其的操作方法
CN101924133A (zh) * 2009-04-14 2010-12-22 台湾积体电路制造股份有限公司 鳍式fet及其形成方法
CN101969061A (zh) * 2010-09-27 2011-02-09 复旦大学 一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0215675A (ja) * 1988-07-01 1990-01-19 Fujitsu Ltd 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US6844566B2 (en) * 2003-05-30 2005-01-18 Texas Instruments Incorporated Suspended gate single-electron device
FR2857952B1 (fr) 2003-07-25 2005-12-16 St Microelectronics Sa Resonateur electromecanique et procede de fabrication d'un tel resonateur
JP2005228781A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7358648B2 (en) * 2005-01-13 2008-04-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Torsion resonator and filter using this
US7279997B2 (en) * 2005-10-14 2007-10-09 Freescale Semiconductor, Inc. Voltage controlled oscillator with a multiple gate transistor and method therefor
US8772858B2 (en) 2006-10-11 2014-07-08 Macronix International Co., Ltd. Vertical channel memory and manufacturing method thereof and operating method using the same
JP5046966B2 (ja) * 2007-01-23 2012-10-10 パナソニック株式会社 電気機械共振器及びその製造方法
US7838948B2 (en) * 2007-01-30 2010-11-23 Infineon Technologies Ag Fin interconnects for multigate FET circuit blocks
US8076738B2 (en) 2007-09-28 2011-12-13 Infineon Technologies Ag Integrally fabricated micromachine and logic elements
US20090321834A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Willy Rachmady Substrate fins with different heights
WO2010058351A1 (en) * 2008-11-18 2010-05-27 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Active multi gate micro-electro-mechanical device with built-in transistor
EP2330738A1 (fr) 2009-12-03 2011-06-08 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Résonateur MEMS à transistor et oscillateur comportant un tel résonateur
US8269283B2 (en) 2009-12-21 2012-09-18 Intel Corporation Methods and apparatus to reduce layout based strain variations in non-planar transistor structures
US8502279B2 (en) * 2011-05-16 2013-08-06 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Nano-electro-mechanical system (NEMS) structures with actuatable semiconductor fin on bulk substrates
JP5618374B2 (ja) * 2011-06-24 2014-11-05 日本電信電話株式会社 機械共振器
US20140048867A1 (en) * 2012-08-20 2014-02-20 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Multi-time programmable memory

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1967873A (zh) * 2005-11-14 2007-05-23 恩益禧电子股份有限公司 半导体器件
CN101162736A (zh) * 2006-10-11 2008-04-16 旺宏电子股份有限公司 垂直沟道存储器及其制造方法与应用其的操作方法
CN101924133A (zh) * 2009-04-14 2010-12-22 台湾积体电路制造股份有限公司 鳍式fet及其形成方法
CN101969061A (zh) * 2010-09-27 2011-02-09 复旦大学 一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制造方法

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